KR960700875A - 반도체 장치의 수지봉지 방법 - Google Patents

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테루오 나유키
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Abstract

이 발명은 IC를 실장한 회로기판을 수지봉지하는 반도체장치의 수지봉지 방법에 관한다.
그리고, 이 발명에서는, 하금형2의 캐비티11에, IC15를 실장한 회로기판9을 IC15가 하향이 되도록 장착하고 또한, 상기 캐비티11보다 하방에 형성된 포트21로부터 수지타블렛19을 공급함과 동시에, 용융된 수지를 플런저20로 압압하여, 런너부18를 개재하여 상기 캐비티11의 하부에 형성된 핀 포인트 게이트로부터 캐비티11에 수지를 충전하고, 나아가서 상금형1에 설치딘 압압부3로 상기 회로기판9의 배면을 압압하여, 회로기판9에 실장되어 있는 IC15를 수지봉지 한다.
그 결과, 이 발명에 의하면, 수지찌꺼기에 의한 수지의 미충전이나 와이어의 손상을 없애는 것과 생산성의 향상에 꾀할 수 있음과 동시에, 신뢰성이 높고 고품질의 반도체장치를 성형할 수 있다.

Description

반도체 장치의 수지봉지 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는, 본 발명의 방법을 실시할 때에 사용하는 금형에의 요부 단면도.
제2도는, 제1도에 있어서의 캐비티 블럭의 사시도.
제3도(a)는, IC를 실장한 회로기판의 단면도를 나타내고, (b)는 제2도에 있어서의 캐비티블럭의 단면도.
제4도는, 런러수지와 런너 록 핀 및 런너 록 해제 핀과의 관계를 나타내는 평면도.
제5도는, 런너수지를 빼낼 때의 동작을 설명하기 위한 단면도.
제6도는, 금형예 있어서의 포트와 캐비티블럭의 배치관계를 설명하기 위한 평면도.
제7도는, 제6도에 있어서의 금형을 이용하여 수지봉지한 때의 런너수지의 상태와, 플런저의 상태를 나타내는 사시도.
제8도는, 수지의 공급양태에 따라서는 발생할 수 있는 불량품의 일예를 나타내는 사시도.
제9도는, 수지의 공급양태를 설명하기 위한 칼부와 플런저의 관계를 나타내는 그림.
제10도는, 수지의 공급양태를 설명하기 위한 타임 차트.

Claims (23)

  1. 상금형과 하금형으로 캐비티를 형성한 성형 금형에, IC를 실장한 회로기판을 장착하고 수지봉지하는 반도체장치의 수지봉지 방법에 있어서, 상기 성형 금형의 하금형의 캐비티에, 상기 IC를 실장한 회로기판을 위치결정함과 동시에, 상기 IC가 하향이 되도록 장착하고, 또한, 상기 상금형에 설치된 압압부로 상기 회로기판의 배면을 압압하고, 회로기판에 실장되어 있는 IC를 수지봉지하는 반도체장치의 수지봉지 방법.
  2. 상기 캐비티에 수지를 충전할 때, 상기 캐비티보다 하방에 형성된 런너부를 개재하여, 상기 캐비티의 하부에 형성된 핀 포인트 게이트로부터 수지를 충전하는 청구항1의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  3. 상기 하금형에 포트를 형성하고, 이 포트에 투입된 수지타블렛을 하측으로부터 플런저로 압압하여 상기 런너부에 수지를 공급하는 청구항2의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  4. 상기 성형 금형은, 상기 포트, 런너, 핀 포인트 게이트 및 캐비티를 복수조 형성하여 이루어지고, 상기 포트로부터 수지를 공급하고, 상기 런너를 개재하여 상기 핀 포인트 게이트로부터 상기 캐비티로 행하는 수지의 충전을 복수조 동시에 행하는 청구항3의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  5. 상기 성형 금형에는 상기 복수의 포트를 거의 직선상으로 배설함과 동시에, 각 포트의 양측에 복수의 캐비티를 등간격으로 배치하고, 또한, 각 포트와 이 포트와 조를 이루는 복수의 캐비티의 사이를 같은 길이의 런너로 접속하고, 각 캐비티에 수지를 동시에 충전하는 청구항4의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  6. 상기 복수의 포트의 양측에 배치된 캐비티는, 각각 직선상으로 배치되어 있는 청구항5의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  7. 상기 직선상으로 배치된 복수의 각각의 캐비티에, 복수의 IC를 실장한 한장의 회로기판을 장착하고, 이 회로기판에 실장되어 있는 복수의 IC를 각각의 캐비티에 대응시켜 수지봉지를 행하는 청구항6의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  8. 상기 하금형의 캐비티와, 상기 회로기판을 위치결정하기 위한 위치결정부, 및 핀 포인트 게이트를 하나의 캐비티블럭으로 형성하고, 이 캐비티블럭을 교환하여, 형상이 다른, IC를 실장한 회로기판의 수지봉지를 행하는 청구항1의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  9. 상기 하금형의 캐비티와, 상기 회로기판을 위치결정하기 위한 위치결정부와, 종런너부의 일부, 및 핀 포인트 게이트를 하나의 캐비티블럭으로 형성하고, 이 캐비티블럭을 교환하여 형상이 다른, IC를 실장한 회로기판의 수지봉지를 행하는 청구항1의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  10. 상기 상금형과 하금형을 닫았을 때에, 상기 포트에서 투입된 수지타블렛의 상단이 상기 상금형의 칼부상면에 대응접촉되고, 그 상태에서 일정의 프리 히트 시간만큼 유지한 후, 연화된 수지를 상기 플런저를 압압하여 캐비티내에 유입시켜 회로기판에 실장된 IC의 수지봉지를 행하는 청구항3의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  11. 상기 플런저의 압압에 의한 상기 연화된 수지의 흐름의 과정이, 상기 런너부내를 거의 채우기까지의 제1의 구간과, 상기 캐비티내에 수지를 유입시키는 제2의 구간으로 이루어지는 청구항10의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  12. 상기 수지타블렛의 연화된 수지가, 상기 런너부내를 채우는 제1의 구간과, 상기 캐비티내를 채우는 제2의 구간으로, 상기 플런저의 압압속도를 다르게 한 청구항11의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  13. 상기 플런저의 압압속도는, 제1의 구간을 제2의 구간보다 빠르게 설정한 청구항12의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  14. 상기 하금형의 칼부상면의 타블렛 대응 접촉부에 수지흐름유도부를 형성하여, 수지의 흐름을 정류하는 청구항10의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  15. 상기 수지흐름유도부를 돌출형상으로 형성하고, 수지의 흐름을 정류하는 청구항14의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  16. 상기 수지흐름유도부의 돌출형상을 원추형상으로 형성하고, 수지의 흐름을 정류하는 청구항15의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  17. 상기 제1의 구간에 있어서는 상기 캐비티의 파팅라인을 소정의 시간 개방하고, 상기 제2의 구간에 있어서는 상기 캐비티의 파팅라인을 항상 폐쇄하는 청구항11의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  18. 상기 캐비티의 파팅라인을 개방하는 소정의 시간이, 연화된 수지가 상기 런너부내를 거의 채우는 제1의 구간 동안인 청구항17의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  19. 상기 플런저의 압압이, 상기 제1의 구간과 제2의 구간의 사이에서 일단 정지하는 청구항17의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  20. 상기 플런저의 압압이, 상기 제1의 구간과 제2의 구간의 사이에서 일단 정지한 상태에서 후퇴하고, 그후, 상기 제2의 구간으로 이행하는 청구항17의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  21. 상기 회로기판의 배면을 압압하는 압압부로 스프링을 이용하고, 상기 회로기판의 두께의 변화를 흡수하여, IC를 실장한 회로기판의 수지봉지를 행하는 청구항1의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  22. 상기 런너내에서 경화된 런너수지에 계지하는 런너 록 핀과, 상기 런너수지를 런너 록 핀에서 밀어 빼내는 밀어 빼냄 수단을 구비하고, 상기 런너 록 핀의 외주에 일부에 절결부를 형성함과 동시에, 이 절결부를 런너부와 교차하도록 배치하고, 나아가서, 상기 밀어 빼냄 수단에 의해, 상기 런너 록 핀의 절결부개구방향으로 런너수지를 밀어 빼내어 상기 런너수지와 상기 런너 록 핀의 계지 해제를 행하는 청구항2의 반도체장치의 수지봉지 방법.
  23. 상기 계지 해제를 행하는 밀어 빼냄 수단으로 런너 록 해제 핀을 이용하고, 이 런너 록 해제 핀을 밀어냄으로써 상기 런너수지를 상기 런너 록 핀의 절결부로부터 떼어내는 청구항22의 반도체장치의 수지봉지 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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