JP2000150761A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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- JP2000150761A JP2000150761A JP10328306A JP32830698A JP2000150761A JP 2000150761 A JP2000150761 A JP 2000150761A JP 10328306 A JP10328306 A JP 10328306A JP 32830698 A JP32830698 A JP 32830698A JP 2000150761 A JP2000150761 A JP 2000150761A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田付けによる接合の信頼性を向上させて実
装基板への実装強度をより高いものとすることができる
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体チップ１７を樹脂封止パッケージ
２０内に封止すると共に、樹脂封止パッケージ２０の下
部周縁部分から複数のアウターリード１２を短寸法に延
出させてなるもので、樹脂封止パッケージ２０から延出
するアウターリード１２の下面および延出方向側面を、
実装基板に表面実装等する時の固着面とする。
装基板への実装強度をより高いものとすることができる
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体チップ１７を樹脂封止パッケージ
２０内に封止すると共に、樹脂封止パッケージ２０の下
部周縁部分から複数のアウターリード１２を短寸法に延
出させてなるもので、樹脂封止パッケージ２０から延出
するアウターリード１２の下面および延出方向側面を、
実装基板に表面実装等する時の固着面とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームの
片面側に樹脂封止パッケージを成形し、樹脂封止パッケ
ージから延出するアウターリードを短寸法とした樹脂封
止型半導体装置及びその製造方法に関する。
片面側に樹脂封止パッケージを成形し、樹脂封止パッケ
ージから延出するアウターリードを短寸法とした樹脂封
止型半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術を図９乃至図１２を参照して説
明する。図９はリードフレームの片面側に樹脂封止パッ
ケージを形成した状態を示す平面図であり、図１０は図
９の要部を拡大して示す図で、図１０（ａ）は平面図、
図１０（ｂ）はＸ−Ｘ矢方向視の断面図であり、図１１
は平面図であり、図１２は実装基板に実装した状態を示
す要部の断面図である。
明する。図９はリードフレームの片面側に樹脂封止パッ
ケージを形成した状態を示す平面図であり、図１０は図
９の要部を拡大して示す図で、図１０（ａ）は平面図、
図１０（ｂ）はＸ−Ｘ矢方向視の断面図であり、図１１
は平面図であり、図１２は実装基板に実装した状態を示
す要部の断面図である。
【０００３】図９乃至図１２において、１は、例えば板
厚が０．１２５ｍｍの銅（Ｃｕ）板でなるリードフレー
ムであり、２は内部に半導体チップが封止されるように
リードフレーム１の片面側に形成された、例えば厚さ寸
法が０．８ｍｍ程度で、３ｍｍ角〜１８ｍｍ角程度の寸
法を有する方形状の樹脂封止パッケージであり、３は樹
脂封止パッケージ２の下部周縁部分から側方に複数延出
するアウターリードで、例えば幅寸法が０．１８ｍｍ〜
０．２２ｍｍ程度で、ピッチ寸法が０．４ｍｍ〜０．６
５ｍｍ程度であり、４は樹脂封止時に形成されたアウタ
ーリード間樹脂である。そしてリードフレーム１の片面
側に樹脂封止パッケージ２が成形された後、アウターリ
ード３の長さを所定の短寸法、例えば０．１ｍｍ〜０．
３ｍｍ程度の寸法となるように切断しリードレス状態と
した、例えばＳＯＮ（ｓｍａｌｌｏｕｔ−ｌｉｎｅ ｎ
ｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（ｑｕ
ａｄ ｆｌａｔ ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇ
ｅ）と呼ばれる樹脂封止型半導体装置５が形成される。
また、６は実装基板で、その上面に形成されたパッド７
上に対応するアウターリード３の半田付け８を行い、樹
脂封止型半導体装置５は実装基板６上に表面実装され
る。
厚が０．１２５ｍｍの銅（Ｃｕ）板でなるリードフレー
ムであり、２は内部に半導体チップが封止されるように
リードフレーム１の片面側に形成された、例えば厚さ寸
法が０．８ｍｍ程度で、３ｍｍ角〜１８ｍｍ角程度の寸
法を有する方形状の樹脂封止パッケージであり、３は樹
脂封止パッケージ２の下部周縁部分から側方に複数延出
するアウターリードで、例えば幅寸法が０．１８ｍｍ〜
０．２２ｍｍ程度で、ピッチ寸法が０．４ｍｍ〜０．６
５ｍｍ程度であり、４は樹脂封止時に形成されたアウタ
ーリード間樹脂である。そしてリードフレーム１の片面
側に樹脂封止パッケージ２が成形された後、アウターリ
ード３の長さを所定の短寸法、例えば０．１ｍｍ〜０．
３ｍｍ程度の寸法となるように切断しリードレス状態と
した、例えばＳＯＮ（ｓｍａｌｌｏｕｔ−ｌｉｎｅ ｎ
ｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（ｑｕ
ａｄ ｆｌａｔ ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇ
ｅ）と呼ばれる樹脂封止型半導体装置５が形成される。
また、６は実装基板で、その上面に形成されたパッド７
上に対応するアウターリード３の半田付け８を行い、樹
脂封止型半導体装置５は実装基板６上に表面実装され
る。
【０００４】そして、こうのような構成の樹脂封止型半
導体装置５は、次のような製造工程を経て形成される。
すなわち、先ず半導体チップ搭載工程で、所定形状に成
形されたリードフレーム１の図示しないダイパッドに半
導体チップを搭載し、半導体チップの電極とインナーリ
ードとを接続する。
導体装置５は、次のような製造工程を経て形成される。
すなわち、先ず半導体チップ搭載工程で、所定形状に成
形されたリードフレーム１の図示しないダイパッドに半
導体チップを搭載し、半導体チップの電極とインナーリ
ードとを接続する。
【０００５】その後、図９および図１０に示すパッケー
ジ成形工程で、リードフレーム１の片面側に樹脂封止パ
ッケージ２の成形を行い、半導体チップとインナーリー
ドを封止すると共に樹脂封止パッケージ２の下部周縁部
分から側方にアウターリード３が延出するようにする。
これにより隣接するアウターリード３間に形成されたア
ウターリード３の板厚寸法分の空間に封止樹脂が流れ込
み、アウターリード３間がアウターリード間樹脂４で充
たされる。
ジ成形工程で、リードフレーム１の片面側に樹脂封止パ
ッケージ２の成形を行い、半導体チップとインナーリー
ドを封止すると共に樹脂封止パッケージ２の下部周縁部
分から側方にアウターリード３が延出するようにする。
これにより隣接するアウターリード３間に形成されたア
ウターリード３の板厚寸法分の空間に封止樹脂が流れ込
み、アウターリード３間がアウターリード間樹脂４で充
たされる。
【０００６】続いて、半田めっき工程に進み、図示しな
いが樹脂封止パッケージ２が形成された状態のリードフ
レーム１への半田めっきを行い、アウターリード３の半
田付け面に半田を着ける。この時、アウターリード間樹
脂４が充たされているために、アウターリード３の側面
３ａには半田めっきがなされないままとなる。
いが樹脂封止パッケージ２が形成された状態のリードフ
レーム１への半田めっきを行い、アウターリード３の半
田付け面に半田を着ける。この時、アウターリード間樹
脂４が充たされているために、アウターリード３の側面
３ａには半田めっきがなされないままとなる。
【０００７】次に、図１１に示すリード成形工程で、半
田めっきが施されたアウターリード３を所定の短寸法と
なるように切断し、樹脂封止型半導体装置５をリードフ
レーム１から切り離す。
田めっきが施されたアウターリード３を所定の短寸法と
なるように切断し、樹脂封止型半導体装置５をリードフ
レーム１から切り離す。
【０００８】このようにして形成された樹脂封止型半導
体装置５は、実装基板６の予め所要量の半田が着けられ
たパッド７上に対応するアウターリード３の半田めっき
された下面を載せ、所定温度の雰囲気に一定時間保持
し、パッド７にアウターリード３の半田付け８を行い固
着することで、実装基板６上に表面実装される。
体装置５は、実装基板６の予め所要量の半田が着けられ
たパッド７上に対応するアウターリード３の半田めっき
された下面を載せ、所定温度の雰囲気に一定時間保持
し、パッド７にアウターリード３の半田付け８を行い固
着することで、実装基板６上に表面実装される。
【０００９】しかしながら上記の従来技術においては、
樹脂封止型半導体装置５のアウターリード３間がアウタ
ーリード間樹脂４で充たされており、このためアウター
リード３の側面３ａには半田めっきがなされていない。
その結果、実装基板６上に表面実装された樹脂封止型半
導体装置５は、半田付け８がアウターリード３の下面の
みで行われていることになり、半田付け８による接合の
信頼性が十分であるとはいえず、樹脂封止型半導体装置
５の実装基板６への実装強度をより高いものとすること
が望まれている。
樹脂封止型半導体装置５のアウターリード３間がアウタ
ーリード間樹脂４で充たされており、このためアウター
リード３の側面３ａには半田めっきがなされていない。
その結果、実装基板６上に表面実装された樹脂封止型半
導体装置５は、半田付け８がアウターリード３の下面の
みで行われていることになり、半田付け８による接合の
信頼性が十分であるとはいえず、樹脂封止型半導体装置
５の実装基板６への実装強度をより高いものとすること
が望まれている。
【００１０】また、アウターリード間樹脂４については
樹脂封止型半導体装置５を取り扱う中でアウターリード
間樹脂４が脱落し、脱落片が工程内にごみとなってしま
ったり、アウターリード間樹脂４で覆われていたアウタ
ーリード３の側面３ａが露出し、露出した面が酸化して
しまうなどの問題があり、実装時の取り扱いの面からも
より扱いやすいものとすることが望まれている。
樹脂封止型半導体装置５を取り扱う中でアウターリード
間樹脂４が脱落し、脱落片が工程内にごみとなってしま
ったり、アウターリード間樹脂４で覆われていたアウタ
ーリード３の側面３ａが露出し、露出した面が酸化して
しまうなどの問題があり、実装時の取り扱いの面からも
より扱いやすいものとすることが望まれている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、その目的とするところ
は、半田付けによる接合の信頼性を向上させることで実
装基板への実装強度をより高いものとすることができる
と共に、加工工程での取り扱いが容易な樹脂封止型半導
体装置及びその製造方法を提供することにある。
みて本発明はなされたもので、その目的とするところ
は、半田付けによる接合の信頼性を向上させることで実
装基板への実装強度をより高いものとすることができる
と共に、加工工程での取り扱いが容易な樹脂封止型半導
体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置及びその製造方法は、半導体チップを樹脂封止パ
ッケージ内に封止すると共に、樹脂封止パッケージの下
部周縁部分から複数のアウターリードを短寸法に延出さ
せてなる樹脂封止型半導体装置において、アウターリー
ドの下面および延出方向側面が実装時の固着面としたこ
とを特徴とするものであり、また、所定形状に形成され
たリードフレームに半導体チップを搭載すると共に該半
導体チップを封止するよう片面側に樹脂封止パッケージ
を成形する工程と、成形された樹脂封止パッケージの下
部周縁部分から延出するアウターリードを挟幅に成形す
る工程と、アウターリードを挟幅に成形した後にリード
フレームに半田めっきを施す工程と、半田めっき後にア
ウターリードを樹脂封止パッケージからの延出寸法が短
寸法となるよう切断する工程を備えていることを特徴と
する方法であり、さらに、アウターリードを挟幅に成形
する際に、アウターリード間に充たされたアウターリー
ド間樹脂を同時に切除するようにしたことを特徴とする
方法である。
体装置及びその製造方法は、半導体チップを樹脂封止パ
ッケージ内に封止すると共に、樹脂封止パッケージの下
部周縁部分から複数のアウターリードを短寸法に延出さ
せてなる樹脂封止型半導体装置において、アウターリー
ドの下面および延出方向側面が実装時の固着面としたこ
とを特徴とするものであり、また、所定形状に形成され
たリードフレームに半導体チップを搭載すると共に該半
導体チップを封止するよう片面側に樹脂封止パッケージ
を成形する工程と、成形された樹脂封止パッケージの下
部周縁部分から延出するアウターリードを挟幅に成形す
る工程と、アウターリードを挟幅に成形した後にリード
フレームに半田めっきを施す工程と、半田めっき後にア
ウターリードを樹脂封止パッケージからの延出寸法が短
寸法となるよう切断する工程を備えていることを特徴と
する方法であり、さらに、アウターリードを挟幅に成形
する際に、アウターリード間に充たされたアウターリー
ド間樹脂を同時に切除するようにしたことを特徴とする
方法である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施形態を、図１
乃至図８を参照して説明する。図２は図１の要部を拡大
して示す図で、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）はＹ−
Ｙ矢方向視の断面図であり、図３はリードに幅加工を施
した状態を示す平面図であり、図４は図３の要部を拡大
して示す図で、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）はＺ−
Ｚ矢方向視の断面図であり、図５は平面図であり、図６
は図５の要部を拡大して示す平面図であり、図７は下面
側を示す平面図であり、図８は実装基板に実装した状態
を示す要部の断面図である。
乃至図８を参照して説明する。図２は図１の要部を拡大
して示す図で、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）はＹ−
Ｙ矢方向視の断面図であり、図３はリードに幅加工を施
した状態を示す平面図であり、図４は図３の要部を拡大
して示す図で、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）はＺ−
Ｚ矢方向視の断面図であり、図５は平面図であり、図６
は図５の要部を拡大して示す平面図であり、図７は下面
側を示す平面図であり、図８は実装基板に実装した状態
を示す要部の断面図である。
【００１４】図１乃至図８において、１１は、アウター
リード１２の長さが所定の短寸法、例えば０．１ｍｍ〜
０．３ｍｍ程度の寸法に形成してリードレス状態とした
ＳＯＮ（ｓｍａｌｌ ｏｕｔ−ｌｉｎｅ ｎｏｎ−ｌｅ
ａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（ｑｕａｄ ｆｌ
ａｔ ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）と呼ば
れる樹脂封止型半導体装置である。そして、この樹脂封
止型半導体装置１１は、対応するアウターリード１２を
実装基板１３の上面に形成されたパッド１４上に半田付
け１５によって固定することによって表面実装される。
リード１２の長さが所定の短寸法、例えば０．１ｍｍ〜
０．３ｍｍ程度の寸法に形成してリードレス状態とした
ＳＯＮ（ｓｍａｌｌ ｏｕｔ−ｌｉｎｅ ｎｏｎ−ｌｅ
ａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（ｑｕａｄ ｆｌ
ａｔ ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）と呼ば
れる樹脂封止型半導体装置である。そして、この樹脂封
止型半導体装置１１は、対応するアウターリード１２を
実装基板１３の上面に形成されたパッド１４上に半田付
け１５によって固定することによって表面実装される。
【００１５】また樹脂封止型半導体装置１１は、長尺の
良導電性材料の金属基板、例えば銅（Ｃｕ）板等でなる
板厚が０．１２５ｍｍのリードフレーム１６を用いて形
成されたもので、リードフレーム１６には、予め長尺方
向に半導体チップ１７を搭載するダイパッド１８やアウ
ターリード１２、インナーリードのリードおよびスプロ
ケットホール１９等を有する所定のパターンが、プレス
加工やフォトエッチング加工等により形成されている。
そしてリードフレーム１６には、ダイパッド１８に半導
体チップ１７を接着固定して搭載した後、リードフレー
ム１６の片面側に、例えば厚さ寸法が８ｍｍ程度で、３
ｍｍ角〜１８ｍｍ角程度の寸法を有する方形状のエポキ
シ樹脂あるいはシリコン樹脂等でなる樹脂封止パッケー
ジ２０が成形され、内部に半導体チップ１７が封止され
る。
良導電性材料の金属基板、例えば銅（Ｃｕ）板等でなる
板厚が０．１２５ｍｍのリードフレーム１６を用いて形
成されたもので、リードフレーム１６には、予め長尺方
向に半導体チップ１７を搭載するダイパッド１８やアウ
ターリード１２、インナーリードのリードおよびスプロ
ケットホール１９等を有する所定のパターンが、プレス
加工やフォトエッチング加工等により形成されている。
そしてリードフレーム１６には、ダイパッド１８に半導
体チップ１７を接着固定して搭載した後、リードフレー
ム１６の片面側に、例えば厚さ寸法が８ｍｍ程度で、３
ｍｍ角〜１８ｍｍ角程度の寸法を有する方形状のエポキ
シ樹脂あるいはシリコン樹脂等でなる樹脂封止パッケー
ジ２０が成形され、内部に半導体チップ１７が封止され
る。
【００１６】このように形成された樹脂封止パッケージ
２０からは、その下部周縁部分から例えば幅寸法が０．
１８ｍｍ〜０．２２ｍｍ程度、ピッチ寸法が０．４ｍｍ
〜０．６５ｍｍ程度で側方に複数のアウターリード１２
が延出したものとなり、樹脂封止直後の状態ではアウタ
ーリード１２間全体にアウターリード間樹脂２１が、ア
ウターリード１２の板厚寸法の厚さに充たされた状態に
なっている。また、樹脂封止パッケージ２０の上面には
ダイパッド１８の半導体チップ１７搭載面の裏側面が露
出し、下面には周縁部分にアウターリード１２のダイパ
ッド１８側部分の一部が露出したものとなっている。
２０からは、その下部周縁部分から例えば幅寸法が０．
１８ｍｍ〜０．２２ｍｍ程度、ピッチ寸法が０．４ｍｍ
〜０．６５ｍｍ程度で側方に複数のアウターリード１２
が延出したものとなり、樹脂封止直後の状態ではアウタ
ーリード１２間全体にアウターリード間樹脂２１が、ア
ウターリード１２の板厚寸法の厚さに充たされた状態に
なっている。また、樹脂封止パッケージ２０の上面には
ダイパッド１８の半導体チップ１７搭載面の裏側面が露
出し、下面には周縁部分にアウターリード１２のダイパ
ッド１８側部分の一部が露出したものとなっている。
【００１７】アウターリード１２は、樹脂封止後に所定
形状、例えば幅を当初は０．２６ｍｍ〜０．２８ｍｍ程
度であったものを成形して０．２ｍｍ程度のものとし、
その後に半田めっきが施されてから所定寸法に切断され
る。これにより樹脂封止型半導体装置１１はリードフレ
ーム１６から切り離されて装置が完成する。なお、この
装置が完成した状態でアウターリード間樹脂２１は、ア
ウターリード１２の樹脂封止パッケージ２０から延出す
る根元部分間に加工上避けられない最小限度の範囲で残
される。
形状、例えば幅を当初は０．２６ｍｍ〜０．２８ｍｍ程
度であったものを成形して０．２ｍｍ程度のものとし、
その後に半田めっきが施されてから所定寸法に切断され
る。これにより樹脂封止型半導体装置１１はリードフレ
ーム１６から切り離されて装置が完成する。なお、この
装置が完成した状態でアウターリード間樹脂２１は、ア
ウターリード１２の樹脂封止パッケージ２０から延出す
る根元部分間に加工上避けられない最小限度の範囲で残
される。
【００１８】そして、こうのような構成の樹脂封止型半
導体装置１１は、次のような製造工程を経て形成され
る。すなわち、先ず図示しない半導体チップ搭載工程
で、所定形状に成形されたリードフレーム１６のダイパ
ッド１８に半導体チップ１７を搭載し、半導体チップ１
７の図示しない電極とインナーリードとを接続する。
導体装置１１は、次のような製造工程を経て形成され
る。すなわち、先ず図示しない半導体チップ搭載工程
で、所定形状に成形されたリードフレーム１６のダイパ
ッド１８に半導体チップ１７を搭載し、半導体チップ１
７の図示しない電極とインナーリードとを接続する。
【００１９】その後、図１および図２に示すパッケージ
成形工程で、リードフレーム１６の片面側に樹脂封止パ
ッケージ２０の成形を行い、ダイパッド１８に搭載され
た半導体チップ１７とインナーリードを封止すると共
に、樹脂封止パッケージ２０の下部周縁部分から側方に
アウターリード１２が延出するようにする。これにより
隣接するアウターリード１２間に形成されたアウターリ
ード１２の板厚寸法分の空間に封止樹脂が流れ込み、ア
ウターリード１２間がアウターリード間樹脂２１で充た
される。
成形工程で、リードフレーム１６の片面側に樹脂封止パ
ッケージ２０の成形を行い、ダイパッド１８に搭載され
た半導体チップ１７とインナーリードを封止すると共
に、樹脂封止パッケージ２０の下部周縁部分から側方に
アウターリード１２が延出するようにする。これにより
隣接するアウターリード１２間に形成されたアウターリ
ード１２の板厚寸法分の空間に封止樹脂が流れ込み、ア
ウターリード１２間がアウターリード間樹脂２１で充た
される。
【００２０】続いて、図３および図４に示すリード幅成
形工程で、アウターリード１２を所定幅となるように成
形する。すなわち、例えばピッチ寸法が０．５ｍｍとな
るように配列された幅寸法が０．２８ｍｍのアウターリ
ード１２の両側部分を略均等に切り落とすようにし、幅
寸法が０．２ｍｍとなるようにする。この時、同時にア
ウターリード１２間に充たされているアウターリード間
樹脂２１も殆ど全部が切り落とされ、アウターリード１
２の樹脂封止パッケージ２０から延出する根元部分間に
加工上避けられない最小限度の範囲で残される。また、
これにより幅寸法が０．２２ｍｍのアウターリード間樹
脂２１を挟んで隣接していたアウターリード１２は、
０．２ｍｍの空間距離をおいて隣接するものとなる。
形工程で、アウターリード１２を所定幅となるように成
形する。すなわち、例えばピッチ寸法が０．５ｍｍとな
るように配列された幅寸法が０．２８ｍｍのアウターリ
ード１２の両側部分を略均等に切り落とすようにし、幅
寸法が０．２ｍｍとなるようにする。この時、同時にア
ウターリード１２間に充たされているアウターリード間
樹脂２１も殆ど全部が切り落とされ、アウターリード１
２の樹脂封止パッケージ２０から延出する根元部分間に
加工上避けられない最小限度の範囲で残される。また、
これにより幅寸法が０．２２ｍｍのアウターリード間樹
脂２１を挟んで隣接していたアウターリード１２は、
０．２ｍｍの空間距離をおいて隣接するものとなる。
【００２１】さらに続いて、図示しない半田めっき工程
に進み、狭幅に成形されたアウターリード１２への半田
めっきを行い、アウターリード１２の半田付け面である
樹脂封止パッケージ２０から露出した下面と、延出部分
の側面１２ａに半田を着ける。
に進み、狭幅に成形されたアウターリード１２への半田
めっきを行い、アウターリード１２の半田付け面である
樹脂封止パッケージ２０から露出した下面と、延出部分
の側面１２ａに半田を着ける。
【００２２】次に、図５乃至図７に示すリード成形工程
で、半田めっきが施されたアウターリード１２を所定の
短寸法、例えば０．２ｍｍの長さ寸法となるように切断
し、樹脂封止型半導体装置１１をリードフレーム１６か
ら切り離す。
で、半田めっきが施されたアウターリード１２を所定の
短寸法、例えば０．２ｍｍの長さ寸法となるように切断
し、樹脂封止型半導体装置１１をリードフレーム１６か
ら切り離す。
【００２３】このようにして形成された樹脂封止型半導
体装置１１は、実装基板１３の予め所要量の半田が着け
られたパッド１４上に対応するアウターリード１２の半
田めっきされた下面を載せ、所定温度の雰囲気宙に一定
時間保持し、パッド１４にアウターリード１２の半田付
け１５を行い固着することで、実装基板１３上に表面実
装される。なお、半田付け１５は、アウターリード１２
の樹脂封止パッケージ２０から露出した下面と延出部分
の延出方向側面１２ａを固着面とするようにして行われ
る。
体装置１１は、実装基板１３の予め所要量の半田が着け
られたパッド１４上に対応するアウターリード１２の半
田めっきされた下面を載せ、所定温度の雰囲気宙に一定
時間保持し、パッド１４にアウターリード１２の半田付
け１５を行い固着することで、実装基板１３上に表面実
装される。なお、半田付け１５は、アウターリード１２
の樹脂封止パッケージ２０から露出した下面と延出部分
の延出方向側面１２ａを固着面とするようにして行われ
る。
【００２４】この結果、実装基板１３上への表面実装に
際し、樹脂封止型半導体装置１１は、半田付け１５がア
ウターリード１２の下面と樹脂封止パッケージ２０から
の延出部分の側面１２ａにおいて行われていることにな
り、半田付け１５による接合の信頼性が十分なものとな
り、樹脂封止型半導体装置１１の実装基板１３への実装
強度がより高いものとなる。
際し、樹脂封止型半導体装置１１は、半田付け１５がア
ウターリード１２の下面と樹脂封止パッケージ２０から
の延出部分の側面１２ａにおいて行われていることにな
り、半田付け１５による接合の信頼性が十分なものとな
り、樹脂封止型半導体装置１１の実装基板１３への実装
強度がより高いものとなる。
【００２５】また、アウターリード間樹脂２１について
は、リード幅成形工程でその殆ど全部が切り落とされ、
アウターリード１２の樹脂封止パッケージ２０から延出
する根元部分間に加工上避けられない最小限度の範囲で
残されるだけとなるので、樹脂封止型半導体装置１１を
取り扱う中でアウターリード間樹脂２１が脱落する虞が
なくなり、脱落片が工程内にごみとなってしまうことも
ない。またアウターリード１２の樹脂封止パッケージ２
０からの延出部分の側面１２ａは、アウターリード１２
を狭幅に成形した後に半田めっきを施してしまうので酸
化してしまうこともなく、実装時の取り扱いの面でより
扱いやすいものとなる。
は、リード幅成形工程でその殆ど全部が切り落とされ、
アウターリード１２の樹脂封止パッケージ２０から延出
する根元部分間に加工上避けられない最小限度の範囲で
残されるだけとなるので、樹脂封止型半導体装置１１を
取り扱う中でアウターリード間樹脂２１が脱落する虞が
なくなり、脱落片が工程内にごみとなってしまうことも
ない。またアウターリード１２の樹脂封止パッケージ２
０からの延出部分の側面１２ａは、アウターリード１２
を狭幅に成形した後に半田めっきを施してしまうので酸
化してしまうこともなく、実装時の取り扱いの面でより
扱いやすいものとなる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、半田付けによる接合の信頼性が向上し実装基
板への実装強度がより高いものとなると共に、加工工程
などでの取り扱いが容易である等の効果を奏する。
によれば、半田付けによる接合の信頼性が向上し実装基
板への実装強度がより高いものとなると共に、加工工程
などでの取り扱いが容易である等の効果を奏する。
【図１】本発明の一実施形態におけるリードフレームの
片面側に樹脂封止パッケージを形成した状態を示す平面
図である。
片面側に樹脂封止パッケージを形成した状態を示す平面
図である。
【図２】図１の要部を拡大して示す図で、図２（ａ）は
平面図、図２（ｂ）はＹ−Ｙ矢方向視の断面図である。
平面図、図２（ｂ）はＹ−Ｙ矢方向視の断面図である。
【図３】本発明の一実施形態におけるリードに幅加工を
施した状態を示す平面図である。
施した状態を示す平面図である。
【図４】図３の要部を拡大して示す図で、図４（ａ）は
平面図、図４（ｂ）はＺ−Ｚ矢方向視の断面図である。
平面図、図４（ｂ）はＺ−Ｚ矢方向視の断面図である。
【図５】本発明の一実施形態を示す平面図である。
【図６】図５の要部を拡大して示す平面図である。
【図７】本発明の一実施形態の下面側を示す平面図であ
る。
る。
【図８】本発明の一実施形態に係る装置を実装基板に実
装した状態を示す要部の断面図である。
装した状態を示す要部の断面図である。
【図９】従来技術におけるリードフレームの片面側に樹
脂封止パッケージを形成した状態を示す平面図である。
脂封止パッケージを形成した状態を示す平面図である。
【図１０】図９の要部を拡大して示す図で、図１０
（ａ）は平面図、図１０（ｂ）はＸ−Ｘ矢方向視の断面
図である。
（ａ）は平面図、図１０（ｂ）はＸ−Ｘ矢方向視の断面
図である。
【図１１】従来技術を示す平面図である。
【図１２】従来技術に係る装置を実装基板に実装した状
態を示す要部の断面図である。
態を示す要部の断面図である。
１２…アウターリード １２ａ…側面 １７…半導体チップ ２０…樹脂封止パッケージ ２１…アウターリード間樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップを樹脂封止パッケージ内に
封止すると共に、前記樹脂封止パッケージの下部周縁部
分から複数のアウターリードを短寸法に延出させてなる
樹脂封止型半導体装置において、前記アウターリードの
下面および延出方向側面が実装時の固着面としたことを
特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 所定形状に形成されたリードフレームに
半導体チップを搭載すると共に該半導体チップを封止す
るよう片面側に樹脂封止パッケージを成形する工程と、
成形された前記樹脂封止パッケージの下部周縁部分から
延出するアウターリードを挟幅に成形する工程と、前記
アウターリードを挟幅に成形した後に前記リードフレー
ムに半田めっきを施す工程と、半田めっき後に前記アウ
ターリードを前記樹脂封止パッケージからの延出寸法が
短寸法となるよう切断する工程を備えていることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 アウターリードを挟幅に成形する際に、
アウターリード間に充たされたアウターリード間樹脂を
同時に切除するようにしたことを特徴とする請求項２記
載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10328306A JP2000150761A (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10328306A JP2000150761A (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150761A true JP2000150761A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18208768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10328306A Pending JP2000150761A (ja) | 1998-11-18 | 1998-11-18 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150761A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110884A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Nitto Denko Corp | リードフレーム積層物 |
| US6897093B2 (en) | 2000-08-18 | 2005-05-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a resin molded or encapsulation for small outline non-leaded (SON) or quad flat non-leaded (QFN) package |
| JP2010080975A (ja) * | 2009-12-01 | 2010-04-08 | Nitto Denko Corp | リードフレーム積層物 |
-
1998
- 1998-11-18 JP JP10328306A patent/JP2000150761A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6897093B2 (en) | 2000-08-18 | 2005-05-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a resin molded or encapsulation for small outline non-leaded (SON) or quad flat non-leaded (QFN) package |
| JP2002110884A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Nitto Denko Corp | リードフレーム積層物 |
| JP2010080975A (ja) * | 2009-12-01 | 2010-04-08 | Nitto Denko Corp | リードフレーム積層物 |
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