JP3134445B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number
JP3134445B2
JP3134445B2 JP1640992A JP1640992A JP3134445B2 JP 3134445 B2 JP3134445 B2 JP 3134445B2 JP 1640992 A JP1640992 A JP 1640992A JP 1640992 A JP1640992 A JP 1640992A JP 3134445 B2 JP3134445 B2 JP 3134445B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
die pad
semiconductor device
lead frame
sealed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1640992A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05218263A (ja
Inventor
欣志 加来
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP1640992A priority Critical patent/JP3134445B2/ja
Publication of JPH05218263A publication Critical patent/JPH05218263A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3134445B2 publication Critical patent/JP3134445B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、水蒸気によるパッケ
ージクラックの発生を防止する対策が施された樹脂封止
型半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4及び図5を用いて従来技術のリード
フレーム及び樹脂封止型半導体装置を説明する。図4は
従来技術の一構成単位のリードフレームの平面図を示
し、図5は図4に示したリードフレームを用い、A−A
線上から見た従来技術の樹脂封止型半導体装置の断面図
を示す。
【0003】従来技術のリードフレーム3は、ダイパッ
ド4と、この周辺部に所定の配列で配置されたインナー
リード5と、これらに対応したアウターリード6などと
を一構成単位とし、この一単位を複数形成して構成され
ている。符号7はダイパッド4の両端を各ステー8に接
続している吊りであって、これらの吊り7の斜線を施し
た部分で折り曲げられ、ダイパッド4はディプレスされ
ている。
【0004】このようなリードフレーム3のダイパッド
4に半導体チップ2を銀ペーストなどを用いてダイボン
ドし、図示していないが半導体チップ2の各電極を各イ
ンナーリード5に金、アルミなどのワイヤ9で接続し、
エポキシ樹脂のような封止樹脂10でモールドし、硬化
させ、パッケージ11としている。封止樹脂10が硬化
した後、ステー8を吊り7の部分で切断し、同時に各ア
ウターリード6を所定の長さ及び形状に切断し、曲げ加
工を施すと、図5に示したような構成の樹脂封止型半導
体装置1となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような樹
脂封止型半導体装置1は、外界から吸湿した水分等が封
止樹脂10内を拡散により広がり、ダイパッド4の裏面
に集まり、このような状態の樹脂封止型半導体装置1を
電気回路配線基板に実装すると、その際に加えられる熱
によって、その水分等が蒸気となり、その蒸気圧が高ま
り、その蒸気がパッケージ11を破壊する、所謂パッケ
ージクラックが発生する。この発明では、このようなパ
ッケージクラックの発生を防止することを目的とするも
のである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、この発明の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッドと
その周辺に配置された複数のインナーリードとこれらと
対応したアウターリードとからなるリードフレームを具
備し、前記複数のインナーリード間に位置するように、
前記ダイパッドに連設された複数の細条突起を形成する
と共に、前記細条突起の長さを、その先端部が樹脂封止
するとき下金型の内側壁に当接して上方に僅かに撓み、
樹脂封止したパッケージ表面と同一面を形成するように
露出できる長さに設定し、前記細条突起によって外界に
露出した蒸気減圧手段を構成したことを特徴とするもの
である。
【0007】また、前記細条突起を、吊り近傍に形成さ
れたインナーリード間を除く他のダイパッド側縁部に等
間隔で配列されたインナーリード間の全てに形成するこ
とができる。更に、前記細条突起を、先端部側を細く基
部側をV字型にして前記ダイパッドに連設形成すること
ができる。
【0008】
【作用】上記のような蒸気減圧手段を設けることによ
り、外界から吸湿された水分等が封止樹脂内を拡散によ
り広がり、実装時に加えられる熱によって水蒸気となり
圧力が高められても、この蒸気を蒸気減圧手段を介して
外界に放出し、減圧することができる。
【0009】また、蒸気減圧手段を構成する個々の細条
突起は細くてもインナーリード間の全てに形成した細条
突起により充分大きな面積を確保してダイパッドを外界
に晒すことができる。更には、細条突起の先端部側をで
きるだけ弱くするという望ましい構成にしながら、基部
側をV字型にすることによってこの細条突起をしっかり
保持することができる。
【0010】
【実施例】以下、この発明の樹脂封止型半導体装置を図
を用いて説明する。図1はこの発明の一構成単位のリー
ドフレームの一実施例を示した平面図であり、図2は図
1に示したリードフレームを用い、A−A線上から見た
この発明の樹脂封止型半導体装置の断面図であり、そし
て図3は図1のリードフレームに搭載した半導体チップ
を樹脂封止する場合の状態を説明するための断面図であ
る。なお、図4及び図5に示したリードフレーム及び樹
脂封止型半導体装置と同一の構成部分には同一の符号を
付し、それらの構成及び説明を省略する。そして、この
実施例ではSOP型の樹脂封止型半導体装置を採り上げ
たが、この発明はQFP型等のものにも適用できること
を付言しておく。
【0011】先ず、リードフレーム3Aの構成を説明す
る。このリードフレーム3Aにおいては、図1に示した
ように、インナーリード5の間に位置するように、ダイ
パッド4に連なって細条突起20を形成している。この
細条突起20はできるだけ多く形成することが望まし
く、この実施例では吊り7の近傍に形成されたインナー
リード5を除いた他の側縁部に等間隔で配列されたイン
ナーリード5の全ての間に形成している。
【0012】この細条突起20はできるだけ弱く構成す
ることが望ましく、細くそしてハーフエッチングすると
よい。細条突起20のダイパッド4と連なっている基部
21はV字型に形成して、その細条突起20をしっかり
保持する構造にしている。
【0013】また、細条突起20の長さは、後述するよ
うに樹脂封止すると、その先端部22が多少撓んでパッ
ケージ11の表面12と同一面を形成するように露出で
きる長さとし、特別に切断する必要がないように構成し
ている。このように構成すると、リードフレームの構成
を変更するだけで、従来技術で使用された各種設備を流
用することができる。この細条突起20はダイパッド4
を外界に晒すものであれば、形状、構造は問わない。
【0014】このようなリードフレーム3Aのダイパッ
ド4に半導体チップ2を銀ペースト等でダイボンドし、
半導体チップ2の各電極を各インナーリード5にワイヤ
9で接続し、樹脂封止10をモールドする。
【0015】この場合、図3に示したように、下金型3
0の内側壁32に細条突起20が当接するように、半導
体チップ2を搭載したリードフレーム3Aを下金型30
に入れる。細条突起20は前述のような長さ等の構造に
定めてあるので、これらの細条突起20は、殆ど全体の
自重で下がり、細条突起20は上方に僅かに撓む。
【0016】このように配置した後、上金型31を被せ
て、この金型に封止樹脂10を注入し、トランスファー
モールドする。モールドの範囲は、図1の2点鎖線Lで
囲んだ内部である。
【0017】そうすると、前記細条突起20の先端部2
2はパッケージ11の側面12と同一面を形成し、外界
に露出するので、ダイパッド4を外界に晒す状態とな
り、前記水分等による蒸気をダイパッド4及び複数の細
条突起20と封止樹脂10との極僅かな隙間を通して外
界に放出することができる。この実施例ではこの細条突
起20とこのパッケージ11の側面12とで蒸気減圧手
段が構成されている。
【0018】封止樹脂10が硬化すると、アウターリー
ド6を所定の長さ及び形状に切断し、曲げ加工を施すこ
とにより、この発明の樹脂封止型半導体装置1Aを得る
ことができる。
【0019】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明の樹脂封止型半導体装置は、外界から吸湿した水分等
が封止樹脂内を拡散によりダイパッドの裏面に集めら
れ、このような樹脂封止型半導体装置を電気回路配線基
板に実装した場合に、その時の熱でその水分等が加熱さ
れ、水蒸気となり、圧力が高められたとしても、前記蒸
気減圧手段により減圧することができるため、従来技術
に見られたようなパッケージクラックが発生しにくくな
る。また、この発明では、リードフレームの構成を変更
するだけで、従来技術に用いた製造設備を流用すること
ができるので、製造コストに影響を及ぼすことがないと
いう優れた効果がある。更に、細条突起の長さを、その
先端部が樹脂封止するとき下金型の内側壁に当接して上
方に僅かに撓み、樹脂封止したパッケージ表面と同一面
を形成するように露出できる長さに設定しているため、
人為的に細条突起を曲げたり、切断したりする必要がな
く、長さに多少のバラツキがあったとしても樹脂封止工
程時に確実に、かつ自動的に細条突起の先端を外界に露
出させることができる。また、封止樹脂を注入する時に
ダイパッドが傾く傾向(特に薄いパッケージの場合)に
あるが、僅かに撓むように下金型の内側壁に当接する複
数の細条突起によりダイパッドを支持しこの傾きを防止
することができるため、樹脂封止を精度良く行うことが
できる。更には、細条突起をダイパッド側縁部に等間隔
で配列されたインナーリード間の全てに形成することに
よって、個々の細条突起は細くても充分大きな面積でダ
イパッドを外界に晒すことができ、蒸気減圧機能を十二
分に確保することができると共に、細条突起を先端部側
を細く基部側をV字型にしてダイパッドに連設形成する
ことにより、先端部側をできるだけ弱くするという望ま
しい構成にしながら、V字型の基部によってこの細条突
起をしっかり保持することができる等の多大の効果を奏
し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一構成単位のリードフレームの一実
施例を示した平面図である。
【図2】図1に示したリードフレームを用い、A−A線
上から見たこの発明の樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。
【図3】図1のリードフレームに搭載した半導体チップ
を樹脂封止する場合の状態を説明するための断面図であ
る。
【図4】従来技術の一構成単位のリードフレームを示し
た平面図である。
【図5】図4に示したリードフレームを用い、A−A線
上から見た従来技術の樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。
【符号の説明】
1A 樹脂封止型半導体装置 2 半導体チップ 3A リードフレーム 4 ダイパッド 5 インナーリード 6 アウターリード 7 吊り 8 ステー 9 ワイヤ 10 封止樹脂 11 パッケージ 12 側面 20 細条突起 22 先端部 30 下金型 32 内側壁

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ダイパッドとその周辺に配置された複数
    のインナーリードとこれらと対応したアウターリードと
    からなるリードフレームを具備し、 前記複数のインナーリード間に位置するように、前記ダ
    イパッドに連設された複数の細条突起を形成すると共
    に、 前記細条突起の長さを、その先端部が樹脂封止するとき
    下金型の内側壁に当接して上方に僅かに撓み、樹脂封止
    したパッケージ表面と同一面を形成するように露出でき
    る長さに設定し、 前記細条突起によって外界に露出した蒸気減圧手段を構
    成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記細条突起を、吊り近傍に形成された
    インナーリード間を除く他のダイパッド側縁部に等間隔
    で配列されたインナーリード間の全てに形成したことを
    特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記細条突起を、先端部側を細く基部側
    をV字型にして前記ダイパッドに連設形成したことを特
    徴とする請求項1又は2に記載の樹脂封止型半導体装
    置。
JP1640992A 1992-01-31 1992-01-31 樹脂封止型半導体装置 Expired - Fee Related JP3134445B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1640992A JP3134445B2 (ja) 1992-01-31 1992-01-31 樹脂封止型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1640992A JP3134445B2 (ja) 1992-01-31 1992-01-31 樹脂封止型半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05218263A JPH05218263A (ja) 1993-08-27
JP3134445B2 true JP3134445B2 (ja) 2001-02-13

Family

ID=11915444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1640992A Expired - Fee Related JP3134445B2 (ja) 1992-01-31 1992-01-31 樹脂封止型半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3134445B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2806328B2 (ja) * 1995-10-31 1998-09-30 日本電気株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
KR100476667B1 (ko) * 1997-09-25 2005-08-10 삼성전자주식회사 리드프레임및이를이용한반도체칩패키지
JP4837628B2 (ja) * 2007-07-06 2011-12-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05218263A (ja) 1993-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6437429B1 (en) Semiconductor package with metal pads
US7008824B2 (en) Method of fabricating mounted multiple semiconductor dies in a package
CA1217876A (en) Semiconductor device and a method for fabricating the same
JPH06302755A (ja) フラグレス半導体装置およびその製造方法
US6882048B2 (en) Lead frame and semiconductor package having a groove formed in the respective terminals for limiting a plating area
KR19980067735A (ko) 반도체 패키지의 제조방법
JPS6151933A (ja) 半導体装置の製法
JP2000208690A (ja) リ―ドフレ―ム、樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH06338583A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP3134445B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
US5606204A (en) Resin-sealed semiconductor device
JPH08264569A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2001267484A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2679848B2 (ja) 半導体装置
JPS61237458A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP3847432B2 (ja) 樹脂封止半導体装置及びその製造方法
JPS5986251A (ja) 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム
KR0184061B1 (ko) 반도체 패키지
KR0152902B1 (ko) 버텀리드형 반도체 패키지의 구조 및 그 제조방법
KR0125870Y1 (ko) 반도체 패키지용 리드프레임
JP4356960B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2000150761A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
KR0152941B1 (ko) 반도체 패키지
JPS61128551A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPH0750388A (ja) 樹脂封止型半導体装置及び製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees