JPH06342816A - 半導体装置及びその製造方法並びにそれらに用いるリードフレーム - Google Patents

半導体装置及びその製造方法並びにそれらに用いるリードフレーム

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JPH06342816A
JPH06342816A JP13160193A JP13160193A JPH06342816A JP H06342816 A JPH06342816 A JP H06342816A JP 13160193 A JP13160193 A JP 13160193A JP 13160193 A JP13160193 A JP 13160193A JP H06342816 A JPH06342816 A JP H06342816A
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Japan
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lead frame
resin
semiconductor device
manufacturing
peeling member
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JP13160193A
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Toshiharu Yamauchi
俊治 山内
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、ゲート残りの発生しない半導体
装置を得ることを目的とし、また、この半導体装置に適
した製造方法およびリードフレームを提供することを目
的とする。 【構成】 半導体素子５がリードフレーム１に搭載さ
れ、その電極パッドとリード部とがボンディングワイヤ
６を用いてワイヤボンディングされる。そして、半導体
素子５がモールディングされてパッケージ２が形成され
る。ここで、モールディング工程に先立って、リードフ
レーム１のフレーム枠にはその長手方向ほぼ全長にわた
ってポリイミドテープ２０が貼付けられている。そこ
で、パッケージ２およびリードフレーム１を矢印Ａ方向
に曲げて、カル３およびゲート部カル４がリードフレー
ム１からポリイミドテープ２０とともに分離される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、トランスファ形成時
に封止樹脂が流動してキャビティ内に充填する経路内で
硬化した封止樹脂をリードフレームから完全に取り除く
ことができる半導体装置及びその製造方法並びにそれら
に用いるリードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８および図９はそれぞれ従来の半導体
装置の製造方法におけるトランスファ成形後の状態を示
す全体平面図および一部平面図、図１０は図９のXーX線
に沿った断面図であり、図において１は半導体素子５が
搭載されるリードフレーム、１ａはリードフレーム１の
フレーム枠、１ｂは半導体素子５の電極端子とボンディ
ングワイヤ６により電気的に接続され、半導体素子５と
外部装置（図示せず）との信号の授受を行うリード部、
１ｃは例えば半導体素子５を搭載する際にリードフレー
ム１を位置決めするためにフレーム枠１ａに形成された
位置決め穴である。２はリードフレーム１に搭載された
状態で半導体素子５を樹脂封止してなるパッケージ、３
はトランスファ成形の際に金型のポット内に残留した封
止樹脂が硬化してなるカル、４はトランスファ成形の際
に金型のポットからキャビティに充填する経路としての
ゲート内に残留した封止樹脂が硬化してなるゲート部カ
ルである。
【０００３】つぎに、従来の半導体装置の製造方法につ
いて図１１に基づいて説明する。まず、プレス加工等に
よりフレーム枠１ａ、リード部１ｂ、位置決め穴１ｃ等
を有するリードフレーム１が形成される。ついで、ダイ
ボンディング工程１００において、半導体素子５がリー
ドフレーム１のダイパッド部に接合される。そして、ワ
イヤボンディング工程１０１において、半導体素子５の
電極パッドとリード部１ｂとがボンディングワイヤ６を
用いてワイヤボンディングされる。ここで、１枚のリー
ドフレーム１には多数の半導体素子５（図８の場合には
６個）が搭載されている。その後、モールディング工程
１０２において、金型にリードフレーム１をセットし、
エポキシ樹脂等の高分子樹脂からなる封止樹脂を用いト
ランスファ成形により樹脂封止して、パッケージ２が形
成される。ついで、リード成形工程１０３において、レ
ジンカット、タイバーカット、リードカットおよびリー
ドベントすることにより、パッケージ２内に半導体素子
５がモールドされ、パッケージ２から突出するリード部
１ｂが所望形状に折り曲げられた半導体装置が製造され
る。
【０００４】ここで、モールディング工程１０２につい
て図１２に基づいてさらに詳細に説明する。モールディ
ング工程１０２では、まず、図１２の（ａ）に示すよう
に、半導体素子５が搭載されたリードフレーム１が所定
温度に保たれた金型８内にセットされる。ついで、図１
２の（ｂ）に示すように、金型８のポット９内に封止樹
脂１０のタブレットが投入される。そこで、図１２の
（ｃ）に示すように、加圧して金型８の熱で溶融された
封止樹脂１０をゲート１１を介してキャビティ１２内に
充填し、硬化する。そして、キャビティ１２内に充填さ
れた封止樹脂１０が硬化した後、図１２の（ｄ）に示す
ように、金型８からリードフレーム１を取り出すことに
より、１枚のリードフレーム１に多数の半導体装置が一
度に製造される。ここで、金型８のポット９およびゲー
ト１１に残留している封止樹脂１０も硬化し、図８に示
すように、カル３およびゲート部カル４としてリードフ
レーム１と一体成形されている。そこで、カル３および
ゲート部カル４を固定した状態でリードフレーム１およ
びパッケージ２に図１０の矢印Ａ方向に力を加え、カル
３およびゲート部カル４を分離する。分離されたカル３
およびゲート部カル４は廃材として処分される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されていたので、カル３およびゲート部
カル４を分離する際に、図１３に示すように、フレーム
枠１ａ上にゲート部カル４の一部が残るいわゆるゲート
残り１３が発生しやすく、このゲート残り１３が次工程
でのトラブルの原因となるという課題があった。また、
このトラブルを避けるためには、ゲート残り１３を人手
によって除去しなければならず、製造時間やコストが上
昇するという課題もあった。
【０００６】この発明は、上記のような課題を解消する
ためになされたもので、ゲート残りが発生しない半導体
装置を得ることを目的とし、またこの半導体装置に適し
た製造方法及びリードフレームを提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体装置の製造方法は、リードフレーム上に半導体
素子を搭載するダイボンディング工程と、半導体素子の
電極パッドとリードフレームのリード部とを接続するワ
イヤボンディング工程と、半導体素子をトランスファ成
形により樹脂封止してパッケージを形成するモールディ
ング工程と、リード成形工程とを備えた半導体装置の製
造方法において、モールディング工程に先立って、封止
樹脂との密着力がリードフレームとの密着力より大きい
樹脂剥離部材をリードフレームの少なくとも封止樹脂が
流動してキャビティ内に充填する経路に接する部分に設
け、モールディング工程後、経路内で硬化した封止樹脂
を樹脂剥離部材とともにリードフレームから分離するも
のである。
【０００８】また、この発明の請求項２に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項１に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの封止樹脂が流動してキ
ャビティ内に充填する経路のゲートに対応する部分に樹
脂剥離部材を設けるものである。
【０００９】また、この発明の請求項３に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項１に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの長手方向に複数の半導
体素子を搭載し、リードフレームの長手方向ほぼ全長に
わたって樹脂剥離部材を設けるものである。
【００１０】また、この発明の請求項４に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項１に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの封止樹脂が流動してキ
ャビティ内に充填する経路のランドに対応する部分に樹
脂剥離部材の端部が位置しているものである。
【００１１】また、この発明の請求項５に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項１に係る半導体装置の製造
方法において、樹脂剥離部材は、ポリイミド樹脂からな
る基材と、基材の一面側に設けられ基材とリードフレー
ムとを接合する接合層とからなるものである。
【００１２】また、この発明の請求項６に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項５に係る半導体装置の製造
方法において、接合層がフェノール系熱硬化性樹脂であ
るものである。
【００１３】また、この発明の請求項７に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項１に係る半導体装置の製造
方法において、ワイヤボンディング工程に先立って、樹
脂剥離部材をリードフレームに設けるものである。
【００１４】また、この発明の請求項８に係るリードフ
レームは、フレーム枠、リード部およびダイパッドを備
え、ダイパッド上に半導体素子が搭載され、半導体素子
の電極パッドとリード部とがワイヤボンディングされ、
半導体素子をトランスファ成形により樹脂封止してパッ
ケージが形成される半導体装置のリードフレームにおい
て、フレーム枠の少なくとも封止樹脂が流動してキャビ
ティ内に充填する経路に接する部分に、封止樹脂との密
着力がフレーム枠との密着力より大きい樹脂剥離部材を
設けたものである。
【００１５】また、この発明の請求項９に係る半導体装
置は、リードフレーム上に半導体素子が搭載され、この
半導体素子の電極パッドとリードフレームのリード部と
がワイヤボンディングされ、半導体素子をトランスファ
成形により樹脂封止してパッケージが形成されてなる半
導体装置において、リードフレームの少なくとも封止樹
脂が流動してキャビティ内に充填する経路に接する部分
に、封止樹脂との密着力が前記リードフレームとの密着
力より大きい樹脂剥離部材を設け、経路内で硬化した封
止樹脂を樹脂剥離部材とともに分離するようにしたもの
である。
【００１６】
【作用】この発明の請求項１に係る半導体装置の製造方
法においては、モールディング工程に先立って、封止樹
脂との密着力がリードフレームとの密着力より大きい樹
脂剥離部材をリードフレームの少なくとも封止樹脂が流
動してキャビティ内に充填する経路に接する部分に設け
ているので、経路内で硬化した封止樹脂は、樹脂剥離部
材上に密着し、モールディング工程後樹脂剥離部材とと
もにリードフレームから分離され、リードフレームから
完全に取り除かれる。従って、次工程でのトラブルの原
因となったり人手で除去する必要があるゲート残りが発
生せず、トラブルの発生を少なくすることができ、製造
時間や製造コストを下げることができる。
【００１７】また、この発明の請求項２に係る半導体装
置の製造方法においては、リードフレームの封止樹脂が
流動してキャビティ内に充填する経路のゲートに対応す
る部分に樹脂剥離部材を設けているので、樹脂剥離部材
の面積が小さくなってその剥離が容易になるため、経路
内で硬化した封止樹脂を一層確実にリードフレームから
取り除くことができる。また、樹脂剥離部材をリードフ
レーム上にマウントすることができるようになり、樹脂
剥離部材の取り付けが容易になる。
【００１８】また、この発明の請求項３に係る半導体装
置の製造方法においては、リードフレームの長手方向に
複数の半導体素子を搭載し、リードフレームの長手方向
ほぼ全長にわたって樹脂剥離部材を設けているので、樹
脂剥離部材の面積が大きく、その取り付け状態が安定さ
れる。また、経路内で硬化した封止樹脂をリードフレー
ムから取り除く際に、半導体素子を樹脂封止するキャビ
ティ毎に封止樹脂を充填する経路内で硬化した封止樹脂
が樹脂剥離部材で連結されて、その回収が容易となる。
【００１９】また、この発明の請求項４に係る半導体装
置の製造方法においては、リードフレームの封止樹脂が
流動してキャビティ内に充填する経路のランドに対応す
る部分に樹脂剥離部材の端部が位置しているので、経路
の断面積の小さいランド内で硬化した封止樹脂が樹脂剥
離部材とともに取り外されるため、硬化した封止樹脂を
より一層完全にパッケージから取り外すことができる。
【００２０】また、この発明の請求項５に係る半導体装
置の製造方法においては、樹脂剥離部材を、ポリイミド
樹脂からなる基材と、基材の一面側に設けられ基材とリ
ードフレームとを接合する接合層とからなる構成してい
るので、基材の耐熱性が優れ基材の熱収縮が抑えられ、
リードフレームの変形等の発生を抑制することができ
る。
【００２１】また、この発明の請求項６に係る半導体装
置の製造方法においては、接合層をフェノール系熱硬化
性樹脂としているので、基材とリードフレームとの密着
力を基材と硬化した封止樹脂との密着力よりも確実に下
げることができ、経路内で硬化した封止樹脂を樹脂剥離
部材とともにリードフレームから容易に取り去ることが
できる。
【００２２】また、この発明の請求項７に係る半導体装
置の製造方法においては、ワイヤボンディング工程に先
立って、樹脂剥離部材をリードフレームに設けているの
で、樹脂剥離部材の取り付け作業による半導体素子の電
極パッドとリード部とを接続するボンディングワイヤの
変形等がなく、半導体装置の不良率を著しく下げること
ができる。
【００２３】また、この発明の請求項８に係る半導体装
置のリードフレームにおいては、フレーム枠の少なくと
も封止樹脂が流動してキャビティ内に充填する経路に接
する部分に、封止樹脂との密着力がフレーム枠との密着
力より大きい樹脂剥離部材を設けているので、モールデ
ィング工程の後、経路内で硬化した封止樹脂を樹脂剥離
部材とともに容易に取り去ることができる。
【００２４】また、この発明の請求項９に係る半導体装
置においては、リードフレームの少なくとも封止樹脂が
流動してキャビティ内に充填する経路に接する部分に、
封止樹脂との密着力が前記リードフレームとの密着力よ
り大きい樹脂剥離部材を設け、経路内で硬化した封止樹
脂を樹脂剥離部材とともに分離するようにしているの
で、次工程でのトラブルの原因となったり人手で除去す
る必要があるゲート残りが発生せず、トラブルの発生を
少なくすることができ、製造時間や製造コストを下げる
ことができる。
【００２５】
【実施例】
実施例１．この実施例１は、この発明の請求項１、３、
５〜９に係る一実施例である。図１および図２はそれぞ
れこの発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法にお
けるトランスファ成形後の状態を示す全体平面図および
一部平面図、図３は図２のIIIーIII線に沿った断面図で
あり、図８〜１０に示した従来の半導体装置の製造方法
と同一又は相当部分には同一符号を付し、その説明は省
略する。
【００２６】図において、２０はポリイミド樹脂からな
る基材と、この基材の一面側に設けられたフェノール系
熱硬化性樹脂の接合層とから構成され、さらにリードフ
レーム１の位置決め穴１ｃを避けるように位置決め穴１
ｃと同径の開口部２０ａが設けられた樹脂剥離部材とし
てのポリイミドテープである。このポリイミドテープ２
０は、リードフレーム１のフレーム枠１ａ上に長手方向
ほぼ全長に貼付されている。
【００２７】次に、この実施例１による半導体装置の製
造方法について説明する。まず、リードフレーム１のフ
レーム枠１ａ上に開口部２０ａが位置決め穴１ｃに一致
するようにポリイミドテープ２０を貼付する。続いて、
従来と同様のダイボンディング工程１００、ワイヤボン
ディング工程１０１、さらにモールディング工程１０２
がリードフレーム１に施され、図１及び図２に示した状
態のものが製造される。そして、リードフレーム１を金
型８から取り出した後、従来と同様に、カル３及びゲー
ト部カル４を固定してリードフレーム１及びパッケージ
２に図３の(ａ)のように矢印Ａの方向の力を加え、ゲー
ト部カル４をリードフレーム１の上面から分離する。
【００２８】ここで、ポリイミドテープ２０は接合層と
してフェノール系熱硬化性樹脂を用いているので、ポリ
イミドテープ２０とリードフレーム１との密着力が、ポ
リイミドテープ２０とゲート部カル４（即ち、封止樹脂
１０）との密着力よりも小さくなり、図３の(ｂ)のよう
にゲート部カル４はポリイミドテープ２０とともにリー
ドフレーム１から分離され、ゲート残り１３がリードフ
レーム１上に残ることはない。その後、リード成形工程
１０３により、パッケージ２から突出するリード部１ｂ
が所望形状に折り曲げられた半導体装置が１つのリード
フレーム１から複数（この場合、８個）得られる。
【００２９】なお、ポリイミドテープ２０の厚さは０．
１ｍｍであり、ランド（トランスファ成形される際に封
止樹脂１０がゲート１１からキャビティ１２に充填され
る経路の断面積の小さい部分）の厚さよりも薄くされて
いる。
【００３０】このように、この実施例１によれば、モー
ルディング工程１０２に先立ってポリイミドテープ２０
をリードフレーム１のフレーム枠１ａ上に長手方向に貼
付しているので、モールディング工程１０２の際にゲー
ト１１を通ってキャビティ１２に充填される封止樹脂１
０はフレーム枠１ａと接することなくポリイミドテープ
２０上で硬化することになる。さらに、ポリイミドテー
プ２０とリードフレーム１との密着力が、ポリイミドテ
ープ２０とゲート部カル４（即ち、封止樹脂１０）との
密着力よりも小さくなるように設定し、モールディング
工程１０２の後、ポット９およびゲート１１内で硬化し
た封止樹脂１０をポリイミドテープ２０とともにリード
フレーム１から分離しているので、ゲート残り１３を残
すことなくカル３およびゲート部カル４を確実に取り除
くことができる。したがって、後工程でのトラブルが低
減され、ゲート残り１３の除去作業が不要となり、製造
時間や製造コストを下げることができる。
【００３１】また、ポリイミドテープ２０がリードフレ
ーム１のフレーム枠１ａの長手方向ほぼ全長にわたって
貼付けされているので、ゲート１１毎のゲート部カル４
はポリイミドテープ２０で連結され、それらを一括して
回収でき、その回収が容易となる。
【００３２】また、ポリイミド樹脂を基材とするポリイ
ミドテープ２０を用いているので、基材の耐熱性が優
れ、熱収縮することがなく、基材の熱収縮にともなうリ
ードフレーム１の変形が発生せず、半導体装置の歩留ま
りが向上する。
【００３３】また、フェノール系熱硬化性樹脂を接合層
とするポリイミドテープ２０を用いているので、ポリイ
ミドテープ２０とリードフレーム１と密着力が、ポリイ
ミドテープ２０と封止樹脂１０との密着力より小さくな
り、硬化した封止樹脂１０をリードフレーム１から容易
に分離することができる。
【００３４】また、ポリイミドテープ２０の貼付けをワ
イヤボンディング工程１００に先立って行っているの
で、ポリイミドテープ２０を貼付ける際にボンディング
ワイヤ６にダメージを与えるおそれがなく、ボンディン
グワイヤ６の断線、曲げの発生が抑制され、半導体装置
の不良率を著しく下げて、歩留まりを向上できる。
【００３５】なお、上記実施例１では、樹脂剥離部材と
してポリイミドテープ２０を用いるものとしているが、
樹脂剥離部材はポリイミドテープ２０に限らずリードフ
レーム１との密着力が封止樹脂１０との密着力より小さ
いものであればよい。また、ポリイミドテープ２０の接
合層としてはフェノール系熱硬化性樹脂を用いたが、ア
クリル系や他の接着剤でもよい。
【００３６】実施例２．この実施例２はこの発明の請求
項２に係る一実施例である。上記実施例１では、ポリイ
ミドテープ２０をリードフレーム１のフレーム枠１ａの
長手方向ほぼ全長にわたって貼付するものとしている
が、この実施例２では、図４に示すように、ゲート１１
に対応する部分の近傍のみにポリイミドテープ２２を貼
付するものとしている。
【００３７】このように、この実施例２によれば、ポリ
イミドテープ２２の面積が小さいので、ポリイミドテー
プ２２とリードフレーム１との密着力が小さく、ゲート
部カル４をリードフレーム１から取り除く際にポリイミ
ドテープ２２が確実に剥離し、ゲート部カル４の除去が
上記実施例１の場合よりも一層確実になる。また、ポリ
イミドテープ２２をリードフレーム１上にマウントする
ことができ、ポリイミドテープ２２の貼付け作業が容易
となる。さらに、ポリイミドテープ２２の使用量が減
り、製造コストを低減できる。
【００３８】実施例３．この実施例３は請求項１に係る
他の実施例である。上記実施例１では、ポリイミドテー
プ２０の開口部２０ａがリードフレーム１の位置決め穴
１ｃと同位置にくるようにポリイミドテープ２０を貼付
けるものとしているが、この実施例３では、開口部を設
けないポリイミドテープ２３を、図５に示すように、リ
ードフレーム１の位置決め穴１ａの部分をも覆うように
貼付けるものとしている。
【００３９】この実施例３によれば、覆われた位置決め
穴１ｃをリードフレーム１の位置決めに使用することは
できなくなるが、ポリイミドテープ２３に開口部を設け
る必要もなく、ポリイミドテープ２３の製造コストを下
げることができるとともに、該開口部が位置決め穴１ｃ
と同位置にくるように位置合わせして貼付ける必要もな
く、ポリイミドテープ２３の貼付け作業が簡易となる。
【００４０】実施例４．この実施例４は請求項１に係る
さらに別の実施例である。上記実施例１では、ポリイミ
ドテープ２０に位置決め穴１ｃと同径の開口部２０ａを
設け、この開口部２０ａがリードフレーム１の位置決め
穴１ｃと同位置にくるようにポリイミドテープ２０を貼
付けるものとしているが、この実施例４では、図６に示
すように、ポリイミドテープ２４に位置決め穴１ｃより
大きな径の開口部２４ａを設け、この開口部２４ａがリ
ードフレーム１の位置決め穴１ａを露呈するようにポリ
イミドテープ２４を貼付けるものとしている。
【００４１】この実施例４によれば、ポリイミドテープ
２４を貼付する位置が多少ずれてもポリイミドテープ２
４が位置決め穴１ｃを覆うことがないので、位置決め穴
１ｃをリードフレーム１の位置決めに確実に使用するこ
とはできる。また、ポリイミドテープ２４の貼付位置の
位置決め精度を下げることができるので製造コストを下
げることができる。
【００４２】実施例５．この実施例５は請求項４に係る
一実施例である。図７はこの発明の実施例５に係る半導
体装置の製造方法におけるトランスファ成形後の状態を
示す要部断面図であり、図において２５はランドであ
り、このランド２５はトランスファ成形される際に封止
樹脂１０がゲート１１からキャビティ１２に充填される
経路の断面積の小さい部分である。
【００４３】この実施例５では、ポリイミドテープ２０
の先端がランド２５に対応する部分まで位置している。
このようにすると、ゲート部カル４を折り曲げてパッケ
ージ２から取り外す際に、ランド２５内で硬化した封止
樹脂１０がポリイミドテープ２０とともに取り外される
ため、ゲート部カル４をより一層完全にパッケージ２か
ら取り外すことができる。
【００４４】
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に記載されるような効果がある。
【００４５】この発明の請求項１に係る半導体装置の製
造方法は、リードフレーム上に半導体素子を搭載するダ
イボンディング工程と、半導体素子の電極パッドとリー
ドフレームのリード部とを接続するワイヤボンディング
工程と、半導体素子をトランスファ成形により樹脂封止
してパッケージを形成するモールディング工程と、リー
ド成形工程とを備えた半導体装置の製造方法において、
モールディング工程に先立って、封止樹脂との密着力が
リードフレームとの密着力より大きい樹脂剥離部材をリ
ードフレームの少なくとも封止樹脂が流動してキャビテ
ィ内に充填する経路に接する部分に設け、モールディン
グ工程後、経路内で硬化した封止樹脂を樹脂剥離部材と
ともにリードフレームから分離するようにしているの
で、次工程でのトラブルの原因となったり人手で除去す
る必要があるゲート残りが発生せず、トラブルの発生を
少なくすることができ、製造時間や製造コストを下げる
ことができるという効果がある。
【００４６】また、この発明の請求項２に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項１に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの封止樹脂が流動してキ
ャビティ内に充填する経路のゲートに対応する部分に樹
脂剥離部材を設けるようにしているので、樹脂剥離部材
の面積が小さくなり、樹脂剥離部材とリードフレームと
の密着力が小さくなるとともに、樹脂剥離部材を片とし
てマウントすることができ、該経路内で硬化した封止樹
脂を一層確実に取り除くことができ、さらに樹脂剥離部
材の取り付けが容易となる。
【００４７】また、この発明の請求項３に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項１に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの長手方向に複数の半導
体素子を搭載し、リードフレームの長手方向ほぼ全長に
わたって樹脂剥離部材を設けるようにしているので、経
路内で硬化した封止樹脂をリードフレームから取り除く
際に、半導体素子毎に硬化した封止樹脂が樹脂剥離部材
で連結されて一括回収できる。
【００４８】また、この発明の請求項４に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項１に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの封止樹脂が流動してキ
ャビティ内に充填する経路のランドに対応する部分に樹
脂剥離部材の端部が位置しているので、ゲート残りとし
て残留しやすいランド内で硬化した封止樹脂も確実に取
り除くことができる。
【００４９】また、この発明の請求項５に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項１に係る半導体装置の製造
方法において、樹脂剥離部材は、ポリイミド樹脂からな
る基材と、基材の一面側に設けられ基材とリードフレー
ムとを接合する接合層とから構成しているので、基材の
耐熱性が優れ、熱収縮することがなく、リードフレーム
の変形を発生を抑えることができる。
【００５０】また、この発明の請求項６に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項５に係る半導体装置の製造
方法において、接合層がフェノール系熱硬化性樹脂であ
るので、基材とリードフレームとの密着力が基材と封止
樹脂との密着力より小さくなり、経路内で硬化した封止
樹脂を樹脂剥離部材とともにリードフレームから容易に
取り外すことができる。
【００５１】また、この発明の請求項７に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項１に係る半導体装置の製造
方法において、ワイヤボンディング工程に先立って、樹
脂剥離部材をリードフレームに設けるようにしているの
で、樹脂剥離部材の取り付けの際に、ボンディングワイ
ヤにダメージを与えることがなく、ボンディングワイヤ
の断線や曲がりが防止され、歩留まりを向上できる。
【００５２】また、この発明の請求項８に係るリードフ
レームは、フレーム枠、リード部およびダイパッドを備
え、ダイパッド上に半導体素子が搭載され、半導体素子
の電極パッドとリード部とがワイヤボンディングされ、
半導体素子をトランスファ成形により樹脂封止してパッ
ケージが形成される半導体装置のリードフレームにおい
て、フレーム枠の少なくとも封止樹脂が流動してキャビ
ティ内に充填する経路に接する部分に、封止樹脂との密
着力がフレーム枠との密着力より大きい樹脂剥離部材を
設けているので、半導体素子をモールディングする際
に、ゲート内で硬化した封止樹脂を樹脂剥離部材ととも
に取り除くことができ、半導体装置におけるゲート残り
をなくすことができる。
【００５３】また、この発明の請求項９に係る半導体装
置は、リードフレーム上に半導体素子が搭載され、この
半導体素子の電極パッドとリードフレームのリード部と
がワイヤボンディングされ、半導体素子をトランスファ
成形により樹脂封止してパッケージが形成されてなる半
導体装置において、リードフレームの少なくとも封止樹
脂が流動してキャビティ内に充填する経路に接する部分
に、封止樹脂との密着力が前記リードフレームとの密着
力より大きい樹脂剥離部材を設け、経路内で硬化した封
止樹脂を樹脂剥離部材とともに分離するようにしている
ので、ゲート残りを容易になくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例１に係る半導体装置の製造方
法におけるトランスファ成形後の状態を示す全体平面図
である。
【図２】この発明の実施例１に係る半導体装置の製造方
法におけるトランスファ成形後の状態を示す一部平面図
である。
【図３】図２のIIIーIII線に沿った断面図である。
【図４】この発明の実施例２に係る半導体装置の製造方
法におけるトランスファ成形後の状態を示す全体平面図
である。
【図５】この発明の実施例３に係る半導体装置の製造方
法におけるトランスファ成形後の状態を示す全体平面図
である。
【図６】この発明の実施例４に係る半導体装置の製造方
法におけるトランスファ成形後の状態を示す全体平面図
である。
【図７】この発明の実施例５に係る半導体装置の製造方
法におけるトランスファ成形後の状態を示す要部断面図
である。
【図８】従来の半導体装置の製造方法におけるトランス
ファ成形後の状態を示す全体平面図である。
【図９】従来の半導体装置の製造方法におけるトランス
ファ成形後の状態を示す一部平面図である。
【図１０】図９のXーX線に沿った断面図である。
【図１１】従来の半導体装置の製造方法を示す工程図で
ある。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ従来の半導体装置
の製造方法におけるモールディング工程の工程断面図で
ある。
【図１３】渋滞の半導体装置の製造方法におけるゲート
残りを示す側面図である。
【符号の説明】
１ リードフレーム １ａ フレーム枠 １ｂ リード部 ２ パッケージ ５ 半導体素子 １０ 封止樹脂 １１ ゲート １２ キャビティ ２０、２２、２３、２４ ポリイミドテープ（樹脂剥離
部材） ２５ ランド

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレーム上に半導体素子を搭載す
    るダイボンディング工程と、半導体素子の電極パッドと
    前記リードフレームのリード部とを接続するワイヤボン
    ディング工程と、前記半導体素子をトランスファ成形に
    より樹脂封止してパッケージを形成するモールディング
    工程と、リード成形工程とを備えた半導体装置の製造方
    法において、 前記モールディング工程に先立って、封止樹脂との密着
    力が前記リードフレームとの密着力より大きい樹脂剥離
    部材を前記リードフレームの少なくとも封止樹脂が流動
    してキャビティ内に充填する経路に接する部分に設け、
    前記モールディング工程後、前記経路内で硬化した封止
    樹脂を前記樹脂剥離部材とともに前記リードフレームか
    ら分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 リードフレームの封止樹脂が流動してキ
    ャビティ内に充填する経路のゲートに対応する部分に樹
    脂剥離部材を設けることを特徴とする請求項１記載の半
    導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 リードフレームの長手方向に複数の半導
    体素子を搭載し、前記リードフレームの長手方向ほぼ全
    長にわたって樹脂剥離部材を設けることを特徴とする請
    求項１記載の半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 リードフレームの封止樹脂が流動してキ
    ャビティ内に充填する経路のランドに対応する部分に樹
    脂剥離部材の端部が位置していることを特徴とする請求
    項１記載の半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 樹脂剥離部材は、ポリイミド樹脂からな
    る基材と、前記基材の一面側に設けられ前記基材とリー
    ドフレームとを接合する接合層とからなることを特徴と
    する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 接合層がフェノール系熱硬化性樹脂であ
    ることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方
    法。
  7. 【請求項７】 ワイヤボンディング工程に先立って、樹
    脂剥離部材をリードフレームに設けることを特徴とする
    請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 フレーム枠、リード部およびダイパッド
    を備え、前記ダイパッド上に半導体素子が搭載され、半
    導体素子の電極パッドとリード部とがワイヤボンディン
    グされ、前記半導体素子をトランスファ成形により樹脂
    封止してパッケージが形成される半導体装置のリードフ
    レームにおいて、 前記フレーム枠の少なくとも封止樹脂が流動してキャビ
    ティ内に充填する経路に接する部分に、前記封止樹脂と
    の密着力が前記フレーム枠との密着力より大きい樹脂剥
    離部材を設けたことを特徴とする半導体装置のリードフ
    レーム。
  9. 【請求項９】 リードフレーム上に半導体素子が搭載さ
    れ、この半導体素子の電極パッドと前記リードフレーム
    のリード部とがワイヤボンディングされ、前記半導体素
    子をトランスファ成形により樹脂封止してパッケージが
    形成されてなる半導体装置において、 前記リードフレームの少なくとも封止樹脂が流動してキ
    ャビティ内に充填する経路に接する部分に、前記封止樹
    脂との密着力が前記リードフレームとの密着力より大き
    い樹脂剥離部材を設け、前記経路内で硬化した前記封止
    樹脂を前記樹脂剥離部材とともに分離するようにしたこ
    とを特徴とする半導体装置。
JP13160193A 1993-06-02 1993-06-02 半導体装置及びその製造方法並びにそれらに用いるリードフレーム Pending JPH06342816A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0728567A1 (en) * 1995-02-22 1996-08-28 Apic Yamada Corporation A method and machine for resin molding
KR100531423B1 (ko) * 2000-10-16 2005-11-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 리드프레임 및 이에 적용되는 몰드다이, 그리고 이를 이용한 패키지 제조장치.
JP2013026550A (ja) * 2011-07-25 2013-02-04 Apic Yamada Corp 半導体装置の製造方法
KR101253183B1 (ko) * 2007-01-26 2013-04-10 엘지전자 주식회사 인쇄회로기판, 이를 포함하는 발광 장치 및 그 제조 방법
CN109291342A (zh) * 2017-07-25 2019-02-01 深圳市美好创亿医疗科技有限公司 去披锋方法

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