JPH0526761Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0526761Y2 JPH0526761Y2 JP13061487U JP13061487U JPH0526761Y2 JP H0526761 Y2 JPH0526761 Y2 JP H0526761Y2 JP 13061487 U JP13061487 U JP 13061487U JP 13061487 U JP13061487 U JP 13061487U JP H0526761 Y2 JPH0526761 Y2 JP H0526761Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tab
- groove
- sealing resin
- resin
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は樹脂封止型半導体装置に関するもので
ある。
ある。
従来、この種の半導体装置は、第３図ａの封止
樹脂（破線の囲み）を透視して示した平面図、同
図ｂの同図ａのＡ−Ａ断面図に示すように、半導
体素子７が半導体素子載置用タブ１１上に固定さ
れ、タブ１１はタブ吊りリード１２で支持され、
又、タブ１１の周囲には封止樹脂９の内部範囲に
ある複数の内部リード５が配置され、その先端は
半導体素子７表面に形成された電極とAuワイヤ
８等で接続され、これらの部分はエポキシ等の封
止樹脂９で封止され、樹脂封止後に、封止樹脂９
の外側に出ている外部リード６のリード成形工程
等をへて、半導体装置は完成される。一般的にこ
れらリードの材料は４２合金や銅系材料が用いら
れている。
樹脂（破線の囲み）を透視して示した平面図、同
図ｂの同図ａのＡ−Ａ断面図に示すように、半導
体素子７が半導体素子載置用タブ１１上に固定さ
れ、タブ１１はタブ吊りリード１２で支持され、
又、タブ１１の周囲には封止樹脂９の内部範囲に
ある複数の内部リード５が配置され、その先端は
半導体素子７表面に形成された電極とAuワイヤ
８等で接続され、これらの部分はエポキシ等の封
止樹脂９で封止され、樹脂封止後に、封止樹脂９
の外側に出ている外部リード６のリード成形工程
等をへて、半導体装置は完成される。一般的にこ
れらリードの材料は４２合金や銅系材料が用いら
れている。
〔考案が解決しようとする問題点〕
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、通常
の室温放置６ケ月で約0.3〜0.4wt％の吸湿作用の
あることが確認されており、それを赤外線リフロ
ー装置で、プリント板に半田実装すると、リフロ
ー時の急激な熱の上昇により、吸湿されていた水
分が、主にタブの裏面の封止樹脂との界面で気
化・膨脹し、タブの周囲からパツケージの底面に
向つて樹脂部のクラツクが発生する問題を有して
いた。
の室温放置６ケ月で約0.3〜0.4wt％の吸湿作用の
あることが確認されており、それを赤外線リフロ
ー装置で、プリント板に半田実装すると、リフロ
ー時の急激な熱の上昇により、吸湿されていた水
分が、主にタブの裏面の封止樹脂との界面で気
化・膨脹し、タブの周囲からパツケージの底面に
向つて樹脂部のクラツクが発生する問題を有して
いた。
上述した従来の半導体装置に対し、本考案で
は、タブとタブ吊りリードの裏面に溝を形成し、
その溝には封止樹脂と密着性の悪い硬化収縮型の
有機物被膜が形成されているので、半田実装時の
急激な熱の上昇による水分の気化・膨脹が生じて
も、溝部の有機物被膜と封止樹脂との界面に薄い
空隙層が形成されているので、その径路を通し、
外部にその圧力がリークする構造になつている。
は、タブとタブ吊りリードの裏面に溝を形成し、
その溝には封止樹脂と密着性の悪い硬化収縮型の
有機物被膜が形成されているので、半田実装時の
急激な熱の上昇による水分の気化・膨脹が生じて
も、溝部の有機物被膜と封止樹脂との界面に薄い
空隙層が形成されているので、その径路を通し、
外部にその圧力がリークする構造になつている。
つぎに本考案を実施例により説明する。
第１図ａは本考案の一実施例の封止樹脂（破線
の囲み）を透視して示した平面図、同図ｂは同図
ａのＡ−Ａ断面図、同図ｃは同図ａのＢ−Ｂ拡大
断面図である。これらの図において、半導体素子
７を載置するタブ１は、吊りリード２により支持
され、半導体素子７の電極とタブの周囲に配置さ
れた内部リード５の先端との間をワイヤ８で接続
後、封止樹脂９で封止されているのは第３図の従
来例と同じである。但し、本例では、タブ１およ
び吊りリード２の裏面には、リードフレームパタ
ーンを形成する時に同時に写真食刻法により、タ
ブの周縁に沿つた二重の枠形の溝３および吊りリ
ード２の封止樹脂９の外部に位置する部分から中
心線に沿つて内部方向に伸び外枠溝と交差後内枠
溝３に突き当つて終り、互いに連通する直線状の
溝３が形成され、かつ、この溝内には、封止樹脂
９と密着性の悪い硬化収縮タイプのシリコン樹脂
被膜４が被着されている。
の囲み）を透視して示した平面図、同図ｂは同図
ａのＡ−Ａ断面図、同図ｃは同図ａのＢ−Ｂ拡大
断面図である。これらの図において、半導体素子
７を載置するタブ１は、吊りリード２により支持
され、半導体素子７の電極とタブの周囲に配置さ
れた内部リード５の先端との間をワイヤ８で接続
後、封止樹脂９で封止されているのは第３図の従
来例と同じである。但し、本例では、タブ１およ
び吊りリード２の裏面には、リードフレームパタ
ーンを形成する時に同時に写真食刻法により、タ
ブの周縁に沿つた二重の枠形の溝３および吊りリ
ード２の封止樹脂９の外部に位置する部分から中
心線に沿つて内部方向に伸び外枠溝と交差後内枠
溝３に突き当つて終り、互いに連通する直線状の
溝３が形成され、かつ、この溝内には、封止樹脂
９と密着性の悪い硬化収縮タイプのシリコン樹脂
被膜４が被着されている。
第２図は本考案の他の実施例の吊りリードの拡
大断面図を示すもので、本例では、第１図の実施
例の溝の断面形状は写真食刻により形成した四角
形であつたのに対し、スタンピング法により形成
した断面逆Ｖ字形の溝３ａである。
大断面図を示すもので、本例では、第１図の実施
例の溝の断面形状は写真食刻により形成した四角
形であつたのに対し、スタンピング法により形成
した断面逆Ｖ字形の溝３ａである。
なお、上例は何れもフラツト型樹脂封止半導体
装置について述べたが、PLCCタイプ、SOJタイ
プまたはDIPタイプなどの樹脂封止型半導体装置
においても、本考案は同じように適用されるのは
いうまでもない。
装置について述べたが、PLCCタイプ、SOJタイ
プまたはDIPタイプなどの樹脂封止型半導体装置
においても、本考案は同じように適用されるのは
いうまでもない。
以上説明した様に本考案は、タブとタブを支持
するタブ吊りリードの裏面に溝が形成され、その
溝には封止樹脂と密着性の悪い硬化収縮タイプの
有機物被膜が施され、しかも、その溝はタブから
吊りリードにかけて連続して樹脂封止される領域
の外側まで形成されていることにより、溝部の有
機物被膜と封止樹脂の界面には第１図ｃに見られ
るように薄い空隙層１０が形成されるので、半田
実装時の急激な温度の上昇による水分の気化・膨
脹が生じても、溝部の空隙層の径路を通し外部に
その圧力がリークする構造となつているので、従
来構造で問題となつていた樹脂部のクラツク発生
がなくなり品質の著しい向上が可能になつた。
するタブ吊りリードの裏面に溝が形成され、その
溝には封止樹脂と密着性の悪い硬化収縮タイプの
有機物被膜が施され、しかも、その溝はタブから
吊りリードにかけて連続して樹脂封止される領域
の外側まで形成されていることにより、溝部の有
機物被膜と封止樹脂の界面には第１図ｃに見られ
るように薄い空隙層１０が形成されるので、半田
実装時の急激な温度の上昇による水分の気化・膨
脹が生じても、溝部の空隙層の径路を通し外部に
その圧力がリークする構造となつているので、従
来構造で問題となつていた樹脂部のクラツク発生
がなくなり品質の著しい向上が可能になつた。
第１図ａは本考案の一実施例の封止樹脂（破線
の囲み）を透視して示した平面図、同図ｂは同図
ａのＡ−Ａ断面図、同図ｃは同図ａのＢ−Ｂ拡大
断面図、第２図は本考案の他の実施例に係る吊り
リードの拡大断面図、第３図ａは従来の半導体装
置の封止樹脂を透視した平面図、同図ｂは同図ａ
のＡ−Ａ断面図である。 １，１１……タブ、２，１２……タブ吊りリー
ド、３，３ａ……溝、４……シリコン樹脂、５…
…内部リード、６……外部リード、７……半導体
素子、８……ワイヤ、９……封止樹脂（エポキ
シ）、１０……空隙層。
の囲み）を透視して示した平面図、同図ｂは同図
ａのＡ−Ａ断面図、同図ｃは同図ａのＢ−Ｂ拡大
断面図、第２図は本考案の他の実施例に係る吊り
リードの拡大断面図、第３図ａは従来の半導体装
置の封止樹脂を透視した平面図、同図ｂは同図ａ
のＡ−Ａ断面図である。 １，１１……タブ、２，１２……タブ吊りリー
ド、３，３ａ……溝、４……シリコン樹脂、５…
…内部リード、６……外部リード、７……半導体
素子、８……ワイヤ、９……封止樹脂（エポキ
シ）、１０……空隙層。
Claims (1)
- 吊りリードにより支持された半導体素子載置用
タブに半導体素子を載置し、樹脂封止してなる半
導体装置において、前記タブと吊りリードの裏面
に前記封止樹脂の外部まで連通する溝が形成さ
れ、かつ、この溝内に前記封止樹脂と密着性の悪
い硬化収縮型有機物被膜が形成されていることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13061487U JPH0526761Y2 (ja) | 1987-08-26 | 1987-08-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13061487U JPH0526761Y2 (ja) | 1987-08-26 | 1987-08-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6435756U JPS6435756U (ja) | 1989-03-03 |
| JPH0526761Y2 true JPH0526761Y2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=31385943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13061487U Expired - Lifetime JPH0526761Y2 (ja) | 1987-08-26 | 1987-08-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0526761Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2507047Y2 (ja) * | 1990-12-28 | 1996-08-14 | 株式会社東京洗染機械製作所 | 折畳み済みシ―ツ類の区分積み重ね装置 |
-
1987
- 1987-08-26 JP JP13061487U patent/JPH0526761Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6435756U (ja) | 1989-03-03 |
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