JPS59155160A - 樹脂封止型電子装置 - Google Patents
樹脂封止型電子装置Info
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- JPS59155160A JPS59155160A JP856884A JP856884A JPS59155160A JP S59155160 A JPS59155160 A JP S59155160A JP 856884 A JP856884 A JP 856884A JP 856884 A JP856884 A JP 856884A JP S59155160 A JPS59155160 A JP S59155160A
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- JP
- Japan
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- resin
- lead frame
- pellet
- tab
- sealed
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明に、リードフレームな利用した樹脂封止型電子部
品に関するものである。
品に関するものである。
一般に、集積回路装置（以下、ＩＣと称する）に、１枚
の半纏体ベレット内に多数の能動素子あるいは受動素子
を形成したものであり、り熱的にペレットの電極端子数
ぼ多くなってくるうそしてこのペレットの電極端子にリ
ードフレームを用いて外部リードへと導通されている。
の半纏体ベレット内に多数の能動素子あるいは受動素子
を形成したものであり、り熱的にペレットの電極端子数
ぼ多くなってくるうそしてこのペレットの電極端子にリ
ードフレームを用いて外部リードへと導通されている。
ところで、かかる半導体ペレットに適当なパッケージに
封入する必要かあるが、最近のＩＣにおいては経済的な
面からあるいは製造工程の面からＪｌｆ＆で簡単な方法
としてトランスファモールド方法による樹脂封止（レジ
ンモールド）方法が採用されている。
封入する必要かあるが、最近のＩＣにおいては経済的な
面からあるいは製造工程の面からＪｌｆ＆で簡単な方法
としてトランスファモールド方法による樹脂封止（レジ
ンモールド）方法が採用されている。
しかしながら、この種の樹脂封止型ｔＣにおいては一般
にリードフレームと樹脂間の密着度不足によって多（の
問題を引き起こしているうこのう？）％に半導体ベレッ
トがダイボンディングされているタブ面に沿って樹脂の
剥離か生じ、水分がパッケージ外部からこの剥離面に沿
って浸入し、ＩＣの信頼性の低下や各部の腐蝕を起こす
欠点がある、本発明は、上述したような従来の樹脂封止
ＷＩＣ等の電子部品の各種の欠点を解決せんとすること
が目的であり、特に、樹り旨とリードフレームの密着度
不足による電子部品の信頼性の低下や各部の腐蝕を防止
した新規なリードフレームを利用した樹脂封止型電子部
品を提供することにある。
にリードフレームと樹脂間の密着度不足によって多（の
問題を引き起こしているうこのう？）％に半導体ベレッ
トがダイボンディングされているタブ面に沿って樹脂の
剥離か生じ、水分がパッケージ外部からこの剥離面に沿
って浸入し、ＩＣの信頼性の低下や各部の腐蝕を起こす
欠点がある、本発明は、上述したような従来の樹脂封止
ＷＩＣ等の電子部品の各種の欠点を解決せんとすること
が目的であり、特に、樹り旨とリードフレームの密着度
不足による電子部品の信頼性の低下や各部の腐蝕を防止
した新規なリードフレームを利用した樹脂封止型電子部
品を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明においてぼ、ダ
イボンディング部を除くタブ表面に貫通孔を有すること
を特徴とするリードフレームにおいてタブに素子ペレッ
トがダイボンディングされ。
イボンディング部を除くタブ表面に貫通孔を有すること
を特徴とするリードフレームにおいてタブに素子ペレッ
トがダイボンディングされ。
菓子ベレットにおける電極とリードフレームにおけるリ
ード部材とか電気接続してなり、その菓子ペレットおよ
びリードフレームの一部が樹脂封止されてなることを特
徴とする樹脂封止型電子部品とするものである。
ード部材とか電気接続してなり、その菓子ペレットおよ
びリードフレームの一部が樹脂封止されてなることを特
徴とする樹脂封止型電子部品とするものである。
以下１本発明の一実施例であるリードフレームを利用し
た樹脂封止型ＩＣについて図面を参照しながら具体的に
詳述するう 第１図は、本発明に用いるリードフレームを示す平面図
であるうこのリードフレームは、鉄系材料たトエｋｆ−
コバール（欽・ニッケル・コバルト付会）から構成され
、ｌｒｃ累子公子ベレットイボンディングして取り付け
るためのタブ、２はタブ１の両側から引き出された支持
枠、３はタブｌの両側を挾むように多数設けられたリー
ド部材である。
た樹脂封止型ＩＣについて図面を参照しながら具体的に
詳述するう 第１図は、本発明に用いるリードフレームを示す平面図
であるうこのリードフレームは、鉄系材料たトエｋｆ−
コバール（欽・ニッケル・コバルト付会）から構成され
、ｌｒｃ累子公子ベレットイボンディングして取り付け
るためのタブ、２はタブ１の両側から引き出された支持
枠、３はタブｌの両側を挾むように多数設けられたリー
ド部材である。
４ ｉｄ ＩＪ−上部材３群を互いに連結するように形
成されているダムで、このダム４ａ樹脂到止（レジンモ
ールド）時、樹脂のストツノく−として働き、これより
外方には流出させない餉ぎをする。５はリード部材３ｎ
’Ｐダム１および七の両側から引き出された支持枠２な
どリードフレーム全体を機械的に支持するようになって
いる枠体であり、この枠体５にげ適当な間隔でカイト穴
６が設けられている。このガイド穴６ぼトランスファモ
ールドされる際、モールド機の下金型のガイドビンに位
置決めされるだめのものである。
成されているダムで、このダム４ａ樹脂到止（レジンモ
ールド）時、樹脂のストツノく−として働き、これより
外方には流出させない餉ぎをする。５はリード部材３ｎ
’Ｐダム１および七の両側から引き出された支持枠２な
どリードフレーム全体を機械的に支持するようになって
いる枠体であり、この枠体５にげ適当な間隔でカイト穴
６が設けられている。このガイド穴６ぼトランスファモ
ールドされる際、モールド機の下金型のガイドビンに位
置決めされるだめのものである。
このようなリードフレームの構造ホタブ１の周辺に沿っ
て貫通孔７〜ｌＯが穿殺しであることに特徴がある。こ
の貫通孔７〜ｌＯば、菓子ベレットがダイボンディング
される領域外に配設されており、素子ベレット側面長よ
りも長い形状の長大のものが望ましい。
て貫通孔７〜ｌＯが穿殺しであることに特徴がある。こ
の貫通孔７〜ｌＯば、菓子ベレットがダイボンディング
される領域外に配設されており、素子ベレット側面長よ
りも長い形状の長大のものが望ましい。
この貫通孔７〜１０は、樹脂封止されたとぎ、その樹脂
とリード部材３およびタブ１それにこのタブ１０両側か
ら引き出されている支持枠２との界面に沿って侵入する
水分や有害な不純物が菓子ペレットに到達するのを防止
するためのもので、樹脂封止の際、この貫通孔７〜】０
に樹脂が埋設されるものである。
とリード部材３およびタブ１それにこのタブ１０両側か
ら引き出されている支持枠２との界面に沿って侵入する
水分や有害な不純物が菓子ペレットに到達するのを防止
するためのもので、樹脂封止の際、この貫通孔７〜】０
に樹脂が埋設されるものである。
貫通孔７〜８げ、主にタブ１とこのタブ１の両側から引
き出されている支持枠２と樹脂との界面に沿って侵入す
る水分などをストップさせる役割をもつものである。ま
た、貫通孔９〜１０は、主にリード部材３と樹脂との界
面に沿って侵入する水分などをストップさせる役割をも
つものである。
き出されている支持枠２と樹脂との界面に沿って侵入す
る水分などをストップさせる役割をもつものである。ま
た、貫通孔９〜１０は、主にリード部材３と樹脂との界
面に沿って侵入する水分などをストップさせる役割をも
つものである。
したがって１本発明に用いるリードフレームに、タブｌ
におけるダイボンディング部を除くタブ１周辺の表面に
貫通孔７〜１０をもつものであるため、樹脂封止を行な
った際、この貫通孔７〜１０に樹脂が埋設される。その
ため、外部からリードフレームと樹脂との界面に沿って
侵入１−ろ水分や有害な不純物などを上記貫通孔７〜ｌ
Ｏ部分によって阻止し、その内部にダイボンディングさ
れる素子ベレットをそれらの水分や有害な不純物などか
ら保護するために、信頼性の低下やアルミニウム電極等
の腐蝕を防止することができる。
におけるダイボンディング部を除くタブ１周辺の表面に
貫通孔７〜１０をもつものであるため、樹脂封止を行な
った際、この貫通孔７〜１０に樹脂が埋設される。その
ため、外部からリードフレームと樹脂との界面に沿って
侵入１−ろ水分や有害な不純物などを上記貫通孔７〜ｌ
Ｏ部分によって阻止し、その内部にダイボンディングさ
れる素子ベレットをそれらの水分や有害な不純物などか
ら保護するために、信頼性の低下やアルミニウム電極等
の腐蝕を防止することができる。
つぎに、上述したリードフレームを利用した樹脂封止型
ＩＣについてその製作プロセスと共に詳述する。
ＩＣについてその製作プロセスと共に詳述する。
第１図に図示するようなリードフレームにおけるタブ１
にＩＣベレット１１をダイボンディングし、ＩＣペレッ
ト１１表面のパッド電極とリード部材３とを金細線１２
などによりワイヤボンディングし相互接続する（第２図
）、この場合、ダイボンディングされたＩＣＣペッツＩ
ＩＵ、タブｌの中央部に取り付けられており、その周辺
を取りかこむような形に貫通孔７〜ｌＯか位置づけられ
る。
にＩＣベレット１１をダイボンディングし、ＩＣペレッ
ト１１表面のパッド電極とリード部材３とを金細線１２
などによりワイヤボンディングし相互接続する（第２図
）、この場合、ダイボンディングされたＩＣＣペッツＩ
ＩＵ、タブｌの中央部に取り付けられており、その周辺
を取りかこむような形に貫通孔７〜ｌＯか位置づけられ
る。
ついで、これをエポキシ系樹脂などによりトランスファ
モールド法等で樹脂封止な行なう（第３図）。
モールド法等で樹脂封止な行なう（第３図）。
続いて、ダム４切断と同時に樹脂封止体１３周辺の樹脂
ばり１４を取り去り、枠体５を切り離したのち、露出せ
るリード部材３を折曲して樹脂封止型ＩＣを製作する。
ばり１４を取り去り、枠体５を切り離したのち、露出せ
るリード部材３を折曲して樹脂封止型ＩＣを製作する。
第４図ぼ、七の樹脂封止されたＩＣを示す平面図で、第
５図に第４図におけるＡＡ’矢視縦断面図、第６図に第
４図におけるＢＢ’矢視縦断面図である。
５図に第４図におけるＡＡ’矢視縦断面図、第６図に第
４図におけるＢＢ’矢視縦断面図である。
第４図〜第６図に示すように１本発明にかかる樹脂封止
型ＩＣは、樹脂封止の際、タブ１における貫通孔７〜Ｉ
ＯＫ樹脂１３が埋設され、タブ１とその両端に延長され
樹脂封止体１３の外部にまで存在する支持枠２との間を
離間していると共にその部分にも樹脂封止体１３を設げ
たものである。
型ＩＣは、樹脂封止の際、タブ１における貫通孔７〜Ｉ
ＯＫ樹脂１３が埋設され、タブ１とその両端に延長され
樹脂封止体１３の外部にまで存在する支持枠２との間を
離間していると共にその部分にも樹脂封止体１３を設げ
たものである。
そのため、本発明にかかる樹脂封止型ＩＣ互。
タブｌの両側にある支持枠２と樹脂封止体１３との間の
界面に沿って侵入する水分や有害な不純物あるい１４
リード部材３と樹脂封止体１３との間の界面に沿って侵
入する水分や有害な不純物がＩＣベレット１１に伝達さ
れることがないため、ＩＣＣベンツ１１の信頼性の低下
やアルミニウム電極等の腐蝕を防止することかできろう
界面に沿って侵入する水分や有害な不純物あるい１４
リード部材３と樹脂封止体１３との間の界面に沿って侵
入する水分や有害な不純物がＩＣベレット１１に伝達さ
れることがないため、ＩＣＣベンツ１１の信頼性の低下
やアルミニウム電極等の腐蝕を防止することかできろう
第１図に、本発明に用いるリードフレームな示す平面図
、第２図〜第６図に本発明の一実施例である樹脂封止型
ＩＣをその製作プロセスと共に示す図で、第２図〜第４
図は平面図、第５図〜第６図は第４図における各矢視縦
断面図である。 １・・・タブ、２・・・支持枠、３・・・リード部材、
４・・・ダム、５・・・枠体、６・・・ガイド穴、７〜
１０・・・貫通孔、１１・・・ＩＣペレット、１２・・
・金細線、１３・・・樹脂封止体う 第 １ 図 第 ４ 図
、第２図〜第６図に本発明の一実施例である樹脂封止型
ＩＣをその製作プロセスと共に示す図で、第２図〜第４
図は平面図、第５図〜第６図は第４図における各矢視縦
断面図である。 １・・・タブ、２・・・支持枠、３・・・リード部材、
４・・・ダム、５・・・枠体、６・・・ガイド穴、７〜
１０・・・貫通孔、１１・・・ＩＣペレット、１２・・
・金細線、１３・・・樹脂封止体う 第 １ 図 第 ４ 図
Claims (1)
- １、ダイボンディング部を除くタブ表面に貫通孔な有す
ることを特徴とするリードフレームにおけるタブに素子
ペレットがダイボンディングされ、素子ペレットにおけ
る電極とリードフレームにおけるリード部材とが電気接
続してなり、前記素子ペレットおよびリードフレームの
一部が樹脂封止されてなることを特徴とする樹脂封止型
電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP856884A JPS59155160A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 樹脂封止型電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP856884A JPS59155160A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 樹脂封止型電子装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7987477A Division JPS5414674A (en) | 1977-07-06 | 1977-07-06 | Lead fram an resin-sealed electronic parts using it |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155160A true JPS59155160A (ja) | 1984-09-04 |
| JPS6114672B2 JPS6114672B2 (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=11696658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP856884A Granted JPS59155160A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 樹脂封止型電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155160A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01157449U (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-30 | ||
| US6048754A (en) * | 1990-07-21 | 2000-04-11 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device with an airtight space formed internally within a hollow package |
-
1984
- 1984-01-23 JP JP856884A patent/JPS59155160A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01157449U (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-30 | ||
| US6048754A (en) * | 1990-07-21 | 2000-04-11 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device with an airtight space formed internally within a hollow package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6114672B2 (ja) | 1986-04-19 |
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