JPS63175453A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS63175453A JPS63175453A JP596487A JP596487A JPS63175453A JP S63175453 A JPS63175453 A JP S63175453A JP 596487 A JP596487 A JP 596487A JP 596487 A JP596487 A JP 596487A JP S63175453 A JPS63175453 A JP S63175453A
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- Japan
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- resin
- lead
- pouring hole
- semiconductor device
- injection hole
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 107
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 107
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 35
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 235000009419 Fagopyrum esculentum Nutrition 0.000 description 1
- 240000008620 Fagopyrum esculentum Species 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、特に。
樹脂封止型パッケージの樹脂の注入部に対応する部分の
成形技術に適用して有効な技術に関するものである。
成形技術に適用して有効な技術に関するものである。
一般に、樹脂封止型(レジンモールド型)半導体装置の
全体構造は、第4図に示すように、タブ2の上に半導体
チップ(ペレット)1が塔載され、この半導体チップ1
の電極(パッド)とリード3の内部リード部3Aとがワ
イヤ4で電気的に接続された後、レジンでモールドされ
てパッケージ5としたものである。
全体構造は、第4図に示すように、タブ2の上に半導体
チップ(ペレット)1が塔載され、この半導体チップ1
の電極(パッド)とリード3の内部リード部3Aとがワ
イヤ4で電気的に接続された後、レジンでモールドされ
てパッケージ5としたものである。
前記レジンでモールρしてパッケージ5とする場合、第
5図(第4図に示すレジンモールド型半導体装置とレジ
ンモールド金型との関係を示す要部拡大図)及び第6図
(第5図のVl−VI切断線で切った断面図)に示すよ
うに、パッケージ5のインデックス部5Aの所までリー
ド3Bを配置して金型6のレジン注入孔7からレジンを
注入している。インデックス部にリードを配置すること
は、例えば、特願昭57−16232号公報に示されて
いる。
5図(第4図に示すレジンモールド型半導体装置とレジ
ンモールド金型との関係を示す要部拡大図)及び第6図
(第5図のVl−VI切断線で切った断面図)に示すよ
うに、パッケージ5のインデックス部5Aの所までリー
ド3Bを配置して金型6のレジン注入孔7からレジンを
注入している。インデックス部にリードを配置すること
は、例えば、特願昭57−16232号公報に示されて
いる。
しかしながら、前記従来のレジンモールド型半導体装置
では5次のような問題点があることを発明者は見い出し
た。
では5次のような問題点があることを発明者は見い出し
た。
(1)、前記レジン注入孔7に残ったレジンをレジン(
樹脂)注入ゲート部7Aのところから除去する時に、第
6図の点線で示すように、リード3Bを曲げてしまう。
樹脂)注入ゲート部7Aのところから除去する時に、第
6図の点線で示すように、リード3Bを曲げてしまう。
特に、リード3BのA部分が他のリード3に比べて曲り
等の変形を起しやすい。
等の変形を起しやすい。
(2)、レジン注入孔7の部分のレジンの除去が。
リード3Bがあるためにやりにくい。
(3)、レジン注入孔7に残ったレジンを注入ゲート部
7Aのところから除去する際に、パッケージ5にクラッ
クが入りやすい。
7Aのところから除去する際に、パッケージ5にクラッ
クが入りやすい。
本発明の目的は、レジンモールド型半導体装置において
、レジン注入孔に残ったレジンを除去する時に、レジン
注入孔にかかつているリードの変形を防止することがで
きる技術を提供することにある。
、レジン注入孔に残ったレジンを除去する時に、レジン
注入孔にかかつているリードの変形を防止することがで
きる技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、レジンモールド型半導体装置にお
いて、レジン注入孔に残ったレジンを除去する時に、レ
ジン注入孔にかかっているリードの変形によるパッケー
ジクラックを防止することができる技術を提供すること
にある。
いて、レジン注入孔に残ったレジンを除去する時に、レ
ジン注入孔にかかっているリードの変形によるパッケー
ジクラックを防止することができる技術を提供すること
にある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち1代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、基板上に半導体チップを塔載し、ワイヤボン
ディングした後、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置で
あって、樹脂を流し込む樹脂注入孔部分の樹脂を所定長
さだけ残したものである。
ディングした後、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置で
あって、樹脂を流し込む樹脂注入孔部分の樹脂を所定長
さだけ残したものである。
前記した手段によれば、樹脂を流し込む樹脂注入孔部分
の樹脂を所定長さだけ残すことにより、その部分をイン
デックスとすると共にこの残余部分にかかるリードの補
強とすることができるので、レジン注入孔に残ったレジ
ンを除去する時に、レジン注入孔にかかるリードの変形
を防止することができる。これにより、このリードの近
傍のパッケージクラックを防止することができる。
の樹脂を所定長さだけ残すことにより、その部分をイン
デックスとすると共にこの残余部分にかかるリードの補
強とすることができるので、レジン注入孔に残ったレジ
ンを除去する時に、レジン注入孔にかかるリードの変形
を防止することができる。これにより、このリードの近
傍のパッケージクラックを防止することができる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
第1図は1本発明の一実施例のレジンモールド型半導体
装置の概略構成を示す断面図である。
装置の概略構成を示す断面図である。
本実施例のレジンモールド型半導体装置は、第1図に示
すように、基板(タブ基板)2上に半導体チップ1を塔
載し、半導体チップ1の電極(パッド)とり−ド3の内
部リード3Aとを電気的に接続するワイヤ4をボンディ
ングした後、レジンでモールドしてパッケージ5とした
ものである。そして、金型6にレジンを流し込むレジン
注入孔(注入ゲート部分を含む)7に残ったレジンを所
定長さだけ残したもの(注入ゲート部7Aのところから
切断して残す)である。
すように、基板(タブ基板)2上に半導体チップ1を塔
載し、半導体チップ1の電極(パッド)とり−ド3の内
部リード3Aとを電気的に接続するワイヤ4をボンディ
ングした後、レジンでモールドしてパッケージ5とした
ものである。そして、金型6にレジンを流し込むレジン
注入孔(注入ゲート部分を含む)7に残ったレジンを所
定長さだけ残したもの(注入ゲート部7Aのところから
切断して残す)である。
すなわち、前記レジンでモールドする際に、第2図(第
1図に示すレジンモールド型半導体装置とレジンモール
ド金型との関係を示す要部拡大図)及び第3図(第2図
の■−■切断線で切った断面図)に示すように、レジン
注入孔7にかかる所までリード3を配置して金型6のレ
ジン注入孔7からレジンを注入する。そして、前記レジ
ン注入孔7の部分にリード3Bがかかっている所までの
長さだけ残余レジン(インデックス部)5Bを残し、他
の部分のレジンは除去する。この残した残余レジン5B
の長さは、金型6の注入ゲート7Aとタブリード2Aの
切断部2Bによって決められる。
1図に示すレジンモールド型半導体装置とレジンモール
ド金型との関係を示す要部拡大図)及び第3図(第2図
の■−■切断線で切った断面図)に示すように、レジン
注入孔7にかかる所までリード3を配置して金型6のレ
ジン注入孔7からレジンを注入する。そして、前記レジ
ン注入孔7の部分にリード3Bがかかっている所までの
長さだけ残余レジン(インデックス部)5Bを残し、他
の部分のレジンは除去する。この残した残余レジン5B
の長さは、金型6の注入ゲート7Aとタブリード2Aの
切断部2Bによって決められる。
前記残した残余レジン5Bの上面形状は、四辺形に限定
されるものではなく、例えば、第2図の点線で示すよう
に、台形状にしてもよい。
されるものではなく、例えば、第2図の点線で示すよう
に、台形状にしてもよい。
このようにレジンを流し込むレジン注入孔7の部分の残
余レジン5Bを所定長さだけ残すことにより、その残余
レジン5Bの部分はインデックスとすることができ、こ
のインデックスは大きく、他の辺角とは明確に区別でき
るので、インデックスの明確化がはかれる。
余レジン5Bを所定長さだけ残すことにより、その残余
レジン5Bの部分はインデックスとすることができ、こ
のインデックスは大きく、他の辺角とは明確に区別でき
るので、インデックスの明確化がはかれる。
また、この残余レジン5Bの部分の中にタブリード2A
及びリード3Bが入っているので、リード3Bの補強と
リークパスを確保することができる。この結果、レジン
注入孔7に残ったレジンを除去する時に、このリード3
Bの変形を防止することができる。これにより、このリ
ード3Bの変形によるパッケージクラックを防止するこ
とができる。
及びリード3Bが入っているので、リード3Bの補強と
リークパスを確保することができる。この結果、レジン
注入孔7に残ったレジンを除去する時に、このリード3
Bの変形を防止することができる。これにより、このリ
ード3Bの変形によるパッケージクラックを防止するこ
とができる。
また、パッケージ5から離れた所でレジン注入孔7に残
ったレジンを除去するので、パッケージ5にワレやカケ
が生じるのを防止することができる。
ったレジンを除去するので、パッケージ5にワレやカケ
が生じるのを防止することができる。
また、レジン注入ゲート部7Aの断面を大きくとれるの
で、モールドの安定化がはかれる。
で、モールドの安定化がはかれる。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
基板上に半導体チップを塔載し、ワイヤボンディングし
た後、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、樹
脂を流し込む樹脂注入孔部分の樹脂を所定長さだけ残す
ことにより、この残余樹脂の部分はインデックスとする
ことができ、このインデックスは大きく、他の辺角とは
明確に区別できるので、インデックスの明確化がはかれ
る。
た後、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、樹
脂を流し込む樹脂注入孔部分の樹脂を所定長さだけ残す
ことにより、この残余樹脂の部分はインデックスとする
ことができ、このインデックスは大きく、他の辺角とは
明確に区別できるので、インデックスの明確化がはかれ
る。
また、この残余樹脂の部分の中にタブリード及び残余樹
脂にかかるリードが入っているので、このリードの補強
とリークパスを確保することができる。この結果、樹脂
注入孔に残った樹脂を除去する時に、このリードの変形
を防止することができる。これにより、このリードの変
形によるパッケージクラックを防止することができる。
脂にかかるリードが入っているので、このリードの補強
とリークパスを確保することができる。この結果、樹脂
注入孔に残った樹脂を除去する時に、このリードの変形
を防止することができる。これにより、このリードの変
形によるパッケージクラックを防止することができる。
また、パッケージから離れた所で樹脂注入孔に残った樹
脂を除去するので、パッケージにワレや 。
脂を除去するので、パッケージにワレや 。
カケが生じるのを防止することができる。
また、樹脂注入ゲートの断面を大きくとれるので、モー
ルドの安定化がはかれる。
ルドの安定化がはかれる。
第1図は5本発明の一実施例のレジンモールド型半導体
装置の概略構成を示す断面図、第2図は、第1図に示す
レジンモールド型半導体装置とレジンモールド金型との
関係を示す要部拡大図、 第3図は、第2図の■−■切断線で切った断面図。 第4図乃至第6図は、従来のレジンモールド型半導体装
置の問題点を説明するための図である。 図中、1・・・半導体チップ、2A・・・タブリード、
2B・・・タブリード切断部、3・・・リード、3B・
・・残余レジン(樹脂)にかかったリード、5・・・パ
ッケージ、5B・・・残余レジン、6・・・金型、7・
・・レジン(樹脂)注入孔、7A・・・レジン(樹脂)
注入ゲート部である。 、3s−り喪゛洒ぐり−)へ−一・尺リード55−グ旭
ソ鞄レジパン 第4図
装置の概略構成を示す断面図、第2図は、第1図に示す
レジンモールド型半導体装置とレジンモールド金型との
関係を示す要部拡大図、 第3図は、第2図の■−■切断線で切った断面図。 第4図乃至第6図は、従来のレジンモールド型半導体装
置の問題点を説明するための図である。 図中、1・・・半導体チップ、2A・・・タブリード、
2B・・・タブリード切断部、3・・・リード、3B・
・・残余レジン(樹脂)にかかったリード、5・・・パ
ッケージ、5B・・・残余レジン、6・・・金型、7・
・・レジン(樹脂)注入孔、7A・・・レジン(樹脂)
注入ゲート部である。 、3s−り喪゛洒ぐり−)へ−一・尺リード55−グ旭
ソ鞄レジパン 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に半導体チップを塔載し、ワイヤボンディン
グした後、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって
、樹脂を流し込む樹脂注入孔部分の樹脂を所定長さだけ
残したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 2、前記樹脂注入孔部分の残余樹脂の所定長さは、樹脂
注入孔部分の不要樹脂を切断して除去する際に、リード
に影響を与えない程度の長さであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の樹脂封止型半導体装置。 3、前記樹脂注入孔部分の残余樹脂は、インデックスと
して使用することを特徴とする特許請求の範囲第1項又
は第2項に記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP596487A JPS63175453A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP596487A JPS63175453A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63175453A true JPS63175453A (ja) | 1988-07-19 |
Family
ID=11625562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP596487A Pending JPS63175453A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63175453A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5637923A (en) * | 1991-10-17 | 1997-06-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device |
US6100598A (en) * | 1997-03-06 | 2000-08-08 | Nippon Steel Semiconductor Corporation | Sealed semiconductor device with positional deviation between upper and lower molds |
-
1987
- 1987-01-16 JP JP596487A patent/JPS63175453A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5637923A (en) * | 1991-10-17 | 1997-06-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device |
US5666064A (en) * | 1991-10-17 | 1997-09-09 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device, and method of testing and producing semiconductor device |
US5736428A (en) * | 1991-10-17 | 1998-04-07 | Fujitsu Limited | Process for manufacturing a semiconductor device having a stepped encapsulated package |
US5750421A (en) * | 1991-10-17 | 1998-05-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device, and method of testing and producing semiconductor device |
US6100598A (en) * | 1997-03-06 | 2000-08-08 | Nippon Steel Semiconductor Corporation | Sealed semiconductor device with positional deviation between upper and lower molds |
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