JPS61237458A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS61237458A JPS61237458A JP60078366A JP7836685A JPS61237458A JP S61237458 A JPS61237458 A JP S61237458A JP 60078366 A JP60078366 A JP 60078366A JP 7836685 A JP7836685 A JP 7836685A JP S61237458 A JPS61237458 A JP S61237458A
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- tab
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特Ｋ。
ｍａＷｔを構成するリードフレームの改良技術に関する
。
。
樹脂封止型半導体装置は、一般に、多連のリードフレー
ムに半導体素子をマウントシ、ワイヤボンディングした
後、モールド金層に入れてエポキシ樹脂などの樹脂でト
ランスファモールドし、個別に切断分離する主要工程を
経て得られる。
ムに半導体素子をマウントシ、ワイヤボンディングした
後、モールド金層に入れてエポキシ樹脂などの樹脂でト
ランスファモールドし、個別に切断分離する主要工程を
経て得られる。
従来のリードフレームは、圧延材料をそのｔまプレスに
て打抜いたもの全使用しており、また、一般に、その表
面はフラットに形成されている。
て打抜いたもの全使用しており、また、一般に、その表
面はフラットに形成されている。
かかるリードフレームを使用し九場合、レジンとの接着
強度が弱く、水分浸入の原因となりたシする。
強度が弱く、水分浸入の原因となりたシする。
なお、樹脂封止型半導体装置やリードフレームについて
詳しく述べである文献の例として、工業調査会発行１”
ＩＣ化実装技術Ｊ１９８０年１月１５日刊Ｐ１３５〜１
４０及び、工業調査会発行［電子材料Ｊ１９８２年８月
号、昭和５７年８月１日発行Ｐ６９〜７４がある。
詳しく述べである文献の例として、工業調査会発行１”
ＩＣ化実装技術Ｊ１９８０年１月１５日刊Ｐ１３５〜１
４０及び、工業調査会発行［電子材料Ｊ１９８２年８月
号、昭和５７年８月１日発行Ｐ６９〜７４がある。
本発明の目的は、リードフレームとレジンとの接着強度
を向上させる技術を提供することを目的とする。
を向上させる技術を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、外部から半導体素子へのリードフ
レーム表面を伝わつて浸入する水分の到達を阻止するこ
とのできる技術を提供することを目的とする。
レーム表面を伝わつて浸入する水分の到達を阻止するこ
とのできる技術を提供することを目的とする。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明では、例えばリードフレーム表面を部
分的に粗面とし、これによりリードフレーム・レジン間
の接着強度を増加し、パッケージ外部と半導体素子間の
水分到達経路を長くすることに成功した。
分的に粗面とし、これによりリードフレーム・レジン間
の接着強度を増加し、パッケージ外部と半導体素子間の
水分到達経路を長くすることに成功した。
次に、本発明を、実施例を示す図面によシ説明する。
第１図は多連リードフレーム成形前の鋼板でありて、本
発明によるリードフレーム表面を部分的に粗面と成した
鋼板の要部平面図、８２図は同鋼板をプレスにて打抜き
加工を行なつて成る多連リードフレームの要部平面図、
第３図は当該リードフレームを使用して成る樹脂封止型
半導体装置の断面図を示すつ 第１図に示すように、鋼板１表面を部分に粗面２となす
。
発明によるリードフレーム表面を部分的に粗面と成した
鋼板の要部平面図、８２図は同鋼板をプレスにて打抜き
加工を行なつて成る多連リードフレームの要部平面図、
第３図は当該リードフレームを使用して成る樹脂封止型
半導体装置の断面図を示すつ 第１図に示すように、鋼板１表面を部分に粗面２となす
。
鋼板ｌは、例えば銅帯よシ成シ、例えば、Ｆ・−Ｎｉ系
合金、鋼合金によシ構成される。
合金、鋼合金によシ構成される。
粗面２の形成は、上下の圧延ロール（図示せず）を梨地
としておき、これらロール間に鋼板を通過させる。
としておき、これらロール間に鋼板を通過させる。
粗面２は、半導体素子を搭載する部分（以下半導体素子
搭載部という）やコネクタワイヤとのボンディングエリ
アを除くレジンとの接着面に形成する。
搭載部という）やコネクタワイヤとのボンディングエリ
アを除くレジンとの接着面に形成する。
次に、かかる鋼板を用いて、第２図に示すような、多連
のリードフレームを成形する。
のリードフレームを成形する。
この成形はプレス打抜き加工によシ行なう。尚該リード
フレーム３は、その中央に半導体素子搭載部であるタブ
４と称される部分と、このタブ４を支持しているタブ吊
りリード５部分と、タブ４に向かって延びる複数のリー
ド６と、レジンモールド時レジンの流出を防ぐダム７と
、枠８とを備えて成るう 粗面２を、第２図に示すように、タブ４やコネクタワイ
ヤとのボンディング部９を避けて形成する。
フレーム３は、その中央に半導体素子搭載部であるタブ
４と称される部分と、このタブ４を支持しているタブ吊
りリード５部分と、タブ４に向かって延びる複数のリー
ド６と、レジンモールド時レジンの流出を防ぐダム７と
、枠８とを備えて成るう 粗面２を、第２図に示すように、タブ４やコネクタワイ
ヤとのボンディング部９を避けて形成する。
粗面２の形成は、第３図に示すように、リードフレーム
両面に行なうとよく、ｔｉ、直線状２列に配設するとよ
い。
両面に行なうとよく、ｔｉ、直線状２列に配設するとよ
い。
第３図に示すような樹脂封止型半導体装置１０は、例え
ば、次のようにして得ることができる。
ば、次のようにして得ることができる。
多連リードフレーム３のタブ４上に半導体素子１１ｔ−
マウント（固着）する。このいわゆるペレット付は例え
ばＡｇペーストなどを使用して行われる。
マウント（固着）する。このいわゆるペレット付は例え
ばＡｇペーストなどを使用して行われる。
尚該素子１１のパッド（図示せず）と、リードフレーム
３のボンディングエリア部９に形成されたパッド（図示
せず）とな、例えばＡＪ線より成るコネクタワイヤ１２
によシ接続する。この接続は超音波法などの周知のワイ
ヤボンディング法によシ行われ、この電気的、物理的接
続により、素子１１内の内部配線がリード６を経て外部
に引き出しされる。
３のボンディングエリア部９に形成されたパッド（図示
せず）とな、例えばＡＪ線より成るコネクタワイヤ１２
によシ接続する。この接続は超音波法などの周知のワイ
ヤボンディング法によシ行われ、この電気的、物理的接
続により、素子１１内の内部配線がリード６を経て外部
に引き出しされる。
ワイヤボンディング後、モールド金型に尚該組立品を入
れて、エポキシ樹脂などのレジンによシト２ンスフアー
モールドを行ない、半導体素子１１やコネクタワイヤ１
２や上記ワイヤボンディング部などをレジンによシ封止
する。
れて、エポキシ樹脂などのレジンによシト２ンスフアー
モールドを行ない、半導体素子１１やコネクタワイヤ１
２や上記ワイヤボンディング部などをレジンによシ封止
する。
第３図において、１３はこのようにして得られたレジン
による封止部を示す。封止後に、多連リードフレームか
ら個別に分離切断後、リード５のレジン封止部１３外の
いわゆるアウターリードと称される部分を第３図に示す
ように折シ曲げし、メッキ工程などを経て、デエアルラ
イン（ＤＩＬ）タイプのプラスチックパッケージ１（ｌ
得る。
による封止部を示す。封止後に、多連リードフレームか
ら個別に分離切断後、リード５のレジン封止部１３外の
いわゆるアウターリードと称される部分を第３図に示す
ように折シ曲げし、メッキ工程などを経て、デエアルラ
イン（ＤＩＬ）タイプのプラスチックパッケージ１（ｌ
得る。
（１）本発明によれば、リードフレームのレジンとの接
着面が粗面とされているので、フラットに形成された場
合に比して、リードフレームとレジンとの接着強度が増
大し、リードのレジン封止部からの引抜き強度が向上す
る。
着面が粗面とされているので、フラットに形成された場
合に比して、リードフレームとレジンとの接着強度が増
大し、リードのレジン封止部からの引抜き強度が向上す
る。
したがって、上記接着強度が弱かったシ、また、リード
折曲げの際にリードとレジンとの間にすきまが形成され
たシして、そこから水分が浸入することが防止される。
折曲げの際にリードとレジンとの間にすきまが形成され
たシして、そこから水分が浸入することが防止される。
それ故、水分の没入による、素子パッド腐蝕不良や素子
回路腐蝕不良などが防止され、高信頼度の樹脂封止型半
導体装置が得られたう （２）本発明によれば、リードフレーム表面が粗面に形
成されているので、水分がリードを伝わりてパッケージ
内に浸入しても、水分は粗面を越えることにより、素子
へと到達するので、その到達が阻止され、また、到達時
間を著しく遅延させることができる。
回路腐蝕不良などが防止され、高信頼度の樹脂封止型半
導体装置が得られたう （２）本発明によれば、リードフレーム表面が粗面に形
成されているので、水分がリードを伝わりてパッケージ
内に浸入しても、水分は粗面を越えることにより、素子
へと到達するので、その到達が阻止され、また、到達時
間を著しく遅延させることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明し九が、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明し九が、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば、前記実施例では、粗面形成の場合のみ例示した
が、波形面や凹凸形を形成し、同様に本発明所望の目的
を達成してもよい。
が、波形面や凹凸形を形成し、同様に本発明所望の目的
を達成してもよい。
本発明はＤＩＬプラスチックパッケージの他、樹脂封止
型半導体装置全般に適用することができ、例えば四方向
からリードが引き出しされた７２ツトバツクタイプのグ
ラスチックパッケージなどにも適用できる。
型半導体装置全般に適用することができ、例えば四方向
からリードが引き出しされた７２ツトバツクタイプのグ
ラスチックパッケージなどにも適用できる。
第１図はリードフレーム成形前要部平面図、第２図は本
発明の実施例を示すリードフレームの要部平面図、 第３図は本発明の実施例を示す断面図である。 １・・・鋼板、２φ・・粗面、３・・・多連のリードフ
レーム、４・・・タブ（半導体素子搭載部）５・・・タ
ブ吊りリード、６・・・リード、７・―・ダム、８・・
・枠、９・・・コネクタワイヤとのボンディング部、１
０・・・樹脂封止型半導体装置。１１・・・半導体素子
、１２・・・コネクタワイヤ、１３・・・レジン封止部
。 第 ３ 図
発明の実施例を示すリードフレームの要部平面図、 第３図は本発明の実施例を示す断面図である。 １・・・鋼板、２φ・・粗面、３・・・多連のリードフ
レーム、４・・・タブ（半導体素子搭載部）５・・・タ
ブ吊りリード、６・・・リード、７・―・ダム、８・・
・枠、９・・・コネクタワイヤとのボンディング部、１
０・・・樹脂封止型半導体装置。１１・・・半導体素子
、１２・・・コネクタワイヤ、１３・・・レジン封止部
。 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、リードフレーム上に半導体素子を搭載し、該素子と
リードフレームとをコネクタワイヤにより接続し、少な
くとも半導体素子表面をレジンにより封止して成る樹脂
封止型半導体装置において、前記リードフレームが、半
導体素子搭載部及びコネクタワイヤとのボンディングエ
リアを除くレジンとの接着面を粗面又は波形面又は凹凸
面に形成して成ることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。 ２、リードフレームが、圧延ロール間に鋼板を通過させ
、その際に該鋼板表面を粗面と成した後に、プレス打抜
き加工を行なって成る多連のリードフレームである、特
許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60078366A JPS61237458A (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60078366A JPS61237458A (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61237458A true JPS61237458A (ja) | 1986-10-22 |
Family
ID=13660006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60078366A Pending JPS61237458A (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61237458A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5886402A (en) * | 1997-01-23 | 1999-03-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device card |
| US6011303A (en) * | 1996-11-29 | 2000-01-04 | Nec Corporation | Electronic component |
| US7036221B2 (en) * | 1996-07-09 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor element-mounting board |
| US7799611B2 (en) * | 2002-04-29 | 2010-09-21 | Unisem (Mauritius) Holdings Limited | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging |
| US8236612B2 (en) | 2002-04-29 | 2012-08-07 | Unisem (Mauritius) Holdings Limited | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging |
-
1985
- 1985-04-15 JP JP60078366A patent/JPS61237458A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7036221B2 (en) * | 1996-07-09 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor element-mounting board |
| US6011303A (en) * | 1996-11-29 | 2000-01-04 | Nec Corporation | Electronic component |
| US5886402A (en) * | 1997-01-23 | 1999-03-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device card |
| US7799611B2 (en) * | 2002-04-29 | 2010-09-21 | Unisem (Mauritius) Holdings Limited | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging |
| US8236612B2 (en) | 2002-04-29 | 2012-08-07 | Unisem (Mauritius) Holdings Limited | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging |
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