JPS6114672B2 - - Google Patents
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- JPS6114672B2 JPS6114672B2 JP856884A JP856884A JPS6114672B2 JP S6114672 B2 JPS6114672 B2 JP S6114672B2 JP 856884 A JP856884 A JP 856884A JP 856884 A JP856884 A JP 856884A JP S6114672 B2 JPS6114672 B2 JP S6114672B2
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- tab
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 29
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 23
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体技術分野での発明であり、特
にその分野中での樹脂封止型電子装置に関するも
のである。
にその分野中での樹脂封止型電子装置に関するも
のである。
一般に、集積回路装置（以下、ICと称する）
は、１枚の半導体ペレツト内に多数の能動素子あ
るいは受動素子を形成したものであり、必然的に
ペレツトの電極端子は多くなつてくる。そしてこ
のペレツトの電極端子はリードフレームを用いて
外部リードと導通されている。このような技術は
例えば、特公昭45−1137号公報によつてよく知ら
れている。
は、１枚の半導体ペレツト内に多数の能動素子あ
るいは受動素子を形成したものであり、必然的に
ペレツトの電極端子は多くなつてくる。そしてこ
のペレツトの電極端子はリードフレームを用いて
外部リードと導通されている。このような技術は
例えば、特公昭45−1137号公報によつてよく知ら
れている。
ところで、かかる半導体ペレツトは適当なパツ
ケージに封入する必要があるが、最近のICにお
いては経済的な面からあるいは製造工程の面から
廉価で簡単な方法としてトランスフアモールド方
法による樹脂封止（レンジモールド）方法が採用
されている。
ケージに封入する必要があるが、最近のICにお
いては経済的な面からあるいは製造工程の面から
廉価で簡単な方法としてトランスフアモールド方
法による樹脂封止（レンジモールド）方法が採用
されている。
しかしながら、この種の樹脂封止型ICにおい
ては一般にリードフレームと樹脂間の密着度不足
によつて多くの問題を引き起こしている。このう
ち特に半導体ペレツトがダイボンデイングされて
いるタブ面に沿つて樹脂の剥離が生じ、水分がパ
ツケージ外部からこの剥離面に沿つて浸入し、
ICの信頼性の低下や各部の腐蝕を起こす欠点が
ある。
ては一般にリードフレームと樹脂間の密着度不足
によつて多くの問題を引き起こしている。このう
ち特に半導体ペレツトがダイボンデイングされて
いるタブ面に沿つて樹脂の剥離が生じ、水分がパ
ツケージ外部からこの剥離面に沿つて浸入し、
ICの信頼性の低下や各部の腐蝕を起こす欠点が
ある。
本発明は、信頼性向上を図つた樹脂封止型電子
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
本発明によれば、タブ、タブリードおよび外部
引き出しリードを有し、そのタブに電極端子をも
つた半導体ペレツトが取り付けられ、その電極端
子と外部引き出しリードとが電気的接続され、そ
の半導体ペレツト、タブリードおよび外部引き出
しリードの一部が封止用樹脂によつて封止されて
なる樹脂封止型電子装置であつて、上記タブに
は、取り付けられた半導体ペレツトとタブリード
との間にタブの辺に沿う細長い貫通孔が設けら
れ、かつその貫通孔には、封止用樹脂が埋め込ま
れてなることを特徴とするものである。
引き出しリードを有し、そのタブに電極端子をも
つた半導体ペレツトが取り付けられ、その電極端
子と外部引き出しリードとが電気的接続され、そ
の半導体ペレツト、タブリードおよび外部引き出
しリードの一部が封止用樹脂によつて封止されて
なる樹脂封止型電子装置であつて、上記タブに
は、取り付けられた半導体ペレツトとタブリード
との間にタブの辺に沿う細長い貫通孔が設けら
れ、かつその貫通孔には、封止用樹脂が埋め込ま
れてなることを特徴とするものである。
本発明の一実施例であるリードフレームを利用
した樹脂封止型ICについて図面を参照しながら
具体的に詳述する。
した樹脂封止型ICについて図面を参照しながら
具体的に詳述する。
第１図は、本発明に用いるリードフレームを示
す平面図である。このリードフレームは、鉄系材
料たとえばコバール（鉄・ニツケル・コバルト合
金）から構成され、１は素子ペレツトをダイボン
デイングして取り付けるためのタブ、２はタブ１
の両側から引き出された支持枠（タブリード）、
３はタブ１の両側を挟むように多数設けられた外
部引き出し用のリード部材である。４はリード部
材３群を互いに連結するように形成されているダ
ムで、このダム４は樹脂封止（レンジモールド）
時、樹脂のストツパーとして働き、これより外方
には流出させない働きをする。５はリード部材３
群やダム１およびその両側から引き出された支持
枠２などリードフレーム全体を機械的に支持する
ようになつている枠体であり、この枠体５には適
当な間隔でガイド穴６、が設けられている。この
ガイド穴６はトランスフアモールドされる際、モ
ールド機の下金型のガイドピンに位置決めされる
ためのものである。
す平面図である。このリードフレームは、鉄系材
料たとえばコバール（鉄・ニツケル・コバルト合
金）から構成され、１は素子ペレツトをダイボン
デイングして取り付けるためのタブ、２はタブ１
の両側から引き出された支持枠（タブリード）、
３はタブ１の両側を挟むように多数設けられた外
部引き出し用のリード部材である。４はリード部
材３群を互いに連結するように形成されているダ
ムで、このダム４は樹脂封止（レンジモールド）
時、樹脂のストツパーとして働き、これより外方
には流出させない働きをする。５はリード部材３
群やダム１およびその両側から引き出された支持
枠２などリードフレーム全体を機械的に支持する
ようになつている枠体であり、この枠体５には適
当な間隔でガイド穴６、が設けられている。この
ガイド穴６はトランスフアモールドされる際、モ
ールド機の下金型のガイドピンに位置決めされる
ためのものである。
このようなリードフレームの構造はタブ１の周
辺に沿つて貫通孔７〜１０が穿設してあることに
特徴がある。この貫通孔７〜１０は、素子ペレツ
トダイボンデイングされる領域外に配設されてお
り、素子ペレツト側面長よりも長い形状の長穴の
ものが望ましい。
辺に沿つて貫通孔７〜１０が穿設してあることに
特徴がある。この貫通孔７〜１０は、素子ペレツ
トダイボンデイングされる領域外に配設されてお
り、素子ペレツト側面長よりも長い形状の長穴の
ものが望ましい。
この貫通孔７〜１０は、樹脂封止されたとき、
その樹脂とリード部材３およびタブ１それにこの
タブ１の両側から引き出されている支持枠２との
界面に沿つて侵入する水分や有害な不純物が素子
ペレツトに到達するのを防止するためのもので樹
脂封止の際、この貫通孔７〜１０に樹脂が埋設さ
れるものである。
その樹脂とリード部材３およびタブ１それにこの
タブ１の両側から引き出されている支持枠２との
界面に沿つて侵入する水分や有害な不純物が素子
ペレツトに到達するのを防止するためのもので樹
脂封止の際、この貫通孔７〜１０に樹脂が埋設さ
れるものである。
貫通孔７〜８は、主にタブ１とこのタブ１の両
側から引き出されている支持枠２と樹脂との界面
に沿つて侵入する水分などをストツプさせる役割
をもつものである。また、貫通孔９〜１０は、主
にリード部材３と樹脂との界面に沿つて侵入する
水分などをストツプさせる役割をもつものであ
る。
側から引き出されている支持枠２と樹脂との界面
に沿つて侵入する水分などをストツプさせる役割
をもつものである。また、貫通孔９〜１０は、主
にリード部材３と樹脂との界面に沿つて侵入する
水分などをストツプさせる役割をもつものであ
る。
したがつて、本発明に用いるリードフレーム
は、タブ１におけるダイボンデイング部を除くタ
ブ１の周辺の表面に貫通孔７〜１０をもつもので
あるため、樹脂封止を行なつた際、この貫通孔７
〜１０に樹脂が埋設される。そのため、外部から
リードフレームと樹脂との界面に沿つて侵入する
水分や有害な不純物などを上記貫通孔７〜１０部
分によつて阻止し、その内部にダイボンデイング
される素子ペレツトをそれらの水分や有害な不純
物などから保護するために、信頼性の低下やアル
ミニウム電極等の腐蝕を防止することができる。
は、タブ１におけるダイボンデイング部を除くタ
ブ１の周辺の表面に貫通孔７〜１０をもつもので
あるため、樹脂封止を行なつた際、この貫通孔７
〜１０に樹脂が埋設される。そのため、外部から
リードフレームと樹脂との界面に沿つて侵入する
水分や有害な不純物などを上記貫通孔７〜１０部
分によつて阻止し、その内部にダイボンデイング
される素子ペレツトをそれらの水分や有害な不純
物などから保護するために、信頼性の低下やアル
ミニウム電極等の腐蝕を防止することができる。
つぎに、上述したリードフレームを利用した樹
脂封止型ICについてその製作プロセスと共に詳
述する。
脂封止型ICについてその製作プロセスと共に詳
述する。
第１図に図示するようなリードフレームにおけ
るタブ１に半導体部品すなわちICペレツト１１
をダイボンデイングし、ICペレツト１１表面の
パツド電極とリード部材３とを金細線１２などに
よりワイヤダイボンデイングし相互接続する（第
２図）。この場合、ダイボンデイングされたICペ
レツト１１は、タブ１の中央部に取り付けられて
おり、その周辺を取りかこむような形に貫通孔７
〜１０が位置づけられる。
るタブ１に半導体部品すなわちICペレツト１１
をダイボンデイングし、ICペレツト１１表面の
パツド電極とリード部材３とを金細線１２などに
よりワイヤダイボンデイングし相互接続する（第
２図）。この場合、ダイボンデイングされたICペ
レツト１１は、タブ１の中央部に取り付けられて
おり、その周辺を取りかこむような形に貫通孔７
〜１０が位置づけられる。
ついで、これをエポキシ系樹脂などによりトラ
ンスフアモールド法等で樹脂封止を行なう（第３
図）。続いて、ダム４切断と同時に樹脂封止体１
３周辺の樹脂ばり１４（リード部材３とダム４と
の間に存在する樹脂ばり）を取り去り、枠体５を
切り離したのち、露出するリード部材３を折曲し
て樹脂封止型ICを製作する。第４図は、その樹
脂封止されたICを示す平面図で、第５図は第４
図におけるＡ―A′矢視縦断面図、第６図は第４
図におけるＢ―B′矢視縦断面図である。
ンスフアモールド法等で樹脂封止を行なう（第３
図）。続いて、ダム４切断と同時に樹脂封止体１
３周辺の樹脂ばり１４（リード部材３とダム４と
の間に存在する樹脂ばり）を取り去り、枠体５を
切り離したのち、露出するリード部材３を折曲し
て樹脂封止型ICを製作する。第４図は、その樹
脂封止されたICを示す平面図で、第５図は第４
図におけるＡ―A′矢視縦断面図、第６図は第４
図におけるＢ―B′矢視縦断面図である。
第４図〜第６図に示すように、本発明にかかる
樹脂封止型ICは、樹脂封止の際、タブ１におけ
る貫通孔７〜１０に樹脂１３が埋設され、タブ１
とその両側に延長され樹脂封止体１３の外部にま
で存在する支持枠２との間を離間していると共に
その部分にも樹脂封止体１３を設けたものであ
る。
樹脂封止型ICは、樹脂封止の際、タブ１におけ
る貫通孔７〜１０に樹脂１３が埋設され、タブ１
とその両側に延長され樹脂封止体１３の外部にま
で存在する支持枠２との間を離間していると共に
その部分にも樹脂封止体１３を設けたものであ
る。
そのため、本発明の樹脂封止型ICによれば、
タブ１の両側にある支持枠（タブリード）２と樹
脂封止体１３との間の界面に沿つて侵入する水分
や有害な不純物がペレツトに到達するまでには充
分な時間がかかることになる。つまり、リークパ
スが長くなる。しかも貫通孔への封止樹脂の埋設
により、タブに対する樹脂の接着がより強固とな
る。この結果、ICペレツト１１の信頼性の低下
やアルミニウム電極等の腐蝕を防止することがで
きる。
タブ１の両側にある支持枠（タブリード）２と樹
脂封止体１３との間の界面に沿つて侵入する水分
や有害な不純物がペレツトに到達するまでには充
分な時間がかかることになる。つまり、リークパ
スが長くなる。しかも貫通孔への封止樹脂の埋設
により、タブに対する樹脂の接着がより強固とな
る。この結果、ICペレツト１１の信頼性の低下
やアルミニウム電極等の腐蝕を防止することがで
きる。
第１図は、本発明に用いるリードフレームを示
す平面図、第２図〜第６図は本発明の一実施例で
ある樹脂封止型ICをその製作プロセスと共に示
す図で、第２図〜第４図は平面図、第５図〜第６
図は第４図における各矢視縦断図である。 １……タブ、２……支持枠（タブリード）、３
……リード部材、４……ダム、、５……枠体、６
……ガイド穴、７〜１０……貫通孔、１１……
ICペレツト、１２……金細線、１３……樹脂封
止体、１４……樹脂ばり。
す平面図、第２図〜第６図は本発明の一実施例で
ある樹脂封止型ICをその製作プロセスと共に示
す図で、第２図〜第４図は平面図、第５図〜第６
図は第４図における各矢視縦断図である。 １……タブ、２……支持枠（タブリード）、３
……リード部材、４……ダム、、５……枠体、６
……ガイド穴、７〜１０……貫通孔、１１……
ICペレツト、１２……金細線、１３……樹脂封
止体、１４……樹脂ばり。
Claims (1)
- １ タブ、タブリードおよび外部引き出しリード
を有し、そのタブに電極端子をもつた半導体ペレ
ツトが取り付けられ、その電極端子と外部引き出
しリードとが電気的接続され、その半導体ペレツ
ト、タブリードおよび外部引き出しリードの一部
が封止用樹脂によつて封止されてなる樹脂封止型
電子装置であつて、上記タブには、取り付けられ
た半導体ペレツトとタブリードとの間にタブの辺
に沿う細長い貫通孔が設けられ、かつその貫通孔
には、封止用樹脂が埋め込まれてなることを特徴
とする樹脂封止型電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP856884A JPS59155160A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 樹脂封止型電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP856884A JPS59155160A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 樹脂封止型電子装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7987477A Division JPS5414674A (en) | 1977-07-06 | 1977-07-06 | Lead fram an resin-sealed electronic parts using it |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155160A JPS59155160A (ja) | 1984-09-04 |
| JPS6114672B2 true JPS6114672B2 (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=11696658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP856884A Granted JPS59155160A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 樹脂封止型電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155160A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01157449U (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-30 | ||
| CA2047486C (en) * | 1990-07-21 | 2002-03-05 | Shigeru Katayama | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
1984
- 1984-01-23 JP JP856884A patent/JPS59155160A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59155160A (ja) | 1984-09-04 |
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