JPH08130267A - 樹脂封止型半導体パッケージ、それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体パッケージ、それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 搭載する樹脂封止型半導体パッケージのリー
ドの切れ、損傷等を防止し、信頼性を向上させ、また、
製造工程において工程数の増えない樹脂封止型半導体装
置およびその製造方法を得ることを目的としている。 【構成】 半導体素子の一部を露出させて露出面１１を
形成する開口１６を有する樹脂封止型半導体パッケージ
５０と、回路基板１上で樹脂封止型半導体パッケージ５
０の実装位置に対応する位置に設けられたダミーランド
１０と、露出面１１とダミーランド１０との間に配置さ
れ両者を互いに強固に固着させる接合材料３ａとを備え
ている。
ドの切れ、損傷等を防止し、信頼性を向上させ、また、
製造工程において工程数の増えない樹脂封止型半導体装
置およびその製造方法を得ることを目的としている。 【構成】 半導体素子の一部を露出させて露出面１１を
形成する開口１６を有する樹脂封止型半導体パッケージ
５０と、回路基板１上で樹脂封止型半導体パッケージ５
０の実装位置に対応する位置に設けられたダミーランド
１０と、露出面１１とダミーランド１０との間に配置さ
れ両者を互いに強固に固着させる接合材料３ａとを備え
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型半導体パ
ッケージ、回路基板上に樹脂封止型半導体パッケージを
搭載してなる樹脂封止型半導体装置および樹脂封止型半
導体装置の製造方法に関するものである。
ッケージ、回路基板上に樹脂封止型半導体パッケージを
搭載してなる樹脂封止型半導体装置および樹脂封止型半
導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来の樹脂封止半導体装置の一
例を示す側断面図である。図において、半導体素子９と
リード５とはワイヤ７によって接続され電気的に導通し
ている。これらの半導体素子９、リード５及びワイヤ７
は封止樹脂６によって封止されている。リード５の封止
樹脂６によって封止された部分は内部リード５ａとな
り、封止樹脂６から外部に突出した部分は外部リード５
ｂを形成しており、外部リード５ｂはその先端部５ｃが
ガルウイング形の形状をしている。これらは全体で樹脂
封止型半導体パッケージ４０を構成している。この樹脂
封止型半導体パッケージ４０は外部リード５ｂの先端部
５ｃを回路基板１のランド２上に半田３にて半田付けさ
れて回路基板１を含めた全体で樹脂封止型半導体装置を
構成している。
例を示す側断面図である。図において、半導体素子９と
リード５とはワイヤ７によって接続され電気的に導通し
ている。これらの半導体素子９、リード５及びワイヤ７
は封止樹脂６によって封止されている。リード５の封止
樹脂６によって封止された部分は内部リード５ａとな
り、封止樹脂６から外部に突出した部分は外部リード５
ｂを形成しており、外部リード５ｂはその先端部５ｃが
ガルウイング形の形状をしている。これらは全体で樹脂
封止型半導体パッケージ４０を構成している。この樹脂
封止型半導体パッケージ４０は外部リード５ｂの先端部
５ｃを回路基板１のランド２上に半田３にて半田付けさ
れて回路基板１を含めた全体で樹脂封止型半導体装置を
構成している。
【０００３】近年樹脂封止型半導体パッケージ４０の薄
型化により、封止樹脂６、リード５双方の厚みが極薄と
なって来ており樹脂封止型半導体パッケージ４０搭載の
樹脂封止型半導体装置において、樹脂封止型半導体パッ
ケージのリード５の強度が低くなってしまう為、樹脂封
止型半導体装置にかかる熱的・機械的ストレスにより、
リード５の半田付け部の損傷あるいは、リード５の損傷
（変形、切れ）などが起こるという問題があった。
型化により、封止樹脂６、リード５双方の厚みが極薄と
なって来ており樹脂封止型半導体パッケージ４０搭載の
樹脂封止型半導体装置において、樹脂封止型半導体パッ
ケージのリード５の強度が低くなってしまう為、樹脂封
止型半導体装置にかかる熱的・機械的ストレスにより、
リード５の半田付け部の損傷あるいは、リード５の損傷
（変形、切れ）などが起こるという問題があった。
【０００４】上述の問題を解決するためにたとえば図９
に示した特開平５−２４３７２２の例に示されるよう
に、回路基板１上に、接着剤８を介して樹脂封止型半導
体パッケージ４０の樹脂封止部６を回路基板１上に固着
する方法があった。これにより、樹脂封止型半導体装置
にかかる熱的・機械的ストレスにより、リード５の半田
付け部の損傷あるいは、リード５の損傷（変形、切れ）
などが起こることを防ぐことができる。しかし、この方
法では、それ以前の接着剤８を使わない方法に比べて、
樹脂封止型半導体装置の製造工程において接着剤８を回
路基板１に塗布する工程あるいは接着剤８を封止樹脂部
６と回路基板１との間に注入する工程が増えてしまうと
いう問題があった。
に示した特開平５−２４３７２２の例に示されるよう
に、回路基板１上に、接着剤８を介して樹脂封止型半導
体パッケージ４０の樹脂封止部６を回路基板１上に固着
する方法があった。これにより、樹脂封止型半導体装置
にかかる熱的・機械的ストレスにより、リード５の半田
付け部の損傷あるいは、リード５の損傷（変形、切れ）
などが起こることを防ぐことができる。しかし、この方
法では、それ以前の接着剤８を使わない方法に比べて、
樹脂封止型半導体装置の製造工程において接着剤８を回
路基板１に塗布する工程あるいは接着剤８を封止樹脂部
６と回路基板１との間に注入する工程が増えてしまうと
いう問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のよう
な問題点を解決するものであり、樹脂封止型半導体パッ
ケージが実装された樹脂封止型半導体装置において、樹
脂封止型半導体パッケージのリードの切れ損傷等を防止
し、樹脂封止型半導体装置の信頼性を向上させることを
目的としており、また、そのような樹脂封止型半導体装
置の製造工程において工程数の増えない樹脂封止型半導
体装置の製造方法を得ることを目的としている。
な問題点を解決するものであり、樹脂封止型半導体パッ
ケージが実装された樹脂封止型半導体装置において、樹
脂封止型半導体パッケージのリードの切れ損傷等を防止
し、樹脂封止型半導体装置の信頼性を向上させることを
目的としており、また、そのような樹脂封止型半導体装
置の製造工程において工程数の増えない樹脂封止型半導
体装置の製造方法を得ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の樹脂封止型半
導体パッケージにおいては、半導体素子と、半導体素子
に電気的に接続されたリードと、半導体素子およびリー
ドを封止し、半導体素子の回路形成されていない面の少
なくとも一部を露出させて露出面を形成する開口を有す
る封止樹脂とを備えている。
導体パッケージにおいては、半導体素子と、半導体素子
に電気的に接続されたリードと、半導体素子およびリー
ドを封止し、半導体素子の回路形成されていない面の少
なくとも一部を露出させて露出面を形成する開口を有す
る封止樹脂とを備えている。
【０００７】請求項２の樹脂封止型半導体装置において
は、半導体素子、半導体素子に電気的に接続されたリー
ドならびに半導体素子およびリードを封止する封止樹脂
であって、半導体素子の回路形成されていない面の少な
くとも一部を露出させて露出面を形成する開口を有する
封止樹脂を備えた樹脂封止型半導体パッケージと、樹脂
封止型半導体パッケージを露出面を回路基板側にして実
装するための回路基板と、回路基板上でリードの先端部
と対応する位置に設けられたランドと、回路基板上で樹
脂封止型半導体パッケージの実装位置に対応する位置に
設けられたダミーランドと、リードの先端部とランドと
の間に配置され両者を電気的に接合する第１の接合材料
と、樹脂封止型半導体パッケージの露出面とダミーラン
ドとの間に配置され両者を互いに強固に固着させる第１
の接合材料と同じ材料の第２の接合材料とを備えてい
る。
は、半導体素子、半導体素子に電気的に接続されたリー
ドならびに半導体素子およびリードを封止する封止樹脂
であって、半導体素子の回路形成されていない面の少な
くとも一部を露出させて露出面を形成する開口を有する
封止樹脂を備えた樹脂封止型半導体パッケージと、樹脂
封止型半導体パッケージを露出面を回路基板側にして実
装するための回路基板と、回路基板上でリードの先端部
と対応する位置に設けられたランドと、回路基板上で樹
脂封止型半導体パッケージの実装位置に対応する位置に
設けられたダミーランドと、リードの先端部とランドと
の間に配置され両者を電気的に接合する第１の接合材料
と、樹脂封止型半導体パッケージの露出面とダミーラン
ドとの間に配置され両者を互いに強固に固着させる第１
の接合材料と同じ材料の第２の接合材料とを備えてい
る。
【０００８】請求項３の樹脂封止型半導体装置において
は、露出面は封止樹脂が樹脂封止型半導体パッケージの
一主面から断面凹状に陥没して構成された穴の底面に形
成されており、第２の接合材料は穴に入り込んで露出面
とダミーランドとの間に配置され両者を互いに強固に固
着している。
は、露出面は封止樹脂が樹脂封止型半導体パッケージの
一主面から断面凹状に陥没して構成された穴の底面に形
成されており、第２の接合材料は穴に入り込んで露出面
とダミーランドとの間に配置され両者を互いに強固に固
着している。
【０００９】請求項４の樹脂封止型半導体装置の製造方
法においては、半導体素子と、半導体素子に電気的に接
続されたリードと、半導体素子およびリードを封止し、
半導体素子の回路形成されていない面の少なくとも一部
を露出させて露出面を形成する開口を有する封止樹脂と
を備えた樹脂封止型半導体パッケージを用意し、回路基
板上で外部リードの先端部と対応する位置にランドを形
成する工程と、回路基板上で樹脂封止型半導体パッケー
ジの実装位置に対応する位置にダミーランドを形成する
工程と、回路基板のランドおよびダミーランド上に半田
を塗布する半田供給工程と、樹脂封止型半導体パッケー
ジを回路基板上に搭載する部品搭載工程と、半田を加熱
し冷却して樹脂封止型半導体パッケージを回路基板上に
固着する半田リフロー工程とを備えている。
法においては、半導体素子と、半導体素子に電気的に接
続されたリードと、半導体素子およびリードを封止し、
半導体素子の回路形成されていない面の少なくとも一部
を露出させて露出面を形成する開口を有する封止樹脂と
を備えた樹脂封止型半導体パッケージを用意し、回路基
板上で外部リードの先端部と対応する位置にランドを形
成する工程と、回路基板上で樹脂封止型半導体パッケー
ジの実装位置に対応する位置にダミーランドを形成する
工程と、回路基板のランドおよびダミーランド上に半田
を塗布する半田供給工程と、樹脂封止型半導体パッケー
ジを回路基板上に搭載する部品搭載工程と、半田を加熱
し冷却して樹脂封止型半導体パッケージを回路基板上に
固着する半田リフロー工程とを備えている。
【００１０】
【作用】請求項１の樹脂封止型半導体パッケージにおい
ては、半導体素子の回路形成されていない面は樹脂封止
されずに露出している。
ては、半導体素子の回路形成されていない面は樹脂封止
されずに露出している。
【００１１】請求項２の樹脂封止型半導体装置において
は、樹脂封止型半導体パッケージが回路基板上に設けら
れたダミーランドに強固に固定される。半導体素子が発
生した熱は半導体素子露出面に固着された接合材料を介
して放散する。
は、樹脂封止型半導体パッケージが回路基板上に設けら
れたダミーランドに強固に固定される。半導体素子が発
生した熱は半導体素子露出面に固着された接合材料を介
して放散する。
【００１２】請求項３の樹脂封止型半導体装置において
は、樹脂封止型半導体パッケージは断面凹状に陥没して
構成された穴に入り込む接合材料により回路基板上に設
けられたダミーランドに強固に固定される。
は、樹脂封止型半導体パッケージは断面凹状に陥没して
構成された穴に入り込む接合材料により回路基板上に設
けられたダミーランドに強固に固定される。
【００１３】請求項４の樹脂封止型半導体装置の製造方
法においては、樹脂封止型半導体装置の製造工程におい
て従来と比べて新規材料を使う必要がなく、半田供給工
程において通常のランドとダミーランドとの双方に同時
に半田を塗布する。
法においては、樹脂封止型半導体装置の製造工程におい
て従来と比べて新規材料を使う必要がなく、半田供給工
程において通常のランドとダミーランドとの双方に同時
に半田を塗布する。
【００１４】
実施例１．図１はこの発明の樹脂封止型半導体装置の一
実施例を示す正面図であり、図２は図１のII−II断面図
である。図において符号１乃至５は従来技術と同じなの
でその説明を省略する。この発明の樹脂封止型半導体パ
ッケージ５０は、裏面に半導体素子９の回路形成されて
いない面を露出させた露出面１１を形成する開口１６を
持っている。この樹脂封止型半導体パッケージ５０は、
樹脂封止工程において、例えば金型を半導体素子９の露
出面１１に密着させる等して、半導体素子９の裏面に封
止樹脂６が入り込まないようにすることで製作できる。
実施例を示す正面図であり、図２は図１のII−II断面図
である。図において符号１乃至５は従来技術と同じなの
でその説明を省略する。この発明の樹脂封止型半導体パ
ッケージ５０は、裏面に半導体素子９の回路形成されて
いない面を露出させた露出面１１を形成する開口１６を
持っている。この樹脂封止型半導体パッケージ５０は、
樹脂封止工程において、例えば金型を半導体素子９の露
出面１１に密着させる等して、半導体素子９の裏面に封
止樹脂６が入り込まないようにすることで製作できる。
【００１５】回路基板１上には樹脂封止型半導体パッケ
ージ５０を実装する位置で露出面１１下の位置にダミー
ランド１０が設けられている。ダミーランド１０の大き
さおよび形は半導体素子９の露出面１１と略々等しい。
樹脂封止型半導体パッケージ５０の裏面の露出面１１と
ダミーランド１０との間には半田３ａが配置され両者を
強固に固着している。配置される半田３ａの面積は任意
であるが、理想的には半導体素子９の露出面１１がすべ
て覆われることが望ましい。
ージ５０を実装する位置で露出面１１下の位置にダミー
ランド１０が設けられている。ダミーランド１０の大き
さおよび形は半導体素子９の露出面１１と略々等しい。
樹脂封止型半導体パッケージ５０の裏面の露出面１１と
ダミーランド１０との間には半田３ａが配置され両者を
強固に固着している。配置される半田３ａの面積は任意
であるが、理想的には半導体素子９の露出面１１がすべ
て覆われることが望ましい。
【００１６】このように構成された樹脂封止型半導体装
置においては、樹脂封止型半導体パッケージ５０の裏面
が回路基板１上に設けられたダミーランド１０に強固に
固定されているので、樹脂封止型半導体装置にかかる熱
的あるいは機械的ストレスに耐え樹脂封止型半導体パッ
ケージ５０のリード５の切れ、損傷をなくし、樹脂封止
型半導体装置の信頼性が向上する。
置においては、樹脂封止型半導体パッケージ５０の裏面
が回路基板１上に設けられたダミーランド１０に強固に
固定されているので、樹脂封止型半導体装置にかかる熱
的あるいは機械的ストレスに耐え樹脂封止型半導体パッ
ケージ５０のリード５の切れ、損傷をなくし、樹脂封止
型半導体装置の信頼性が向上する。
【００１７】この実施例の構造によると、樹脂封止型半
導体装置の製造工程のなかで新規材料を使う必要がな
く、通常のランド２に半田３を塗布または印刷する半田
供給工程において同時にダミーランド１０にも半田３ａ
の供給を行うことができる。その後樹脂封止型半導体パ
ッケージを含む搭載部品の部品搭載工程を経て、塗布ま
たは印刷した半田を溶融させその後凝固させることによ
り搭載部品を固着する半田溶融工程であるリフロー工程
と進むが、リフロー工程にてダミーランド上の半田も溶
融し、一連の樹脂封止型半導体パッケージ５０の取付方
法において工程数は従来と変化がなく工数が増えること
はない。
導体装置の製造工程のなかで新規材料を使う必要がな
く、通常のランド２に半田３を塗布または印刷する半田
供給工程において同時にダミーランド１０にも半田３ａ
の供給を行うことができる。その後樹脂封止型半導体パ
ッケージを含む搭載部品の部品搭載工程を経て、塗布ま
たは印刷した半田を溶融させその後凝固させることによ
り搭載部品を固着する半田溶融工程であるリフロー工程
と進むが、リフロー工程にてダミーランド上の半田も溶
融し、一連の樹脂封止型半導体パッケージ５０の取付方
法において工程数は従来と変化がなく工数が増えること
はない。
【００１８】尚、ダミーランド１０に塗布または印刷さ
れた半田３ａの厚さは図で誇張されて実際より厚く表現
されている。実際には回路基板１からの樹脂封止型半導
体パッケージ５０の裏面の半導体素子９の露出面１１と
外部リード５ｂの先端部５ｃ高さとは略々等しく、した
がって半田３ａの厚さは、実際には通常のランド２に塗
布または印刷される半田３と同じ厚さの半田の印刷で充
分である。
れた半田３ａの厚さは図で誇張されて実際より厚く表現
されている。実際には回路基板１からの樹脂封止型半導
体パッケージ５０の裏面の半導体素子９の露出面１１と
外部リード５ｂの先端部５ｃ高さとは略々等しく、した
がって半田３ａの厚さは、実際には通常のランド２に塗
布または印刷される半田３と同じ厚さの半田の印刷で充
分である。
【００１９】この実施例では、ダイパッドなしの半導体
素子９のみが収納されている樹脂封止型半導体パッケー
ジ５０について述べているが、最近の樹脂封止型半導体
パッケージの動向として、樹脂封止型半導体パッケージ
の薄型化のために半導体素子９の台座の役目を果たすダ
イパッドを省いた構造のものが出てきており、この実施
例ではこれを表している。
素子９のみが収納されている樹脂封止型半導体パッケー
ジ５０について述べているが、最近の樹脂封止型半導体
パッケージの動向として、樹脂封止型半導体パッケージ
の薄型化のために半導体素子９の台座の役目を果たすダ
イパッドを省いた構造のものが出てきており、この実施
例ではこれを表している。
【００２０】実施例２．尚、図６にダイパッド１２を有
する構造の樹脂封止型半導体パッケージを示すが、この
ような構造の樹脂封止型半導体パッケージにおいても、
実施例１と同様の効果を得ることができる。
する構造の樹脂封止型半導体パッケージを示すが、この
ような構造の樹脂封止型半導体パッケージにおいても、
実施例１と同様の効果を得ることができる。
【００２１】実施例３．図３はこの発明の樹脂封止型半
導体装置の他の実施例を示す正面図であり、図４は図３
のIV−IV断面図である。回路基板１上に搭載された樹脂
封止型半導体パッケージ６０において、半導体素子９は
従来どおり封止樹脂６の中心位置にあり、半導体素子９
裏面任意箇所に断面凹状に陥没している穴である封止樹
脂逃げ部を設けた構造とし、陥没して形成された穴１５
の底面に半導体素子９の回路形成されてない面を露出し
露出面１３を形成する開口１７が設けられている。陥没
して形成された穴１５とダミーランド１０との間には半
田３ｂが配置され両者を強固に固定している。半田３ｂ
は陥没して構成された穴１５に入り込み実施例１よりさ
らに両者を強固に固定している。
導体装置の他の実施例を示す正面図であり、図４は図３
のIV−IV断面図である。回路基板１上に搭載された樹脂
封止型半導体パッケージ６０において、半導体素子９は
従来どおり封止樹脂６の中心位置にあり、半導体素子９
裏面任意箇所に断面凹状に陥没している穴である封止樹
脂逃げ部を設けた構造とし、陥没して形成された穴１５
の底面に半導体素子９の回路形成されてない面を露出し
露出面１３を形成する開口１７が設けられている。陥没
して形成された穴１５とダミーランド１０との間には半
田３ｂが配置され両者を強固に固定している。半田３ｂ
は陥没して構成された穴１５に入り込み実施例１よりさ
らに両者を強固に固定している。
【００２２】この樹脂封止型半導体パッケージ６０は、
樹脂封止工程において、半導体素子９の裏面に封止樹脂
６が陥没して構成された穴１５を形成するような金型に
よって製作できる。また、樹脂封止型半導体パッケージ
６０の替わりに樹脂封止型半導体パッケージを従来通り
半導体素子９が総て封止されるように製作した後、樹脂
封止型半導体パッケージの裏面より封止樹脂６をやすり
あるいは刃物により例えば円形に削り取ることによっ
て、裏面に半導体素子９の露出面を形成する開口１８を
もつ樹脂封止型半導体パッケージ７０を製作してもよい
（図５）。
樹脂封止工程において、半導体素子９の裏面に封止樹脂
６が陥没して構成された穴１５を形成するような金型に
よって製作できる。また、樹脂封止型半導体パッケージ
６０の替わりに樹脂封止型半導体パッケージを従来通り
半導体素子９が総て封止されるように製作した後、樹脂
封止型半導体パッケージの裏面より封止樹脂６をやすり
あるいは刃物により例えば円形に削り取ることによっ
て、裏面に半導体素子９の露出面を形成する開口１８を
もつ樹脂封止型半導体パッケージ７０を製作してもよい
（図５）。
【００２３】この実施例においても、実施例２と同様に
樹脂封止型半導体装置の製造工程数は従来と変わること
はなく、回路基板１と樹脂封止型半導体パッケージ６０
との接合強度あるいは回路基板１と樹脂封止型半導体パ
ッケージ７０との接合強度が向上する。
樹脂封止型半導体装置の製造工程数は従来と変わること
はなく、回路基板１と樹脂封止型半導体パッケージ６０
との接合強度あるいは回路基板１と樹脂封止型半導体パ
ッケージ７０との接合強度が向上する。
【００２４】実施例４．尚、図７にダイパッド１４を有
する構造の樹脂封止型半導体パッケージを示すが、この
ような構造の樹脂封止型半導体パッケージにおいても、
実施例３と同様の効果を有する。
する構造の樹脂封止型半導体パッケージを示すが、この
ような構造の樹脂封止型半導体パッケージにおいても、
実施例３と同様の効果を有する。
【００２５】
【発明の効果】請求項１の樹脂封止型半導体パッケージ
においては、樹脂封止型半導体パッケージの薄型化が可
能となる。樹脂封止型半導体パッケージの放熱が効率良
く行われる。
においては、樹脂封止型半導体パッケージの薄型化が可
能となる。樹脂封止型半導体パッケージの放熱が効率良
く行われる。
【００２６】請求項２の樹脂封止型半導体装置において
は、樹脂封止型半導体装置にかかる熱的あるいは機械的
ストレスに強くなり樹脂封止型半導体パッケージのリー
ドの切れ、損傷がなくなる。また、半導体素子の放熱性
が良くなり樹脂封止型半導体装置の信頼性が向上する。
は、樹脂封止型半導体装置にかかる熱的あるいは機械的
ストレスに強くなり樹脂封止型半導体パッケージのリー
ドの切れ、損傷がなくなる。また、半導体素子の放熱性
が良くなり樹脂封止型半導体装置の信頼性が向上する。
【００２７】請求項３の樹脂封止型半導体装置において
は、樹脂封止型半導体パッケージが回路基板上に設けら
れたダミーランドにさらに強固に固定される為、熱的あ
るいは機械的ストレスにさらに強くなる。
は、樹脂封止型半導体パッケージが回路基板上に設けら
れたダミーランドにさらに強固に固定される為、熱的あ
るいは機械的ストレスにさらに強くなる。
【００２８】請求項４の樹脂封止型半導体装置の製造方
法においては、樹脂封止型半導体装置の製造工程におい
て新たに工程数が増えることなしに熱的・機械的ストレ
スに強い樹脂封止型半導体装置を製造することができ
る。
法においては、樹脂封止型半導体装置の製造工程におい
て新たに工程数が増えることなしに熱的・機械的ストレ
スに強い樹脂封止型半導体装置を製造することができ
る。
【００２９】
【図１】 この発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図２】 図１のII−II断面図である。
【図３】 この発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施
例を示す正面図である。
例を示す正面図である。
【図４】 図３のIV−IV断面図である。
【図５】 この発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施
例を示す正面図である。
例を示す正面図である。
【図６】 この発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施
例を示す側断面図である。
例を示す側断面図である。
【図７】 この発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施
例を示す側断面図である。
例を示す側断面図である。
【図８】 従来の樹脂封止半導体装置の一例を示す側断
面図である。
面図である。
【図９】 従来の樹脂封止半導体装置の他の例を示す側
断面図である。
断面図である。
９ 半導体素子、５ リード、１１ 露出面、１６，１
７，１８ 開口、６封止樹脂、５０ 樹脂封止型半導体
パッケージ、１ 回路基板、２ ランド、１０ ダミー
ランド、３ 第１の接合材料、３ａ，３ｂ 第２の接合
材料、１５穴。
７，１８ 開口、６封止樹脂、５０ 樹脂封止型半導体
パッケージ、１ 回路基板、２ ランド、１０ ダミー
ランド、３ 第１の接合材料、３ａ，３ｂ 第２の接合
材料、１５穴。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子と、上記半導体素子に電気的
に接続されたリードと、上記半導体素子および上記リー
ドを封止し、上記半導体素子の回路形成されていない面
の少なくとも一部を露出させて露出面を形成する開口を
有する封止樹脂とを備えた樹脂封止型半導体パッケー
ジ。 - 【請求項２】 半導体素子、上記半導体素子に電気的に
接続されたリードならびに上記半導体素子および上記リ
ードを封止する封止樹脂であって、上記半導体素子の回
路形成されていない面の少なくとも一部を露出させて露
出面を形成する開口を有する封止樹脂を備えた樹脂封止
型半導体パッケージと、上記樹脂封止型半導体パッケー
ジを上記露出面を回路基板側にして実装するための回路
基板と、上記回路基板上で上記リードの先端部と対応す
る位置に設けられたランドと、上記回路基板上で上記樹
脂封止型半導体パッケージの実装位置に対応する位置に
設けられたダミーランドと、上記リードの先端部と上記
ランドとの間に配置され両者を電気的に接合する第１の
接合材料と、上記樹脂封止型半導体パッケージの上記露
出面と上記ダミーランドとの間に配置され両者を互いに
強固に固着させる第１の接合材料と同じ材料の第２の接
合材料とを備えた樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 上記露出面は上記封止樹脂が樹脂封止型
半導体パッケージの一主面から断面凹状に陥没して構成
された穴の底面に形成されており、上記第２の接合材料
は上記穴に入り込んで上記露出面と上記ダミーランドと
の間に配置され両者を互いに強固に固着する請求項２記
載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 半導体素子と、上記半導体素子に電気的
に接続されたリードと、上記半導体素子および上記リー
ドを封止し、上記半導体素子の回路形成されていない面
の少なくとも一部を露出させて露出面を形成する開口を
有する封止樹脂とを備えた樹脂封止型半導体パッケージ
を用意し、回路基板上で外部リードの先端部と対応する
位置にランドを形成する工程と、上記回路基板上で上記
樹脂封止型半導体パッケージの実装位置に対応する位置
にダミーランドを形成する工程と、上記回路基板の上記
ランドおよび上記ダミーランド上に半田を塗布する半田
供給工程と、上記樹脂封止型半導体パッケージを上記回
路基板上に搭載する部品搭載工程と、上記半田を加熱し
冷却して上記樹脂封止型半導体パッケージを上記回路基
板上に固着する半田リフロー工程とを備えた樹脂封止型
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6269045A JPH08130267A (ja) | 1994-11-01 | 1994-11-01 | 樹脂封止型半導体パッケージ、それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| DE69511992T DE69511992T2 (de) | 1994-11-01 | 1995-10-30 | Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung |
| EP95117099A EP0711104B1 (en) | 1994-11-01 | 1995-10-30 | Semiconductor device and method for making same |
| KR1019950039251A KR100237912B1 (ko) | 1994-11-01 | 1995-11-01 | 패키지 반도체, 그것을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6269045A JPH08130267A (ja) | 1994-11-01 | 1994-11-01 | 樹脂封止型半導体パッケージ、それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08130267A true JPH08130267A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17466913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6269045A Pending JPH08130267A (ja) | 1994-11-01 | 1994-11-01 | 樹脂封止型半導体パッケージ、それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0711104B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08130267A (ja) |
| KR (1) | KR100237912B1 (ja) |
| DE (1) | DE69511992T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7663219B2 (en) | 2006-11-10 | 2010-02-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US20140091443A1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Surface mount package for a semiconductor integrated device, related assembly and manufacturing process |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007005670A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Fujitsu Ltd | 電子部品パッケージおよび接合組立体 |
| EP3470366B1 (en) * | 2017-10-12 | 2020-07-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Reducing vibration of a mems installation on a printed circuit board |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2488445A1 (fr) * | 1980-08-06 | 1982-02-12 | Efcis | Boitier plastique pour circuits integres |
| JPS60208847A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 表面実装型ｉｃに内在する水分の排出方法 |
| JPS62169450A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| KR930009031A (ko) * | 1991-10-18 | 1993-05-22 | 김광호 | 반도체 패키지 |
| US5177669A (en) * | 1992-03-02 | 1993-01-05 | Motorola, Inc. | Molded ring integrated circuit package |
| JPH06209054A (ja) * | 1993-01-08 | 1994-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1994
- 1994-11-01 JP JP6269045A patent/JPH08130267A/ja active Pending
-
1995
- 1995-10-30 EP EP95117099A patent/EP0711104B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-30 DE DE69511992T patent/DE69511992T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-01 KR KR1019950039251A patent/KR100237912B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7663219B2 (en) | 2006-11-10 | 2010-02-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US7906423B2 (en) | 2006-11-10 | 2011-03-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US20140091443A1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Surface mount package for a semiconductor integrated device, related assembly and manufacturing process |
| CN103824835A (zh) * | 2012-09-28 | 2014-05-28 | 意法半导体(马耳他)有限公司 | 用于半导体集成器件的表面装配封装、相关组件和制造工艺 |
| US9257372B2 (en) * | 2012-09-28 | 2016-02-09 | STMicroelectronics (Mala) Ltd | Surface mount package for a semiconductor integrated device, related assembly and manufacturing process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0711104B1 (en) | 1999-09-08 |
| KR100237912B1 (ko) | 2000-01-15 |
| DE69511992D1 (de) | 1999-10-14 |
| KR960019675A (ko) | 1996-06-17 |
| DE69511992T2 (de) | 2000-04-20 |
| EP0711104A1 (en) | 1996-05-08 |
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