JPS59154032A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS59154032A JPS59154032A JP2870083A JP2870083A JPS59154032A JP S59154032 A JPS59154032 A JP S59154032A JP 2870083 A JP2870083 A JP 2870083A JP 2870083 A JP2870083 A JP 2870083A JP S59154032 A JPS59154032 A JP S59154032A
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- JP
- Japan
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- resin
- semiconductor element
- lead frame
- bonding wire
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は樹脂封止型の半導体装置の製造方法に関する
。
。
従来より樹脂モール下゛型のパッケージは多くの半導体
装置に広く使用されている。これらの樹脂モールド型の
パッケージは、まず、金属板を打ち抜いて形成されたリ
ードフレームの累子基台部（ベッド］上に所定の半導体
素子を取着し、ボンディングワイヤを用いてワイヤボン
ディングを行なった後、キャピテイ（中空）を有するモ
ールド金型でこのリードフレームを挾み、続いてこの金
型中にモールド樹脂を注入してから硬化させる。そして
樹脂から成るパッケージを金型から取り出し適宜仕上げ
を行なって完成する。
装置に広く使用されている。これらの樹脂モールド型の
パッケージは、まず、金属板を打ち抜いて形成されたリ
ードフレームの累子基台部（ベッド］上に所定の半導体
素子を取着し、ボンディングワイヤを用いてワイヤボン
ディングを行なった後、キャピテイ（中空）を有するモ
ールド金型でこのリードフレームを挾み、続いてこの金
型中にモールド樹脂を注入してから硬化させる。そして
樹脂から成るパッケージを金型から取り出し適宜仕上げ
を行なって完成する。
上記工程において、リードフレームへの半導体素子の配
設やワイヤボンディング工程は、一般１ニクリーンルー
ムと呼ばれる比較的清浄な環境で行なわれる。しかし、
金型を用いた樹脂モールド工程は、ダスト（塵埃）等の
多い環境で行なわれ、素子やボンディングワイヤへダス
トが付着し、ダストの付着部位の変質を引き起こしてし
ばしば問題となっていた。
設やワイヤボンディング工程は、一般１ニクリーンルー
ムと呼ばれる比較的清浄な環境で行なわれる。しかし、
金型を用いた樹脂モールド工程は、ダスト（塵埃）等の
多い環境で行なわれ、素子やボンディングワイヤへダス
トが付着し、ダストの付着部位の変質を引き起こしてし
ばしば問題となっていた。
また金型へリードフレームを取り付ける際にボンディン
グワイヤの変形、ボンディングワイヤはすれ等を引きに
すこともあり、素子の歩留りや信頼性に悪影響を勾えて
いた。
グワイヤの変形、ボンディングワイヤはすれ等を引きに
すこともあり、素子の歩留りや信頼性に悪影響を勾えて
いた。
この発明は上記のような点に撓みなされたものでその目
的と１−るどころは、半導体素子のボンデイン、グ工程
が終了した後樹脂封止するまでにおける半導体素子やボ
ンディングワイヤへのダストの付着およびボンディング
ワイヤの形成やはずれ全簡易に防止することができる半
導体装置の製造方法を提供することにあり、半導体装置
の歩留りおよび信頼性の同上に寄与せしめようとするも
のである。
的と１−るどころは、半導体素子のボンデイン、グ工程
が終了した後樹脂封止するまでにおける半導体素子やボ
ンディングワイヤへのダストの付着およびボンディング
ワイヤの形成やはずれ全簡易に防止することができる半
導体装置の製造方法を提供することにあり、半導体装置
の歩留りおよび信頼性の同上に寄与せしめようとするも
のである。
すなわちこの発明に係る半導体装置の製造方法では、半
導体素子をリードフレームに取着しワイヤボンディング
を終了した後、このリードフレームを裏返して半導体素
子およびそのボンディング接続部付近（ニー・次封止用
の（貧脂片を載せ、この樹脂の軟化点を越える加熱を行
なって樹脂を電力により下方に流動させこの樹脂によっ
て半′尋体素子およびワイヤボンディング部を覆い一次
封止した後、二次封止用の樹脂で上記−次封止された部
位を包むように金型を用いて二次封止し、所定の外形を
有するパッケージを形成するようにしたものである。
導体素子をリードフレームに取着しワイヤボンディング
を終了した後、このリードフレームを裏返して半導体素
子およびそのボンディング接続部付近（ニー・次封止用
の（貧脂片を載せ、この樹脂の軟化点を越える加熱を行
なって樹脂を電力により下方に流動させこの樹脂によっ
て半′尋体素子およびワイヤボンディング部を覆い一次
封止した後、二次封止用の樹脂で上記−次封止された部
位を包むように金型を用いて二次封止し、所定の外形を
有するパッケージを形成するようにしたものである。
以下図面を参照してこの発明の一実施例（二つき説明す
る。まず、第１図の断面図に示すようにリードフレーム
ＩＩの菓子基台部ＺＺａ上に半導体素子ｒｏをマウント
（配設庁る。そして半導体素子ＩＯの所定の部分とリー
ドフレームＩＫの先端とをボンディングワイヤＩ２を用
いてワイヤボンディングし配線を終了する。
る。まず、第１図の断面図に示すようにリードフレーム
ＩＩの菓子基台部ＺＺａ上に半導体素子ｒｏをマウント
（配設庁る。そして半導体素子ＩＯの所定の部分とリー
ドフレームＩＫの先端とをボンディングワイヤＩ２を用
いてワイヤボンディングし配線を終了する。
続いて、第２因に示すようにリードフレームＸＩを裏返
す。その後、リードフレームｚＩや菓子ＩＯ等の金属部
分の腐蝕、変質の原因となる水分を除去するために、リ
ード７レー、ＩＡＺ Ｚをベーキング（熱処理〕する。
す。その後、リードフレームｚＩや菓子ＩＯ等の金属部
分の腐蝕、変質の原因となる水分を除去するために、リ
ード７レー、ＩＡＺ Ｚをベーキング（熱処理〕する。
次いで、第３図に示すようにリードフレームＩＩの菓子
基台部ＺＺａに対応した位置に一次封止樹脂１３ａ ムＩＩをこの状態で炉に７４ Ｌ、 、上記樹脂片Ｉ３
の軟化点以上に加熱する。この際に上記−次封止用樹脂
片Ｉ３は軟化し、第４図（二示すように動力によって下
方に流動する。そして、表面張力により、半導体素子ｒ
ｏおよびボンディングワイヤＩ２の周辺全体を一次封止
樹脂１３ａにより包み込む。
基台部ＺＺａに対応した位置に一次封止樹脂１３ａ ムＩＩをこの状態で炉に７４ Ｌ、 、上記樹脂片Ｉ３
の軟化点以上に加熱する。この際に上記−次封止用樹脂
片Ｉ３は軟化し、第４図（二示すように動力によって下
方に流動する。そして、表面張力により、半導体素子ｒ
ｏおよびボンディングワイヤＩ２の周辺全体を一次封止
樹脂１３ａにより包み込む。
続いて、この樹脂１３ａを半硬化させる。
この後、従来と同様にこのリードフレーム１１ｆ図示し
ないモールド金型に挾み込み、第５図に示すようにモー
ルド金型のキャビティに二次封止用モールド樹脂Ｉ４を
流し込んで、−次封止樹脂１３ａおよび二次封止用モー
ルドＩ４を充分に硬化させ、所定の外形を有する樹脂モ
ールドパッケージを形成する。
ないモールド金型に挾み込み、第５図に示すようにモー
ルド金型のキャビティに二次封止用モールド樹脂Ｉ４を
流し込んで、−次封止樹脂１３ａおよび二次封止用モー
ルドＩ４を充分に硬化させ、所定の外形を有する樹脂モ
ールドパッケージを形成する。
次いで、リードフレームの仕上げ等を行なって所定の半
導体装置を・完・成する。
導体装置を・完・成する。
以上のようにして形成した半導体装置では、半導体素子
１０をリードフレーム１１ｆに配設しボンディングワイ
ヤ１２ｆ用いた所定の配線か終了した後に直ち（ニー次
封止樹脂１３ａで半導体素子ＩＯおよびその配線部を包
み込み、半導体素子１０とその配線部を保護し固定する
。
１０をリードフレーム１１ｆに配設しボンディングワイ
ヤ１２ｆ用いた所定の配線か終了した後に直ち（ニー次
封止樹脂１３ａで半導体素子ＩＯおよびその配線部を包
み込み、半導体素子１０とその配線部を保護し固定する
。
このため、以下モールド金型を用いた樹脂封止工程に入
り、ダストの多い環境中でのリードフレームの金型への
設置等の各種取扱い中において、？よこりやごみ等が半
導体素子ＸＯやボンディングワイヤ等に直接付着する恐
れもなく、同様にボンディングワイヤＩ２の変形やはず
れの恐れもない。従って、半導体素子ｒ ｏ６リードフ
レームＩＩＩ：配設し配線を終了した後の取扱いを安心
して行なうことができ、しかも・ダストの付着による異
常やボンディングワイヤの接続性の異常等を低減でき、
装置の製造歩留りおよび信頼性を大幅（二向上できる。
り、ダストの多い環境中でのリードフレームの金型への
設置等の各種取扱い中において、？よこりやごみ等が半
導体素子ＸＯやボンディングワイヤ等に直接付着する恐
れもなく、同様にボンディングワイヤＩ２の変形やはず
れの恐れもない。従って、半導体素子ｒ ｏ６リードフ
レームＩＩＩ：配設し配線を終了した後の取扱いを安心
して行なうことができ、しかも・ダストの付着による異
常やボンディングワイヤの接続性の異常等を低減でき、
装置の製造歩留りおよび信頼性を大幅（二向上できる。
また、−次封止用樹脂片Ｚ３を用いた一次封止法は専用
の特殊な装置を用いる必要がなく。
の特殊な装置を用いる必要がなく。
クリーンルーム内でも手軽（二行なうことができ、工程
の煩雑化を招く恐れがない。
の煩雑化を招く恐れがない。
ざら（二また、−次封止用の樹脂として耐湿性の高い樹
脂を用い、二次封止用の、１薊脂としてパリの出にくい
樹脂を採用すると効果的である。
脂を用い、二次封止用の、１薊脂としてパリの出にくい
樹脂を採用すると効果的である。
これは、一般に耐湿性の高い樹脂はパリが出やす（モー
ルド樹ｔ−ｉの工程におけるパリ取り工程で手間がかか
るが上記のように一灰封止用に高耐湿性の樹脂を用い二
次封止用にパリの出に（いものを使用すれば、装置の高
耐湿性を損なうことなくパリ取り工程を簡素化すること
ができるためである。
ルド樹ｔ−ｉの工程におけるパリ取り工程で手間がかか
るが上記のように一灰封止用に高耐湿性の樹脂を用い二
次封止用にパリの出に（いものを使用すれば、装置の高
耐湿性を損なうことなくパリ取り工程を簡素化すること
ができるためである。
なお、−次刺止用ン篤脂片Ｉ３の形状は、樹脂片Ｉ３が
軟化したときに半導体素子ＺＯおよびその接続部を一体
的（−覆うことができれは良０ため１．円形や四角形等
ζ二特に限定されるものではない。
軟化したときに半導体素子ＺＯおよびその接続部を一体
的（−覆うことができれは良０ため１．円形や四角形等
ζ二特に限定されるものではない。
以上のよう（：この発、明によれば、半導体素子をリー
ドフレームに取着″し配線を終了した後のボンディング
ワイヤの変形およびはずれや、素子およびその周辺のボ
ンディングワイヤ等への塵埃の付着を簡易な手段（二よ
り防ＪＪＬすることができる半導体装置の製造方法を提
供でき、素子の歩留りの向上および信頼性の同上をする
ことかできる。
ドフレームに取着″し配線を終了した後のボンディング
ワイヤの変形およびはずれや、素子およびその周辺のボ
ンディングワイヤ等への塵埃の付着を簡易な手段（二よ
り防ＪＪＬすることができる半導体装置の製造方法を提
供でき、素子の歩留りの向上および信頼性の同上をする
ことかできる。
第１図乃至第５図はこの発明による半導体装置の製造方
法を説明する断面因である。 ｒｏ・・・半導体素子、ＩＩ・・・リードフレーム、１
１ａ・・・素子基台部、Ｉ２・・・ボンディングワイヤ
、Ｉ３・・・−次封止用ｉ対脂片、Ｚ３ａ・・・−欠封
止樹脂、Ｉ４・・・モールド樹脂。
法を説明する断面因である。 ｒｏ・・・半導体素子、ＩＩ・・・リードフレーム、１
１ａ・・・素子基台部、Ｉ２・・・ボンディングワイヤ
、Ｉ３・・・−次封止用ｉ対脂片、Ｚ３ａ・・・−欠封
止樹脂、Ｉ４・・・モールド樹脂。
Claims (1)
- 累子基台部に半導体素子が配設され所定のワイヤボンデ
ィングの終了したリードフレームを上記半導体素子がリ
ードフレームの素子基台部（二対し下方となりリードフ
レーム裏面が上面となるように設置した状態で上記リー
ドフレームの裏面の累子基台部に対応する部位に一次封
止用の樹脂片を載置し、上記−次封住用樹止の軟化点以
上の熱処理により上記樹脂片を溶融しこの溶融樹脂で半
導体素子およびボンディングワイヤを覆い上記溶融樹脂
を硬化させ半導体素子およびボンディングワイヤ付近を
一体的に一次封止する工程と、上記−次封止された部位
を被５ように第２の樹脂材を用いた樹脂封止を行なう二
次封止工程とｔ具備することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2870083A JPS59154032A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2870083A JPS59154032A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59154032A true JPS59154032A (ja) | 1984-09-03 |
Family
ID=12255736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2870083A Pending JPS59154032A (ja) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59154032A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0245659U (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-29 | ||
| WO1995019251A1 (fr) * | 1994-01-13 | 1995-07-20 | Citizen Watch Co., Ltd. | Procede de soudage par resine de dispositifs semi-conducteurs |
-
1983
- 1983-02-23 JP JP2870083A patent/JPS59154032A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0245659U (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-29 | ||
| WO1995019251A1 (fr) * | 1994-01-13 | 1995-07-20 | Citizen Watch Co., Ltd. | Procede de soudage par resine de dispositifs semi-conducteurs |
| US5783134A (en) * | 1994-01-13 | 1998-07-21 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method of resin-sealing semiconductor device |
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