JP3310617B2 - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置及びその製造方法に関するものであり、更に詳しく
は、ボールグリッドアレイ型半導体装置に係わり、特に
半導体チップの接着時の不具合を改良する技術に関する
ものである。
【０００２】
【従来技術】近年の電子機器の軽薄短小化の傾向に添う
ものとして、また組み立て工程の自動化に適合するもの
としてＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）
型やＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型のチ
ップサイズパッケージ（ＣＳＰ）の半導体装置が広く用
いられている。これら半導体装置の中に入っている半導
体素子の信号処理の高速化、高機能化により、より多く
の外部接続端子が必要となって来ている。
【０００３】このような場合、外部端子がパッケージの
外周囲に沿って配置されているＱＦＰ型では対応が困難
になっており、パッケージの底面に２次元的に外部端子
が配置されているＢＧＡ型が採用されている。また小型
の携帯機器に組み込むため、パッケージのサイズは出来
る限り小さく、すなわちチップサイズに近づけて製造し
ている。このＢＧＡ型のひとつに、ＭＯＳトランジスタ
などが形成された半導体チップの面を上にして、ワイヤ
ーボンド方式にて、配線基板に結線し、配線パターンを
経由して外部接続端子と導通させているのがある。
【０００４】従来技術の樹脂封止型半導体装置として
は、図１０乃至図１２に示す構造がある。尚、図１０は
従来の樹脂封止型半導体装置の断面図、図１１は他の従
来の樹脂封止型半導体装置の断面図、図１２は従来の樹
脂封止型半導体装置の、ソルダーレジスト形成前の配線
基板の平面図である。図１０乃至図１２において、２９
はスルーホールである。
【０００５】図１０に示すように絶縁基板２６と配線パ
ターン２８と配線保護膜であるソルダーレジスト２７で
構成される配線基板２１の上に、接着ペースト３５にて
半導体チップ２２を接着させ、半導体チップの電極パッ
ド３３と配線パターンの内部接続領域３２をワイヤー２
３で結線され、半導体チップ２２およびワイヤー２３を
保護するように配線基板２１の片面側をモールド樹脂２
４で樹脂封止されている。
【０００６】ワイヤー結線された内部接続領域３２とそ
こから配線基板２１の下側にある半田ボールからなる外
部接続端子２５を接続する外部接続領域３０まで配線さ
れている。内部接続領域３２以外の配線上にはソルダー
レジスト２７が配線保護膜として形成されている。
【０００７】半導体チップ２２を配線基板２１上に接続
するには、配線基板２１上に接着ペースト３５を適量滴
下してから、半導体チップ２２を接着する方法が行われ
ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、接着ペ
ーストを滴下する方法は、滴下量にバラツキがあり、１
図１０に示すようにペースト量が多すぎると内部接続領
域へのはみ出しがあり、ワイヤーの結線が困難になる
か、できない恐れがある、また少量だと半導体チップの
裏面全体が接着されず、空隙ができハガレの問題が生じ
る。
【０００９】その改良として、チップサイズより少し大
きめ絶縁性の接着フイルムを敷いて接着する方法があ
る。この方法はこれらの問題はないが、接着フイルムを
用いる方法は図１１に示すように配線保護膜であるソル
ダーレジスト２７の表面形状は配線が存在するために凹
凸となっているので、接着フイルム３１のように平坦な
物をのせると接着フイルム３１とソルダーレジスト２７
の間に空隙３６が生じる。
【００１０】あるいは半導体チップ２２を接着する時に
は、配線基板２１上の接着フイルム３１はすでに加熱さ
れているので、配線基板２１上に置かれた接着フイルム
３１は軟化し、ソルダーレジスト２７の凹部に落ち込
み、接着フイルム３１の表面形状はソルダーレジスト２
７表面の凹凸形状を模写した形状となる。この上に半導
体チップ２２を接着させることになるので、半導体チッ
プ２２と接着フイルム３１の間に空隙３６が生じる。
【００１１】半導体チップを接着フイルム上に置いて接
着するときには、半導体チップを押さえながら横方向に
少し往復運動させ、半導体チップの裏面と接着フイルム
の接触を完全になるように、空隙を無くすように接着す
るが、完全ではない。その空隙に起因して、気泡として
接着部に残る。
【００１２】この気泡が存在するとチップサイズパッケ
ージを携帯機器用のプリント基板等に接続するときの加
熱時によりチップサイズパッケージにクラックが入る
か、接続後の信頼性テストでの不良率が高いなどの問題
が生じる。これらはいづれも配線パターン２８が絶縁基
板２６の上に形成されているためにソルダーレジスト２
７表面に凹凸部が生じるためである。
【００１３】また、配線パターンを絶縁基板の下側に配
置する構成、すなわち内部接続領域の下にスルホールを
設け、下側へ導通をとり、絶縁基板の下側で外部接続端
子を形成する外部接続領域まで、配線パターンを形成す
れば、半導体チップの接着面は平坦なので、気泡の問題
はないが、ワイヤー結線のための内部接続領域は絶縁基
板の上側に必要なため、絶縁基板の両面に配線パターン
を形成することになり、また両面の配線を接続する工夫
が必要であり、これは製造工程が複雑でコスト高とな
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の本発明
の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップの回路形成面
が上向きに搭載され、絶縁基板と配線と配線保護膜とか
ら構成される配線基板と上記半導体チップとがワイヤー
ボンドで電気的接続がなされ、上記半導体チップと上記
絶縁基板の間に複数の配線が存在する樹脂封止型半導体
装置において、上記配線が形成されていない上記絶縁基
板上の領域に一又は複数のダミー配線が形成されている
ことを特徴とするものである。
【００１５】また、請求項２に記載の本発明の樹脂封止
型半導体装置は、半導体チップの回路形成面が上向きに
搭載され、絶縁基板と配線と配線保護膜とから構成され
る配線基板と上記半導体チップとがワイヤーボンドで電
気的接続がなされ、上記半導体チップと上記絶縁基板の
間に複数の配線が存在する樹脂封止型半導体装置におい
て、上記一の配線が他の配線と電気的に絶縁されている
ように少なくとも一つの上記ダミー配線が上記一の配線
と接続されていることを特徴とする、請求項１に記載の
樹脂封止型半導体装置である。
【００１６】また、請求項３に記載の本発明の樹脂封止
型半導体装置は、上記ダミー配線と上記一の配線とが一
体形成されていることを特徴とする、請求項２に記載の
樹脂封止型半導体装置である。
【００１７】また、請求項４に記載の本発明の樹脂封止
型半導体装置は、上記配線保護膜の膜厚が２０μｍ以上
で且つ、５０μｍ以下であることを特徴とする、請求項
１乃至請求項３に記載の樹脂封止型半導体装置である。
【００１８】更に、請求項５に記載の本発明の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、請求項１乃至請求項４に記
載の樹脂封止型半導体装置における、樹脂封止型半導体
装置の製造方法において、上記絶縁基板上に配線材料膜
を堆積した後、上記配線とダミー配線とを同時にパター
ニングし、その後配線保護膜を上記絶縁基板及び配線及
びダミー配線を覆うように形成することにより、上記配
線基板を形成する工程と接着フィルムをウエハ裏面に貼
った後、ダイシングすることにより上記半導体チップを
形成形成する工程とを行った後、上記配線基板に上記半
導体チップを該半導体チップの回路形成面が上向きにな
るように搭載し、ワイヤボンドで上記半導体チップと上
記配線基板とを電気的に接続し、上記半導体チップ搭載
面側の配線基板を樹脂封止することを特徴とするもので
ある。
【００１９】
【本発明の実施の形態】以下、実施の形態に基づいて、
本発明を詳細に説明する。
【００２０】図１、図２及び図３は本発明に係る樹脂封
止型半導体装置に用いられる、ソルダーレジスト形成前
の配線基板の平面図、図４は配線パターン、ダミー配線
パターン及びダミー配線パターンと一体形成された配線
パターンが設けられた配線基板を用いた場合の本発明に
係る樹脂封止型半導体装置の断面図、図５及び図６は他
の本発明に係る樹脂封止型半導体装置の断面図、図７は
本発明における、半導体チップに接着フィルムを貼付す
る工程の一部を示す図、図８は接着フィルムが貼付され
た半導体チップの側面図、図９はリードフレームに半導
体チップが搭載された状態の平面図、図１３は図１２に
示す配線基板を用いた場合のソルダーレジスト表面の変
位量を示す図、図１４は図３に示す配線基板を用いた場
合の膜厚１５μｍのソルダーレジスト表面の変位量を示
す図、図１５は図３に示す配線基板を用いた場合の膜厚
３０μｍのソルダーレジスト表面の変位量を示す図であ
る。また、図において、１は配線基板、２ａはウエハ、
２ｂは半導体チップ、３はワイヤ、４は封止樹脂、５は
外部接続端子、６は絶縁基板、７はソルダーレジスト、
８は配線パターン、８ａはダミー配線パターンと一体形
成された配線パターン、９はスルーホール、１０は外部
接続領域、１１は絶縁フィルム、１２は内部接続領域、
１３は電極パッド、１４はダミー配線パターンである。
【００２１】これらの図に示すように、この実施の形態
の樹脂封止型半導体装置は、配線板としての配線基板１
と、この配線基板１に接合された半導体チップ２ｂと、
半導体チップ２ｂと配線基板１とを接続するワイヤ３
と、半導体チップ２ｂとワイヤ３とを封止樹脂４により
封止する樹脂封止部と外部接続端子５としての半田バン
プとから構成されている。
【００２２】本発明は、配線パターンが形成されていな
いスペースを狭くすることによってソルダーレジスト表
面を平滑にしようとするものである。ソルダーレジスト
の形成領域内での配線パターンによる凹凸をなるべく少
なくする事で、ソルダーレジスト表面の凹凸を減少さ
せ、平滑化させることができる。なお、配線パターンの
ない部分にもダミーパターンを配置することで、パター
ン部分の面積を大きくし、ソルダーレジスト表面の凹凸
を減少させる。更に、このとき配線パターンの厚みを１
２μｍ程度まで薄くすることでさらに平滑化の効果が上
がる。
【００２３】もう一つの手法としては、塗布するソルダ
ーレジストの厚さを厚くすることでソルダーレジスト表
面を平滑化させることが可能となる。なお、このときソ
ルダーレジストの厚さは配線パターンの厚さよりも十分
に厚くすることで、平滑化の効果があげることができ
る。また、この２つの方法、配線パターン面積を大きく
し、かつソルダーレジスト厚を厚くすることを組み合わ
せることでさらにソルダーレジスト上を平滑化させるこ
とが可能となる。
【００２４】具体的には、配線基板の絶縁基板の上面に
ある配線パターンは、従来は、図１２に示すような配線
パターン２８であるが、本発明では図１及び図４のごと
く、配線パターン８が形成されていないスペースにダミ
ー配線パターン１４が形成されているものや、図２のご
とく、配線パターンとダミー配線パターンを一体形成さ
れた、幅の広い配線パターン８ａを形成し、配線パター
ンが形成されていないスペースを狭くしたものや、図３
のごとく、図２の配線パターン８ａにさらにダミー配線
パターン１４が形成されているものがある。尚、図２に
記載のものは、ダミー配線パターンと配線パターンが一
体形成され配線パターン８ａを構成しているが、一の配
線パターンが他の配線パターンと電気的に接続されなけ
れば、配線パターンとダミー配線パターンとを異なる材
料で形成してもよい。また、ダミー配線パターン１４は
配線と同じ厚みであれば、導電性膜であっても、絶縁性
膜であってもよい。但し、配線パターンとダミー配線パ
ターンとが一体形成された配線パターン８ａは、製造工
程数低減のためには望ましい。また、図１又は図３に示
す配線パターン８とダミー配線パターン１４も同一材料
で形成することが、製造工程数低減のためには望まし
い。
【００２５】図１２のＢ−Ｂ断面における従来の配線パ
ターンの場合の図１３と図３のＡ−Ａ断面における本発
明の配線パターンの場合の図１４とを比較すると、本発
明の方がソルダーレジスト表面の変位量が低減されてい
ることがわかる。
【００２６】また、図５や図６に示すようにソルダーレ
ジスト７の厚みを従来よりもさらに厚くすることによっ
てもまた、ソルダーレジスト７上面の平滑化を実現する
ことができる。さらに、図１乃至図３に示すように配線
パターン又は／及びダミー配線パターンを設ける方法
と、ソルダーレジスト７を厚くすることによって、図３
のＡ−Ａ断面における本発明の配線パターンの場合の図
１５に示すように、より効果的にソルダーレジスト７上
面の平滑化を図ることができる。この際、ソルダーレジ
スト７の膜厚は２０μｍ以上で且つ、５０μｍ以下が望
ましい。５０μｍより厚いとソルダーレジスト７の収縮
が大きくなり、配線基板１が反るという問題点が生じ
る。尚、図１３における横軸の測定位置は、図１２のＢ
−Ｂ断面部分であり、図１４及び図１５における横軸の
測定位置は、図３のＡ−Ａ断面部分である。
【００２７】このようにすることによって、ソルダーレ
ジスト７の上面の平滑化により、接着フィルム１１とソ
ルダーレジスト７の界面に発生する気泡を抑えることが
でき、実装信頼性の向上につながる。
【００２８】配線基板１は、ポリイミド樹脂を主成分と
する厚みが７５μｍ程度のポリイミドフィルムを用いた
絶縁基板６と、チップ側絶縁材層としてのエポキシ系樹
脂を主成分とするソルダーレジスト７とこれらの２つの
絶縁材層の間に形成された銅からなる配線パターン８か
ら形成されている。
【００２９】すなわち、配線基板１は、スルーホール９
の設けられた絶縁基板１の上面に金属の配線パターン８
を形成し、その配線パターン８の上に絶縁材層としての
ソルダーレジスト７を接合したものである。絶縁基板６
の下面には外部接続端子５が形成されており、配線パタ
ーン８には、スルーホール９を介して配線パターン８と
外部接続端子５とを接続するための外部接続領域１０が
設けられている。外部接続端子５は、外部接続領域１０
に半田バンプを接続して形成する。このバンプは、半田
からなるボールを搭載することにより形成されるもので
あり、したがって、半田バンプを形成する前は、外部接
続領域１０において、スルーホール９を介して配線パタ
ーン８が露出する状態となる。
【００３０】半導体チップ２ｂは、回路が形成された表
側の面に電極パッドが設けられている。そして、半導体
チップ２ｂの裏側の面は配線基板１のソルダーレジスト
７に接着フィルム１１を用いて接合されており、本実施
の形態では、接着フィルム１１の厚さはおよそ２０〜４
０μｍ程度であり、配線基板１の上面にあるソルダーレ
ジスト７の凹凸をある程度吸収することができ、接着フ
ィルム１１はソルダーレジスト７間の空隙を減少させる
ことができる。
【００３１】また、接着フィルム１１の材料としては、
接着性、耐熱性に優れた材料が適しており、ポリイミド
系、エポキシ系、ポリイミドとエポキシ混合の材料等が
挙げられ、熱可塑性、熱硬化性タイプの材料を用いるこ
とができる。この材料選定の際、接着フィルム１１とウ
エハ２ａを貼り付ける時と半導体チップ２ｂを配線基板
１に貼り付ける時の２回熱が加えられ、それぞれの場合
に接着力を保持している材料を選定する必要がある。本
実施の形態においては、配線基板１と半導体チップ２ｂ
は熱硬化性接着材を含んだ熱可塑性樹脂からなる、半導
体チップ２ｂの裏側の面に貼り付けられている接着フィ
ルム１１を介して接合する。
【００３２】また、接着フィルム１１を半導体チップ２
ｂ裏面に形成する方法としては、図７に示すように、十
分な幅のあるロール状の接着フィルム１１を回路形成面
を下向きにして、熱盤１６上に置いた半導体デバイスが
形成されていないウエハ２ａの裏面側に広げ、上から加
熱したローラー１５によりウエハ２ａと接着フィルム１
１間に気泡を巻き込まない様に貼り付ける。尚、本実施
の形態において、熱盤１６の温度は１２５℃、ローラー
１５のローラー温度は４０℃、圧力１ｋｇ／ｃｍ2で行
った。
【００３３】次に、この接着フィルム１１貼り付け後、
ウエハサイズと同じサイズになるように接着フィルム１
１をカットする。カット後、低接着性のダイシングシー
トに接着フィルム面側を貼り付け、ダイシングを行う。
ダイシング方法としては、ウエハ２ａおよび接着フィル
ム１１をすべて切断するフルダイシングで行い、半導体
チップ２ｂに分割し、ダイシングシートより取り外す。
このようにして、切断することで、図８に示すような、
半導体チップｂと同一サイズで、裏面に接着フィルム１
１を形成した半導体チップ２ｂを作成することができ
る。
【００３４】上述の工程で、半導体チップの裏側にあら
かじめ同一サイズの接着フィルムが貼り付けることによ
り、半導体チップを配線基板に搭載する際の位置ずれを
防ぐことができる。さらに、接着フィルムのサイズが半
導体チップと同一サイズであることから、配線基板の内
部接続領域をより半導体チップに近づけることができ、
半導体チップの電極パッドと配線基板の内部接続領域を
接続するワイヤをより短くすることができる。したがっ
て、樹脂封止型半導体装置のサイズをさらに小さくする
ことが可能となる。
【００３５】配線基板１の配線パターン８には、内部接
続領域１２においてワイヤ３と配線パターン８との接続
を良好にするために、数μｍ以下の金メッキを施す。金
メッキと配線パターン８ならびに外部接続領域１０との
間には、金と銅との合金層の形成を抑制する為の数μ程
度のニッケル、パラジウムメッキを施す。本実施の形態
では、金メッキが０．０３〜０．０８μｍ、ニッケルメ
ッキが５〜８μｍ、パラジウムが０．１〜０．７μｍで
ある。尚、メッキの方法は、無電解メッキ法でも電解メ
ッキ法でも使用可能である。このようなメッキ層は外部
接続領域１０にも形成される。
【００３６】絶縁基板６のスルーホール９および配線パ
ターン８は、基板の周辺部に形成された内部接続領域１
２よりも基板の中央よりに配置されている。またスルー
ホール９はエッチング、ドリル、あるいは金型などで開
けることができる。
【００３７】ワイヤ３としては、電気的な伝導性の良好
な、金、銅等の金属から構成された数十μｍのフレキシ
ブルな細線を用いている。配線パターン８は銅からなる
厚さ２０μｍ程度の金属箔である。ポリイミドからなる
絶縁基板６の絶縁抵抗は５×１０13Ω程度である。樹脂
封止部４は、信頼性に優れるエポキシ樹脂を用いてい
る。この実施の形態では、ソルダーレジスト７は絶縁基
板とは異なる樹脂成分であるが、同じ樹脂系成分のもの
を用いてもよい。また、絶縁基板６のうえに直接配線パ
ターン８を形成するようにしているが、接着剤を介して
配線パターン８を形成してもよい。
【００３８】このように本発明の樹脂封止型半導体装置
は、半導体チップ２ｂを接着フィルム１１を介して配線
基板１に接合し、ワイヤ３により半導体チップ２ｂの電
極パッド１３と配線基板１の内部接続領域１２とを接合
し、半導体チップ２とワイヤ３とをモールド樹脂により
封止し、配線基板１の下側には外部接続端子５である半
田バンプをエリアアレイ状に配置した構造となってい
る。
【００３９】図９に示す、この例では複数の配線基板１
が一連となったフレームを提示しているが、個別の配線
基板１の場合もある。
【００４０】配線基板１に半導体チップ２を接合した状
態の平面図を図９に示す。この図９に示すように、この
状態においては、ソルダーレジスト７の窓明け部から
は、配線パターン８の内部接続領域１２が露出してい
る。配線基板１には、貫通孔１７が設けられ、この貫通
孔１７は、製造工程において製品の搬送に使用したり、
位置決めをするのに使用される。
【００４１】次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造工程を説明する。
【００４２】まず、半導体チップ２ｂを、本発明によ
り、ソルダーレジスト７の表面を平坦化した配線基板１
の所定の位置に、加熱しながら、接着フィルム１１面側
を下に向けて加圧しながら接着フィルム１１により熱圧
着させ、その後、熱硬化性の接着フィルム１１であれ
ば、１００〜２５０℃で加熱し、接着フィルム１１を硬
化安定させる。この際、ソルダーレジスト７の膜厚と接
着フィルム１１の膜厚との合計が、半導体チップ２ｂ上
を封止する樹脂封止の膜厚と略同じにすることにより、
樹脂封止後に半導体チップ２ｂに加わる応力が低減する
ことができる。
【００４３】次に、ワイヤーボンディング工程におい
て、半導体チップの回路面上の電極パッドと配線基板上
の配線パターン内の内部接続領域とを金属製のワイヤ３
により接続し、半導体チップと配線基板との電気的導通
を確保する。すなわち、半導体チップ２の電極パッド１
３と配線基板１の内部接続領域１２とをワイヤ３により
接続させる。すなわち、ワイヤ３ボンディング装置を用
いて電気スパーク等により、ワイヤ３の先端を溶融して
ボール状にして、それを半導体チップ２の電極パッド１
３上に圧着し、ツールによりワイヤ３を配線基板１の内
部接続領域１２まで引き延ばし、内部接続領域１２上で
圧着接合し、切断する。このワイヤ３の接合方式として
は、熱圧着、超音波圧着、熱超音波圧着などがある。
【００４４】次に、モールド樹脂封止工程において、半
導体チップ、ワイヤーを保護するため、それらを含む領
域をトランスファーモールドにより、樹脂封止部４を形
成する。この樹脂封止は配線基板の半導体チップ搭載面
側のみを封止する片面モールドで行う。この例では金型
を使用した樹脂封止方法を用いたが、金型を使用しない
ポッティング方法を用いてもよい。使用する封止樹脂
は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂である。この樹脂封
止部４による樹脂封止は、金型に製品をセットし、溶融
した樹脂を金型内に注入して、加熱加圧状態を保ちなが
ら樹脂を硬化させる。
【００４５】この後、樹脂封止した反対側の面にある外
部接続領域１０のスルーホール９に外部接続端子を形成
する。外部接続端子の材料には、金属製の材料が適して
おり、銅、ニッケル、半田などが挙げられる。銅やニッ
ケルの外部接続端子を用いる場合は、表面に半田等でコ
ートする必要がある。形状はボール状のものを用いるの
が一般的であるが、それ以外の形状でも良い。また、半
田ペースト等のペースト状態のものを貫通穴に埋めて外
部接続端子を形成してもよい。これらの材料はいずれ
も、リフロー炉等を用いて一旦溶融させて、外部接続領
域１０に接続させて形成する。すなわち、半田バンプを
接合して、外部接続端子５を形成する。
【００４６】配線基板１の外部接続端子５を形成すると
ころは、絶縁基板６のスルーホール９が形成されている
ところであり、このスルーホール９からは外部接続領域
１０が露出している。この外部接続領域１０にフラック
スを塗布後半田ボールを付け、リフロー炉によって加熱
させ、ハンダボールを溶融させ、接合し半田バンプを形
成する。外部接続端子５の他の形成方法としては、外部
接続領域１０に適当な大きさのペースト状あるいはシー
ト状の半田を置き、リフロー炉によって加熱し、溶融接
合させ、半田バンプを形成する方法でもよい。
【００４７】次に配線基板１の余分なところをカットす
る。カットは樹脂封止部４の外周部に沿って行われる。
図４で示したものは、単品状態となっている本発明によ
る樹脂封止型半導体装置の最終形態である。
【００４８】表１に従来技術による樹脂封止型半導体装
置と本発明による樹脂封止型半導体装置との実装信頼性
評価結果を示す。
【００４９】
【表１】
【００５０】表１に示すように、従来技術による樹脂封
止型半導体装置（試料Ｎｏ．Ｃ、図１２に示す配線パタ
ーン、ソルダーレジストの膜厚１５μｍ）では温度サイ
クル数が１５００の場合に不良品が発生しているのに対
して、本発明による樹脂封止型半導体装置では、試料Ｎ
ｏ．Ｂ（図３に示す配線パターン、ソルダーレジストの
膜厚１５μｍ）で温度サイクル数が１７００の場合に初
めて不良品が発生し、さらに、試料Ｎｏ．Ａ（図３に示
す配線パターン、ソルダーレジストの膜厚３０μｍ）で
温度サイクル数が２０００の場合でも不良品が発生しな
かった。このことから、本発明を用いて、ソルダーレジ
スト表面の凹凸を低減することにより、不良品の発生を
低減できることがわかる。
【００５１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明を
用いることによって、ソルダーレジストを塗布した際
に、絶縁基板の上面と配線パターン上面にできる凹凸に
より発生する空隙の存在する部分を少なくすることがで
きる為、その空隙により発生する気泡の量を減らすこと
ができ、半導体装置の信頼性を向上させることができ
る。
【００５２】また、請求項２に記載の本発明を用いるこ
とにより、さらにソルダーレジスト表面の凹凸を低減す
ることができる。
【００５３】また、請求項３に記載の本発明を用いるこ
とにより、工程数を増やすことなく、ソルダーレジスト
表面の凹凸を低減することができる。
【００５４】また、請求項４に記載の本発明を用いるこ
とにより、さらにソルダーレジスト表面の凹凸を低減す
ることができる。
【００５５】さらに、請求項５に記載の本発明を用いる
ことにより、半導体チップと絶縁フィルムとの間への気
泡の混入を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る樹脂封止型半導体装置に用いられ
る、ソルダーレジスト形成前の配線基板の平面図であ
る。
【図２】本発明に係る樹脂封止型半導体装置に用いられ
る、ソルダーレジスト形成前の他の配線基板の平面図で
ある。
【図３】本発明に係る樹脂封止型半導体装置に用いられ
る、ソルダーレジスト形成前の他の配線基板の平面図で
ある。
【図４】図１の配線基板を用いた場合の本発明に係る樹
脂封止型半導体装置の断面図である。
【図５】他の本発明に係る樹脂封止型半導体装置の断面
図である。
【図６】他の本発明に係る樹脂封止型半導体装置の断面
図である。
【図７】本発明における、半導体チップに接着フィルム
を貼付する工程の一部を示す図である。
【図８】本発明おける、接着フィルムが貼付された半導
体チップの側面図である。
【図９】リードフレームに半導体チップが搭載された状
態の平面図である。
【図１０】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図であ
る。
【図１１】他の従来の樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。
【図１２】従来の樹脂封止型半導体装置の、ソルダーレ
ジスト形成前の配線基板の平面図である。
【図１３】図１２に示す配線基板を用いた場合のソルダ
ーレジスト表面の変位量を示す図である。
【図１４】図３に示す配線基板を用いた場合の膜厚１５
μｍのソルダーレジスト表面の変位量を示す図である。
【図１５】図３に示す配線基板を用いた場合の膜厚３０
μｍのソルダーレジスト表面の変位量を示す図である。
【符号の説明】
１ 配線基板 ２ａ ウエハ ２ｂ 半導体チップ ３ ワイヤ ４ 封止樹脂 ５ 外部接続端子 ６ 絶縁基板 ７ ソルダーレジスト ８ 配線パターン ９ スルーホール １０ 外部接続領域 １１ 絶縁フィルム １２ 内部接続領域 １３ 電極パッド １４ ダミー配線パターン １５ ローラー １６ 熱盤 １７ 貫通孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−260962（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−135247（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−121002（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−226387（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−228137（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−288316（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/52 H01L 23/12 H01L 21/60 H01L 21/78

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップの回路形成面が上向きに搭
    載され、絶縁基板と配線と配線保護膜とから構成される
    配線基板と上記半導体チップとがワイヤーボンドで電気
    的接続がなされ、上記半導体チップと上記絶縁基板の間
    に複数の配線が存在する樹脂封止型半導体装置におい
    て、 上記配線が形成されていない上記絶縁基板上の領域に一
    又は複数のダミー配線を形成することにより、上記配線
    保護膜表面を平滑にしていることを特徴とする、樹脂封
    止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 半導体チップの回路形成面が上向きに搭
    載され、絶縁基板と配線と配線保護膜とから構成される
    配線基板と上記半導体チップとがワイヤーボンドで電気
    的接続がなされ、上記半導体チップと上記絶縁基板の間
    に複数の配線が存在する樹脂封止型半導体装置において
    上記一の配線が他の配線と電気的に絶縁されているよう
    に少なくとも一つの上記ダミー配線が上記一の配線と接
    続されていることを特徴とする、請求項１に記載の樹脂
    封止型半導体装置。
  3. 【請求項３】 上記ダミー配線と上記一の配線とが一体
    形成されていることを特徴とする、請求項２に記載の樹
    脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 上記配線保護膜の膜厚が２０μｍ以上で
    且つ、５０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１
    乃至請求項３に記載の樹脂封止型半導体装置。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至請求項４に記載の樹脂封止
    型半導体装置における、樹脂封止型半導体装置の製造方
    法において、 上記絶縁基板上に配線材料膜を堆積した後、上記配線と
    ダミー配線とを同時にパターニングし、その後配線保護
    膜を上記絶縁基板及び配線及びダミー配線を覆うように
    形成することにより、上記配線基板を形成する工程と接
    着フィルムをウエハ裏面に貼った後、ダイシングするこ
    とにより上記半導体チップを形成形成する工程とを行っ
    た後、上記配線基板に上記半導体チップを該半導体チッ
    プの回路形成面が上向きになるように搭載し、ワイヤボ
    ンドで上記半導体チップと上記配線基板とを電気的に接
    続し、上記半導体チップ搭載面側の配線基板を樹脂封止
    することを特徴とする、樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
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