JP2614031B2 - 半導体チップの樹脂封止金型 - Google Patents
半導体チップの樹脂封止金型Info
- Publication number
- JP2614031B2 JP2614031B2 JP9545795A JP9545795A JP2614031B2 JP 2614031 B2 JP2614031 B2 JP 2614031B2 JP 9545795 A JP9545795 A JP 9545795A JP 9545795 A JP9545795 A JP 9545795A JP 2614031 B2 JP2614031 B2 JP 2614031B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor chip
- molten resin
- recess
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/46—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould
- B29C45/56—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould using mould parts movable during or after injection, e.g. injection-compression moulding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/46—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould
- B29C45/56—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould using mould parts movable during or after injection, e.g. injection-compression moulding
- B29C2045/5695—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould using mould parts movable during or after injection, e.g. injection-compression moulding using a movable mould part for continuously increasing the volume of the mould cavity to its final dimension during the whole injection step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに載置
された半導体チップを樹脂封止する半導体チップの樹脂
封止金型に関する。
された半導体チップを樹脂封止する半導体チップの樹脂
封止金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体装置のパッケージには樹脂
モールドやセラミックスケースへの封入などがあるが、
多くの半導体装置は、安価で生産性の優れていることか
ら樹脂モールドのパッケージが採用されている。
モールドやセラミックスケースへの封入などがあるが、
多くの半導体装置は、安価で生産性の優れていることか
ら樹脂モールドのパッケージが採用されている。
【０００３】この半導体装置における樹脂パッケージ成
形方法は、リードフレームに載置された半導体チップを
金型のキャビティで包み挿入し、上型と下型とでリード
フレームを挟み保持し、下型のゲートから溶融樹脂をキ
ャビティ内に注入し半導体チップを樹脂封止していた。
形方法は、リードフレームに載置された半導体チップを
金型のキャビティで包み挿入し、上型と下型とでリード
フレームを挟み保持し、下型のゲートから溶融樹脂をキ
ャビティ内に注入し半導体チップを樹脂封止していた。
【０００４】しかしながら、下型のキャビティを形成す
る窪みの空間部に比較し上型の窪みには、樹脂の流れの
抵抗となる半導体チップや半導体チップとリードフレー
ムと接続する金属細線などが存在する。しかも、キャビ
ティに溶融樹脂を注入するゲートが下型に配設されるの
で、溶融樹脂は下型の窪み側に早く流れていまい、この
ため、半導体チップの浮き上りにより樹脂外郭体からの
露出や、気泡の発生あるいは金属細線の曲りによる短絡
など種々の問題を発生していた。
る窪みの空間部に比較し上型の窪みには、樹脂の流れの
抵抗となる半導体チップや半導体チップとリードフレー
ムと接続する金属細線などが存在する。しかも、キャビ
ティに溶融樹脂を注入するゲートが下型に配設されるの
で、溶融樹脂は下型の窪み側に早く流れていまい、この
ため、半導体チップの浮き上りにより樹脂外郭体からの
露出や、気泡の発生あるいは金属細線の曲りによる短絡
など種々の問題を発生していた。
【０００５】図２（ａ）および（ｂ）は従来の半導体チ
ップの樹脂封止金型の一例を動作順に示す断面図であ
る。上述した問題を解消する金型として、特開平２ー９
０６３３号公報に開示されている。この樹脂封止金型
は、図２に示すように、下型２３のキャビティ２４を形
成する窪みの底部より突出し溶融樹脂の流れを抑制する
フローコントロールピン２１を設けている。
ップの樹脂封止金型の一例を動作順に示す断面図であ
る。上述した問題を解消する金型として、特開平２ー９
０６３３号公報に開示されている。この樹脂封止金型
は、図２に示すように、下型２３のキャビティ２４を形
成する窪みの底部より突出し溶融樹脂の流れを抑制する
フローコントロールピン２１を設けている。
【０００６】このフローコントロールピン２１の突出量
によって、下型２３の窪みに流れる溶融樹脂２５の流れ
を抑制し上型２２の窪みへ溶融樹脂２５の流れを良く
し、キャビティ２４内の溶融樹脂２５の流れを一様にし
リードフレーム２７に載置された半導体チップ２６を樹
脂封止する。
によって、下型２３の窪みに流れる溶融樹脂２５の流れ
を抑制し上型２２の窪みへ溶融樹脂２５の流れを良く
し、キャビティ２４内の溶融樹脂２５の流れを一様にし
リードフレーム２７に載置された半導体チップ２６を樹
脂封止する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
チップの樹脂封止金型では、リードフレームおよび金属
細線の変形や上型のキャビティにおける気泡の問題は解
消されるものの、溶融樹脂の流れ方向に対しフローコト
ロールピンの背面部に流れ込む溶融樹脂が遅れ完全に埋
まるまでに硬化し気泡として残るという新たに問題を発
生する。また、フローコントロールピンの埋没が遅れる
と、成形された樹脂外郭体に段差が生じ外観不良となる
問題がある。
チップの樹脂封止金型では、リードフレームおよび金属
細線の変形や上型のキャビティにおける気泡の問題は解
消されるものの、溶融樹脂の流れ方向に対しフローコト
ロールピンの背面部に流れ込む溶融樹脂が遅れ完全に埋
まるまでに硬化し気泡として残るという新たに問題を発
生する。また、フローコントロールピンの埋没が遅れる
と、成形された樹脂外郭体に段差が生じ外観不良となる
問題がある。
【０００８】従って、本発明の目的は、樹脂外郭体に段
差や内部に気泡が無く樹脂封止できる半導体チップの樹
脂封止金型を提供することにある。
差や内部に気泡が無く樹脂封止できる半導体チップの樹
脂封止金型を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
チップを入れる第１の窪みと該半導体チップを載置し外
方に伸びるリードフレームを載置する載置面を有すると
ともに該載置面に形成され前記第１の窪みに溶融樹脂を
流し込むランナとゲートとを有する下型と、前記第１の
窪みと合せ前記半導体チップを包むキャビティを形成す
る第２の窪みと前記下型の該載置面と協働し前記リード
フレームを挟み保持する押圧面とを有する上型とを備え
る半導体チップの樹脂封止金型において、前記第１の窪
みの底面および側壁に摺動し得るとともに先端部が前記
ゲート側の前記第１の窪みの反対側の壁面となす可動部
材を有し前記ゲートより流れ込む前記溶融樹脂の流れに
抗して該可動部材に反発力を与え該溶融樹脂の流速制御
する樹脂流速制御機構を備える半導体チップの樹脂封止
金型である。
チップを入れる第１の窪みと該半導体チップを載置し外
方に伸びるリードフレームを載置する載置面を有すると
ともに該載置面に形成され前記第１の窪みに溶融樹脂を
流し込むランナとゲートとを有する下型と、前記第１の
窪みと合せ前記半導体チップを包むキャビティを形成す
る第２の窪みと前記下型の該載置面と協働し前記リード
フレームを挟み保持する押圧面とを有する上型とを備え
る半導体チップの樹脂封止金型において、前記第１の窪
みの底面および側壁に摺動し得るとともに先端部が前記
ゲート側の前記第１の窪みの反対側の壁面となす可動部
材を有し前記ゲートより流れ込む前記溶融樹脂の流れに
抗して該可動部材に反発力を与え該溶融樹脂の流速制御
する樹脂流速制御機構を備える半導体チップの樹脂封止
金型である。
【００１０】また、前記樹脂流速制御機構は、前記可動
部材の後端から伸び前記下型に形成される穴に摺動する
少なくとも２本の直線ガイドピンと、このピストンロッ
ドの前進および後退させる空圧あるいは油圧シリンダと
を備えることが望ましい。
部材の後端から伸び前記下型に形成される穴に摺動する
少なくとも２本の直線ガイドピンと、このピストンロッ
ドの前進および後退させる空圧あるいは油圧シリンダと
を備えることが望ましい。
【００１１】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１２】図１（ａ）および（ｂ）は本発明の半導体
チップの樹脂封止金型の一実施例を示す断面図（ａ）お
よび下型の上面図である。この半導体チップの樹脂封止
金型は、図１に示すように、キャビティ６を形成する下
型９の窪み７ｂの底面および側壁に摺動し得るとともに
先端部がゲート１１側の窪み７ｂの反対側の壁面となす
可動こま１を有しゲート１１より流れ込む溶融樹脂１２
の流れに抗して可動こま１に反発力を与え溶融樹脂１２
の流速制御する流速制御機構２を設けたことである。そ
れ以外は従来例と同である。
チップの樹脂封止金型の一実施例を示す断面図（ａ）お
よび下型の上面図である。この半導体チップの樹脂封止
金型は、図１に示すように、キャビティ６を形成する下
型９の窪み７ｂの底面および側壁に摺動し得るとともに
先端部がゲート１１側の窪み７ｂの反対側の壁面となす
可動こま１を有しゲート１１より流れ込む溶融樹脂１２
の流れに抗して可動こま１に反発力を与え溶融樹脂１２
の流速制御する流速制御機構２を設けたことである。そ
れ以外は従来例と同である。
【００１３】流速制御機構２は、可動こま１の後端から
伸び下型８に形成されるガイド穴３に摺動する２本のピ
ストンロッド２ａと、可動こま１に反発力を与えるピス
トンロッド２ａの前進および後退を担うエアシリンダ４
とを備えている。ピストン２ａは少なくとも２本にし可
動こま１が窪み７ｂの底部と側壁とに精密な嵌合させゲ
ート１１近辺から窪み７ｂの他の端部まで移動できるよ
うにしてある。そして、可動こま１は溶融樹脂１２に押
され後退し、可動こま１は下型８の窪み７ｂの他端に形
成された凹み１３に入り込むとき可動こま１の先端部は
キャビティ６の内壁を形成する。
伸び下型８に形成されるガイド穴３に摺動する２本のピ
ストンロッド２ａと、可動こま１に反発力を与えるピス
トンロッド２ａの前進および後退を担うエアシリンダ４
とを備えている。ピストン２ａは少なくとも２本にし可
動こま１が窪み７ｂの底部と側壁とに精密な嵌合させゲ
ート１１近辺から窪み７ｂの他の端部まで移動できるよ
うにしてある。そして、可動こま１は溶融樹脂１２に押
され後退し、可動こま１は下型８の窪み７ｂの他端に形
成された凹み１３に入り込むとき可動こま１の先端部は
キャビティ６の内壁を形成する。
【００１４】エアシリンダ４の長さは可動こま１の移動
距離に対し十分長く製作されており、エアシリンダ４内
でのピストンロッド２ａの前進および後退を切替える空
気供給および排出するポート５ａおよび５ｂは下型８の
側壁に取り付けられている。また、図面には示していな
いが、ポート５ａ，５ｂは配管を介して切換え電磁弁と
圧力調整器とから構成される空圧制御部が備えらてい
る。
距離に対し十分長く製作されており、エアシリンダ４内
でのピストンロッド２ａの前進および後退を切替える空
気供給および排出するポート５ａおよび５ｂは下型８の
側壁に取り付けられている。また、図面には示していな
いが、ポート５ａ，５ｂは配管を介して切換え電磁弁と
圧力調整器とから構成される空圧制御部が備えらてい
る。
【００１５】次に、この樹脂封止金型の動作を説明す
る。まず、半導体チップ２６を搭載したリードフレーム
２７を下型８の載置面に乗せ型閉めを行なう。次に、ポ
ート５ａより圧縮空気を導入し可動こま１をＡの位置に
止める。そして、エアシリンダ４のポート５ａに連らな
る空間部の圧力を上型９の流量抵抗に略等しい圧力に設
定し、ポート５ｂに連らなるエアシリンダ４の空間部の
圧力は略一気圧とする。そして、溶融樹脂１２をゲート
１１より注入する。このことにより溶融樹脂１２は可動
こま１を後退させながら下型８の窪み７ｂと上型９の窪
み７ａに同じ速さで流れ込み始める。
る。まず、半導体チップ２６を搭載したリードフレーム
２７を下型８の載置面に乗せ型閉めを行なう。次に、ポ
ート５ａより圧縮空気を導入し可動こま１をＡの位置に
止める。そして、エアシリンダ４のポート５ａに連らな
る空間部の圧力を上型９の流量抵抗に略等しい圧力に設
定し、ポート５ｂに連らなるエアシリンダ４の空間部の
圧力は略一気圧とする。そして、溶融樹脂１２をゲート
１１より注入する。このことにより溶融樹脂１２は可動
こま１を後退させながら下型８の窪み７ｂと上型９の窪
み７ａに同じ速さで流れ込み始める。
【００１６】可動こま１が溶融樹脂１２の流れに押され
Ｂ点を過ぎて半導体チップ２６の下方を越えたら、電磁
弁を切替えてポート５ａに連なるエアシリンダ４の空間
部を大気に解放し、ポート５ｂに連らなるエアシリンダ
４の空間部の圧力を上げ、ピストンロッド２ａで可動こ
ま１を後退させ可動こま１を凹み１３に埋没させる。溶
融樹脂１２はキャビティ６全体に充填され、熱されて溶
融樹脂１２は硬化して樹脂封止が完了する。
Ｂ点を過ぎて半導体チップ２６の下方を越えたら、電磁
弁を切替えてポート５ａに連なるエアシリンダ４の空間
部を大気に解放し、ポート５ｂに連らなるエアシリンダ
４の空間部の圧力を上げ、ピストンロッド２ａで可動こ
ま１を後退させ可動こま１を凹み１３に埋没させる。溶
融樹脂１２はキャビティ６全体に充填され、熱されて溶
融樹脂１２は硬化して樹脂封止が完了する。
【００１７】このように、上型９の窪み７ａの流量抵抗
を考慮し下型８の窪みに流れる溶融樹脂１２の流れに対
する反発力を任意に設定できるので、上下の窪み７ａ，
７ｂ内の溶融樹脂１２の流れを一様にすることができ
た。ちなみに、複数のロットの半導体チップを樹脂封止
をしたところ、気泡の発生は皆無であった。
を考慮し下型８の窪みに流れる溶融樹脂１２の流れに対
する反発力を任意に設定できるので、上下の窪み７ａ，
７ｂ内の溶融樹脂１２の流れを一様にすることができ
た。ちなみに、複数のロットの半導体チップを樹脂封止
をしたところ、気泡の発生は皆無であった。
【００１８】また、小さな注入圧でも溶融樹脂の流れが
一様にできるので、樹脂注入圧力をより小さくし、従
来、起きていた金属細線やリードフレームの変形は全く
見られなかった。さらに、この可動こま１の先端部で成
形される面は、従来例で述べた捺印面や実装基板への載
置面でなく外観上全く問題とされてない側面であるの
で、外観不良となることがない。
一様にできるので、樹脂注入圧力をより小さくし、従
来、起きていた金属細線やリードフレームの変形は全く
見られなかった。さらに、この可動こま１の先端部で成
形される面は、従来例で述べた捺印面や実装基板への載
置面でなく外観上全く問題とされてない側面であるの
で、外観不良となることがない。
【００１９】なお、この実施例では、可動こまに与える
反発力を空圧により与える例で説明したが、可動こま１
に与える反発力よりも移動速度をコントロールする方が
より精密に溶融樹脂の流れを制御し易いことを考えれ
ば、速度コントロールし易い油圧シリンダを用いいた方
が有利である。
反発力を空圧により与える例で説明したが、可動こま１
に与える反発力よりも移動速度をコントロールする方が
より精密に溶融樹脂の流れを制御し易いことを考えれ
ば、速度コントロールし易い油圧シリンダを用いいた方
が有利である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、上型のキ
ャビティを形成する窪みに流れ込む溶融樹脂に対する流
量抵抗を考慮し、下型の窪みに流れ込む溶融樹脂に対す
る可変可能な流量抵抗である移動する可動こまを設ける
ことによって、キャビティ内の溶融樹脂の流れを一様に
し成形される樹脂封止体に気泡を発生させることが無く
なるという効果が得られた。また、溶融樹脂と接触する
可動こまの先端部で成形される面は、パッケージ体の外
観上平坦であることを要求される面ではないので、外観
不良となることが無くなる。
ャビティを形成する窪みに流れ込む溶融樹脂に対する流
量抵抗を考慮し、下型の窪みに流れ込む溶融樹脂に対す
る可変可能な流量抵抗である移動する可動こまを設ける
ことによって、キャビティ内の溶融樹脂の流れを一様に
し成形される樹脂封止体に気泡を発生させることが無く
なるという効果が得られた。また、溶融樹脂と接触する
可動こまの先端部で成形される面は、パッケージ体の外
観上平坦であることを要求される面ではないので、外観
不良となることが無くなる。
【図１】本発明の半導体チップの樹脂封止金型の一実施
例を示す断面図（ａ）および下型の上面図である。
例を示す断面図（ａ）および下型の上面図である。
【図２】従来の半導体チップの樹脂封止金型の一例を動
作順に示す断面図である。
作順に示す断面図である。
１ 可動こま ２ 流速制御機構 ２ａ ピストンロッド ３ ガイド穴 ４ エアシリンダ ５ａ，５ｂ ポート ６，２４ キャビティ ７ａ，７ｂ 窪み ８，２３ 下型 ９，２２ 上型 １０ ランナ １１ ゲート １２，２５ 溶融樹脂 １３ 凹み ２１ フローコントロールピン ２６ 半導体チップ ２７ リードフレーム
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップを入れる第１の窪みと該半
導体チップを載置し外方に伸びるリードフレームを載置
する載置面を有するとともに該載置面に形成され前記第
１の窪みに溶融樹脂を流し込むランナとゲートとを有す
る下型と、前記第１の窪みと合せ前記半導体チップを包
むキャビティを形成する第２の窪みと前記下型の該載置
面と協働し前記リードフレームを挟み保持する押圧面と
を有する上型とを備える半導体チップの樹脂封止金型に
おいて、前記第１の窪みの底面および側壁に摺動し得る
とともに先端部が前記ゲート側の前記第１の窪みの反対
側の壁面となす可動部材を有し前記ゲートより流れ込む
前記溶融樹脂の流れに抗して該可動部材に反発力を与え
該溶融樹脂の流速制御する樹脂流速制御機構を備えるこ
とを特徴とする半導体チップの樹脂封止金型。 - 【請求項２】 前記樹脂流速制御機構は、前記可動部材
の後端から伸び前記下型に形成される穴に摺動する少な
くとも２本のピストンロッドと、このピストンロッドの
前進および後退させる空圧あるいは油圧シリンダとを備
えることを特徴とする請求項１記載の半導体チップの樹
脂封止金型。。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9545795A JP2614031B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 半導体チップの樹脂封止金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9545795A JP2614031B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 半導体チップの樹脂封止金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288322A JPH08288322A (ja) | 1996-11-01 |
| JP2614031B2 true JP2614031B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=14138216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9545795A Expired - Lifetime JP2614031B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 半導体チップの樹脂封止金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2614031B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999008850A2 (de) * | 1997-08-20 | 1999-02-25 | Infineon Technologies Ag | Pressform sowie verfahren zum herstellen eines kunststoffverbundkörpers |
| KR20150005290A (ko) * | 2013-07-05 | 2015-01-14 | 삼성전기주식회사 | Emc 플로우를 개선한 몰드 |
-
1995
- 1995-04-20 JP JP9545795A patent/JP2614031B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08288322A (ja) | 1996-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2614031B2 (ja) | 半導体チップの樹脂封止金型 | |
| JP4217572B2 (ja) | 樹脂モールド方法および樹脂モールド装置 | |
| JP2008277470A (ja) | 半導体パッケージの製造方法及び製造装置 | |
| WO2006122125A3 (en) | Magnetic assist manufacturing to reduce mold flash and assist with heat slug assembly | |
| JP5138470B2 (ja) | トランスファモールド装置とこれを用いたトランスファモールド方法 | |
| JP2009152507A (ja) | 樹脂封止金型および半導体パッケージの樹脂封止成形方法 | |
| JPS6240851B2 (ja) | ||
| JP2893085B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 | |
| JPH01268159A (ja) | 樹脂封止半導体装置及び成型用金型 | |
| JPS6140167B2 (ja) | ||
| JP2010149423A (ja) | トランスファーモールド金型及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2598988B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法 | |
| JPS608026A (ja) | 合成樹脂成形品の射出成形法 | |
| JP2536418B2 (ja) | 半導体素子の樹脂封止用金型 | |
| JPH10135260A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型装置 | |
| JP3609821B1 (ja) | 半導体装置封止用金型およびそれを用いた半導体装置封止方法 | |
| JPH06106567A (ja) | 樹脂封止用成形装置 | |
| JPH0290633A (ja) | 半導体装置用樹脂封止金型 | |
| JP2006205175A (ja) | ワックスインジェクターおよびワックス模型鋳造方法 | |
| JP3542122B2 (ja) | 底面肉厚が極薄肉の凹所を有する板状製品の射出成形方法 | |
| JPS5925651B2 (ja) | 射出成形用金型 | |
| JP2000202610A (ja) | 金属射出成形機の射出方法及びその装置 | |
| JPH05237864A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに用いる治具 | |
| JPS588942B2 (ja) | ヨウトウタンゾウオオコナイウルダイカストカナガタソウチ | |
| JP2684920B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止金型及び製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970107 |