KR100475335B1 - 반도체칩패키지 - Google Patents

반도체칩패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR100475335B1
KR100475335B1 KR1019970038473A KR19970038473A KR100475335B1 KR 100475335 B1 KR100475335 B1 KR 100475335B1 KR 1019970038473 A KR1019970038473 A KR 1019970038473A KR 19970038473 A KR19970038473 A KR 19970038473A KR 100475335 B1 KR100475335 B1 KR 100475335B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor chip
extended
package
attached
unconnected
Prior art date
Application number
KR1019970038473A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990016051A (ko
Inventor
안상호
정도수
조태제
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1019970038473A priority Critical patent/KR100475335B1/ko
Publication of KR19990016051A publication Critical patent/KR19990016051A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100475335B1 publication Critical patent/KR100475335B1/ko

Links

Images

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 칩 패키지에 관한 것으로, 반도체 칩을 지지하는 다이 패드의 영역을 최소화하여 접착제 사용량을 줄이며, 반도체 칩과 봉지 수지의 접착 계면을 증가시켜 반도체 칩, 리드 프레임, 봉지 수지 사이의 결합력을 증가시켜 패키지 크랙과 같은 불량을 극복하기 위하여, 리드 프레임에서 반도체 칩이 부착되어 고정되는 지지수단인 다이 패드를 제거하고, 마주보는 양측의 타이바를 연장하거나, 마주보는 양측의 비접속 리드들을 연장하여 반도체 칩의 활성면 또는 활성면에 반대되는 면에 부착하여 지지하는 반도체 칩 패키지가 개시되어 있다.

Description

반도체 칩 패키지{Semiconductor chip package}
본 발명은 반도체 칩 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 칩, 접착제 및 리드 프레임의 다이 패드 사이에 발생되는 박리 현상, 패키지 크랙과 같은 문제를 해결하기 위하여 반도체 칩을 지지하기 위한 수단으로 연장된 타이바 또는 비접속 리드를 갖는 반도체 칩 패키지에 관한 것이다.
통상적으로 반도체 칩 패키지에 사용되는 리드 프레임은 반도체 칩의 설계 구조 특히, 칩 패드(Chip Pad)의 설계 구조에 따라서 다른 구조를 갖고 있다. 칩 패드들이 반도체 칩 활성면의 중심 부분에 형성된 센터 패드(Center Pad)인 경우에는 반도체 칩의 센터 패드의 양측에 리드 프레임의 내부 리드들이 부착된 리드 온 칩(Lead On Chip; LOC) 구조를 이루며, 반도체 칩의 활성면에 내부 리드를 부착하기 위한 접착제로서 비전도성 접착제인 양면 접착성이 있는 폴리이미드 테이프(Polyimide Tape)가 사용된다. 그리고, 칩 패드들이 반도체 칩 활성면의 외측에 형성된 에지 패드(Edge Pad)인 경우에는 다이 패드를 갖는 리드 프레임이 주로 사용되며, 반도체 칩을 다이 패드에 부착시키는 접착 수단으로 은-에폭시(Ag-epoxy) 접착제가 주로 사용된다.
도면을 참조하면서 더욱 상세하게 다이 패드를 갖는 리드 프레임을 이용한 반도체 칩 패키지에 관하여 설명하겠다.
도 1을 참조하여 일반적인 다이 패드를 갖는 반도체 칩 패키지에 대하여 설명하면, 반도체 칩 패키지(10)는 반도체 칩(12)이 은-에폭시 접착제(16)가 개재된 상태에서 다이 패드(14)에 부착되며, 다이 패드(14)에 대향하여 형성된 복수개의 리드(19)는 반도체 칩의 칩 패드(12a)와 본딩 와이어(13)에 의해 전기적으로 연결된다. 그리고, 반도체 칩(12)과, 본딩 와이어(13)와 연결된 리드의 일부분(15)이 에폭시 계열의 봉지수지에 의해 봉지되어 패키지 몸체(18)를 형성하며, 패키지 몸체(18)에 대하여 외부로 돌출된 리드 부분(17)은 영문자 제이(J)로 절곡된 구조를 갖는다.
이와 같은 일반적인 반도체 칩 패키지(10)는 다이 패드(14) 상부면의 면적이 반도체 칩(12)의 하부면의 면적보다 크기 때문에 패키지 몸체(18)에서 차지하는 면적이 크며, 도포되는 은-에폭시 접착제(16)의 양 또한 반도체 칩(12)의 하부면에 비례하게 된다. 그런데, 패키지 몸체(18)를 이루는 에폭시 계열의 봉지 수지와 접착제(16)는 내습성을 갖고 있기 때문에 고온 고습 분위기에서의 패키지(10) 신뢰성 테스트에서 패키지 몸체(18)와, 접착제(16)는 수분을 흡수하게 되며, 특히 흡수된 수분은 다이 패드(14)의 하부면으로 몰리게 된다. 그리고, 수분을 흡습한 반도체 칩 패키지(10)를 기판에 실장하는 납땜 리플로우(Solder Reflow) 공정을 진행할 경우에 다이 패드(14)의 모서리 부분에서 패키지 몸체(18)가 파괴되는 패키지 크랙(Package Creak)이 발생될 수 있다. 즉, 납땜 리플로우 공정에서 반도체 칩 패키지(10)에 가해지는 열적 분위기가 다이 패드(14) 하부면과 봉지 수지의 계면에 몰린 수분이 증기로 기화되면서 팽창하여 그 수증기압에 의해 발생하는 응력이 패키지 크랙을 초래하게 된다. 상기와 같은 불량은 TSOP(TSOP; Thin Small Outline Package)와 같은 초박형 패키지에서는 그 발생 빈도가 증가한다.
따라서, 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 방안으로 다이 패드와 봉지 수지의 결합력을 향상시키기 위하여 다이 패드의 밑면에 딤플(Dimple)을 형성하거나 반도체 칩의 밑면과 봉지 수지가 직접 접촉할 수 있도록 다이 패드에 슬롯(Slot)을 형성하였지만 반도체 칩 패키지에서 다이 패드가 차지하는 면적이 크기 때문에 패키지 크랙을 완전히 해소하지는 못하였다.
상기와 같은 문제점의 근본적인 이유는 반도체 칩, 리드 프레임, 접착제, 봉지 수지의 열팽창 계수 차이에 따른 응력 발생 때문이며, 반도체 칩을 지지하는 다이 패드의 면적이 반도체 칩보다는 크며, 그에 따라서 반도체 칩을 다이 패드에 부착하기 위해 사용되는 접착제 양 또한 많기 때문에 수분 흡수를 유도하는 인자가 많기 때문이다.
따라서, 본 발명의 목적은 수분을 흡수하는 인자를 줄이기 위하여 반도체 칩을 지지하는 다이 패드의 영역을 최소화하여 접착제 사용량을 줄이며, 그에 따른 반도체 칩과 봉지 수지의 접착 계면을 증가시켜 반도체 칩, 리드 프레임, 봉지 수지 사이의 결합력을 증가시켜 패키지 크랙과 같은 불량을 극복할 수 있는 반도체 칩 패키지를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 리드 프레임에서 반도체 칩이 부착되어 고정되는 다이 패드를 제거하고, 마주보는 양측의 타이바를 반도체 칩이 실장될 영역안으로 연장하거나, 마주보는 양측의 비접속 리드들을 반도체 칩이 실장될 영역 안으로 연장하여 반도체 칩의 활성면 또는 활성면에 반대되는 면에 부착된 다음과 같은 반도체 칩 패키지를 제공한다.
첫째, 리드 프레임에서 반도체 칩이 부착되어 지지되는 다이 패드를 제거하고, 마주보는 양측의 타이바 부분을 반도체 칩이 실장될 영역 안으로 연장하여, 연장된 타이바에 반도체 칩을 부착하여 지지하는 반도체 칩 패키지를 제공한다. 이때, 연장된 타이바는 반도체 칩의 활성면 또는 그에 반대되는 면에 부착되며, 활성면에 부착될 경우에는 비전도성 접착제를 이용하여 부착하게 된다.
둘째, 리드 프레임에서 반도체 칩이 부착되어 지지되는 다이 패드를 제거하고, 마주보는 양측의 복수개의 비접속 리드를 반도체 칩이 실장될 영역 안으로 연장하여, 연장된 비접속 리드들에 반도체 칩이 부착되어 지지되는 반도체 칩 패키지를 제공한다. 이때, 연장된 비접속 리드들은 반도체 칩의 활성면 또는 그에 반대되는 면에 부착되며, 활성면에 부착될 경우에는 비전도성 접착제를 이용하여 부착하게 된다.
셋째, 리드 프레임에서 반도체 칩이 부착되는 다이 패드를 제거하고, 마주보는 양측의 복수개의 비접속 리드를 반도체 칩이 실장될 영역 안으로 연장하여, 연장된 비접속 리드들에 반도체 칩이 부착되어 지지되는 반도체 칩 패키지를 제공한다. 이때, 서로 이웃하는 연장된 비접속 리드들은 지지바로 연결된다. 그리고, 지지바로 연결된 연장된 비접속 리드들은 반도체 칩의 활성면 또는 그에 반대되는 면에 부착되며, 활성면에 부착될 경우에는 비전도성 접착제를 이용하여 부착하게 된다.
그리고, 반도체 칩의 칩 패드와 내부 리드의 안정적인 와이어 본딩 공정을 진행하며, 성형 공정에서 패키지의 균형을 맞추기 위해서 반도체 칩의 활성면에 부착되는 연장된 타이바 또는 연장된 비접속 리드들은 접속 내부 리드들이 형성된 면에 대하여 업-셋(Up-Set) 가공되며, 반도체 칩의 밑면에 부착되는 연장된 타이바 또는 연장된 비접속 리드들은 접속 내부 리드들이 형성된 면에 대하여 다운-셋(Down-Set) 가공된다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 칩 패키지에 있어서, 복수개의 타이바가 반도체 칩의 활성면에 부착된 상태를 나타내는 평면도이고, 도 3은 도 2의 3―3 선 단면도이고, 도 4는 도 2의 4―4선 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 칩 패키지를 설명하면, 반도체 칩 패키지(20)는 반도체 칩(22)과, 리드(29)와 타이바(21)를 포함하는 리드 프레임과, 본딩 와이어(23), 패키지 몸체(28)를 포함한다.
반도체 칩 패키지(20)의 구성 요소의 구조 및 구성 요소간의 연결 관계를 설명하면, 리드 프레임은 종래의 리드 프레임과 비교하여 반도체 칩(22)의 면적보다 큰 다이 패드가 제거되어 있으며, 다이 패드가 제거된 공간은 반도체 칩(22)이 실장되는 공간(이하, '반도체 칩 실장 공간'이라 한다)으로서, 마주보는 양측의 타이바(21)가 반도체 칩 실장 공간으로 연장되어 뻗어 있다. 그리고, 반도체 칩 실장 공간으로 연장된 타이바의 끝부분(21a; 이하, '칩 접착부'라 한다.)에는 접착제(26)가 도포되는 부분으로써, 안정적인 접착 면적을 확보하기 위하여 다른 부분에 비하여 면적이 좀 더 크게 형성한다. 그리고, 반도체 칩 실장 공간을 향하여 복수개의 리드(29)가 소정의 간격으로 형성된다. 이때, 리드들(29)은 실장된 반도체 칩(22)의 외측에 위치할 수 있도록 설계된다.
연장된 타이바의 칩 접착부(21a)에 부착되는 반도체 칩(22)은 활성면에 복수개의 에지 패드(22a)가 형성되어 있으며, 칩 접착부(21a)가 부착되는 반도체 칩(22)의 활성면에는 에지 패드(21a)가 형성되어 있지 않다.
그리고, 반도체 칩의 에지 패드(22a)는 리드(29)와 본딩 와이어(23)로 전기적으로 연결되며, 반도체 칩(22), 연장된 타이바(21), 본딩 와이어(23)를 포함하여 리드의 일부분(25)이 에폭시 계열의 봉지 수지에 의해 봉지되어 패키지 몸체(28)가 형성된다.
그리고, 패키지 몸체(28)의 외측에 노출된 리드 부분(27)은 외부 전자 장치에 실장될 수 있도록 영문자 제이(J)로 절곡된 구조를 갖는다. 통상적으로 패키지 몸체(28)의 내측에 위치하는 리드 부분을 내부 리드(25)라 하고, 패키지 몸체(28)의 외측에 노출된 부분을 외부 리드(27)라 한다.
연장된 타이바(21)에 반도체 칩(22)이 부착된 구조를 좀더 상세히 설명하면, 연장된 타이바(21)는 반도체 칩(22)의 활성면에 부착되기 때문에 접착제로서 비전도성 접착제(26)가 사용된다. 예를 들면, 양면 접착성이 있는 폴리이미드 테이프나 액상의 비전도성 접착제를 사용한다. 여기서, 폴리이미드 테이프를 사용할 경우에는 연장된 타이바의 칩 접착부(21a)의 하부면에 10∼100㎛ 두께의 폴리이미드 테이프를 안착시킨 상태에서 사전 경화(Pre-curing) 공정을 통해 칩 접착부(21a)에 부착하게 되며, 액상의 비전도성 접착제를 사용할 경우에는 칩 접착부(21a)에 10∼100㎛ 두께의 액상의 비전도성 접착제를 디스펜서(Dispenser)를 사용하여 도포한 상태에서 사전 경화 공정을 통해 칩 접착부(21a)에 부착하게 된다.
이와 같이 비전도성 접착제(26)가 도포된 연장된 타이바(21)를 갖는 리드 프레임이 준비된 상태에서, 반도체 칩(22)의 활성면에 비전도성 접착제(26)가 도포된 연장된 타이바의 칩 접착부(21a)를 열압착 방법으로 부착하게 된다. 이때, 100∼500℃의 작업 온도에서 부착 및 경화 공정이 진행된다. 전술된 공정에 의해 반도체 칩(22)은 리드 프레임의 연장된 타이바(21)에 부착되어 지지된다.
제 1 실시예에서는 연장된 타이바(21)가 반도체 칩(22)의 활성면에 부착되기 때문에 반도체 칩(22)과 내부 리드(25)의 안정적인 와이어(23) 본딩 공정과, 패키지(20) 균형을 유지하여 성형 공정 이후에 패키지(20)가 휘는 불량을 제거하기 위하여 칩 접착부(21a)를 포함하여 반도체 칩(22) 상에 위치하는 연장된 타이바(21) 부분은 내부 리드(25)가 형성된 면에 대하여 업-셋 가공된다. 도 5의 도면 부호 21b는 연장된 타이바(21)의 업-셋 가공된 부분을 도시하고 있다.
다음으로, 도 5 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 칩 패키지를 설명하면, 제 2 실시예에 따른 반도체 칩 패키지(30)는 제 1 실시예와의 동일하게 연장된 타이바(31)의 칩 접착부(31a)에 반도체 칩(32)이 부착된 구조를 갖는다. 차이점은 연장된 타이바(31)가 반도체 칩(32)의 활성면이 아닌 그에 반대되는 면에 부착된다는 것이다. 따라서, 반도체 칩(22)의 밑면에 연장된 타이바(31)가 부착되기 때문에 연장된 타이바(31)는 내부 리드들(35)이 형성된 면에 대하여 다운-셋 가공된다. 여기서, 도면 부호 31b는 다운-셋 가공된 부분을 도시하고 있다. 그리고, 반도체 칩(32)의 밑면에 연장된 타이바(31)가 부착되기 때문에 접착제(36)로서 도 2 내지 도 4에서 설명되었던 비전도성 접착제(26) 뿐만 아니라 은-에폭시(Ag-Epoxy) 접착제와 같은 도전성 접착제를 사용하여도 무방하다. 그리고, 접착제(36)는 연장된 타이바의 칩 접착부(31a)의 상부면에 도포된다. 한편, 은-에폭시 접착제를 사용할 경우에는 다른 비전도성 접착제와는 다르게 상온에서 연장된 타이바의 칩 접착부(31a)의 상부면에 은-에폭시 접착제를 도포하고, 반도체 칩(32)의 밑면에 압착 방법으로 접착한 후에 경화하게 된다.
다음으로, 도 8 및 도 9를 참조하여 제 3 실시예에 따른 반도체 칩 패키지를 설명하면, 제 3 실시예에 따른 반도체 칩 패키지(40)는 반도체 칩(42)과, 접속 리드(49; Connection Lead)와 비접속 리드(49a; Non-Connection Lead)를 포함하는 리드 프레임과, 본딩 와이어(43), 패키지 몸체(48)를 포함한다. 여기서, 접속 리드(49)는 반도체 칩의 칩 패드(42a)와 본딩 와이어(43)와 같은 전기적 연결 수단으로 연결되는 리드를 의미하며, 전기적 신호의 입출력 단자로서 사용되며, 비접속 리드(49a)는 반도체 칩의 칩 패드(42a)와 전기적 연결 수단으로 연결되지 않는 리드를 의미하며, 전기적 신호의 입출력 단자로서 사용되지 않는다.
반도체 칩 패키지(40)의 구성 요소의 구조 및 구성요소간의 연결 관계를 설명하면, 리드 프레임은 종래의 리드 프레임과 비교하여 반도체 칩(42)의 면적보다 큰 다이 패드가 제거되어 있으며, 반도체 칩 실장 공간 안으로 마주보는 양측에서 각기 2개의 비접속 내부 리드(45a)가 뻗어 있다. 그리고, 반도체 칩 실장 공간 안으로 연장된 비접속 내부 리드(45a)의 끝부분(45b; 이하, '칩 접착부'라 한다)은 접착제(46)가 도포되는 부분으로써, 다른 부분에 비하여 면적이 좀 더 크게 형성한다. 그리고, 반도체 칩 실장 공간을 향하여 복수개의 접속 내부 리드(45)가 소정의 간격으로 두고 형성된다. 이때, 접속 내부 리드(45)는 실장되는 반도체 칩(42)의 외측에 형성된다.
연장된 비접속 내부 리드(49a)에 부착되는 반도체 칩(42)은 활성면에 복수개의 에지 패드(42a)가 형성되어 있으며, 연장된 비접속 내부 리드(45a)에 부착되는 반도체 칩(42)의 활성면에는 에지 패드(42a)가 형성되어 있지 않다.
그리고, 반도체 칩의 에지 패드(42a)는 접속 내부 리드(45)와 본딩 와이어(43)로 전기적으로 연결되며, 반도체 칩(42), 연장된 비접속 내부 리드(45a), 본딩 와이어(43)를 포함하여 접속 내부 리드(45)가 에폭시 계열의 봉지 수지에 의해 봉지되어 패키지 몸체(48)가 형성된다. 그리고, 패키지 몸체(48)의 외측에 노출된 외부 리드들(47)은 외부 전자 장치에 실장될 수 있도록 영문자 제이(J)로 절곡된 구조를 갖는다.
연장된 비접속 내부 리드(45a)에 반도체 칩(42)이 부착된 구조를 좀더 상세히 설명하면, 연장된 비접속 내부 리드(45a)는 반도체 칩(42)의 활성면에 부착되기 때문에 접착제로서 비전도성 접착제(46)가 사용된다. 예를 들면, 양면 접착성이 있는 폴리이미드 테이프나 액상의 절연 접착제를 사용한다. 여기서, 폴리이미드 테이프를 사용할 경우에는 연장된 비접속 내부 리드의 칩 접착부(45a)에 10∼100㎛ 두께의 폴리이미드 테이프를 안착시킨 상태에서 사전 경화 공정을 통해 연장된 비접속 내부 리드의 칩 접착부(45b)에 부착하게 되며, 액상의 비전도성 접착제를 사용할 경우에는 연장된 비접속 내부 리드의 칩 접착부(45b)에 10∼100㎛ 두께의 액상의 비전도성 접착제를 디스펜서를 사용하여 도포한 상태에서 사전 경화 공정을 통해 연장된 비접속 내부 리드의 칩 접착부(45b)에 부착하게 된다.
이와 같이 비전도성 접착제(46)가 도포된 연장된 비접속 내부 리드(45b)를 갖는 리드 프레임이 준비된 상태에서, 반도체 칩(42)의 활성면에 비전도성 접착제(46)가 도포된 연장된 비접속 내부 리드(45a)를 열압착 방법으로 부착하게 된다. 이때, 100∼500℃의 작업 온도에서 부착 및 경화 공정이 이루어진다. 이렇게 하여 반도체 칩(42)은 리드 프레임의 연장된 비접속 내부 리드(45a)에 부착되어 지지된다.
연장된 비접속 내부 리드(45a)가 반도체 칩(42)의 활성면에 부착되기 때문에 반도체 칩(42)과 접속 내부 리드(45)의 안정적인 와이어(43) 본딩 공정과, 패키지(40) 균형을 유지하여 성형 공정 이후에 패키지(40)가 휘는 불량을 제거하기 위하여 칩 접착부(45b)를 포함하여 반도체 칩(42) 상에 위치하는 연장된 비접속 내부 리드(45a) 부분은 접속 내부 리드(45)가 형성된 면에 대하여 업-셋 가공된다. 도 9의 도면 부호 45c는 연장된 비접속 내부 리드(45a)의 업-셋 가공된 부분을 도시하고 있다.
다음으로, 도 10 및 도 11을 참조하여 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반도체 칩 패키지를 설명하면, 제 4 실시예에 따른 반도체 칩 패키지(50)는 제 3 실시예와의 동일하게 연장된 비접속 내부 리드(55a)에 반도체 칩(52)이 부착된 구조를 갖는다. 차이점은 연장된 비접속 내부 리드(55a)가 반도체 칩(52)의 활성면에 반대되는 면에 부착된다는 것이다. 즉, 반도체 칩(52)의 밑면에 연장된 비접속 내부 리드(55a)가 부착되기 때문에 연장된 비접속 내부 리드(55a)는 접속 내부 리드들(55)이 형성된 면에 대하여 다운-셋 가공된다. 여기서, 도면 부호 55c는 연장된 비접속 내부 리드(55a)의 다운-셋 가공된 부분을 도시하고 있다. 그리고, 반도체 칩(52)의 밑면에 연장된 비접속 내부 리드(55a)가 부착되기 때문에 접착제(56)로서 도 8 및 도 9에서 설명되었던 비전도성 접착제뿐만 아니라 은-에폭시 접착제와 같은 도전성 접착제를 사용하여도 무방하다. 한편, 은-에폭시 접착제를 사용할 경우에는 상온에서 연장된 비접속 내부 리드의 칩 접착부(55b)의 상부면에 은-에폭시 접착제를 도포하고, 반도체 칩(55)의 밑면에 압착 방법으로 접착한 후에 경화하게 된다.
다음으로, 도 12를 참조하여 본 발명의 제 5 실시예에 따른 반도체 칩 패키지를 설명하면, 제 5 실시예에 따른 반도체 칩 패키지(60)는 제 3 실시예와 동일하게 연장된 비접속 내부 리드(65a)에 반도체 칩(62)이 부착된 구조를 갖는다. 차이점은 제 3 실시예에서는 연장된 비접속 내부 리드들(45a)은 서로 이웃하는 위치에 형성되어 있지만, 제 5 실시예에 따른 연장된 비접속 내부 리드(65a)는 지지바(65d;Support Bar)에 의해 연결되며, 비접속 내부 리드(65a) 사이에 복수개의 접속 내부 리드(65)가 존재한다. 여기서, 지지바(65d)는 비접속 내부 리드(65a)를 지탱하는 역할을 하게 된다.
다음으로, 도 13을 참조하여 본 발명의 제 6 실시예에 따른 반도체 칩 패키지를 설명하면, 제 6 실시예에 따른 반도체 칩 패키지(70)는 제 5 실시예와 동일하게 지지바(75d)에 의해 연결된 연장된 비접속 내부 리드의 칩 접착부(75b)에 반도체 칩(72)이 부착된 구조를 갖는다. 차이점은 연장된 비접속 내부 리드(75a)가 반도체 칩(72)의 밑면에 부착된다는 점이다.
정리하면, 제 1 및 제 2 실시예에서는 반도체 칩의 지지수단으로 연장된 타이바를 사용한 반면에 제 3 내지 제 6 실시예에서는 반도체 칩의 지지수단으로 연장된 비접속 리드들을 사용하였다. 그리고, 지지수단이 반도체 칩의 활성면에 부착될 경우에는 비전도성 접착제를 사용하였으며, 패키지의 균형을 유지하기 위하여 접속 리드가 형성된 면에 대하여 업-셋 가공하였고, 지지수단이 반도체 칩의 밑면에 부착될 경우에는 비전도성 접착제 및 전도성 접착제를 모두 사용할 수 있으며, 패키지의 균형을 유지하기 위하여 접속 리드가 형성된 면에 대하여 다운-셋 가공하였다. 그리고, 제 5 및 제 6 실시예에서는 비접속 내부 리드의 보강 수단으로서, 지지바가 비접속 내부 리드들을 연결하고 있다.
따라서, 본 발명의 구조를 따르면, 반도체 칩이 반도체 칩의 면적보다 작은 연장된 타이바 또는 연장된 비접속 내부 리드의 칩 접착부에 부착되어 지지되기 때문에 접착제 사용량을 줄일 수 있으며, 반도체 칩과 봉지 수지 사이의 접착계면이 증가하기 때문에 반도체 칩과 봉지 수지 사이의 결합력이 증가되어 패키지 크랙과 같은 불량을 억제할 수 있다.
도 1은 종래 기술의 실시예에 따른 반도체 칩 패키지를 나타내는 단면도,
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 칩 패키지에 있어서, 복수개의 타이바가 반도체 칩의 활성면에 부착된 상태를 나타내는 평면도,
도 3은 도 2의 3―3 선 단면도,
도 4는 도 2의 4―4 선 단면도,
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 칩 패키지에 있어서, 복수개의 타이바가 반도체 칩의 바닥면에 부착된 상태를 나타내는 평면도,
도 6은 도 5의 6―6 선 단면도,
도 7은 도 5의 7―7 선 단면도,
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반도체 칩 패키지에 있어서, 복수개의 비접속 리드가 반도체 칩의 활성면에 부착된 상태를 나타내는 평면도,
도 9는 도 8의 9―9 선 단면도,
도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반도체 칩 패키지에 있어서, 복수개의 비접속 리드가 반도체 칩의 바닥면에 부착된 상태를 나타내는 평면도,
도 11은 도 10의 11―11 선 단면도,
도 12는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 반도체 칩 패키지에 있어서, 끝 부분이 연결된 비접속 리드가 반도체 칩의 활성면에 부착된 상태를 나타내는 평면도,
도 13은 본 발명의 제 6 실시예에 다른 반도체 칩 패키지에 있어서, 끝 부분이 연결된 비접속 리드가 반도체 칩의 바닥면에 부착된 상태를 나타내는 평면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *
21, 31 : 연장된 타이바
22, 32, 42, 52, 62, 72 : 반도체 칩
23, 33, 43, 53, 63, 73 : 본딩 와이어
26, 36, 46, 56, 66, 76 : 접착제
29, 39, 49, 59, 69, 79 : 리드
49a, 59a, 69a, 79a : 비접속 내부 리드
28, 38, 48, 58, 68,78 : 패키지 몸체
20, 30, 40, 50, 60, 70 : 반도체 칩 패키지

Claims (13)

  1. 활성면에 복수개의 칩 패드가 형성된 반도체 칩과;
    상기 활성면의 마주보는 양측에 부착되어 상기 반도체 칩을 지지하는 복수개의 비접속 내부 리드와, 상기 반도체 칩에 대향하여 형성된 복수개의 접속 내부 리드를 포함하는 복수개의 내부 리드와;
    상기 접속 내부 리드와 칩 패드를 전기적으로 연결하는 전기적 연결 수단과;
    상기 반도체 칩, 내부 리드, 전기적 연결 수단이 봉지된 패키지 몸체; 및
    상기 내부 리드와 일체로 형성되며, 상기 패키지 몸체에 대하여 돌출된 복수개의 외부 리드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 연장된 비접속 내부 리드는 상기 접속 내부 리드가 형성된 면에 대하여 업-셋 가공된 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 연장된 비접속 내부 리드는 비전도성 접착제에 의해 상기 활성면에 부착되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 비전도성 접착제가 도포되는 부분은 상기 연장된 비접속 내부 리드의 끝부분인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 연장된 비접속 내부 리드의 끝부분은 접착 면적 확보를 위하여 다른 부분에 비하여 면적이 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 연장된 비접속 내부 리드를 지지하기 위하여 같은 열에 형성된 연장된 비접속 내부 리드를 서로 연결하는 지지바를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 연장된 비접속 내부 리드는 상기 칩 패드가 형성되지 않은 상기 활성면에 부착되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  8. 활성면에 복수개의 칩 패드가 형성된 반도체 칩과;
    상기 활성면에 반대되는 면의 마주보는 양측에 부착되어 상기 반도체 칩을 지지하는 복수개의 비접속 내부 리드와, 상기 반도체 칩에 대향하여 형성된 복수개의 접속 내부 리드를 포함하는 복수개의 내부리드와;
    상기 접속 내부 리드와 칩 패드를 전기적으로 연결하는 전기적 연결 수단과;
    상기 반도체 칩, 내부 리드, 전기적 연결 수단이 봉지된 패키지 몸체; 및
    상기 내부 리드와 일체로 형성되며, 상기 패키지 몸체에 대하여 돌출된 복수개의 외부 리드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 연장된 비접속 내부 리드는 상기 접속 내부 리드가 형성된 면에 대하여 다운-셋 가공된 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 연장된 비접속 내부 리드는 접착제에 의해 상기 활성면에 부착되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 접착제가 도포되는 부분은 상기 연장된 비접속 내부 리드의 끝부분인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  12. 제 22항에 있어서, 상기 연장된 비접속 내부 리드의 끝부분은 접착 면적 확보를 위하여 다른 부분에 비하여 면적이 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
  13. 제 8항에 있어서, 상기 연장된 비접속 내부 리드를 지지하기 위하여 같은 열에 형성된 연장된 비접속 내부 리드를 서로 연결하는 지지바를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 패키지.
KR1019970038473A 1997-08-12 1997-08-12 반도체칩패키지 KR100475335B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970038473A KR100475335B1 (ko) 1997-08-12 1997-08-12 반도체칩패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970038473A KR100475335B1 (ko) 1997-08-12 1997-08-12 반도체칩패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990016051A KR19990016051A (ko) 1999-03-05
KR100475335B1 true KR100475335B1 (ko) 2005-05-19

Family

ID=37302691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970038473A KR100475335B1 (ko) 1997-08-12 1997-08-12 반도체칩패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100475335B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100693755B1 (ko) * 2005-07-27 2007-03-12 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 리드프레임 구조

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06302755A (ja) * 1993-03-22 1994-10-28 Motorola Inc フラグレス半導体装置およびその製造方法
KR960026691A (ko) * 1994-12-16 1996-07-22 황인길 반도체 패키지 제조용 리드프레임 패드구조
KR960032707A (ko) * 1995-02-28 1996-09-17 김광호 지지바를 이용한 다이패드구조로 이루어지는 반도체패키지
KR970077602A (ko) * 1996-05-23 1997-12-12 김광호 칩접착부가 일체형으로 형성된 타이바를 갖는 패드리스 리드프레임과 이를 이용한 반도체 칩 패키지

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06302755A (ja) * 1993-03-22 1994-10-28 Motorola Inc フラグレス半導体装置およびその製造方法
KR960026691A (ko) * 1994-12-16 1996-07-22 황인길 반도체 패키지 제조용 리드프레임 패드구조
KR960032707A (ko) * 1995-02-28 1996-09-17 김광호 지지바를 이용한 다이패드구조로 이루어지는 반도체패키지
KR970077602A (ko) * 1996-05-23 1997-12-12 김광호 칩접착부가 일체형으로 형성된 타이바를 갖는 패드리스 리드프레임과 이를 이용한 반도체 칩 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990016051A (ko) 1999-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20080035210A (ko) 휨 및 와이어 단선을 억제하는 반도체 패키지 및 그제조방법
KR100370529B1 (ko) 반도체 장치
KR100366111B1 (ko) 수지봉합형 반도체장치의 구조
JPH08124957A (ja) 半導体集積回路
KR100475335B1 (ko) 반도체칩패키지
US6211563B1 (en) Semiconductor package with an improved leadframe
JP2756791B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH06334070A (ja) 混成集積回路装置
KR19980025890A (ko) 리드 프레임을 이용한 멀티 칩 패키지
JPH09162330A (ja) 半導体集積回路装置
JPH07326710A (ja) 半導体実装構造
JP3218816B2 (ja) 半導体装置
JP3082507U (ja) ダブルサイドチップパッケージ
KR20030054066A (ko) 적층 패키지 및 그 제조 방법
JP3707639B2 (ja) エリアアレイパッケージ型半導体装置の構造
KR100248202B1 (ko) 칩 크기의 패키지 및 그의 형성방법
KR100369397B1 (ko) 가요성회로기판을이용한볼그리드어레이반도체패키지
JPH11260945A (ja) 半導体装置の実装構造及び実装方法
JP2743156B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
KR19980034119A (ko) 반도체 칩 적층형 패키지
KR100195507B1 (ko) 박형 반도체 칩 패키지 소자
KR200179421Y1 (ko) 적층형 반도체 패캐이지
JPH02205056A (ja) 集積回路パッケージ
JPH08306824A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH09237864A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee