JPH06342816A - 半導体装置及びその製造方法並びにそれらに用いるリードフレーム - Google Patents
半導体装置及びその製造方法並びにそれらに用いるリードフレームInfo
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- JPH06342816A JPH06342816A JP13160193A JP13160193A JPH06342816A JP H06342816 A JPH06342816 A JP H06342816A JP 13160193 A JP13160193 A JP 13160193A JP 13160193 A JP13160193 A JP 13160193A JP H06342816 A JPH06342816 A JP H06342816A
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Mechanical Engineering (AREA)
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、ゲート残りの発生しない半導体
装置を得ることを目的とし、また、この半導体装置に適
した製造方法およびリードフレームを提供することを目
的とする。 【構成】 半導体素子5がリードフレーム1に搭載さ
れ、その電極パッドとリード部とがボンディングワイヤ
6を用いてワイヤボンディングされる。そして、半導体
素子5がモールディングされてパッケージ2が形成され
る。ここで、モールディング工程に先立って、リードフ
レーム1のフレーム枠にはその長手方向ほぼ全長にわた
ってポリイミドテープ20が貼付けられている。そこ
で、パッケージ2およびリードフレーム1を矢印A方向
に曲げて、カル3およびゲート部カル4がリードフレー
ム1からポリイミドテープ20とともに分離される。
装置を得ることを目的とし、また、この半導体装置に適
した製造方法およびリードフレームを提供することを目
的とする。 【構成】 半導体素子5がリードフレーム1に搭載さ
れ、その電極パッドとリード部とがボンディングワイヤ
6を用いてワイヤボンディングされる。そして、半導体
素子5がモールディングされてパッケージ2が形成され
る。ここで、モールディング工程に先立って、リードフ
レーム1のフレーム枠にはその長手方向ほぼ全長にわた
ってポリイミドテープ20が貼付けられている。そこ
で、パッケージ2およびリードフレーム1を矢印A方向
に曲げて、カル3およびゲート部カル4がリードフレー
ム1からポリイミドテープ20とともに分離される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、トランスファ形成時
に封止樹脂が流動してキャビティ内に充填する経路内で
硬化した封止樹脂をリードフレームから完全に取り除く
ことができる半導体装置及びその製造方法並びにそれら
に用いるリードフレームに関するものである。
に封止樹脂が流動してキャビティ内に充填する経路内で
硬化した封止樹脂をリードフレームから完全に取り除く
ことができる半導体装置及びその製造方法並びにそれら
に用いるリードフレームに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図8および図9はそれぞれ従来の半導体
装置の製造方法におけるトランスファ成形後の状態を示
す全体平面図および一部平面図、図10は図9のXーX線
に沿った断面図であり、図において1は半導体素子5が
搭載されるリードフレーム、1aはリードフレーム1の
フレーム枠、1bは半導体素子5の電極端子とボンディ
ングワイヤ6により電気的に接続され、半導体素子5と
外部装置(図示せず)との信号の授受を行うリード部、
1cは例えば半導体素子5を搭載する際にリードフレー
ム1を位置決めするためにフレーム枠1aに形成された
位置決め穴である。2はリードフレーム1に搭載された
状態で半導体素子5を樹脂封止してなるパッケージ、3
はトランスファ成形の際に金型のポット内に残留した封
止樹脂が硬化してなるカル、4はトランスファ成形の際
に金型のポットからキャビティに充填する経路としての
ゲート内に残留した封止樹脂が硬化してなるゲート部カ
ルである。
装置の製造方法におけるトランスファ成形後の状態を示
す全体平面図および一部平面図、図10は図9のXーX線
に沿った断面図であり、図において1は半導体素子5が
搭載されるリードフレーム、1aはリードフレーム1の
フレーム枠、1bは半導体素子5の電極端子とボンディ
ングワイヤ6により電気的に接続され、半導体素子5と
外部装置(図示せず)との信号の授受を行うリード部、
1cは例えば半導体素子5を搭載する際にリードフレー
ム1を位置決めするためにフレーム枠1aに形成された
位置決め穴である。2はリードフレーム1に搭載された
状態で半導体素子5を樹脂封止してなるパッケージ、3
はトランスファ成形の際に金型のポット内に残留した封
止樹脂が硬化してなるカル、4はトランスファ成形の際
に金型のポットからキャビティに充填する経路としての
ゲート内に残留した封止樹脂が硬化してなるゲート部カ
ルである。
【0003】つぎに、従来の半導体装置の製造方法につ
いて図11に基づいて説明する。まず、プレス加工等に
よりフレーム枠1a、リード部1b、位置決め穴1c等
を有するリードフレーム1が形成される。ついで、ダイ
ボンディング工程100において、半導体素子5がリー
ドフレーム1のダイパッド部に接合される。そして、ワ
イヤボンディング工程101において、半導体素子5の
電極パッドとリード部1bとがボンディングワイヤ6を
用いてワイヤボンディングされる。ここで、1枚のリー
ドフレーム1には多数の半導体素子5(図8の場合には
6個)が搭載されている。その後、モールディング工程
102において、金型にリードフレーム1をセットし、
エポキシ樹脂等の高分子樹脂からなる封止樹脂を用いト
ランスファ成形により樹脂封止して、パッケージ2が形
成される。ついで、リード成形工程103において、レ
ジンカット、タイバーカット、リードカットおよびリー
ドベントすることにより、パッケージ2内に半導体素子
5がモールドされ、パッケージ2から突出するリード部
1bが所望形状に折り曲げられた半導体装置が製造され
る。
いて図11に基づいて説明する。まず、プレス加工等に
よりフレーム枠1a、リード部1b、位置決め穴1c等
を有するリードフレーム1が形成される。ついで、ダイ
ボンディング工程100において、半導体素子5がリー
ドフレーム1のダイパッド部に接合される。そして、ワ
イヤボンディング工程101において、半導体素子5の
電極パッドとリード部1bとがボンディングワイヤ6を
用いてワイヤボンディングされる。ここで、1枚のリー
ドフレーム1には多数の半導体素子5(図8の場合には
6個)が搭載されている。その後、モールディング工程
102において、金型にリードフレーム1をセットし、
エポキシ樹脂等の高分子樹脂からなる封止樹脂を用いト
ランスファ成形により樹脂封止して、パッケージ2が形
成される。ついで、リード成形工程103において、レ
ジンカット、タイバーカット、リードカットおよびリー
ドベントすることにより、パッケージ2内に半導体素子
5がモールドされ、パッケージ2から突出するリード部
1bが所望形状に折り曲げられた半導体装置が製造され
る。
【0004】ここで、モールディング工程102につい
て図12に基づいてさらに詳細に説明する。モールディ
ング工程102では、まず、図12の(a)に示すよう
に、半導体素子5が搭載されたリードフレーム1が所定
温度に保たれた金型8内にセットされる。ついで、図1
2の(b)に示すように、金型8のポット9内に封止樹
脂10のタブレットが投入される。そこで、図12の
(c)に示すように、加圧して金型8の熱で溶融された
封止樹脂10をゲート11を介してキャビティ12内に
充填し、硬化する。そして、キャビティ12内に充填さ
れた封止樹脂10が硬化した後、図12の(d)に示す
ように、金型8からリードフレーム1を取り出すことに
より、1枚のリードフレーム1に多数の半導体装置が一
度に製造される。ここで、金型8のポット9およびゲー
ト11に残留している封止樹脂10も硬化し、図8に示
すように、カル3およびゲート部カル4としてリードフ
レーム1と一体成形されている。そこで、カル3および
ゲート部カル4を固定した状態でリードフレーム1およ
びパッケージ2に図10の矢印A方向に力を加え、カル
3およびゲート部カル4を分離する。分離されたカル3
およびゲート部カル4は廃材として処分される。
て図12に基づいてさらに詳細に説明する。モールディ
ング工程102では、まず、図12の(a)に示すよう
に、半導体素子5が搭載されたリードフレーム1が所定
温度に保たれた金型8内にセットされる。ついで、図1
2の(b)に示すように、金型8のポット9内に封止樹
脂10のタブレットが投入される。そこで、図12の
(c)に示すように、加圧して金型8の熱で溶融された
封止樹脂10をゲート11を介してキャビティ12内に
充填し、硬化する。そして、キャビティ12内に充填さ
れた封止樹脂10が硬化した後、図12の(d)に示す
ように、金型8からリードフレーム1を取り出すことに
より、1枚のリードフレーム1に多数の半導体装置が一
度に製造される。ここで、金型8のポット9およびゲー
ト11に残留している封止樹脂10も硬化し、図8に示
すように、カル3およびゲート部カル4としてリードフ
レーム1と一体成形されている。そこで、カル3および
ゲート部カル4を固定した状態でリードフレーム1およ
びパッケージ2に図10の矢印A方向に力を加え、カル
3およびゲート部カル4を分離する。分離されたカル3
およびゲート部カル4は廃材として処分される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されていたので、カル3およびゲート部
カル4を分離する際に、図13に示すように、フレーム
枠1a上にゲート部カル4の一部が残るいわゆるゲート
残り13が発生しやすく、このゲート残り13が次工程
でのトラブルの原因となるという課題があった。また、
このトラブルを避けるためには、ゲート残り13を人手
によって除去しなければならず、製造時間やコストが上
昇するという課題もあった。
上のように構成されていたので、カル3およびゲート部
カル4を分離する際に、図13に示すように、フレーム
枠1a上にゲート部カル4の一部が残るいわゆるゲート
残り13が発生しやすく、このゲート残り13が次工程
でのトラブルの原因となるという課題があった。また、
このトラブルを避けるためには、ゲート残り13を人手
によって除去しなければならず、製造時間やコストが上
昇するという課題もあった。
【0006】この発明は、上記のような課題を解消する
ためになされたもので、ゲート残りが発生しない半導体
装置を得ることを目的とし、またこの半導体装置に適し
た製造方法及びリードフレームを提供することを目的と
する。
ためになされたもので、ゲート残りが発生しない半導体
装置を得ることを目的とし、またこの半導体装置に適し
た製造方法及びリードフレームを提供することを目的と
する。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
る半導体装置の製造方法は、リードフレーム上に半導体
素子を搭載するダイボンディング工程と、半導体素子の
電極パッドとリードフレームのリード部とを接続するワ
イヤボンディング工程と、半導体素子をトランスファ成
形により樹脂封止してパッケージを形成するモールディ
ング工程と、リード成形工程とを備えた半導体装置の製
造方法において、モールディング工程に先立って、封止
樹脂との密着力がリードフレームとの密着力より大きい
樹脂剥離部材をリードフレームの少なくとも封止樹脂が
流動してキャビティ内に充填する経路に接する部分に設
け、モールディング工程後、経路内で硬化した封止樹脂
を樹脂剥離部材とともにリードフレームから分離するも
のである。
る半導体装置の製造方法は、リードフレーム上に半導体
素子を搭載するダイボンディング工程と、半導体素子の
電極パッドとリードフレームのリード部とを接続するワ
イヤボンディング工程と、半導体素子をトランスファ成
形により樹脂封止してパッケージを形成するモールディ
ング工程と、リード成形工程とを備えた半導体装置の製
造方法において、モールディング工程に先立って、封止
樹脂との密着力がリードフレームとの密着力より大きい
樹脂剥離部材をリードフレームの少なくとも封止樹脂が
流動してキャビティ内に充填する経路に接する部分に設
け、モールディング工程後、経路内で硬化した封止樹脂
を樹脂剥離部材とともにリードフレームから分離するも
のである。
【0008】また、この発明の請求項2に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの封止樹脂が流動してキ
ャビティ内に充填する経路のゲートに対応する部分に樹
脂剥離部材を設けるものである。
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの封止樹脂が流動してキ
ャビティ内に充填する経路のゲートに対応する部分に樹
脂剥離部材を設けるものである。
【0009】また、この発明の請求項3に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの長手方向に複数の半導
体素子を搭載し、リードフレームの長手方向ほぼ全長に
わたって樹脂剥離部材を設けるものである。
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの長手方向に複数の半導
体素子を搭載し、リードフレームの長手方向ほぼ全長に
わたって樹脂剥離部材を設けるものである。
【0010】また、この発明の請求項4に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの封止樹脂が流動してキ
ャビティ内に充填する経路のランドに対応する部分に樹
脂剥離部材の端部が位置しているものである。
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの封止樹脂が流動してキ
ャビティ内に充填する経路のランドに対応する部分に樹
脂剥離部材の端部が位置しているものである。
【0011】また、この発明の請求項5に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、樹脂剥離部材は、ポリイミド樹脂からな
る基材と、基材の一面側に設けられ基材とリードフレー
ムとを接合する接合層とからなるものである。
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、樹脂剥離部材は、ポリイミド樹脂からな
る基材と、基材の一面側に設けられ基材とリードフレー
ムとを接合する接合層とからなるものである。
【0012】また、この発明の請求項6に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項5に係る半導体装置の製造
方法において、接合層がフェノール系熱硬化性樹脂であ
るものである。
置の製造方法は、上記請求項5に係る半導体装置の製造
方法において、接合層がフェノール系熱硬化性樹脂であ
るものである。
【0013】また、この発明の請求項7に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、ワイヤボンディング工程に先立って、樹
脂剥離部材をリードフレームに設けるものである。
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、ワイヤボンディング工程に先立って、樹
脂剥離部材をリードフレームに設けるものである。
【0014】また、この発明の請求項8に係るリードフ
レームは、フレーム枠、リード部およびダイパッドを備
え、ダイパッド上に半導体素子が搭載され、半導体素子
の電極パッドとリード部とがワイヤボンディングされ、
半導体素子をトランスファ成形により樹脂封止してパッ
ケージが形成される半導体装置のリードフレームにおい
て、フレーム枠の少なくとも封止樹脂が流動してキャビ
ティ内に充填する経路に接する部分に、封止樹脂との密
着力がフレーム枠との密着力より大きい樹脂剥離部材を
設けたものである。
レームは、フレーム枠、リード部およびダイパッドを備
え、ダイパッド上に半導体素子が搭載され、半導体素子
の電極パッドとリード部とがワイヤボンディングされ、
半導体素子をトランスファ成形により樹脂封止してパッ
ケージが形成される半導体装置のリードフレームにおい
て、フレーム枠の少なくとも封止樹脂が流動してキャビ
ティ内に充填する経路に接する部分に、封止樹脂との密
着力がフレーム枠との密着力より大きい樹脂剥離部材を
設けたものである。
【0015】また、この発明の請求項9に係る半導体装
置は、リードフレーム上に半導体素子が搭載され、この
半導体素子の電極パッドとリードフレームのリード部と
がワイヤボンディングされ、半導体素子をトランスファ
成形により樹脂封止してパッケージが形成されてなる半
導体装置において、リードフレームの少なくとも封止樹
脂が流動してキャビティ内に充填する経路に接する部分
に、封止樹脂との密着力が前記リードフレームとの密着
力より大きい樹脂剥離部材を設け、経路内で硬化した封
止樹脂を樹脂剥離部材とともに分離するようにしたもの
である。
置は、リードフレーム上に半導体素子が搭載され、この
半導体素子の電極パッドとリードフレームのリード部と
がワイヤボンディングされ、半導体素子をトランスファ
成形により樹脂封止してパッケージが形成されてなる半
導体装置において、リードフレームの少なくとも封止樹
脂が流動してキャビティ内に充填する経路に接する部分
に、封止樹脂との密着力が前記リードフレームとの密着
力より大きい樹脂剥離部材を設け、経路内で硬化した封
止樹脂を樹脂剥離部材とともに分離するようにしたもの
である。
【0016】
【作用】この発明の請求項1に係る半導体装置の製造方
法においては、モールディング工程に先立って、封止樹
脂との密着力がリードフレームとの密着力より大きい樹
脂剥離部材をリードフレームの少なくとも封止樹脂が流
動してキャビティ内に充填する経路に接する部分に設け
ているので、経路内で硬化した封止樹脂は、樹脂剥離部
材上に密着し、モールディング工程後樹脂剥離部材とと
もにリードフレームから分離され、リードフレームから
完全に取り除かれる。従って、次工程でのトラブルの原
因となったり人手で除去する必要があるゲート残りが発
生せず、トラブルの発生を少なくすることができ、製造
時間や製造コストを下げることができる。
法においては、モールディング工程に先立って、封止樹
脂との密着力がリードフレームとの密着力より大きい樹
脂剥離部材をリードフレームの少なくとも封止樹脂が流
動してキャビティ内に充填する経路に接する部分に設け
ているので、経路内で硬化した封止樹脂は、樹脂剥離部
材上に密着し、モールディング工程後樹脂剥離部材とと
もにリードフレームから分離され、リードフレームから
完全に取り除かれる。従って、次工程でのトラブルの原
因となったり人手で除去する必要があるゲート残りが発
生せず、トラブルの発生を少なくすることができ、製造
時間や製造コストを下げることができる。
【0017】また、この発明の請求項2に係る半導体装
置の製造方法においては、リードフレームの封止樹脂が
流動してキャビティ内に充填する経路のゲートに対応す
る部分に樹脂剥離部材を設けているので、樹脂剥離部材
の面積が小さくなってその剥離が容易になるため、経路
内で硬化した封止樹脂を一層確実にリードフレームから
取り除くことができる。また、樹脂剥離部材をリードフ
レーム上にマウントすることができるようになり、樹脂
剥離部材の取り付けが容易になる。
置の製造方法においては、リードフレームの封止樹脂が
流動してキャビティ内に充填する経路のゲートに対応す
る部分に樹脂剥離部材を設けているので、樹脂剥離部材
の面積が小さくなってその剥離が容易になるため、経路
内で硬化した封止樹脂を一層確実にリードフレームから
取り除くことができる。また、樹脂剥離部材をリードフ
レーム上にマウントすることができるようになり、樹脂
剥離部材の取り付けが容易になる。
【0018】また、この発明の請求項3に係る半導体装
置の製造方法においては、リードフレームの長手方向に
複数の半導体素子を搭載し、リードフレームの長手方向
ほぼ全長にわたって樹脂剥離部材を設けているので、樹
脂剥離部材の面積が大きく、その取り付け状態が安定さ
れる。また、経路内で硬化した封止樹脂をリードフレー
ムから取り除く際に、半導体素子を樹脂封止するキャビ
ティ毎に封止樹脂を充填する経路内で硬化した封止樹脂
が樹脂剥離部材で連結されて、その回収が容易となる。
置の製造方法においては、リードフレームの長手方向に
複数の半導体素子を搭載し、リードフレームの長手方向
ほぼ全長にわたって樹脂剥離部材を設けているので、樹
脂剥離部材の面積が大きく、その取り付け状態が安定さ
れる。また、経路内で硬化した封止樹脂をリードフレー
ムから取り除く際に、半導体素子を樹脂封止するキャビ
ティ毎に封止樹脂を充填する経路内で硬化した封止樹脂
が樹脂剥離部材で連結されて、その回収が容易となる。
【0019】また、この発明の請求項4に係る半導体装
置の製造方法においては、リードフレームの封止樹脂が
流動してキャビティ内に充填する経路のランドに対応す
る部分に樹脂剥離部材の端部が位置しているので、経路
の断面積の小さいランド内で硬化した封止樹脂が樹脂剥
離部材とともに取り外されるため、硬化した封止樹脂を
より一層完全にパッケージから取り外すことができる。
置の製造方法においては、リードフレームの封止樹脂が
流動してキャビティ内に充填する経路のランドに対応す
る部分に樹脂剥離部材の端部が位置しているので、経路
の断面積の小さいランド内で硬化した封止樹脂が樹脂剥
離部材とともに取り外されるため、硬化した封止樹脂を
より一層完全にパッケージから取り外すことができる。
【0020】また、この発明の請求項5に係る半導体装
置の製造方法においては、樹脂剥離部材を、ポリイミド
樹脂からなる基材と、基材の一面側に設けられ基材とリ
ードフレームとを接合する接合層とからなる構成してい
るので、基材の耐熱性が優れ基材の熱収縮が抑えられ、
リードフレームの変形等の発生を抑制することができ
る。
置の製造方法においては、樹脂剥離部材を、ポリイミド
樹脂からなる基材と、基材の一面側に設けられ基材とリ
ードフレームとを接合する接合層とからなる構成してい
るので、基材の耐熱性が優れ基材の熱収縮が抑えられ、
リードフレームの変形等の発生を抑制することができ
る。
【0021】また、この発明の請求項6に係る半導体装
置の製造方法においては、接合層をフェノール系熱硬化
性樹脂としているので、基材とリードフレームとの密着
力を基材と硬化した封止樹脂との密着力よりも確実に下
げることができ、経路内で硬化した封止樹脂を樹脂剥離
部材とともにリードフレームから容易に取り去ることが
できる。
置の製造方法においては、接合層をフェノール系熱硬化
性樹脂としているので、基材とリードフレームとの密着
力を基材と硬化した封止樹脂との密着力よりも確実に下
げることができ、経路内で硬化した封止樹脂を樹脂剥離
部材とともにリードフレームから容易に取り去ることが
できる。
【0022】また、この発明の請求項7に係る半導体装
置の製造方法においては、ワイヤボンディング工程に先
立って、樹脂剥離部材をリードフレームに設けているの
で、樹脂剥離部材の取り付け作業による半導体素子の電
極パッドとリード部とを接続するボンディングワイヤの
変形等がなく、半導体装置の不良率を著しく下げること
ができる。
置の製造方法においては、ワイヤボンディング工程に先
立って、樹脂剥離部材をリードフレームに設けているの
で、樹脂剥離部材の取り付け作業による半導体素子の電
極パッドとリード部とを接続するボンディングワイヤの
変形等がなく、半導体装置の不良率を著しく下げること
ができる。
【0023】また、この発明の請求項8に係る半導体装
置のリードフレームにおいては、フレーム枠の少なくと
も封止樹脂が流動してキャビティ内に充填する経路に接
する部分に、封止樹脂との密着力がフレーム枠との密着
力より大きい樹脂剥離部材を設けているので、モールデ
ィング工程の後、経路内で硬化した封止樹脂を樹脂剥離
部材とともに容易に取り去ることができる。
置のリードフレームにおいては、フレーム枠の少なくと
も封止樹脂が流動してキャビティ内に充填する経路に接
する部分に、封止樹脂との密着力がフレーム枠との密着
力より大きい樹脂剥離部材を設けているので、モールデ
ィング工程の後、経路内で硬化した封止樹脂を樹脂剥離
部材とともに容易に取り去ることができる。
【0024】また、この発明の請求項9に係る半導体装
置においては、リードフレームの少なくとも封止樹脂が
流動してキャビティ内に充填する経路に接する部分に、
封止樹脂との密着力が前記リードフレームとの密着力よ
り大きい樹脂剥離部材を設け、経路内で硬化した封止樹
脂を樹脂剥離部材とともに分離するようにしているの
で、次工程でのトラブルの原因となったり人手で除去す
る必要があるゲート残りが発生せず、トラブルの発生を
少なくすることができ、製造時間や製造コストを下げる
ことができる。
置においては、リードフレームの少なくとも封止樹脂が
流動してキャビティ内に充填する経路に接する部分に、
封止樹脂との密着力が前記リードフレームとの密着力よ
り大きい樹脂剥離部材を設け、経路内で硬化した封止樹
脂を樹脂剥離部材とともに分離するようにしているの
で、次工程でのトラブルの原因となったり人手で除去す
る必要があるゲート残りが発生せず、トラブルの発生を
少なくすることができ、製造時間や製造コストを下げる
ことができる。
【0025】
実施例1.この実施例1は、この発明の請求項1、3、
5〜9に係る一実施例である。図1および図2はそれぞ
れこの発明の実施例1に係る半導体装置の製造方法にお
けるトランスファ成形後の状態を示す全体平面図および
一部平面図、図3は図2のIIIーIII線に沿った断面図で
あり、図8〜10に示した従来の半導体装置の製造方法
と同一又は相当部分には同一符号を付し、その説明は省
略する。
5〜9に係る一実施例である。図1および図2はそれぞ
れこの発明の実施例1に係る半導体装置の製造方法にお
けるトランスファ成形後の状態を示す全体平面図および
一部平面図、図3は図2のIIIーIII線に沿った断面図で
あり、図8〜10に示した従来の半導体装置の製造方法
と同一又は相当部分には同一符号を付し、その説明は省
略する。
【0026】図において、20はポリイミド樹脂からな
る基材と、この基材の一面側に設けられたフェノール系
熱硬化性樹脂の接合層とから構成され、さらにリードフ
レーム1の位置決め穴1cを避けるように位置決め穴1
cと同径の開口部20aが設けられた樹脂剥離部材とし
てのポリイミドテープである。このポリイミドテープ2
0は、リードフレーム1のフレーム枠1a上に長手方向
ほぼ全長に貼付されている。
る基材と、この基材の一面側に設けられたフェノール系
熱硬化性樹脂の接合層とから構成され、さらにリードフ
レーム1の位置決め穴1cを避けるように位置決め穴1
cと同径の開口部20aが設けられた樹脂剥離部材とし
てのポリイミドテープである。このポリイミドテープ2
0は、リードフレーム1のフレーム枠1a上に長手方向
ほぼ全長に貼付されている。
【0027】次に、この実施例1による半導体装置の製
造方法について説明する。まず、リードフレーム1のフ
レーム枠1a上に開口部20aが位置決め穴1cに一致
するようにポリイミドテープ20を貼付する。続いて、
従来と同様のダイボンディング工程100、ワイヤボン
ディング工程101、さらにモールディング工程102
がリードフレーム1に施され、図1及び図2に示した状
態のものが製造される。そして、リードフレーム1を金
型8から取り出した後、従来と同様に、カル3及びゲー
ト部カル4を固定してリードフレーム1及びパッケージ
2に図3の(a)のように矢印Aの方向の力を加え、ゲー
ト部カル4をリードフレーム1の上面から分離する。
造方法について説明する。まず、リードフレーム1のフ
レーム枠1a上に開口部20aが位置決め穴1cに一致
するようにポリイミドテープ20を貼付する。続いて、
従来と同様のダイボンディング工程100、ワイヤボン
ディング工程101、さらにモールディング工程102
がリードフレーム1に施され、図1及び図2に示した状
態のものが製造される。そして、リードフレーム1を金
型8から取り出した後、従来と同様に、カル3及びゲー
ト部カル4を固定してリードフレーム1及びパッケージ
2に図3の(a)のように矢印Aの方向の力を加え、ゲー
ト部カル4をリードフレーム1の上面から分離する。
【0028】ここで、ポリイミドテープ20は接合層と
してフェノール系熱硬化性樹脂を用いているので、ポリ
イミドテープ20とリードフレーム1との密着力が、ポ
リイミドテープ20とゲート部カル4(即ち、封止樹脂
10)との密着力よりも小さくなり、図3の(b)のよう
にゲート部カル4はポリイミドテープ20とともにリー
ドフレーム1から分離され、ゲート残り13がリードフ
レーム1上に残ることはない。その後、リード成形工程
103により、パッケージ2から突出するリード部1b
が所望形状に折り曲げられた半導体装置が1つのリード
フレーム1から複数(この場合、8個)得られる。
してフェノール系熱硬化性樹脂を用いているので、ポリ
イミドテープ20とリードフレーム1との密着力が、ポ
リイミドテープ20とゲート部カル4(即ち、封止樹脂
10)との密着力よりも小さくなり、図3の(b)のよう
にゲート部カル4はポリイミドテープ20とともにリー
ドフレーム1から分離され、ゲート残り13がリードフ
レーム1上に残ることはない。その後、リード成形工程
103により、パッケージ2から突出するリード部1b
が所望形状に折り曲げられた半導体装置が1つのリード
フレーム1から複数(この場合、8個)得られる。
【0029】なお、ポリイミドテープ20の厚さは0.
1mmであり、ランド(トランスファ成形される際に封
止樹脂10がゲート11からキャビティ12に充填され
る経路の断面積の小さい部分)の厚さよりも薄くされて
いる。
1mmであり、ランド(トランスファ成形される際に封
止樹脂10がゲート11からキャビティ12に充填され
る経路の断面積の小さい部分)の厚さよりも薄くされて
いる。
【0030】このように、この実施例1によれば、モー
ルディング工程102に先立ってポリイミドテープ20
をリードフレーム1のフレーム枠1a上に長手方向に貼
付しているので、モールディング工程102の際にゲー
ト11を通ってキャビティ12に充填される封止樹脂1
0はフレーム枠1aと接することなくポリイミドテープ
20上で硬化することになる。さらに、ポリイミドテー
プ20とリードフレーム1との密着力が、ポリイミドテ
ープ20とゲート部カル4(即ち、封止樹脂10)との
密着力よりも小さくなるように設定し、モールディング
工程102の後、ポット9およびゲート11内で硬化し
た封止樹脂10をポリイミドテープ20とともにリード
フレーム1から分離しているので、ゲート残り13を残
すことなくカル3およびゲート部カル4を確実に取り除
くことができる。したがって、後工程でのトラブルが低
減され、ゲート残り13の除去作業が不要となり、製造
時間や製造コストを下げることができる。
ルディング工程102に先立ってポリイミドテープ20
をリードフレーム1のフレーム枠1a上に長手方向に貼
付しているので、モールディング工程102の際にゲー
ト11を通ってキャビティ12に充填される封止樹脂1
0はフレーム枠1aと接することなくポリイミドテープ
20上で硬化することになる。さらに、ポリイミドテー
プ20とリードフレーム1との密着力が、ポリイミドテ
ープ20とゲート部カル4(即ち、封止樹脂10)との
密着力よりも小さくなるように設定し、モールディング
工程102の後、ポット9およびゲート11内で硬化し
た封止樹脂10をポリイミドテープ20とともにリード
フレーム1から分離しているので、ゲート残り13を残
すことなくカル3およびゲート部カル4を確実に取り除
くことができる。したがって、後工程でのトラブルが低
減され、ゲート残り13の除去作業が不要となり、製造
時間や製造コストを下げることができる。
【0031】また、ポリイミドテープ20がリードフレ
ーム1のフレーム枠1aの長手方向ほぼ全長にわたって
貼付けされているので、ゲート11毎のゲート部カル4
はポリイミドテープ20で連結され、それらを一括して
回収でき、その回収が容易となる。
ーム1のフレーム枠1aの長手方向ほぼ全長にわたって
貼付けされているので、ゲート11毎のゲート部カル4
はポリイミドテープ20で連結され、それらを一括して
回収でき、その回収が容易となる。
【0032】また、ポリイミド樹脂を基材とするポリイ
ミドテープ20を用いているので、基材の耐熱性が優
れ、熱収縮することがなく、基材の熱収縮にともなうリ
ードフレーム1の変形が発生せず、半導体装置の歩留ま
りが向上する。
ミドテープ20を用いているので、基材の耐熱性が優
れ、熱収縮することがなく、基材の熱収縮にともなうリ
ードフレーム1の変形が発生せず、半導体装置の歩留ま
りが向上する。
【0033】また、フェノール系熱硬化性樹脂を接合層
とするポリイミドテープ20を用いているので、ポリイ
ミドテープ20とリードフレーム1と密着力が、ポリイ
ミドテープ20と封止樹脂10との密着力より小さくな
り、硬化した封止樹脂10をリードフレーム1から容易
に分離することができる。
とするポリイミドテープ20を用いているので、ポリイ
ミドテープ20とリードフレーム1と密着力が、ポリイ
ミドテープ20と封止樹脂10との密着力より小さくな
り、硬化した封止樹脂10をリードフレーム1から容易
に分離することができる。
【0034】また、ポリイミドテープ20の貼付けをワ
イヤボンディング工程100に先立って行っているの
で、ポリイミドテープ20を貼付ける際にボンディング
ワイヤ6にダメージを与えるおそれがなく、ボンディン
グワイヤ6の断線、曲げの発生が抑制され、半導体装置
の不良率を著しく下げて、歩留まりを向上できる。
イヤボンディング工程100に先立って行っているの
で、ポリイミドテープ20を貼付ける際にボンディング
ワイヤ6にダメージを与えるおそれがなく、ボンディン
グワイヤ6の断線、曲げの発生が抑制され、半導体装置
の不良率を著しく下げて、歩留まりを向上できる。
【0035】なお、上記実施例1では、樹脂剥離部材と
してポリイミドテープ20を用いるものとしているが、
樹脂剥離部材はポリイミドテープ20に限らずリードフ
レーム1との密着力が封止樹脂10との密着力より小さ
いものであればよい。また、ポリイミドテープ20の接
合層としてはフェノール系熱硬化性樹脂を用いたが、ア
クリル系や他の接着剤でもよい。
してポリイミドテープ20を用いるものとしているが、
樹脂剥離部材はポリイミドテープ20に限らずリードフ
レーム1との密着力が封止樹脂10との密着力より小さ
いものであればよい。また、ポリイミドテープ20の接
合層としてはフェノール系熱硬化性樹脂を用いたが、ア
クリル系や他の接着剤でもよい。
【0036】実施例2.この実施例2はこの発明の請求
項2に係る一実施例である。上記実施例1では、ポリイ
ミドテープ20をリードフレーム1のフレーム枠1aの
長手方向ほぼ全長にわたって貼付するものとしている
が、この実施例2では、図4に示すように、ゲート11
に対応する部分の近傍のみにポリイミドテープ22を貼
付するものとしている。
項2に係る一実施例である。上記実施例1では、ポリイ
ミドテープ20をリードフレーム1のフレーム枠1aの
長手方向ほぼ全長にわたって貼付するものとしている
が、この実施例2では、図4に示すように、ゲート11
に対応する部分の近傍のみにポリイミドテープ22を貼
付するものとしている。
【0037】このように、この実施例2によれば、ポリ
イミドテープ22の面積が小さいので、ポリイミドテー
プ22とリードフレーム1との密着力が小さく、ゲート
部カル4をリードフレーム1から取り除く際にポリイミ
ドテープ22が確実に剥離し、ゲート部カル4の除去が
上記実施例1の場合よりも一層確実になる。また、ポリ
イミドテープ22をリードフレーム1上にマウントする
ことができ、ポリイミドテープ22の貼付け作業が容易
となる。さらに、ポリイミドテープ22の使用量が減
り、製造コストを低減できる。
イミドテープ22の面積が小さいので、ポリイミドテー
プ22とリードフレーム1との密着力が小さく、ゲート
部カル4をリードフレーム1から取り除く際にポリイミ
ドテープ22が確実に剥離し、ゲート部カル4の除去が
上記実施例1の場合よりも一層確実になる。また、ポリ
イミドテープ22をリードフレーム1上にマウントする
ことができ、ポリイミドテープ22の貼付け作業が容易
となる。さらに、ポリイミドテープ22の使用量が減
り、製造コストを低減できる。
【0038】実施例3.この実施例3は請求項1に係る
他の実施例である。上記実施例1では、ポリイミドテー
プ20の開口部20aがリードフレーム1の位置決め穴
1cと同位置にくるようにポリイミドテープ20を貼付
けるものとしているが、この実施例3では、開口部を設
けないポリイミドテープ23を、図5に示すように、リ
ードフレーム1の位置決め穴1aの部分をも覆うように
貼付けるものとしている。
他の実施例である。上記実施例1では、ポリイミドテー
プ20の開口部20aがリードフレーム1の位置決め穴
1cと同位置にくるようにポリイミドテープ20を貼付
けるものとしているが、この実施例3では、開口部を設
けないポリイミドテープ23を、図5に示すように、リ
ードフレーム1の位置決め穴1aの部分をも覆うように
貼付けるものとしている。
【0039】この実施例3によれば、覆われた位置決め
穴1cをリードフレーム1の位置決めに使用することは
できなくなるが、ポリイミドテープ23に開口部を設け
る必要もなく、ポリイミドテープ23の製造コストを下
げることができるとともに、該開口部が位置決め穴1c
と同位置にくるように位置合わせして貼付ける必要もな
く、ポリイミドテープ23の貼付け作業が簡易となる。
穴1cをリードフレーム1の位置決めに使用することは
できなくなるが、ポリイミドテープ23に開口部を設け
る必要もなく、ポリイミドテープ23の製造コストを下
げることができるとともに、該開口部が位置決め穴1c
と同位置にくるように位置合わせして貼付ける必要もな
く、ポリイミドテープ23の貼付け作業が簡易となる。
【0040】実施例4.この実施例4は請求項1に係る
さらに別の実施例である。上記実施例1では、ポリイミ
ドテープ20に位置決め穴1cと同径の開口部20aを
設け、この開口部20aがリードフレーム1の位置決め
穴1cと同位置にくるようにポリイミドテープ20を貼
付けるものとしているが、この実施例4では、図6に示
すように、ポリイミドテープ24に位置決め穴1cより
大きな径の開口部24aを設け、この開口部24aがリ
ードフレーム1の位置決め穴1aを露呈するようにポリ
イミドテープ24を貼付けるものとしている。
さらに別の実施例である。上記実施例1では、ポリイミ
ドテープ20に位置決め穴1cと同径の開口部20aを
設け、この開口部20aがリードフレーム1の位置決め
穴1cと同位置にくるようにポリイミドテープ20を貼
付けるものとしているが、この実施例4では、図6に示
すように、ポリイミドテープ24に位置決め穴1cより
大きな径の開口部24aを設け、この開口部24aがリ
ードフレーム1の位置決め穴1aを露呈するようにポリ
イミドテープ24を貼付けるものとしている。
【0041】この実施例4によれば、ポリイミドテープ
24を貼付する位置が多少ずれてもポリイミドテープ2
4が位置決め穴1cを覆うことがないので、位置決め穴
1cをリードフレーム1の位置決めに確実に使用するこ
とはできる。また、ポリイミドテープ24の貼付位置の
位置決め精度を下げることができるので製造コストを下
げることができる。
24を貼付する位置が多少ずれてもポリイミドテープ2
4が位置決め穴1cを覆うことがないので、位置決め穴
1cをリードフレーム1の位置決めに確実に使用するこ
とはできる。また、ポリイミドテープ24の貼付位置の
位置決め精度を下げることができるので製造コストを下
げることができる。
【0042】実施例5.この実施例5は請求項4に係る
一実施例である。図7はこの発明の実施例5に係る半導
体装置の製造方法におけるトランスファ成形後の状態を
示す要部断面図であり、図において25はランドであ
り、このランド25はトランスファ成形される際に封止
樹脂10がゲート11からキャビティ12に充填される
経路の断面積の小さい部分である。
一実施例である。図7はこの発明の実施例5に係る半導
体装置の製造方法におけるトランスファ成形後の状態を
示す要部断面図であり、図において25はランドであ
り、このランド25はトランスファ成形される際に封止
樹脂10がゲート11からキャビティ12に充填される
経路の断面積の小さい部分である。
【0043】この実施例5では、ポリイミドテープ20
の先端がランド25に対応する部分まで位置している。
このようにすると、ゲート部カル4を折り曲げてパッケ
ージ2から取り外す際に、ランド25内で硬化した封止
樹脂10がポリイミドテープ20とともに取り外される
ため、ゲート部カル4をより一層完全にパッケージ2か
ら取り外すことができる。
の先端がランド25に対応する部分まで位置している。
このようにすると、ゲート部カル4を折り曲げてパッケ
ージ2から取り外す際に、ランド25内で硬化した封止
樹脂10がポリイミドテープ20とともに取り外される
ため、ゲート部カル4をより一層完全にパッケージ2か
ら取り外すことができる。
【0044】
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に記載されるような効果がある。
るので、以下に記載されるような効果がある。
【0045】この発明の請求項1に係る半導体装置の製
造方法は、リードフレーム上に半導体素子を搭載するダ
イボンディング工程と、半導体素子の電極パッドとリー
ドフレームのリード部とを接続するワイヤボンディング
工程と、半導体素子をトランスファ成形により樹脂封止
してパッケージを形成するモールディング工程と、リー
ド成形工程とを備えた半導体装置の製造方法において、
モールディング工程に先立って、封止樹脂との密着力が
リードフレームとの密着力より大きい樹脂剥離部材をリ
ードフレームの少なくとも封止樹脂が流動してキャビテ
ィ内に充填する経路に接する部分に設け、モールディン
グ工程後、経路内で硬化した封止樹脂を樹脂剥離部材と
ともにリードフレームから分離するようにしているの
で、次工程でのトラブルの原因となったり人手で除去す
る必要があるゲート残りが発生せず、トラブルの発生を
少なくすることができ、製造時間や製造コストを下げる
ことができるという効果がある。
造方法は、リードフレーム上に半導体素子を搭載するダ
イボンディング工程と、半導体素子の電極パッドとリー
ドフレームのリード部とを接続するワイヤボンディング
工程と、半導体素子をトランスファ成形により樹脂封止
してパッケージを形成するモールディング工程と、リー
ド成形工程とを備えた半導体装置の製造方法において、
モールディング工程に先立って、封止樹脂との密着力が
リードフレームとの密着力より大きい樹脂剥離部材をリ
ードフレームの少なくとも封止樹脂が流動してキャビテ
ィ内に充填する経路に接する部分に設け、モールディン
グ工程後、経路内で硬化した封止樹脂を樹脂剥離部材と
ともにリードフレームから分離するようにしているの
で、次工程でのトラブルの原因となったり人手で除去す
る必要があるゲート残りが発生せず、トラブルの発生を
少なくすることができ、製造時間や製造コストを下げる
ことができるという効果がある。
【0046】また、この発明の請求項2に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの封止樹脂が流動してキ
ャビティ内に充填する経路のゲートに対応する部分に樹
脂剥離部材を設けるようにしているので、樹脂剥離部材
の面積が小さくなり、樹脂剥離部材とリードフレームと
の密着力が小さくなるとともに、樹脂剥離部材を片とし
てマウントすることができ、該経路内で硬化した封止樹
脂を一層確実に取り除くことができ、さらに樹脂剥離部
材の取り付けが容易となる。
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの封止樹脂が流動してキ
ャビティ内に充填する経路のゲートに対応する部分に樹
脂剥離部材を設けるようにしているので、樹脂剥離部材
の面積が小さくなり、樹脂剥離部材とリードフレームと
の密着力が小さくなるとともに、樹脂剥離部材を片とし
てマウントすることができ、該経路内で硬化した封止樹
脂を一層確実に取り除くことができ、さらに樹脂剥離部
材の取り付けが容易となる。
【0047】また、この発明の請求項3に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの長手方向に複数の半導
体素子を搭載し、リードフレームの長手方向ほぼ全長に
わたって樹脂剥離部材を設けるようにしているので、経
路内で硬化した封止樹脂をリードフレームから取り除く
際に、半導体素子毎に硬化した封止樹脂が樹脂剥離部材
で連結されて一括回収できる。
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの長手方向に複数の半導
体素子を搭載し、リードフレームの長手方向ほぼ全長に
わたって樹脂剥離部材を設けるようにしているので、経
路内で硬化した封止樹脂をリードフレームから取り除く
際に、半導体素子毎に硬化した封止樹脂が樹脂剥離部材
で連結されて一括回収できる。
【0048】また、この発明の請求項4に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの封止樹脂が流動してキ
ャビティ内に充填する経路のランドに対応する部分に樹
脂剥離部材の端部が位置しているので、ゲート残りとし
て残留しやすいランド内で硬化した封止樹脂も確実に取
り除くことができる。
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、リードフレームの封止樹脂が流動してキ
ャビティ内に充填する経路のランドに対応する部分に樹
脂剥離部材の端部が位置しているので、ゲート残りとし
て残留しやすいランド内で硬化した封止樹脂も確実に取
り除くことができる。
【0049】また、この発明の請求項5に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、樹脂剥離部材は、ポリイミド樹脂からな
る基材と、基材の一面側に設けられ基材とリードフレー
ムとを接合する接合層とから構成しているので、基材の
耐熱性が優れ、熱収縮することがなく、リードフレーム
の変形を発生を抑えることができる。
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、樹脂剥離部材は、ポリイミド樹脂からな
る基材と、基材の一面側に設けられ基材とリードフレー
ムとを接合する接合層とから構成しているので、基材の
耐熱性が優れ、熱収縮することがなく、リードフレーム
の変形を発生を抑えることができる。
【0050】また、この発明の請求項6に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項5に係る半導体装置の製造
方法において、接合層がフェノール系熱硬化性樹脂であ
るので、基材とリードフレームとの密着力が基材と封止
樹脂との密着力より小さくなり、経路内で硬化した封止
樹脂を樹脂剥離部材とともにリードフレームから容易に
取り外すことができる。
置の製造方法は、上記請求項5に係る半導体装置の製造
方法において、接合層がフェノール系熱硬化性樹脂であ
るので、基材とリードフレームとの密着力が基材と封止
樹脂との密着力より小さくなり、経路内で硬化した封止
樹脂を樹脂剥離部材とともにリードフレームから容易に
取り外すことができる。
【0051】また、この発明の請求項7に係る半導体装
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、ワイヤボンディング工程に先立って、樹
脂剥離部材をリードフレームに設けるようにしているの
で、樹脂剥離部材の取り付けの際に、ボンディングワイ
ヤにダメージを与えることがなく、ボンディングワイヤ
の断線や曲がりが防止され、歩留まりを向上できる。
置の製造方法は、上記請求項1に係る半導体装置の製造
方法において、ワイヤボンディング工程に先立って、樹
脂剥離部材をリードフレームに設けるようにしているの
で、樹脂剥離部材の取り付けの際に、ボンディングワイ
ヤにダメージを与えることがなく、ボンディングワイヤ
の断線や曲がりが防止され、歩留まりを向上できる。
【0052】また、この発明の請求項8に係るリードフ
レームは、フレーム枠、リード部およびダイパッドを備
え、ダイパッド上に半導体素子が搭載され、半導体素子
の電極パッドとリード部とがワイヤボンディングされ、
半導体素子をトランスファ成形により樹脂封止してパッ
ケージが形成される半導体装置のリードフレームにおい
て、フレーム枠の少なくとも封止樹脂が流動してキャビ
ティ内に充填する経路に接する部分に、封止樹脂との密
着力がフレーム枠との密着力より大きい樹脂剥離部材を
設けているので、半導体素子をモールディングする際
に、ゲート内で硬化した封止樹脂を樹脂剥離部材ととも
に取り除くことができ、半導体装置におけるゲート残り
をなくすことができる。
レームは、フレーム枠、リード部およびダイパッドを備
え、ダイパッド上に半導体素子が搭載され、半導体素子
の電極パッドとリード部とがワイヤボンディングされ、
半導体素子をトランスファ成形により樹脂封止してパッ
ケージが形成される半導体装置のリードフレームにおい
て、フレーム枠の少なくとも封止樹脂が流動してキャビ
ティ内に充填する経路に接する部分に、封止樹脂との密
着力がフレーム枠との密着力より大きい樹脂剥離部材を
設けているので、半導体素子をモールディングする際
に、ゲート内で硬化した封止樹脂を樹脂剥離部材ととも
に取り除くことができ、半導体装置におけるゲート残り
をなくすことができる。
【0053】また、この発明の請求項9に係る半導体装
置は、リードフレーム上に半導体素子が搭載され、この
半導体素子の電極パッドとリードフレームのリード部と
がワイヤボンディングされ、半導体素子をトランスファ
成形により樹脂封止してパッケージが形成されてなる半
導体装置において、リードフレームの少なくとも封止樹
脂が流動してキャビティ内に充填する経路に接する部分
に、封止樹脂との密着力が前記リードフレームとの密着
力より大きい樹脂剥離部材を設け、経路内で硬化した封
止樹脂を樹脂剥離部材とともに分離するようにしている
ので、ゲート残りを容易になくすことができる。
置は、リードフレーム上に半導体素子が搭載され、この
半導体素子の電極パッドとリードフレームのリード部と
がワイヤボンディングされ、半導体素子をトランスファ
成形により樹脂封止してパッケージが形成されてなる半
導体装置において、リードフレームの少なくとも封止樹
脂が流動してキャビティ内に充填する経路に接する部分
に、封止樹脂との密着力が前記リードフレームとの密着
力より大きい樹脂剥離部材を設け、経路内で硬化した封
止樹脂を樹脂剥離部材とともに分離するようにしている
ので、ゲート残りを容易になくすことができる。
【図1】この発明の実施例1に係る半導体装置の製造方
法におけるトランスファ成形後の状態を示す全体平面図
である。
法におけるトランスファ成形後の状態を示す全体平面図
である。
【図2】この発明の実施例1に係る半導体装置の製造方
法におけるトランスファ成形後の状態を示す一部平面図
である。
法におけるトランスファ成形後の状態を示す一部平面図
である。
【図3】図2のIIIーIII線に沿った断面図である。
【図4】この発明の実施例2に係る半導体装置の製造方
法におけるトランスファ成形後の状態を示す全体平面図
である。
法におけるトランスファ成形後の状態を示す全体平面図
である。
【図5】この発明の実施例3に係る半導体装置の製造方
法におけるトランスファ成形後の状態を示す全体平面図
である。
法におけるトランスファ成形後の状態を示す全体平面図
である。
【図6】この発明の実施例4に係る半導体装置の製造方
法におけるトランスファ成形後の状態を示す全体平面図
である。
法におけるトランスファ成形後の状態を示す全体平面図
である。
【図7】この発明の実施例5に係る半導体装置の製造方
法におけるトランスファ成形後の状態を示す要部断面図
である。
法におけるトランスファ成形後の状態を示す要部断面図
である。
【図8】従来の半導体装置の製造方法におけるトランス
ファ成形後の状態を示す全体平面図である。
ファ成形後の状態を示す全体平面図である。
【図9】従来の半導体装置の製造方法におけるトランス
ファ成形後の状態を示す一部平面図である。
ファ成形後の状態を示す一部平面図である。
【図10】図9のXーX線に沿った断面図である。
【図11】従来の半導体装置の製造方法を示す工程図で
ある。
ある。
【図12】(a)〜(d)はそれぞれ従来の半導体装置
の製造方法におけるモールディング工程の工程断面図で
ある。
の製造方法におけるモールディング工程の工程断面図で
ある。
【図13】渋滞の半導体装置の製造方法におけるゲート
残りを示す側面図である。
残りを示す側面図である。
1 リードフレーム 1a フレーム枠 1b リード部 2 パッケージ 5 半導体素子 10 封止樹脂 11 ゲート 12 キャビティ 20、22、23、24 ポリイミドテープ(樹脂剥離
部材) 25 ランド
部材) 25 ランド
Claims (9)
- 【請求項1】 リードフレーム上に半導体素子を搭載す
るダイボンディング工程と、半導体素子の電極パッドと
前記リードフレームのリード部とを接続するワイヤボン
ディング工程と、前記半導体素子をトランスファ成形に
より樹脂封止してパッケージを形成するモールディング
工程と、リード成形工程とを備えた半導体装置の製造方
法において、 前記モールディング工程に先立って、封止樹脂との密着
力が前記リードフレームとの密着力より大きい樹脂剥離
部材を前記リードフレームの少なくとも封止樹脂が流動
してキャビティ内に充填する経路に接する部分に設け、
前記モールディング工程後、前記経路内で硬化した封止
樹脂を前記樹脂剥離部材とともに前記リードフレームか
ら分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 リードフレームの封止樹脂が流動してキ
ャビティ内に充填する経路のゲートに対応する部分に樹
脂剥離部材を設けることを特徴とする請求項1記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 リードフレームの長手方向に複数の半導
体素子を搭載し、前記リードフレームの長手方向ほぼ全
長にわたって樹脂剥離部材を設けることを特徴とする請
求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 リードフレームの封止樹脂が流動してキ
ャビティ内に充填する経路のランドに対応する部分に樹
脂剥離部材の端部が位置していることを特徴とする請求
項1記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 樹脂剥離部材は、ポリイミド樹脂からな
る基材と、前記基材の一面側に設けられ前記基材とリー
ドフレームとを接合する接合層とからなることを特徴と
する請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 接合層がフェノール系熱硬化性樹脂であ
ることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項7】 ワイヤボンディング工程に先立って、樹
脂剥離部材をリードフレームに設けることを特徴とする
請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項8】 フレーム枠、リード部およびダイパッド
を備え、前記ダイパッド上に半導体素子が搭載され、半
導体素子の電極パッドとリード部とがワイヤボンディン
グされ、前記半導体素子をトランスファ成形により樹脂
封止してパッケージが形成される半導体装置のリードフ
レームにおいて、 前記フレーム枠の少なくとも封止樹脂が流動してキャビ
ティ内に充填する経路に接する部分に、前記封止樹脂と
の密着力が前記フレーム枠との密着力より大きい樹脂剥
離部材を設けたことを特徴とする半導体装置のリードフ
レーム。 - 【請求項9】 リードフレーム上に半導体素子が搭載さ
れ、この半導体素子の電極パッドと前記リードフレーム
のリード部とがワイヤボンディングされ、前記半導体素
子をトランスファ成形により樹脂封止してパッケージが
形成されてなる半導体装置において、 前記リードフレームの少なくとも封止樹脂が流動してキ
ャビティ内に充填する経路に接する部分に、前記封止樹
脂との密着力が前記リードフレームとの密着力より大き
い樹脂剥離部材を設け、前記経路内で硬化した前記封止
樹脂を前記樹脂剥離部材とともに分離するようにしたこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13160193A JPH06342816A (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | 半導体装置及びその製造方法並びにそれらに用いるリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13160193A JPH06342816A (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | 半導体装置及びその製造方法並びにそれらに用いるリードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06342816A true JPH06342816A (ja) | 1994-12-13 |
Family
ID=15061880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13160193A Pending JPH06342816A (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | 半導体装置及びその製造方法並びにそれらに用いるリードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06342816A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0728567A1 (en) * | 1995-02-22 | 1996-08-28 | Apic Yamada Corporation | A method and machine for resin molding |
KR100531423B1 (ko) * | 2000-10-16 | 2005-11-28 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 및 이에 적용되는 몰드다이, 그리고 이를 이용한 패키지 제조장치. |
JP2013026550A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Apic Yamada Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR101253183B1 (ko) * | 2007-01-26 | 2013-04-10 | 엘지전자 주식회사 | 인쇄회로기판, 이를 포함하는 발광 장치 및 그 제조 방법 |
CN109291342A (zh) * | 2017-07-25 | 2019-02-01 | 深圳市美好创亿医疗科技有限公司 | 去披锋方法 |
-
1993
- 1993-06-02 JP JP13160193A patent/JPH06342816A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0728567A1 (en) * | 1995-02-22 | 1996-08-28 | Apic Yamada Corporation | A method and machine for resin molding |
KR100531423B1 (ko) * | 2000-10-16 | 2005-11-28 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 및 이에 적용되는 몰드다이, 그리고 이를 이용한 패키지 제조장치. |
KR101253183B1 (ko) * | 2007-01-26 | 2013-04-10 | 엘지전자 주식회사 | 인쇄회로기판, 이를 포함하는 발광 장치 및 그 제조 방법 |
JP2013026550A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Apic Yamada Corp | 半導体装置の製造方法 |
CN109291342A (zh) * | 2017-07-25 | 2019-02-01 | 深圳市美好创亿医疗科技有限公司 | 去披锋方法 |
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