JP2003273309A - リードフレーム及び半導体装置並びにそれらの製造方法 - Google Patents
リードフレーム及び半導体装置並びにそれらの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装基板とのハンダ付け性の改善、目視検査
のし易さの改善等を図る。 【解決手段】 裏面に突起部１１ａ，１２ａ，１３ａが
形成されたリードフレーム１０上に半導体素子を搭載
し、配線材料５０で接続し、全体を封止樹脂６０でパッ
ケージして半導体装置を形成する。リードフレーム１０
は、ダイアイランド部１１、吊出部１２、リード部１３
を区画する間隙に第１の連結絶縁材料２０が配設され、
突起部１１ａ，１２ａ，１３ａを除く部分の裏面全面に
第２の連結絶縁材料３０が配設されている。
のし易さの改善等を図る。 【解決手段】 裏面に突起部１１ａ，１２ａ，１３ａが
形成されたリードフレーム１０上に半導体素子を搭載
し、配線材料５０で接続し、全体を封止樹脂６０でパッ
ケージして半導体装置を形成する。リードフレーム１０
は、ダイアイランド部１１、吊出部１２、リード部１３
を区画する間隙に第１の連結絶縁材料２０が配設され、
突起部１１ａ，１２ａ，１３ａを除く部分の裏面全面に
第２の連結絶縁材料３０が配設されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム及
びそのリードフレームを使用した半導体装置並びにそれ
らの製造方法に関するものである。
びそのリードフレームを使用した半導体装置並びにそれ
らの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のチップキャリアタイプの小型半導
体装置は、外部接続用のリード端子が封止樹脂本体の底
面部から露出する形状であるが、そのリード端子の実装
基板との接合面が樹脂本体の底面と一様な平面、つまり
樹脂本体底面部と同一高さになっている。
体装置は、外部接続用のリード端子が封止樹脂本体の底
面部から露出する形状であるが、そのリード端子の実装
基板との接合面が樹脂本体の底面と一様な平面、つまり
樹脂本体底面部と同一高さになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようにリード端子
が封止樹脂本体底面部に平面的に面一で露出し、封止樹
脂本体底面とリード端子の間に段差（スタンドオフ）が
ないため、ハンダ付け作業時に、溶融したハンダの表面
張力によって半導体装置全体が実装基板から浮き上が
り、リード端子のハンダ付け位置が実装基板の所定の電
極部（パッド）から外れてしまうという問題があった。
が封止樹脂本体底面部に平面的に面一で露出し、封止樹
脂本体底面とリード端子の間に段差（スタンドオフ）が
ないため、ハンダ付け作業時に、溶融したハンダの表面
張力によって半導体装置全体が実装基板から浮き上が
り、リード端子のハンダ付け位置が実装基板の所定の電
極部（パッド）から外れてしまうという問題があった。
【０００４】また、ハンダ量が均一に各ハンダ接合部に
行き渡らず、ハンダ付けにバラツキが生じ易くなり、実
装基板との間のハンダ付着が全体的に不均一或いは不十
分になるという問題もあった。
行き渡らず、ハンダ付けにバラツキが生じ易くなり、実
装基板との間のハンダ付着が全体的に不均一或いは不十
分になるという問題もあった。
【０００５】さらに、ハンダ付け後の目視検査におい
て、実装基板表面と半導体装置底面との間隔が少ないた
め、ハンダ付け部の良否のチェックがし難いという問題
もあった。
て、実装基板表面と半導体装置底面との間隔が少ないた
め、ハンダ付け部の良否のチェックがし難いという問題
もあった。
【０００６】本発明の目的は、上記課題を解決し、実装
基板とのハンダ付け性の改善、目視検査のし易さの改善
等を図ったリードフレーム及び半導体装置並びにそれら
の製造方法を提供することである。
基板とのハンダ付け性の改善、目視検査のし易さの改善
等を図ったリードフレーム及び半導体装置並びにそれら
の製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１にかかる発明
は、吊出部を有し半導体素子が搭載されるダイアイラン
ド部と、前記半導体素子の電極に配線材料で接続される
リード部と、前記吊出部及び前記リード部と連続する枠
部と、前記吊出部、前記ダイアイランド部、前記リード
部、および前記枠部を区画する間隙部の一部とを１単位
として複数単位が連続形成されたリードフレームであっ
て、前記リード部の裏面側に形成された第１の突起部
と、前記間隙部を埋めるように配設された第１の連結絶
縁材料、及び／又は前記第１の突起部のみが露出するよ
うに裏面全面に配設された第２の連結絶縁材料と、を具
備することを特徴とするリードフレームとした。
は、吊出部を有し半導体素子が搭載されるダイアイラン
ド部と、前記半導体素子の電極に配線材料で接続される
リード部と、前記吊出部及び前記リード部と連続する枠
部と、前記吊出部、前記ダイアイランド部、前記リード
部、および前記枠部を区画する間隙部の一部とを１単位
として複数単位が連続形成されたリードフレームであっ
て、前記リード部の裏面側に形成された第１の突起部
と、前記間隙部を埋めるように配設された第１の連結絶
縁材料、及び／又は前記第１の突起部のみが露出するよ
うに裏面全面に配設された第２の連結絶縁材料と、を具
備することを特徴とするリードフレームとした。
【０００８】請求項２にかかる発明は、請求項１にかか
る発明において、前記ダイアイランド部の裏面側に形成
された第２の突起部を具備することを特徴とするリード
フレームとした。
る発明において、前記ダイアイランド部の裏面側に形成
された第２の突起部を具備することを特徴とするリード
フレームとした。
【０００９】請求項３にかかる発明は、請求項１又は２
にかかる発明において、前記リード部における前記第１
の突起部の反対面側に形成された凹部又は第３の突起部
を具備することを特徴とするリードフレームとした。
にかかる発明において、前記リード部における前記第１
の突起部の反対面側に形成された凹部又は第３の突起部
を具備することを特徴とするリードフレームとした。
【００１０】請求項４にかかる発明は、請求項１乃至３
のいずれか１にかかる発明のリードフレームと、該リー
ドフレームの前記ダイアイランド部に搭載された前記半
導体素子と、前記半導体素子の電極と前記リードフレー
ムの前記リード部との間を接続する前記配線材料と、前
記半導体素子および前記配線材料を覆うように前記リー
ドフレームの上面側にモールドされた封止樹脂とを具備
することを特徴とする半導体装置とした。
のいずれか１にかかる発明のリードフレームと、該リー
ドフレームの前記ダイアイランド部に搭載された前記半
導体素子と、前記半導体素子の電極と前記リードフレー
ムの前記リード部との間を接続する前記配線材料と、前
記半導体素子および前記配線材料を覆うように前記リー
ドフレームの上面側にモールドされた封止樹脂とを具備
することを特徴とする半導体装置とした。
【００１１】請求項５にかかる発明は、吊出部を有する
ダイアイランド部と、該ダイアイランド部の近くに形成
され裏面に第１の突起部を有するリード部と、前記ダイ
アイランドの吊出部と前記リード部とを連結する枠部
と、前記吊出部、前記ダイアイランド部、前記リード
部、および前記枠部を区画する間隙部の一部とを１単位
とし複数単位が連続する形状にリードフレームを加工す
る第１の工程、前記間隙部を埋めるように第１の連結絶
縁材料を配設する第２の工程、前記第１の突起部のみが
露出するように前記リードフレームの裏面全面に第２の
連結絶縁材料を配設する第３の工程、の内の少なくとも
第１と第２の工程又は第１と第３の工程を具備すること
を特徴とするリードフレームの製造方法とした。
ダイアイランド部と、該ダイアイランド部の近くに形成
され裏面に第１の突起部を有するリード部と、前記ダイ
アイランドの吊出部と前記リード部とを連結する枠部
と、前記吊出部、前記ダイアイランド部、前記リード
部、および前記枠部を区画する間隙部の一部とを１単位
とし複数単位が連続する形状にリードフレームを加工す
る第１の工程、前記間隙部を埋めるように第１の連結絶
縁材料を配設する第２の工程、前記第１の突起部のみが
露出するように前記リードフレームの裏面全面に第２の
連結絶縁材料を配設する第３の工程、の内の少なくとも
第１と第２の工程又は第１と第３の工程を具備すること
を特徴とするリードフレームの製造方法とした。
【００１２】請求項６にかかる発明は、請求項５にかか
る発明において、前記ダイアイランド部の裏面側に第２
の突起部を形成する第４の工程を具備することを特徴と
するリードフレームの製造方法とした。
る発明において、前記ダイアイランド部の裏面側に第２
の突起部を形成する第４の工程を具備することを特徴と
するリードフレームの製造方法とした。
【００１３】請求項７にかかる発明は、請求項５又は６
にかかる発明において、前記リード部における前記第１
の突起部の反対面側に凹部又は凸部を形成する第５の工
程を具備することを特徴とするリードフレームの製造方
法とした。
にかかる発明において、前記リード部における前記第１
の突起部の反対面側に凹部又は凸部を形成する第５の工
程を具備することを特徴とするリードフレームの製造方
法とした。
【００１４】請求項８にかかる発明は、請求項５乃至７
のいずれか１にかかる発明において、前記第２の工程
は、予め前記間隙部に対応する部分を開口したスクリー
ンを介して液状絶縁材料を前記間隙部内に印刷又は塗布
する工程と、前記液状絶縁材料を乾燥させる工程とを含
むことを特徴とするリードフレームの製造方法とした。
のいずれか１にかかる発明において、前記第２の工程
は、予め前記間隙部に対応する部分を開口したスクリー
ンを介して液状絶縁材料を前記間隙部内に印刷又は塗布
する工程と、前記液状絶縁材料を乾燥させる工程とを含
むことを特徴とするリードフレームの製造方法とした。
【００１５】請求項９にかかる発明は、請求項５乃至７
のいずれか１にかかる発明において、前記第２の工程
は、前記リードフレーム本体の両面をモールド金型で挟
み保持して該金型内に樹脂を前記間隙部にまで注入し、
該樹脂を固化して行うことを特徴とするリードフレーム
の製造方法とした。
のいずれか１にかかる発明において、前記第２の工程
は、前記リードフレーム本体の両面をモールド金型で挟
み保持して該金型内に樹脂を前記間隙部にまで注入し、
該樹脂を固化して行うことを特徴とするリードフレーム
の製造方法とした。
【００１６】請求項１０にかかる発明は、請求項５乃至
７のいずれか１にかかる発明において、前記第３の工程
は、前記第１の突起部を除くリードフレーム裏面全面に
前記第２の連結部材としての絶縁テープを常温又は加熱
状態で接着して行うことを特徴とするリードフレームの
製造方法とした。
７のいずれか１にかかる発明において、前記第３の工程
は、前記第１の突起部を除くリードフレーム裏面全面に
前記第２の連結部材としての絶縁テープを常温又は加熱
状態で接着して行うことを特徴とするリードフレームの
製造方法とした。
【００１７】請求項１１にかかる発明は、請求項５乃至
１０のいずれか１つにかかる発明の方法にてリードフレ
ームを製造する工程と、前記リードフレームの前記ダイ
アイランド部に半導体素子を搭載し該半導体素子の電極
と前記リード部とを配線材料により接続する工程と、前
記リードフレームの前記半導体素子側を樹脂封止する工
程と、前記樹脂封止された部分を前記単位毎に分離する
工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方
法とした。
１０のいずれか１つにかかる発明の方法にてリードフレ
ームを製造する工程と、前記リードフレームの前記ダイ
アイランド部に半導体素子を搭載し該半導体素子の電極
と前記リード部とを配線材料により接続する工程と、前
記リードフレームの前記半導体素子側を樹脂封止する工
程と、前記樹脂封止された部分を前記単位毎に分離する
工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方
法とした。
【００１８】請求項１２にかかる発明は、請求項１１に
かかる発明において、前記樹脂封止する工程は、前記リ
ードフレームの前記ダイアイランド部および前記リード
部に対応する部分が凸形状となり、それ以外の部分が凹
形状となるように前記リードフレームの前記半導体素子
側を樹脂封止する工程であり、前記分離する工程は、前
記樹脂封止された部分の前記凹形状の部分をダイシング
により切断する工程であることを特徴とする半導体装置
の製造方法とした。
かかる発明において、前記樹脂封止する工程は、前記リ
ードフレームの前記ダイアイランド部および前記リード
部に対応する部分が凸形状となり、それ以外の部分が凹
形状となるように前記リードフレームの前記半導体素子
側を樹脂封止する工程であり、前記分離する工程は、前
記樹脂封止された部分の前記凹形状の部分をダイシング
により切断する工程であることを特徴とする半導体装置
の製造方法とした。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は本発明の１つの実施形態の
半導体装置を示す図で、(a)は透視斜視図、(b)は側面
図、(c)は断面図である。１０は導電性板材を加工した
リードフレーム、２０は該リードフレーム１０の間隙部
に配設された第１の連結絶縁材料、３０はリードフレー
ム１０の裏面に配設された第２の連結絶縁材料、４０は
所定回路が内部に構成された半導体素子、５０は金線等
の配線材料、６０はパッケージのための封止樹脂であ
る。
半導体装置を示す図で、(a)は透視斜視図、(b)は側面
図、(c)は断面図である。１０は導電性板材を加工した
リードフレーム、２０は該リードフレーム１０の間隙部
に配設された第１の連結絶縁材料、３０はリードフレー
ム１０の裏面に配設された第２の連結絶縁材料、４０は
所定回路が内部に構成された半導体素子、５０は金線等
の配線材料、６０はパッケージのための封止樹脂であ
る。
【００２０】リードフレーム１０は、図２の裏面図に詳
細に示すように、半導体素子４０を搭載するダイアイラ
ンド部１１と、そのダイアイランド部１１に連続する吊
出部１２と、ダイアイランド部１１の両側の複数のリー
ド部１３と、吊出部１２及びリード部１３と連続する枠
部１４と、ダイアイランド部１１、吊出部１２、リード
フレーム部１３、枠部１４を区画する間隙部１５の一部
とを１つの単位Ａとして、複数の単位Ａが縦方向および
横方向に連続反復して形成されている。そして、ダイア
イランド部１１、吊出部１２、リード部１３には、裏面
側に突出する突起部１１ａ、１２ａ、１３ａがそれぞれ
形成されている。なお、この突起部１１ａ、１３ａに対
応するように、表面側には凹部１１ｂ、１３ｂが形成さ
れている。突起部１２ａに対応する凹部も図示しないが
形成されている。第１の連結絶縁材料２０は間隙部１５
に充填配設されている。また、第２の連結絶縁材料３０
はリードフレーム１０の裏面の突起部１１ａ、１２ａ、
１３ａの部分を除く全面（間隙部１５も含む）に配設さ
れている。
細に示すように、半導体素子４０を搭載するダイアイラ
ンド部１１と、そのダイアイランド部１１に連続する吊
出部１２と、ダイアイランド部１１の両側の複数のリー
ド部１３と、吊出部１２及びリード部１３と連続する枠
部１４と、ダイアイランド部１１、吊出部１２、リード
フレーム部１３、枠部１４を区画する間隙部１５の一部
とを１つの単位Ａとして、複数の単位Ａが縦方向および
横方向に連続反復して形成されている。そして、ダイア
イランド部１１、吊出部１２、リード部１３には、裏面
側に突出する突起部１１ａ、１２ａ、１３ａがそれぞれ
形成されている。なお、この突起部１１ａ、１３ａに対
応するように、表面側には凹部１１ｂ、１３ｂが形成さ
れている。突起部１２ａに対応する凹部も図示しないが
形成されている。第１の連結絶縁材料２０は間隙部１５
に充填配設されている。また、第２の連結絶縁材料３０
はリードフレーム１０の裏面の突起部１１ａ、１２ａ、
１３ａの部分を除く全面（間隙部１５も含む）に配設さ
れている。
【００２１】以下、半導体装置の製造方法について説明
する。まず、リードフレーム１０は導電性の所定厚みの
板材を、カッティングおよびプレスすることにより、前
記した図２に示した形状に形成し、その後に第１の連結
部材２０、第２の連結部材３０を絶縁材料の塗布、印
刷、モールド、貼付等により配設する。
する。まず、リードフレーム１０は導電性の所定厚みの
板材を、カッティングおよびプレスすることにより、前
記した図２に示した形状に形成し、その後に第１の連結
部材２０、第２の連結部材３０を絶縁材料の塗布、印
刷、モールド、貼付等により配設する。
【００２２】図３は、リードフレーム１０の間隙部１５
に第１の連結絶縁材料２０を印刷法により配設する工程
を示す図である。ここでは、予め前記した形状に形成さ
れたリードフレーム１０を、リードフレーム固定台７０
上にセットする。次に、そのリードフレーム１０の間隙
部１５と同じ形状の間隙部８１が形成された印刷用スク
リーン８０をリードフレーム１０の上面に、間隙部１５
と８１が合致するように位置決めする。そして、その印
刷用スクリーン８０の上面から、第１の連結絶縁材料２
０となるレジスト等のペースト状の絶縁材料９０をスキ
ージ１００により間隙部１５，８１内に充填させる。最
後に、リードフレーム１０から印刷用スクリーン８０を
取り外し、リードフレーム固定台７０からリードフレー
ム１０を取り外して、絶縁材料９０を乾燥させると、最
終的に第１の連結絶縁材料２０が間隙部１５に充填配設
される。
に第１の連結絶縁材料２０を印刷法により配設する工程
を示す図である。ここでは、予め前記した形状に形成さ
れたリードフレーム１０を、リードフレーム固定台７０
上にセットする。次に、そのリードフレーム１０の間隙
部１５と同じ形状の間隙部８１が形成された印刷用スク
リーン８０をリードフレーム１０の上面に、間隙部１５
と８１が合致するように位置決めする。そして、その印
刷用スクリーン８０の上面から、第１の連結絶縁材料２
０となるレジスト等のペースト状の絶縁材料９０をスキ
ージ１００により間隙部１５，８１内に充填させる。最
後に、リードフレーム１０から印刷用スクリーン８０を
取り外し、リードフレーム固定台７０からリードフレー
ム１０を取り外して、絶縁材料９０を乾燥させると、最
終的に第１の連結絶縁材料２０が間隙部１５に充填配設
される。
【００２３】第１の連結絶縁材料２０の充填厚さは、ペ
ースト状の絶縁材料９０の粘度、スキージ１００の圧
力、間隙部１５の大きさ等を調整することにより行う。
また、リードフレーム固定台７０はこれをテフロン（登
録商標）製にすると、そこからリードフレーム１０を取
り外し易くなる。
ースト状の絶縁材料９０の粘度、スキージ１００の圧
力、間隙部１５の大きさ等を調整することにより行う。
また、リードフレーム固定台７０はこれをテフロン（登
録商標）製にすると、そこからリードフレーム１０を取
り外し易くなる。
【００２４】図４は、リードフレーム１０の間隙部１５
に第１の連結絶縁材料２０を樹脂充填法により配設する
工程を示す図である。ここでは、前記した形状のリード
フレーム１０を、そのリードフレーム１０の厚み分のモ
ールド空間をもつモールド金型１１０，１２０の間にセ
ットしてから、樹脂注入口１１１より樹脂を注入する。
このとき、樹脂は間隙部１５内を伝わって注入されて行
きそこに充満する。リードフレーム１０には複数の単位
Ａが形成されるので、例えばその単位Ａの並ぶ列毎に樹
脂注入口１１１を設けたモード金型を使用することによ
り、複雑な金型にすることなく、量産性高く第１の連結
部材２０を配設することができる。
に第１の連結絶縁材料２０を樹脂充填法により配設する
工程を示す図である。ここでは、前記した形状のリード
フレーム１０を、そのリードフレーム１０の厚み分のモ
ールド空間をもつモールド金型１１０，１２０の間にセ
ットしてから、樹脂注入口１１１より樹脂を注入する。
このとき、樹脂は間隙部１５内を伝わって注入されて行
きそこに充満する。リードフレーム１０には複数の単位
Ａが形成されるので、例えばその単位Ａの並ぶ列毎に樹
脂注入口１１１を設けたモード金型を使用することによ
り、複雑な金型にすることなく、量産性高く第１の連結
部材２０を配設することができる。
【００２５】図５は、リードフレーム１０の裏面に第２
の連結絶縁材３０を配設する工程を示す図である。ここ
では、リードフレーム１０の裏面の突起部１１ａ，１２
ａ，１３ａに対応する孔１３１が予め形成された絶縁テ
ープ１３０を弾力性をもった加圧ローラ１４０によりリ
ードフレーム１０の裏面に押し当てて貼着することによ
り、第２の連結部材３０を配設する。このとき必要に応
じて接着剤を使用したり加熱圧着する。
の連結絶縁材３０を配設する工程を示す図である。ここ
では、リードフレーム１０の裏面の突起部１１ａ，１２
ａ，１３ａに対応する孔１３１が予め形成された絶縁テ
ープ１３０を弾力性をもった加圧ローラ１４０によりリ
ードフレーム１０の裏面に押し当てて貼着することによ
り、第２の連結部材３０を配設する。このとき必要に応
じて接着剤を使用したり加熱圧着する。
【００２６】図６はリードフレーム１０の裏面に第２の
連結絶縁材３０を配設するときに同時に第１の連結絶縁
材２０も配設する工程を示す図である。ここでは、図５
において使用した絶縁テープ１３０を、より肉厚でより
柔軟性の高い絶縁テープ１５０に代え、さらに図５にお
いて使用した加圧ローラ１４０よりも柔軟な材料がロー
ラ面に使用されている加圧ローラ１６０を使用する。１
５１は突起部１１ａ，１２ａ，１３ａに対応する孔であ
る。以上により、絶縁テープ１５０はリードフレーム１
０のダイアイランド部１１、吊出部１２、リード部１
３、枠部１４の裏面に配設されるのみならず、間隙部１
５内に凹形状に入り込み、絶縁テープ１５０が第１の連
結絶縁材２０及び第２の連結絶縁材３０を兼ねるように
なる。
連結絶縁材３０を配設するときに同時に第１の連結絶縁
材２０も配設する工程を示す図である。ここでは、図５
において使用した絶縁テープ１３０を、より肉厚でより
柔軟性の高い絶縁テープ１５０に代え、さらに図５にお
いて使用した加圧ローラ１４０よりも柔軟な材料がロー
ラ面に使用されている加圧ローラ１６０を使用する。１
５１は突起部１１ａ，１２ａ，１３ａに対応する孔であ
る。以上により、絶縁テープ１５０はリードフレーム１
０のダイアイランド部１１、吊出部１２、リード部１
３、枠部１４の裏面に配設されるのみならず、間隙部１
５内に凹形状に入り込み、絶縁テープ１５０が第１の連
結絶縁材２０及び第２の連結絶縁材３０を兼ねるように
なる。
【００２７】なお、リードフレーム１０の裏面に第２の
連結絶縁材３０を配設する工程においては、突起部１１
ａ，１２ａ，１３ａに対応した孔が形成されていない絶
縁テープ１３０，１５０をリードフレーム１０の裏面の
全面に貼り付け、その突起部１１ａ，１２ａ，１３ａに
対応した部分を事後的に除去して、突起部１１ａ，１２
ａ，１３ａを裏面に露出させるようにしてもよい。
連結絶縁材３０を配設する工程においては、突起部１１
ａ，１２ａ，１３ａに対応した孔が形成されていない絶
縁テープ１３０，１５０をリードフレーム１０の裏面の
全面に貼り付け、その突起部１１ａ，１２ａ，１３ａに
対応した部分を事後的に除去して、突起部１１ａ，１２
ａ，１３ａを裏面に露出させるようにしてもよい。
【００２８】以上のようにして第１の連結絶縁材２０及
び第２の連結絶縁材３０が配設されたリードフレーム１
０が完成すると、次にこのリードフレーム１０の各単位
Ａのダイアイランド部１１に半導体素子４０をＡｇペー
スト等の導電接着剤によりボンディングし、続けて半導
体素子４０の電極とリードフレーム１０のリード部１３
との間に金線等の配線材料５０をボンディングする。
び第２の連結絶縁材３０が配設されたリードフレーム１
０が完成すると、次にこのリードフレーム１０の各単位
Ａのダイアイランド部１１に半導体素子４０をＡｇペー
スト等の導電接着剤によりボンディングし、続けて半導
体素子４０の電極とリードフレーム１０のリード部１３
との間に金線等の配線材料５０をボンディングする。
【００２９】次に、半導体素子４０が単位Ａ毎に搭載さ
れたリードフレーム１０をトランスファ金型にセットし
て、通常の手法により樹脂を注入して封止樹脂６０によ
るパッケージングを行う。このとき、リードフレーム１
０の裏面方向への樹脂の流れは、第１の連結絶縁材２０
の部分で停止されるので、その裏面に樹脂のバリが生じ
るようなことはない。また、この樹脂はリードフレーム
１０の凹部１１ｂ，１２ｂ，１３ｂに入り込むので、リ
ードフレーム１０との接合面積が大きくなり、十分な剥
離強度を得ることができる。この後、封止樹脂６０から
外部に露出するリードフレーム１０の突起部１１ａ，１
２ａ，１３ａの部分をＳｎ等によりメッキすることによ
り腐蝕防止処理を施す。
れたリードフレーム１０をトランスファ金型にセットし
て、通常の手法により樹脂を注入して封止樹脂６０によ
るパッケージングを行う。このとき、リードフレーム１
０の裏面方向への樹脂の流れは、第１の連結絶縁材２０
の部分で停止されるので、その裏面に樹脂のバリが生じ
るようなことはない。また、この樹脂はリードフレーム
１０の凹部１１ｂ，１２ｂ，１３ｂに入り込むので、リ
ードフレーム１０との接合面積が大きくなり、十分な剥
離強度を得ることができる。この後、封止樹脂６０から
外部に露出するリードフレーム１０の突起部１１ａ，１
２ａ，１３ａの部分をＳｎ等によりメッキすることによ
り腐蝕防止処理を施す。
【００３０】以上によりリードフレーム１０の上面に
は、図７に示すように封止樹脂６０が単位Ａ毎に凸形状
部６１として複数個横方向および縦方向に並ぶので、次
に、この凸形状部６１の間の凹形状部６２の部分Ｂをレ
ーザやダイシングブレード等を使用したダイシングによ
りカットし、各単位Ａ毎に分離する。そして最後に、個
片化された半導体装置をテストし、マーキングする。
は、図７に示すように封止樹脂６０が単位Ａ毎に凸形状
部６１として複数個横方向および縦方向に並ぶので、次
に、この凸形状部６１の間の凹形状部６２の部分Ｂをレ
ーザやダイシングブレード等を使用したダイシングによ
りカットし、各単位Ａ毎に分離する。そして最後に、個
片化された半導体装置をテストし、マーキングする。
【００３１】以上のようにして形成される本実施形態の
半導体装置は、これを実装基板（図示せず）に実装する
とき、リードフレーム１０の裏面に形成した突起部１１
ａ，１２ａ，１３ａにより、実装基板との間に空隙がで
きるので、ハンダ量を調整することにより、ハンダ接合
部に均一にハンダが行き渡るようになり、ハンダ接合の
バラツキを防止することができる。また、リードフレー
ム１０と実装基板との間の間隙に入り込んだハンダの状
態を容易に目視チェックすることもできる。また、突起
部１１ａ，１２ａ，１３ａを経由して半導体素子４０で
発生した熱が放散し易くなる。さらに、実装基板におい
て、突起部１１ａ，１２ａ，１３ａがハンダ付けされる
部分の間にグランド配線や信号配線が配設されている場
合に、その突起部をジャンパー線の端部として使用する
ことができる。さらに、リードフレーム１０の突起部１
１ａ，１２ａ，１３ａの反対側に凹部１１ｂ，１３ｂ等
が形成されるので、封止樹脂６０とリードフレーム１０
との接合面積が増大し、剥離強度が増加し信頼性を向上
することができる。この凹部１１ｂ，１３ｂ等に代えて
図８に示すように、リード部１３の上面に突起部１３ｃ
等を形成することもでき、この場合でも同様な作用効果
があるが、さらにこの突起部１３ｃ等に配線材料５０の
一端を接続するようにすればその部分が段高となるの
で、配線材料５０と半導体素子４０の肩部とが接触し難
くなり、ショート不良を防止することができる。リード
フレーム１０にこの突起部１３ｃ等を形成するには、ハ
ーフエッチング処理によりリードフレーム両面から加工
して裏面の突起部１１ａ，１２ａ，１３ａ、間隙部１５
等と共に簡単に形成できる。このようにリードフレーム
１０をエッチングにより形成するときは、エッチング表
面に粗さが生じるので、封止樹脂６０との密着性が向上
し、剥離強度がより強くなる。
半導体装置は、これを実装基板（図示せず）に実装する
とき、リードフレーム１０の裏面に形成した突起部１１
ａ，１２ａ，１３ａにより、実装基板との間に空隙がで
きるので、ハンダ量を調整することにより、ハンダ接合
部に均一にハンダが行き渡るようになり、ハンダ接合の
バラツキを防止することができる。また、リードフレー
ム１０と実装基板との間の間隙に入り込んだハンダの状
態を容易に目視チェックすることもできる。また、突起
部１１ａ，１２ａ，１３ａを経由して半導体素子４０で
発生した熱が放散し易くなる。さらに、実装基板におい
て、突起部１１ａ，１２ａ，１３ａがハンダ付けされる
部分の間にグランド配線や信号配線が配設されている場
合に、その突起部をジャンパー線の端部として使用する
ことができる。さらに、リードフレーム１０の突起部１
１ａ，１２ａ，１３ａの反対側に凹部１１ｂ，１３ｂ等
が形成されるので、封止樹脂６０とリードフレーム１０
との接合面積が増大し、剥離強度が増加し信頼性を向上
することができる。この凹部１１ｂ，１３ｂ等に代えて
図８に示すように、リード部１３の上面に突起部１３ｃ
等を形成することもでき、この場合でも同様な作用効果
があるが、さらにこの突起部１３ｃ等に配線材料５０の
一端を接続するようにすればその部分が段高となるの
で、配線材料５０と半導体素子４０の肩部とが接触し難
くなり、ショート不良を防止することができる。リード
フレーム１０にこの突起部１３ｃ等を形成するには、ハ
ーフエッチング処理によりリードフレーム両面から加工
して裏面の突起部１１ａ，１２ａ，１３ａ、間隙部１５
等と共に簡単に形成できる。このようにリードフレーム
１０をエッチングにより形成するときは、エッチング表
面に粗さが生じるので、封止樹脂６０との密着性が向上
し、剥離強度がより強くなる。
【００３２】また、本実施形態では第１の連結絶縁材料
２０や第２の連結絶縁材料３０を使用しているので、封
止樹脂６０が間隙部１５からリードフレーム１０の裏面
側に流れ出すことはなく、裏面側に樹脂バリが生じるこ
とはない。第１の連結絶縁材料２０と第２の連結絶縁材
料３０は少なくともその一方を配設すれば、樹脂ストッ
パとして働く。第１の連結絶縁材料２０は間隙部１５内
に絶縁材料を塗布、印刷、モールド等をすることにより
簡単に充填配設することができる。塗布方法によるとき
は、間隙部１５以外に付着した絶縁材料は後で除去する
ようにしても良い。モールドにより充填配設するとき
は、封止樹脂６０と同じ樹脂を使用すると、樹脂の温度
膨張係数の違いによる不都合を防止できる。第２の連結
絶縁材料３０は絶縁テープをリードフレーム１０の裏面
に貼付することで簡単に配設できる。また、第２の連結
絶縁材料３０を間隙部１５内に埋め込み第１の連結絶縁
材料２０を兼ねるようにリードフレーム１０の裏面に配
設するときは、間隙部１５の上側開口部に段部が生じ、
そこに封止樹脂６０が充填されるので、封止樹脂６０の
剥離強度がさらに強くなる。
２０や第２の連結絶縁材料３０を使用しているので、封
止樹脂６０が間隙部１５からリードフレーム１０の裏面
側に流れ出すことはなく、裏面側に樹脂バリが生じるこ
とはない。第１の連結絶縁材料２０と第２の連結絶縁材
料３０は少なくともその一方を配設すれば、樹脂ストッ
パとして働く。第１の連結絶縁材料２０は間隙部１５内
に絶縁材料を塗布、印刷、モールド等をすることにより
簡単に充填配設することができる。塗布方法によるとき
は、間隙部１５以外に付着した絶縁材料は後で除去する
ようにしても良い。モールドにより充填配設するとき
は、封止樹脂６０と同じ樹脂を使用すると、樹脂の温度
膨張係数の違いによる不都合を防止できる。第２の連結
絶縁材料３０は絶縁テープをリードフレーム１０の裏面
に貼付することで簡単に配設できる。また、第２の連結
絶縁材料３０を間隙部１５内に埋め込み第１の連結絶縁
材料２０を兼ねるようにリードフレーム１０の裏面に配
設するときは、間隙部１５の上側開口部に段部が生じ、
そこに封止樹脂６０が充填されるので、封止樹脂６０の
剥離強度がさらに強くなる。
【００３３】さらに、リードフレーム１０には複数の半
導体素子４０が搭載され、各半導体素子４０毎に樹脂封
止が行われるので、縦方向横方向へのダイシングによ
り、複数の半導体装置を容易に量産することができる。
導体素子４０が搭載され、各半導体素子４０毎に樹脂封
止が行われるので、縦方向横方向へのダイシングによ
り、複数の半導体装置を容易に量産することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上から本発明によれば、実装基板との
ハンダ付け性の改善、目視検査のし易さの改善等を図る
ことができる。
ハンダ付け性の改善、目視検査のし易さの改善等を図る
ことができる。
【図１】 本発明の実施形態の半導体装置を示す図で、
(a)は透視斜視図、(b)は側面図、(c)は断面図である。
(a)は透視斜視図、(b)は側面図、(c)は断面図である。
【図２】 本実施形態のリードフレームの部分裏面図で
ある。
ある。
【図３】 本実施形態のリードフレームの間隙部に第１
の連結絶縁材料を印刷法により配設する説明図である。
の連結絶縁材料を印刷法により配設する説明図である。
【図４】 本実施形態のリードフレームの間隙部に第１
の連結絶縁材料をモールド法により配設する説明図であ
る。
の連結絶縁材料をモールド法により配設する説明図であ
る。
【図５】 本実施形態のリードフレームの裏面に第２の
連結絶縁材料を配設する説明図である。
連結絶縁材料を配設する説明図である。
【図６】 本実施形態のリードフレームの裏面に第２の
連結絶縁材料を配設する別の説明図である。
連結絶縁材料を配設する別の説明図である。
【図７】 本実施形態のリードフレームの上面の半導体
素子を樹脂封止してダイシングする説明図である。
素子を樹脂封止してダイシングする説明図である。
【図８】 本発明の別の実施形態の半導体装置の断面図
である。
である。
１０：リードフレーム、１１：ダイアイランド部、１
２：吊出部、１３：リード部、１１ａ，１２ａ，１３
ａ：突起部、１１ｂ，１３ｂ：凹部、１３ｃ：突起部 ２０：第１の連結絶縁材料 ３０：第２の連結絶縁材料 ４０：半導体素子 ５０：配線材料 ６０：封止樹脂、６１：凸形状部、６２：凹形状部 ７０：リードフレーム固定台 ８０：印刷用スクリーン ９０：ペースト状の絶縁材料 １００：スキージ １１０，１２０：モールド金型、１１１：樹脂注入口 １３０：絶縁テープ １４０：加圧ローラ １５０：絶縁テープ １６０：加圧ローラ
２：吊出部、１３：リード部、１１ａ，１２ａ，１３
ａ：突起部、１１ｂ，１３ｂ：凹部、１３ｃ：突起部 ２０：第１の連結絶縁材料 ３０：第２の連結絶縁材料 ４０：半導体素子 ５０：配線材料 ６０：封止樹脂、６１：凸形状部、６２：凹形状部 ７０：リードフレーム固定台 ８０：印刷用スクリーン ９０：ペースト状の絶縁材料 １００：スキージ １１０，１２０：モールド金型、１１１：樹脂注入口 １３０：絶縁テープ １４０：加圧ローラ １５０：絶縁テープ １６０：加圧ローラ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 長手 隆
埼玉県上福岡市福岡２丁目１番１号 新日
本無線株式会社川越製作所内
(72)発明者 武内 謙一
埼玉県川越市下赤坂66 株式会社ハマダテ
クノス内
(72)発明者 根岸 賢仁
埼玉県川越市下赤坂66 株式会社ハマダテ
クノス内
(72)発明者 会田 誠人
東京都千代田区大手町一丁目６番１号 日
立電線株式会社内
(72)発明者 安斎 克則
東京都千代田区大手町一丁目６番１号 日
立電線株式会社内
Ｆターム(参考） 5F067 AA01 AA10 AA13 AB04 BA02
BA03 BB04 BB08 BC01 BC12
BE02 CC02 CC05 CC07 DF05
Claims (12)
- 【請求項１】吊出部を有し半導体素子が搭載されるダイ
アイランド部と、前記半導体素子の電極に配線材料で接
続されるリード部と、前記吊出部及び前記リード部と連
続する枠部と、前記吊出部、前記ダイアイランド部、前
記リード部、および前記枠部を区画する間隙部の一部と
を１単位として複数単位が連続形成されたリードフレー
ムであって、 前記リード部の裏面側に形成された第１の突起部と、 前記間隙部を埋めるように配設された第１の連結絶縁材
料、及び／又は前記第１の突起部のみが露出するように
裏面全面に配設された第２の連結絶縁材料と、を具備す
ることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】請求項１において、 前記ダイアイランド部の裏面側に形成された第２の突起
部を具備することを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項３】請求項１又は２において、 前記リード部における前記第１の突起部の反対面側に形
成された凹部又は第３の突起部を具備することを特徴と
するリードフレーム。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれか１に記載のリー
ドフレームと、該リードフレームの前記ダイアイランド
部に搭載された前記半導体素子と、前記半導体素子の電
極と前記リードフレームの前記リード部との間を接続す
る前記配線材料と、前記半導体素子および前記配線材料
を覆うように前記リードフレームの上面側にモールドさ
れた封止樹脂とを具備することを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項５】吊出部を有するダイアイランド部と、該ダ
イアイランド部の近くに形成され裏面に第１の突起部を
有するリード部と、前記ダイアイランドの吊出部と前記
リード部とを連結する枠部と、前記吊出部、前記ダイア
イランド部、前記リード部、および前記枠部を区画する
間隙部の一部とを１単位とし複数単位が連続する形状に
リードフレームを加工する第１の工程、 前記間隙部を埋めるように第１の連結絶縁材料を配設す
る第２の工程、 前記第１の突起部のみが露出するように前記リードフレ
ームの裏面全面に第２の連結絶縁材料を配設する第３の
工程、 の内の少なくとも第１と第２の工程又は第１と第３の工
程を具備することを特徴とするリードフレームの製造方
法。 - 【請求項６】請求項５において、 前記ダイアイランド部の裏面側に第２の突起部を形成す
る第４の工程を具備することを特徴とするリードフレー
ムの製造方法。 - 【請求項７】請求項５又は６において、 前記リード部における前記第１の突起部の反対面側に凹
部又は凸部を形成する第５の工程を具備することを特徴
とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項８】請求項５乃至７のいずれか１において、 前記第２の工程は、予め前記間隙部に対応する部分を開
口したスクリーンを介して液状絶縁材料を前記間隙部内
に印刷又は塗布する工程と、前記液状絶縁材料を乾燥さ
せる工程とを含むことを特徴とするリードフレームの製
造方法。 - 【請求項９】請求項５乃至７のいずれか１において、 前記第２の工程は、前記リードフレーム本体の両面をモ
ールド金型で挟み保持して該金型内に樹脂を前記間隙部
にまで注入し、該樹脂を固化して行うことを特徴とする
リードフレームの製造方法。 - 【請求項１０】請求項５乃至７のいずれか１において、 前記第３の工程は、前記第１の突起部を除くリードフレ
ーム裏面全面に前記第２の連結部材としての絶縁テープ
を常温又は加熱状態で接着して行うことを特徴とするリ
ードフレームの製造方法。 - 【請求項１１】請求項５乃至１０のいずれか１つの方法
にてリードフレームを製造する工程と、前記リードフレ
ームの前記ダイアイランド部に半導体素子を搭載し該半
導体素子の電極と前記リード部とを配線材料により接続
する工程と、前記リードフレームの前記半導体素子側を
樹脂封止する工程と、前記樹脂封止された部分を前記単
位毎に分離する工程とを具備することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１２】請求項１１において、 前記樹脂封止する工程は、前記リードフレームの前記ダ
イアイランド部および前記リード部に対応する部分が凸
形状となり、それ以外の部分が凹形状となるように前記
リードフレームの前記半導体素子側を樹脂封止する工程
であり、 前記分離する工程は、前記樹脂封止された部分の前記凹
形状の部分をダイシングにより切断する工程であること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002071711A JP4189161B2 (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | リードフレーム及び半導体装置並びにそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002071711A JP4189161B2 (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | リードフレーム及び半導体装置並びにそれらの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273309A true JP2003273309A (ja) | 2003-09-26 |
| JP4189161B2 JP4189161B2 (ja) | 2008-12-03 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002071711A Expired - Fee Related JP4189161B2 (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | リードフレーム及び半導体装置並びにそれらの製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4189161B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005033043A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | New Japan Radio Co Ltd | リードフレームおよび半導体装置並びにそれらの製造方法 |
| JP2005303107A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | New Japan Radio Co Ltd | リードフレームおよび半導体装置並びにそれらの製造方法 |
| JP2007531310A (ja) * | 2004-04-02 | 2007-11-01 | フェアチャイルド セミコンダクター コーポレイション | 表面実装多重チャネル光結合素子 |
| JP2010073830A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
| JP2015153876A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | セイコーインスツル株式会社 | リードフレーム、および半導体装置 |
| JP2017130493A (ja) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法、半導体装置 |
-
2002
- 2002-03-15 JP JP2002071711A patent/JP4189161B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2005033043A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | New Japan Radio Co Ltd | リードフレームおよび半導体装置並びにそれらの製造方法 |
| JP2007531310A (ja) * | 2004-04-02 | 2007-11-01 | フェアチャイルド セミコンダクター コーポレイション | 表面実装多重チャネル光結合素子 |
| JP2005303107A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | New Japan Radio Co Ltd | リードフレームおよび半導体装置並びにそれらの製造方法 |
| JP2010073830A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
| JP2015153876A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | セイコーインスツル株式会社 | リードフレーム、および半導体装置 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 3 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130919 Year of fee payment: 5 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| R371 | Transfer withdrawn |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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