JPH06302755A - フラグレス半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

フラグレス半導体装置およびその製造方法

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JPH06302755A
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semiconductor
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トム・アール・ホリンスワース
Michael B Mcshane
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ワイヤ・ボンド２８によって複数のリード１６
に電気的に結合される複数のボンド・パッド２６を有す
る半導体ダイを含むフラグレス半導体装置。 【構成】 ダイは、２つの片持タイ・バー１８によって
支えられる。片持タイ・バーを用いることにより、プラ
スチック封入装置におけるプラスチック・金属界面の全
面積が低減され、それにより内部剥離およびパッケージ
割れの可能性が低くなる。又、片持タイ・バーは、同一
リ−ド・フレ−ム設計でさまざまなダイ寸法を用いるこ
とを可能にする。片持タイ・バーの適切な構造には、Ｕ
字型，Ｔ字型およびＨ字型があるが、これらに限定され
ない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に、半導体装置に
関し、さらに詳しくは、フラグレス半導体装置およびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】パッケージの割れは、プラスチック封入
(plastic encapsulated)半導体装置において共通の問題
である。この問題は、さまざまな要因の組み合わせによ
って生じる。１つの要因として、プラスチック封入材料
とリ−ド・フレ−ムのフラグ(flag)との間の内部剥離が
ある。フラグは、ダイを支える従来のリ−ド・フレ−ム
の板状の部材である。フラグは、リ−ド・フレ−ムの残
りの部分と同様に、銅，銅合金または鉄ニッケル合金か
ら一般的に作られ、ほとんどの場合、周囲の成形材料ま
たはプラスチックの熱膨張係数（ＣＴＥ：coefficient
of thermal expansion）と異なる熱膨張係数を有する。
このＣＴＥの不整合の結果、半導体装置に温度変化が生
じると、プラスチックとフラグの界面に応力(stress)が
生じる。応力が最大閾値に達すると、この応力はプラス
チックとフラグの界面の剥離を介して除去される。パッ
ケージの割れに関する別の要因は着湿である。プラスチ
ックとフラグの界面が剥離すると、外界からの湿気が成
形材料を介して剥離領域に拡散する。湿気がパッケージ
内に蓄積すると、急速な温度上昇により、湿気が蒸発・
膨張して、剥離領域に内部圧力ポケット(internal pres
sure pocket)を作る。圧力およびその関連応力を除去す
るため、周囲のプラスチックは割れる。パッケージ割れ
のもっとも一般的な発生は、使用者が半田リフロー工程
を用いて、プラスチック半導体装置を基板にとりつける
際に生じる。半田リフローに伴う高温は急速な温度上昇
を発生し、装置の含水率にもよるが、これは、プラスチ
ックを割れさせるのに十分である。パッケージ割れの問
題に対処する従来の方法はさまざまある。１つの方法と
して、プラスチック封入半導体装置を十分焼成して、含
水率を低減し、装置を防湿パケットにパッケ−ジングす
るドライ・パッキング方法がある。割れを発生させる十
分な水分が外気状態にさらされることによってパッケー
ジ内に吸収される前に、使用者は装置をとりつける。こ
の方法は効果的であるが、半導体装置のコストを大幅に
増加する。さらに、吸収された水分が割れ問題を発生し
ない程度であることを保証するために、どれくらい長く
装置が外気状態にさらされていたかを使用者は把握しな
ければならない。
【０００３】他の既知の方法は、フラグとプラスチック
との間の改善された接着力によって、内部剥離の可能性
を低減することを試みる。例えば、ある製造業者は、フ
ラグの金属表面を「荒地仕上げ(roughen) 」し、接着力
を改善する。他の製造業者は、フラグに小さな穴または
凹部を形成し、固定(anchoring) 機構を提供する。接着
力を改善するために用いられる別の方法は、ウィンドウ
・フレーム・フラグ(window-frame flag) を利用する。
ウィンドウ・フレーム・フラグとは、どちらかという
と、中実パドル(solid paddle)ではなく、ダイを支える
中空のフレームである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法は、プラス
チック封入材料に対する接着力の改善を提供することに
よって、剥離の可能性をある程度低減する。同様に、本
発明は、これまで利用されたことのない技術を利用し
て、剥離を低減する利点を有する。しかし、さらに、本
発明は、上記の方法が対処しない製造上の別の問題、す
なわち、半導体製造業者が各製品について、異なるまた
は特注のリ−ド・フレ−ム設計を用いる必要性に対処す
る。各ダイ寸法およびダイの機能的ピン配置(pin-out)
について異なるリ−ド・フレ−ム設計を設けることは、
多くの単品(piece-parts) 在庫を必要とし、かつ各製品
を投入する前に新たなリ−ド・フレ−ムを設計するため
に、余分な時間および人的資源を必要とする。在庫およ
び設計に伴うコストの他に、リ−ド・フレ−ム自体のコ
ストが、コストを最小限に抑えるための不十分な量しか
ないことにより、望ましくない増加をする。それぞれが
個別のツーリングを必要とするリ−ド・フレ−ムのいく
つかの少量注文は、同じ数のリ−ド・フレ−ムの１つの
注文よりもコストがかかる。従って、半導体製造のコス
トは、いくつかの異なるダイ寸法と利用できるリ−ド・
フレ−ム設計を用いることによって、大幅に節減でき
る。本発明は、さまざまなダイ寸法とともに利用できる
リ−ド・フレ−ムを半導体装置において採用して、しか
も同時にリ−ド・フレ−ムと封入材料との間の接着を改
善して、パッケージ割れの問題を緩和することにより、
この目的を達成する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の一例では、半導
体装置は、複数のリードと２つの片持タイ・バー(canti
levered tie bar)とからなるリ−ド・フレ−ムを有す
る。複数のリードは、ダイ受け領域を定める内部を有す
る。２つのタイ・バーは、このダイ受け領域の２つの対
向する面から延在する。半導体ダイはタイ・バーに取り
付けられ、このタイ・バーによって支えられる。また、
ダイは複数のリードに電気的に結合される。パッケージ
本体は、半導体ダイを封入する。また、この半導体装置
および他のこのような半導体装置を製造する方法も本発
明の範囲内である。
【０００６】これらおよび他の特徴および利点は、添付
の図面とともに以下の詳細な説明からより明確に理解さ
れるであろう。ただし、図面は必ずしも縮尺して図示さ
れておらず、また具体的に図示されない本発明の他の実
施例もあることを指摘しておく。
【０００７】
【実施例】本発明は、内部パッケージ剥離の可能性を低
減し、しかも同時に、半導体ダイを支える片持タイ・バ
ーを利用して、いくつかの異なるダイ寸法と利用できる
汎用設計を作ることができる。図１および図２は、本発
明に従って用いられるリ−ド・フレ−ムの汎用的な点
と、フラグではなくてタイ・バーが半導体ダイを支える
ために用いられる性質を示している。両方の図面は、本
発明による半導体装置の一部分の平面図である。半導体
装置１０は図１に示され、半導体装置２０は図２に示さ
れる。両方の装置１０，２０は、２つの対向するレール
１４を有するリ−ド・フレ−ム１２と、複数のリード１
６と、２つの片持タイ・バー１８とを含む。半導体ダイ
２２および半導体ダイ２４は、それぞれ図１および図２
においてタイ・バー１８に取り付けられる。各ダイは、
複数のワイヤ・ボンド２８を用いて、従来のようにリー
ド１６に電気的に結合する複数の導電ボンド・パッド２
６を含む。
【０００８】図１，図２に示すように、半導体装置は部
分的にのみ組み立てられることに留意されたい。これら
の装置は、プラスチック・パッケージ本体にまだ封入さ
れない。当業者に理解されるように、装置１０，２０は
プラスチック封入材料にその後封入され、リ−ド・フレ
−ム１２から切除されて、完成された装置となる。切除
されることにより、タイ・バー１８はレール１４にもは
や接続されず、切断されて、図１において点線２９によ
って表されるパッケージ本体のエッジ部と同一平面上に
ある。リード１６は切断され、その後、ガル・ウィング
(gull-wing) 型，Ｊリード型または貫通穴(through-hol
e)型など、いくつかの外部リード構造の１つに形成され
る。
【０００９】リ−ド・フレ−ム１２は、銅，銅合金，鉄
ニッケル合金などの一般的なリ−ド・フレ−ム材料から
なり、例えば、メタル・エッチングまたはスタンピング
(stamping)など従来の方法を用いて製造される。従来の
リ−ド・フレ−ムとは異なり、リ−ド・フレ−ム１２は
フラグレス(flagless)である。従来、フラグまたはパド
ル(paddle)と呼ばれる板状の部材は、半導体ダイの装着
領域が提供され、タイ・バーに接続される。本発明によ
れば、フラグは使用しない。その代わりに、片持タイ・
バーがダイを支えるために用いられる。例えば、図１の
装置１０では、タイ・バー１８が半導体ダイ２２を支
え、図２の装置２０では、タイ・バー１８が半導体ダイ
２４を支える。各タイ・バー１８は、ステム(stem)部１
９および支持部２１を含む。図１に示すように、ダイ２
２はタイ・バー１８の支持部２１の上に完全に突出する
か覆う。しかし、図２に示すように、支持部のすべての
部分がダイの下にならないように、ダイはこのダイの周
辺部を越えて延在できる。
【００１０】フラグではなくタイ・バーをダイ支持部と
して用いる際に、プラスチック・金属界面の全領域は、
装置がプラスチックに封入されてしまうと、低減され
る。本発明の実施例は従来のフラグを用いないので、本
発明を説明するため、プラスチック・フラグ界面ではな
く、プラスチック・金属界面という用語を用いる。プラ
スチック・金属界面の面積を低減することにより、プラ
スチックが半導体ダイと直接接触する面積は増加され
る。ほとんどのプラスチック封入材料は、金属表面より
もダイの方に接着しやすいので、プラスチック・金属界
面の面積の低減と、プラスチック・ダイ界面の面積の増
加の両方により、内部剥離の可能性が低減される。さら
に、仮にタイ・バーの１つと封入プラスチックとの間の
界面に剥離が生じても、他のタイ・バーとプラスチック
との界面は影響されない。
【００１１】リ−ド・フレ−ム１２の汎用的な性質は、
図１と図２の比較から明らかである。両方の図面で同じ
リ−ド・フレ−ムが用いられるが、２つの異なるダイ寸
法が使用される。図示のように、ダイ２２はダイ２４よ
りもはるかに大きい。フラグは使用されないので、２つ
の異なる装置寸法について新たなリ−ド・フレ−ムを設
計する必要はない。従来の半導体装置では、半導体ダイ
を支えるために用いられるフラグは、ダイと同じ形状で
わずかに大きく作られる。フラグを利用する目的は、主
にワイヤ・ボンディング段階である組立工程中に、およ
び封入時点までの装置の一般的な処理中に、ダイを支え
ることであった。ダイがプラスチックに封入されると、
ダイ支持部材は必要なくなる。フラグをダイよりも大き
くする１つの目的は、ダイとフラグとの間の接着を目視
検査できるようにすることである。一般に、半導体ダイ
はエポキシを用いてフラグに取り付けられる。ダイをエ
ポキシで覆われたフラグに圧迫すると、エポキシはダイ
の下から圧搾され、ダイの周辺にエポキシ・フィレット
(epoxy fillet)を形成する。ダイとフラグとの接着の品
質は、フィレットを目視検査によって評価することがで
きる。仮にフィレットが連続的な場合、接着は十分であ
るとみなされる。
【００１２】本発明によれば、ダイを支える片持タイ・
バーの部分上にダイ接着エポキシが施される。例えば、
図１では、点線によって示されるタイ・バー１８の部分
上にエポキシが施される。ダイをタイ・バーに対して圧
迫して接着させると、エポキシは外側に圧搾されて、ダ
イの周辺部ではなく、タイ・バーの周辺部にフィレット
を形成する。この「逆(inverted)」フィレットは、図３
の半導体装置３０の断面図に示される。装置３０は、片
持タイ・バー３３に取り付けられた半導体ダイ３２を含
む。この装置はプラスチック・パッケージ３５に封入さ
れ、ダイはワイヤ・ボンド３７によって複数のリード３
６に電気的に結合される。リード３６は貫通穴型で示さ
れるが、Ｊリード型およびガル・ウィング型を用いても
よい。図示のように、ダイ３２は２つのタイ・バーに取
り付けられるように見えるが、実際には、この断面図は
タイ・バーの二又部分(forked portion)から見たもの
で、例えば、図１，図２のタイ・バー１８のＵ型部分か
ら見たものである。ダイ３２は、エポキシなどの従来の
ダイ接着剤３４によってタイ・バーに接着される。装置
１０，３０の場合にように、半導体ダイがタイ・バーの
上に完全に突出すると、エポキシは図３に示すように逆
フィレットを形成する。従来の装置の場合と同様に、接
着は、エポキシ・フィレットの連続性によって評価する
ことができる。しかし、逆フィレットの検査では、装置
の裏側から調べる必要があり、このとき、仮に検査工程
を採用する場合には、製造業者の検査工程において若干
の変更を必要とする。
【００１３】図２のように、ダイがタイ・バーの上に完
全に突出しない本発明の実施例では、１つのフィレット
は、タイ・バーがダイを越えて延在するダイの周辺部の
周りに形成する。別の逆フィレットは、ダイがタイ・バ
ーの上に突出するタイ・バーの周辺部に形成する。２つ
の異なるフィレットは、図４の半導体装置４０の断面図
に示される。装置４０は、ダイ接着剤４４を用いて二又
タイ・バー(forked tie bar)４３に接着された半導体ダ
イ４２を含む。この装置はプラスチック・パッケージ４
５に封入され、ダイはワイヤ・ボンド４７によって複数
のリード４６に電気的に結合される。リード４６はＪリ
ード型で示されるが、貫通穴型またはガル・ウィング型
を用いてもよい。
【００１４】本発明によれば、装置において同じリ−ド
・フレ−ム設計でさまざまなダイ寸法を利用できるが、
採用されるダイ寸法には制限がある。例えば、図１，図
２のダイ２２，２４のダイ寸法および形状は、ダイ受け
領域を定めるリード１６の内部によってそれぞれ制約さ
れる。リ−ド・フレ−ム１２で用いられるダイ寸法の別
の制限として、ワイヤ・ボンドの長さがある。ダイ寸法
が小さくなるにつれて、ダイをリード１６に電気的に結
合するために必要なワイヤ・ボンド２８の長さは長くな
る。従って、ワイヤ・ボンドの長さに対する製造業者の
上限は、ダイ寸法の下限に設定される。
【００１５】フラグは用いられないので、本発明による
装置を製造する際に既設の組立工程を修正する必要があ
る。例えば、上述のように、ダイ接着剤の塗布パターン
(dispense pattern)は、フラグ全体の領域ではなく、小
さなタイ・バー領域に制限される。従って、接着剤塗布
用ヘッドおよび塗布パターンのためのツーリングの変更
が必要である。また、ダイ支持領域（タイ・バー）は従
来のフラグよりも小さいので、本発明ではわずかな量の
ダイ接着剤しか必要としない。さらに、ダイ接着塗布に
対してより厳密な工程制御が必要とされることがある。
ダイがタイ・バーの上に完全にまたは少なくとも部分的
に突出するので、半導体ダイを取り付ける際に、接着剤
がタイ・バーからはみ出して、その下のツーリング・プ
ラットフォームを汚損することがある。従って、接着剤
の量の上限を厳しく監視しなければならない。しかし同
時に、前述のように、適切なフィレットを設けるため
に、十分な接着剤を塗布することが重要である。
【００１６】ワイヤ・ボンディングにおいて、別の処理
変更も必要になることがある。半導体ダイはダイ周辺部
で完全に支えられないので、ワイヤ・ボンディング中に
ダイ周辺部を支えることが有利である。一般にボンド・
パッドがダイの周辺部の周りに設けられるが、必ずしも
そうではない。そのため、ワイヤを各ボンド・パッドに
接着するため、ワイヤ・ボンディング・ツールは、接着
を行う度に、ダイ周辺部に圧力を加えなければならな
い。ワイヤ・ボンディング力が十分高い場合、あるいは
ダイに十分な撓性がない場合、加えられた力によってダ
イの支持されない部分が割れたり欠ける危険がある。従
って、ワイヤ・ボンディング・プラットフォームに支持
機構を組み込むことが望ましい。例えば、片持タイ・バ
ーのパターンおよび厚さと一致するカットアウト(cut-o
ut) 部を含むようにプラットフォームを設計でき、この
プラットフォームとタイ・バーとが実質的に平坦かつ連
続的な表面を形成するようにできる。その結果、ワイヤ
・ボンディング工程において、ダイ全体はタイ・バーと
プラットフォームとの組み合わせによって支えられる。
ただし、本発明を実施する際に、既設のワイヤ・ボンデ
ィング工程に対する変更は必要ない可能性があることに
留意されたい。変更の必要はさまざまな要因に依存し、
それにはボンディング力，ダイの厚さ，ダイの寸法およ
びボンド・パッドの位置などが含まれる。
【００１７】図１，図２のタイ・バー１８は、各タイ・
バーの内端部がＵ字型となるように、二又になる。しか
し、本発明に基づいて、他の片持タイ・バー形状構成も
満足できる。このような２つの異なる構成を図５および
図６に示し、これらはともに半導体装置の一部分、すな
わちタイ・バー部分のみの平面図である。図５に示すよ
うに、２つの片持タイ・バー５２は内端部においてＴ字
型である。タイ・バーの外端部は、前述の実施例の場合
と同様にリ−ド・フレ−ムのレール（図示せず）まで延
在する。本発明の先の実施例と同様に、一旦タイ・バー
がプラスチックに封入されると、メタル表面の全面積は
低減され、剥離を防ぐのに役立つ。また、ダイを表す点
線５４，５６によって示されるように、さまざまなダイ
寸法に対応できるため、Ｔ字型タイ・バーは汎用的であ
る。線５４は、２つの全面、すなわち半導体ダイの「短
い」面を支持できることを実証しており、このことはワ
イヤ・ボンディングのために有利である。しかし、特に
メモリ装置では、半導体ダイの「長い」面にボンド・パ
ッドがあるのが一般的である。本発明による半導体ダイ
の長い面を支えるため、片持タイ・バーをリードとリー
ドの間に配置できる。例えば、図１，図２では、タイ・
バーをリードの間で並列に形成して、図示のように、上
下からではなく、左右から半導体ダイの下に延在させる
ことができる。
【００１８】本発明の範囲内のさらに別のタイ・バー構
成を図６に示す。２つの片持タイ・バー６２はそれぞれ
Ｈ字型である。タイ・バーの内端部は、点線６４の枠で
表される大きい半導体ダイの下に延在し、あるいは点線
６５の枠で表される小さい半導体ダイの下に延在する。
タイ・バーの外端部は、リ−ド・フレ−ムのレール（図
示せず）まで延在する。線６４によって示されるよう
に、半導体ダイはＨ字型タイ・バーの中央部分６６と整
合され、この部分６６によって支えられる。しかし、こ
れは、このタイ・バー構成では必要ない。図示の他の構
成の場合と同様に、さまざまな半導体ダイ寸法を用いる
ことができる。
【００１９】本発明のさらに別の実施例では、前述の
「二又」タイ・バー構造を修正して、タイ・バーの剛性
を増加できる。例えば、Ｕ字型およびＨ字型では、各タ
イ・バーの支持されない端部(free-standing ends)を別
のセグメントによって互いに接合して、Ｚ軸（縦）方向
における各端部の独立した動きを防いだり制限でき、言
い換えれば、タイ・バーの平坦性(planarity) を維持で
きる。このような別のセグメントは直線的にしたり、あ
るいは封入装置内の応力発生を低減するために曲線的に
することができる。
【００２０】以上の説明および図面は、本発明に伴う多
くの利点を実証する。特に、半導体を支えるために片持
タイ・バーを利用して、プラスチック封入装置内のプラ
スチック・金属界面全体を低減できることが判明する。
プラスチック金属界面の低減の結果、界面における内部
剥離の可能性が低くなり、それによりパッケージ割れの
可能性が低減される。さらに、片持タイ・バーは互いに
物理的に分離されるという事実は、発生する可能性のあ
る剥離面積を小さくする。１つのタイ・バーと封入プラ
スチックとの界面において剥離が生じても、剥離した部
分は他のタイ・バーに伝わらない。つまり、２つのタイ
・バーのそれぞれにおける剥離は互いに独立して発生す
る。本発明の別の利点は、片持タイ・バーを利用するこ
とにより、さまざまなダイ寸法をこれらのタイ・バーで
支えることができるということである。さらに別の利点
は、本発明は単品コストを上げずに実施できることであ
る。本発明に基づいて用いられるリ−ド・フレ−ムは、
既存のリ−ド・フレ−ムと同じ価格で製造でき、あるい
は量産によって、より低い価格で製造できる。任意のツ
ーリング変更に伴う他の製造コスト増加はわずかであ
る。
【００２１】以上、本発明に従って、上述の必要性およ
び利点を十分に満たすフラグレス半導体装置およびその
製造方法が提供されたことが明らかである。本発明につ
いて特定の仕様の実施例を参照して説明してきたが、本
発明はこれらの例示的な実施例に限定されるものではな
い。本発明の精神から逸脱せずに修正や変形が可能なこ
とが当業者に理解されるであろう。例えば、本発明はＵ
字型，Ｔ字型およびＨ字型タイ・バー構造に限定されな
い。さらに、本発明は特定のパッケージ構造に制限され
ない。また、本発明による装置のタイ・バーは装置のリ
ードに対して下方に設けて、図３に示すように装置内の
所望のレベルまたは高さにダイを配置できる。さらに、
本発明による装置のタイ・バーは、ダイ・ボンディング
の際に半導体ダイの整合を助けるために、整合機能を含
むことも可能である。また、本発明は装置内で用いられ
る半導体の種類にまったく制限されない。メモリ・ダイ
を用いる装置が本発明の利点を大いに享受できるが、他
のダイの種類（マイクロ・コントローラ，アナログ・デ
バイスなど）も利用できる。従って、本発明は特許請求
の範囲内のすべての変形および修正を含むものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による部分的に組み立てられた、フラグ
レス半導体装置の平面図である。
【図２】本発明による別の部分的に組み立てられた、図
１と同じリ−ド・フレ−ム設計を採用する、フラグレス
半導体装置の平面図である。
【図３】本発明による完全に組み立てられた半導体装置
の断面図である。
【図４】本発明による別の組み立てられた半導体装置の
断面図である。
【図５】本発明で用いるのに適した別のタイ・バー設計
を示す、リ−ド・フレ−ムの一部の平面図である。
【図６】本発明で用いるのに適したさらに別のタイ・バ
ー設計を示す、リ−ド・フレ−ムの一部の平面図であ
る。
【符号の説明】
１０，２０ 半導体装置 １２ リ−ド・フレ−ム １４ レール １６ リード １８ 片持タイ・バー １９ ステム部 ２１ 支持部 ２２，２４ 半導体ダイ ２６ 導電ボンド・パッド ２８ ワイヤ・ボンド ３０ 半導体装置 ３２ 半導体ダイ ３３ 片持タイ・バー ３４ ダイ接着剤 ３５ プラスチック・パッケージ ３６ リード ３７ ワイヤ・ボンド ４０ 半導体装置 ４２ 半導体ダイ ４３ 二又タイ・バー ４５ プラスチック・パッケージ ４６ リード ４７ ワイヤ・ボンド ５２，６２ 片持タイ・バー

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リ−ド・フレ−ムであって：内部リード
    部分と外部リード部分とを有する複数のリード（１６）
    であって、この内部リード部分が２つの対向する面を有
    するダイ受け領域を定める、複数のリード（１６）；お
    互いからはみ出さずに、前記ダイ受け領域の前記２つの
    対向する面から前記ダイ受け領域内に延在する２つのタ
    イ・バー（１８）であって、前記２つのタイ・バーは物
    理的に離間されており、それぞれのタイ・バーはステム
    部（１９）および支持部（２１）を有する２つのタイ・
    バー（１８）；からなるリ−ド・フレ−ム；前記２つの
    タイ・バーの前記支持部に取り付けられる半導体ダイ
    （２２）；前記半導体ダイを前記リードの前記内部リー
    ド部分に電気的に結合する手段（２８）；および前記半
    導体ダイと、前記複数のリードの前記内部リード部分と
    を封入するパッケージ本体（３５）；によって構成され
    ることを特徴とするフラグレス半導体装置（１０）。
  2. 【請求項２】 それぞれが内部リード部分と外部リード
    部分とを有する複数のリード（１６）であって、この内
    部リード部分が第１の２つの対向する面と第２の２つの
    対向する面とを有するダイ受け領域を定め、前記第１の
    対向する各面は、前記第２の対向する各面よりも短い、
    複数のリード（１６）；前記第１の２つの対向する面の
    それぞれから前記ダイ受け領域内に延在するタイ・バー
    （１８）であって、各タイ・バーはステム部（１９）お
    よび支持部（２１）を有し、前記ステム部は前記複数の
    リードの前記外部リード部分に実質的に垂直であり、前
    記支持部は前記ダイ受け領域内で終端する、タイ・バー
    （１８）；半導体ダイが各タイ・バーの前記支持部を完
    全に覆うように、各タイ・バーに取り付けられ、支えら
    れる半導体ダイ（２２）；前記半導体ダイを前記複数の
    リードに電気的に結合する手段（２８）；および前記半
    導体ダイと、前記複数のリードの内部リード部分とを封
    入するプラスチック・パッケージ（３５）本体；によっ
    て構成されることを特徴とするフラグレス半導体装置
    （１０）。
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