JPH06338583A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH06338583A JPH06338583A JP12975393A JP12975393A JPH06338583A JP H06338583 A JPH06338583 A JP H06338583A JP 12975393 A JP12975393 A JP 12975393A JP 12975393 A JP12975393 A JP 12975393A JP H06338583 A JPH06338583 A JP H06338583A
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- die pad
- semiconductor device
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイパッド及びインナーリードと、封止用樹
脂との密着性を確実に向上すると共に、これに伴う工程
数の増加及び製造コストの増加を最低限に抑制すること
が可能な樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供
する。 【構成】 裏面に凹部11及び凸部12が形成されたダ
イパット3上に載置した半導体チップ4のボンディング
パッド6と、インナーリード5とをワイヤ7により電気
的に接続し、封止用樹脂9により、半導体チップ4、ダ
イパッド3及びインナーリード5を封止し、さらに、ア
ウターリード10を所望の形状に折り曲げた構造を備え
た。
脂との密着性を確実に向上すると共に、これに伴う工程
数の増加及び製造コストの増加を最低限に抑制すること
が可能な樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供
する。 【構成】 裏面に凹部11及び凸部12が形成されたダ
イパット3上に載置した半導体チップ4のボンディング
パッド6と、インナーリード5とをワイヤ7により電気
的に接続し、封止用樹脂9により、半導体チップ4、ダ
イパッド3及びインナーリード5を封止し、さらに、ア
ウターリード10を所望の形状に折り曲げた構造を備え
た。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
及びその製造方法に係り、特に、リードフレームと封止
用樹脂との密着性を改善する樹脂封止型半導体装置及び
その製造方法に関する。
及びその製造方法に係り、特に、リードフレームと封止
用樹脂との密着性を改善する樹脂封止型半導体装置及び
その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置は、リード
フレームのダイパッド上に、所望の素子が形成された半
導体チップを載置し、当該半導体チップのボンディング
パッドと、リードフレームのインナーリードとを金属細
線を用いてワイヤボンディングすることで、両者の電気
的接続を行った後、さらにこれらを樹脂封止し、次いで
リードフレームのダイバーやサイドダイバーを切断し、
アウターリードを所望の形状に折り曲げる工程を経て完
成品となる。
フレームのダイパッド上に、所望の素子が形成された半
導体チップを載置し、当該半導体チップのボンディング
パッドと、リードフレームのインナーリードとを金属細
線を用いてワイヤボンディングすることで、両者の電気
的接続を行った後、さらにこれらを樹脂封止し、次いで
リードフレームのダイバーやサイドダイバーを切断し、
アウターリードを所望の形状に折り曲げる工程を経て完
成品となる。
【0003】近年では、半導体チップに対するパッケー
ジの相対的なサイズが小さくなる傾向にあり、封止用樹
脂領域に対するダイパッドやインナーリードの占有率が
大きくなってきいている。このため、ダイパッド及びイ
ンナーリードに対する封止用樹脂の量が減少し、ダイパ
ッド及びインナーリードと封止用樹脂との密着性が低下
するという問題が発生していた。この両者の密着性の低
下は、例えば、半導体チップの実装工程における急激な
加熱により、封止用樹脂に吸湿されていた水分が瞬間的
に気化し、ダイパッドやインナーリードと封止用樹脂と
の間に剥離を生じさせたり、クラックを発生させる原因
となっていた。そしてこれが半導体装置の信頼性を低下
させていた。
ジの相対的なサイズが小さくなる傾向にあり、封止用樹
脂領域に対するダイパッドやインナーリードの占有率が
大きくなってきいている。このため、ダイパッド及びイ
ンナーリードに対する封止用樹脂の量が減少し、ダイパ
ッド及びインナーリードと封止用樹脂との密着性が低下
するという問題が発生していた。この両者の密着性の低
下は、例えば、半導体チップの実装工程における急激な
加熱により、封止用樹脂に吸湿されていた水分が瞬間的
に気化し、ダイパッドやインナーリードと封止用樹脂と
の間に剥離を生じさせたり、クラックを発生させる原因
となっていた。そしてこれが半導体装置の信頼性を低下
させていた。
【0004】そこで、このような問題を解決するため、
特開平3−148859号公報に開示されているよう
に、ダイパッドの半導体チップ載置面の裏面(以下、
『ダイパッドの裏面』という)に、凹凸あるいは貫通孔
を有する板状体を粘着させた構造を備えた半導体装置が
紹介されている。この従来例は、前記凹部あるいは貫通
孔内に、封止用樹脂を充填することで、ダイパッドと封
止用樹脂との密着性を向上させている。
特開平3−148859号公報に開示されているよう
に、ダイパッドの半導体チップ載置面の裏面(以下、
『ダイパッドの裏面』という)に、凹凸あるいは貫通孔
を有する板状体を粘着させた構造を備えた半導体装置が
紹介されている。この従来例は、前記凹部あるいは貫通
孔内に、封止用樹脂を充填することで、ダイパッドと封
止用樹脂との密着性を向上させている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
3−148859号公報に開示されている従来例は、凹
凸あるいは貫通孔を有する板状体を形成する工程及び、
これをダイパッドの裏面に粘着させる工程が必要とな
り、手間がかかると共に製造コストが増加するという問
題があった。また、実装時に、ダイパッドと前記板状体
とが剥離する危険性を有していた。
3−148859号公報に開示されている従来例は、凹
凸あるいは貫通孔を有する板状体を形成する工程及び、
これをダイパッドの裏面に粘着させる工程が必要とな
り、手間がかかると共に製造コストが増加するという問
題があった。また、実装時に、ダイパッドと前記板状体
とが剥離する危険性を有していた。
【0006】本発明は、このような従来の問題点を解決
することを課題とするものであり、ダイパッド及びイン
ナーリードと、封止用樹脂との密着性を確実に向上する
と共に、これに伴う工程数の増加及び製造コストの増加
を最低限に抑制することが可能な樹脂封止型半導体装置
及びその製造方法を提供することを目的とする。
することを課題とするものであり、ダイパッド及びイン
ナーリードと、封止用樹脂との密着性を確実に向上する
と共に、これに伴う工程数の増加及び製造コストの増加
を最低限に抑制することが可能な樹脂封止型半導体装置
及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、リードフレームのダイパッド上に載置し
た半導体チップと、当該リードフレームのインナーリー
ドとが電気的に接続されると共に、樹脂封止された樹脂
封止型半導体装置において、前記ダイパッドの裏面及び
インナーリードに、凹凸を設けたことを特徴とする樹脂
封止型半導体装置を提供するものである。
に、本発明は、リードフレームのダイパッド上に載置し
た半導体チップと、当該リードフレームのインナーリー
ドとが電気的に接続されると共に、樹脂封止された樹脂
封止型半導体装置において、前記ダイパッドの裏面及び
インナーリードに、凹凸を設けたことを特徴とする樹脂
封止型半導体装置を提供するものである。
【0008】そしてまた、リードフレームのダイパッド
上に載置した半導体チップと、当該リードフレームのイ
ンナーリードとが電気的に接続されると共に、樹脂封止
された樹脂封止型半導体装置を製造する方法において、
前記リードフレームを形成する際に、前記ダイパッドの
裏面となる領域及びインナーリードとなる領域に、凹凸
を形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
造方法を提供するものである。
上に載置した半導体チップと、当該リードフレームのイ
ンナーリードとが電気的に接続されると共に、樹脂封止
された樹脂封止型半導体装置を製造する方法において、
前記リードフレームを形成する際に、前記ダイパッドの
裏面となる領域及びインナーリードとなる領域に、凹凸
を形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
造方法を提供するものである。
【0009】
【作用】本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、組み立
て工程にて樹脂封止する際に、封止用樹脂が、ダイパッ
ドの裏面及びインナーリードに形成した凹凸の凹部に侵
入・充填される。従って、ダイパッド及びインナーリー
ドと、封止用樹脂との接触面積が増大され、両者の密着
性が向上する。また、前記凹凸は、ダイパッド及びイン
ナーリードに直接形成されているため、当該凹凸がダイ
パッド及びインナーリードから剥離されることがないと
共に、凹凸形成加工が容易となる。
て工程にて樹脂封止する際に、封止用樹脂が、ダイパッ
ドの裏面及びインナーリードに形成した凹凸の凹部に侵
入・充填される。従って、ダイパッド及びインナーリー
ドと、封止用樹脂との接触面積が増大され、両者の密着
性が向上する。また、前記凹凸は、ダイパッド及びイン
ナーリードに直接形成されているため、当該凹凸がダイ
パッド及びインナーリードから剥離されることがないと
共に、凹凸形成加工が容易となる。
【0010】そして、本発明に係る樹脂封止型半導体装
置の製造方法は、リードフレームを形成する際に、ダイ
パッドの裏面となる領域及びインナーリードとなる領域
に、直接凹凸を形成するため、例えば、別途形成した凹
凸を有する部材をダイパッドやインナーリードに粘着す
る工程が不必要となる。従って、凹凸形成工程が簡略化
される。
置の製造方法は、リードフレームを形成する際に、ダイ
パッドの裏面となる領域及びインナーリードとなる領域
に、直接凹凸を形成するため、例えば、別途形成した凹
凸を有する部材をダイパッドやインナーリードに粘着す
る工程が不必要となる。従って、凹凸形成工程が簡略化
される。
【0011】
【実施例】次に、本発明に係る実施例について、図面を
参照して説明する。図1は、本発明の実施例に係る樹脂
封止型半導体装置を示す断面図、図2は、図1に示す樹
脂封止型半導体装置に使用するリードフレームの平面図
である。図1に示す樹脂封止型半導体装置1は、リード
フレーム2のダイパット3上に半導体チップ4が載置さ
れ、インナーリード5の所定位置と、半導体チップ4の
ボンディングパッド6とをワイヤ7により電気的に接続
した構造を備えている。そして、封止用樹脂9により、
半導体チップ4、ダイパッド3及びインナーリード5を
封止し、さらに、アウターリード10を所望の形状に折
り曲げた構造を備えている。
参照して説明する。図1は、本発明の実施例に係る樹脂
封止型半導体装置を示す断面図、図2は、図1に示す樹
脂封止型半導体装置に使用するリードフレームの平面図
である。図1に示す樹脂封止型半導体装置1は、リード
フレーム2のダイパット3上に半導体チップ4が載置さ
れ、インナーリード5の所定位置と、半導体チップ4の
ボンディングパッド6とをワイヤ7により電気的に接続
した構造を備えている。そして、封止用樹脂9により、
半導体チップ4、ダイパッド3及びインナーリード5を
封止し、さらに、アウターリード10を所望の形状に折
り曲げた構造を備えている。
【0012】前記ダイパッド3の裏面及びインナーリー
ド5の裏面(ダイパッド3の裏面と同方向の面)には、
特に、図2に示すように、凹部11及び凸部12が形成
された構造を備えている。次に、この樹脂封止型半導体
装置の製造工程について説明する。先ず、鉄系あるいは
銅系等の導電性材料からなる板状体をプレス加工または
エッチング加工し、ダイパッド3と、これを取り囲むよ
うに配設された複数のインナーリード5と、インナーリ
ード5を一体的に連結するタイバー13と、タイバー1
3の外側に伸張したアウターリード10と、タイバー1
3を両側から支持するサイドバー14A及び14Bと、
ダイパッド3を支持するサポートバー15とを備えたリ
ードフレーム2を形成する。
ド5の裏面(ダイパッド3の裏面と同方向の面)には、
特に、図2に示すように、凹部11及び凸部12が形成
された構造を備えている。次に、この樹脂封止型半導体
装置の製造工程について説明する。先ず、鉄系あるいは
銅系等の導電性材料からなる板状体をプレス加工または
エッチング加工し、ダイパッド3と、これを取り囲むよ
うに配設された複数のインナーリード5と、インナーリ
ード5を一体的に連結するタイバー13と、タイバー1
3の外側に伸張したアウターリード10と、タイバー1
3を両側から支持するサイドバー14A及び14Bと、
ダイパッド3を支持するサポートバー15とを備えたリ
ードフレーム2を形成する。
【0013】次に、ダイパッド3の裏面及びインナーリ
ード5の裏面に、例えば、プレス加工、エッチング加
工、研削加工等の所望の加工を行い、図2に示すよう
に、ダイパッド3の裏面及びインナーリード5の裏面
に、凹部11及び凸部12を形成する。次いで、ダイパ
ッド3の表面(凹部11及び凸部12が形成されていな
い面)に、半導体チップ4を載置し、半導体チップ4の
ボンディングパッド6とインナーリード5の所定位置と
をワイヤ7により電気的に接続する。
ード5の裏面に、例えば、プレス加工、エッチング加
工、研削加工等の所望の加工を行い、図2に示すよう
に、ダイパッド3の裏面及びインナーリード5の裏面
に、凹部11及び凸部12を形成する。次いで、ダイパ
ッド3の表面(凹部11及び凸部12が形成されていな
い面)に、半導体チップ4を載置し、半導体チップ4の
ボンディングパッド6とインナーリード5の所定位置と
をワイヤ7により電気的に接続する。
【0014】次に、封止用樹脂9により、半導体チップ
4、ダイパッド3及びインナーリード5を封止する。こ
の時、ダイパッド3及びインナーリード5の裏面には、
凹部11及び凸部12が形成されているため、封止用樹
脂9が凹部11に侵入し、ダイパッド3及びインナーリ
ード5と、封止用樹脂9との接触面積が増大する。従っ
て、ダイパッド3及びインナーリード5と、封止用樹脂
9との密着性が著しく向上する。
4、ダイパッド3及びインナーリード5を封止する。こ
の時、ダイパッド3及びインナーリード5の裏面には、
凹部11及び凸部12が形成されているため、封止用樹
脂9が凹部11に侵入し、ダイパッド3及びインナーリ
ード5と、封止用樹脂9との接触面積が増大する。従っ
て、ダイパッド3及びインナーリード5と、封止用樹脂
9との密着性が著しく向上する。
【0015】次いで、アウターリード10を所定の形状
に折り曲げて、樹脂封止型半導体装置を完成する。な
お、本実施例では、インナーリード5の裏面に凹部11
及び凸部12を形成したが、これに限らず、ワイヤボン
デングに支障をきたさない範囲であれば、凹部11及び
凸部12は、インナーリード5の上面や側面等、所望の
面に形成してよく、また、複数の面に形成してもよい。
に折り曲げて、樹脂封止型半導体装置を完成する。な
お、本実施例では、インナーリード5の裏面に凹部11
及び凸部12を形成したが、これに限らず、ワイヤボン
デングに支障をきたさない範囲であれば、凹部11及び
凸部12は、インナーリード5の上面や側面等、所望の
面に形成してよく、また、複数の面に形成してもよい。
【0016】そして、凹部11及び凸部12は、スリッ
ト状、溝状、らせん状等、所望により決定してよく、ま
た、その形状は、多角形、円形、半円形、曲線形等、所
望により決定してよい。
ト状、溝状、らせん状等、所望により決定してよく、ま
た、その形状は、多角形、円形、半円形、曲線形等、所
望により決定してよい。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る樹脂
封止型半導体装置によれば、組み立て工程にて樹脂封止
する際に、封止用樹脂が、ダイパッドの裏面及びインナ
ーリードに形成した凹凸の凹部に侵入・充填されるた
め、ダイパッド及びインナーリードと、封止用樹脂との
接触面積が増大させ、両者の密着性を向上することがで
きる。このため、ダイパッド及びインナーリードと、封
止用樹脂とが剥離することを防止でき、クラックの発生
を抑制することができる。また、前記凹凸は、ダイパッ
ド及びインナーリードに直接形成されているため、当該
凹凸がダイパッド及びインナーリードから剥離すること
がないと共に、凹凸形成加工が容易となる。この結果、
信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を、低コストで簡単
に得ることができる。
封止型半導体装置によれば、組み立て工程にて樹脂封止
する際に、封止用樹脂が、ダイパッドの裏面及びインナ
ーリードに形成した凹凸の凹部に侵入・充填されるた
め、ダイパッド及びインナーリードと、封止用樹脂との
接触面積が増大させ、両者の密着性を向上することがで
きる。このため、ダイパッド及びインナーリードと、封
止用樹脂とが剥離することを防止でき、クラックの発生
を抑制することができる。また、前記凹凸は、ダイパッ
ド及びインナーリードに直接形成されているため、当該
凹凸がダイパッド及びインナーリードから剥離すること
がないと共に、凹凸形成加工が容易となる。この結果、
信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を、低コストで簡単
に得ることができる。
【0018】そして、本発明に係る樹脂封止型半導体装
置の製造方法によれば、ダイパッドの裏面となる領域及
びインナーリードとなる領域に、直接凹凸を形成するた
め、凹凸形成工程を簡略化することができる。この結
果、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を、低コストで
簡単に得ることができる。
置の製造方法によれば、ダイパッドの裏面となる領域及
びインナーリードとなる領域に、直接凹凸を形成するた
め、凹凸形成工程を簡略化することができる。この結
果、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を、低コストで
簡単に得ることができる。
【図1】本発明の実施例に係る樹脂封止型半導体装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図2】図1に示す樹脂封止型半導体装置に用いるリー
ドフレームの平面図である。
ドフレームの平面図である。
1 樹脂封止型半導体装置 2 リードフレーム 3 ダイパッド 4 半導体チップ 5 インナーリード 6 ボンディングパッド 7 ワイヤ 9 封止用樹脂 10 アウターリード 11 凹部 12 凸部 13 タイバー 14A サイドバー 14B サイドバー 15 サポートバー
Claims (2)
- 【請求項1】 リードフレームのダイパッド上に載置し
た半導体チップと、当該リードフレームのインナーリー
ドとが電気的に接続されると共に、樹脂封止された樹脂
封止型半導体装置において、 前記ダイパッドの半導体チップ載置面の裏面及びインナ
ーリードに、凹凸を設けたことを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。 - 【請求項2】 リードフレームのダイパッド上に載置し
た半導体チップと、当該リードフレームのインナーリー
ドとが電気的に接続されると共に、樹脂封止された樹脂
封止型半導体装置を製造する方法において、 前記リードフレームを形成する際に、前記ダイパッドの
半導体チップ載置面の裏面となる領域及びインナーリー
ドとなる領域に、凹凸を形成することを特徴とする樹脂
封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12975393A JPH06338583A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12975393A JPH06338583A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06338583A true JPH06338583A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=15017351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12975393A Pending JPH06338583A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06338583A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1993
- 1993-05-31 JP JP12975393A patent/JPH06338583A/ja active Pending
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