JP2007109938A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】樹脂封止時の樹脂基板の変形(クラックの発生)を簡易な手段で防止する半導体装置を提供すること。
【解決手段】加熱・加圧時の樹脂基板の剛性を高めるため、半導体装置において、樹脂封止されている側の導体パターンの面積占有率を樹脂基板面の70%以上にする。好ましくは、導体パターン間の間隔を0.15mm以下に設定する。
【選択図】図1
【解決手段】加熱・加圧時の樹脂基板の剛性を高めるため、半導体装置において、樹脂封止されている側の導体パターンの面積占有率を樹脂基板面の70%以上にする。好ましくは、導体パターン間の間隔を0.15mm以下に設定する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体素子を樹脂封止した半導体装置に関する。
現在、携帯通信端末等の機器においては、樹脂基板上に半導体素子や受動素子等を搭載し、膜状の導体パターンや金属細線で電気経路を構成した半導体装置が使用されている。このような半導体装置において、基板上の半導体素子等は、化学的・物理的作用から保護するために樹脂によって封止されている。
図7及び図8に、半導体素子を搭載した樹脂基板面を樹脂封止した半導体装置の概略図を示す。図7は、半導体素子が搭載された樹脂基板面側から見た上面図であり、図8は、図7のVIII−VIII断面図である。なお、図7において、導体パターン23には模様が付してあり、また封止樹脂は明示していない。半導体装置21においては、樹脂基板28の上下面に、導体パターン23、26が配されている。図8上側の導体パターンを上部導体パターン23、その反対側の導体パターンを下部導体パターン26と表記すると、上部導体パターン23と下部導体パターン26は、樹脂基板28を貫通するスルーホール25の内面を被覆する層間導体層27によって電気的に接続され、半導体素子22は、上部導体パターン23上に導電ペースト等の接着剤30により固着されると共に、金属細線24を用いて上部導体パターン23と電気的に接続されている。上部導体パターン23側にある半導体素子22等は、封止樹脂29によって被覆されている。
このような半導体装置の樹脂封止方法としては、トランスファモールド法、ポッティング法、スクリーン印刷法等が知られている。例えば、トランスファモールド法を用いて、半導体装置を樹脂封止する場合、半導体素子等の電子部品の搭載やワイヤボンディング等の配線を施した基板面を上にして、約180℃に加熱されたトランスファ成形金型に樹脂基板を載置する。このとき、樹脂基板とトランスファ成形金型との間には、ポリイミド系等の樹脂を主成分とするテープ(リリースフィルム)(例えば、厚さ約0.06mm)を介在させる。半導体素子等を搭載した樹脂基板面に金型のゲートより封止樹脂を注入し、封止樹脂を加圧・硬化させることによって、半導体素子等を封止する(例えば、特許文献1参照)。
金型と樹脂基板間に配したテープは、加熱及び加圧によって金型と下部導体パターンとの間を埋めるように変形する。これにより、加熱及び加圧による樹脂基板の変形を抑えて、半導体素子や樹脂基板におけるクラックの発生を防止している。
半導体装置が樹脂封止される際、樹脂封止される(半導体素子が搭載された)側の樹脂基板面は、150℃以上で加熱溶融された封止樹脂と接し、さらに封止樹脂の成形時には加圧されることになる。この高熱と圧力は、樹脂基板を変形させ、半導体素子及び半導体素子が搭載された樹脂基板面にクラックを発生させる。半導体素子や樹脂基板のクラックは、耐湿性の低下等、種々の問題を生じさせることになる。
樹脂基板や半導体素子のクラックを防止する手段として、先に説明したようなテープ(リリースフィルム)を用いることもできるが、この場合、樹脂基板と金型との間にテープを供給する機能を有する樹脂封止装置が必要になるので、設備コスト及び製造コストが高くつくことになる。
したがって、半導体装置の樹脂封止時の変形を防止するために、簡易な手段で半導体装置自体の剛性を向上させる手段が望まれている。
本発明の第1視点によれば、導体パターンが配されている樹脂基板の少なくとも一面に半導体素子が搭載されていると共に当該少なくとも一面が樹脂封止されており、導体パターンは、当該少なくとも一面の表面積の70%以上を占めている半導体装置を提供する。
樹脂基板の材料となる例えばエポキシ樹脂は、150℃以上で曲げ弾性率が大きく低下し、トランスファ成形の加熱温度である180℃においては、曲げ弾性率は25℃のときの2分の1以下となる。また、エポキシ樹脂のバーコール硬度は、弾性率と同様に100〜150℃で低下が始まり、180℃のときの硬度は25℃のときの2分の1以下となる。一方、樹脂基板上に形成される導体パターンを構成する金、ニッケル、銅等の金属は、弾性及び硬度が25℃のときと180℃のときとでほとんど変わらない。そこで、本発明においては、樹脂封止時の加熱及び加圧による樹脂基板の変形を防止するために、樹脂封止される側の樹脂基板面のより広い範囲を導体パターン(金属)で覆うことによって、加熱及び加圧時の剛性を高めた半導体装置を提供する。
上記第1視点の好ましい形態によれば、導体パターンは、他の導体と電気的に接続されていないダミー導体パターンを含む。別の好ましい形態によれば、当該少なくとも一面において、導体パターン間の電気的絶縁をとるための間隔は0.15mm以下である。別の好ましい形態によれば、導体パターンの厚さは少なくとも10μmである。別の好ましい形態によれば、導体パターンは、複数の種類の導体から構成される多層構造を有する。別の好ましい形態によれば、樹脂封止に使用される樹脂は、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂又はフェノール系樹脂である。
本発明によれば、樹脂基板と封止樹脂の接触部分における導体(金属)の割合が広範囲であるので、樹脂基板に高剛性を付与することができる。このため、樹脂封止の際に例えば約180℃の封止樹脂が接触しても、樹脂基板が変形しにくくなる。さらに、樹脂基板の露出面積が小さい(導体パターン間の間隔が狭い)ので、封止樹脂から軟化した樹脂基板に加わる封入圧が作用する面積が小さく、導体パターンを含む樹脂基板全体の変形が抑制される。また、150℃以下の低温で樹脂封止する場合であっても、封止樹脂成形時と冷却時の封止樹脂と樹脂基板との間の熱歪み差によって生じる樹脂基板の反りを抑えることが可能となる。これにより、樹脂基板及び半導体素子のクラックの発生を防止することができる。
さらに、本発明によれば、半導体装置自体の構造によって樹脂基板の変形を防止することができるので、樹脂封止時に金型と半導体装置との間に配置する変形防止用のテープが不要となる。この結果、テープを供給する工程及び装置を省略することができるので、製造コスト及び設備コストを削減することができる。また、本発明においては、エッチング又はメッキによって形成される導体パターンのパターン形状を設計に応じて変更すればよいだけであるので、非常に簡易に樹脂基板の変形を防止することができる。加えて、半導体装置の変形を抑制できることにより、半導体装置の実装性も向上する。
本発明の第1実施形態に係る半導体装置の上面図を図1に及びII−II線の断面図を図2に示す。図1においては、上部導体パターン3に模様が付されており、また封止樹脂9は図示されていない。半導体装置1は、樹脂基板8、上部導体パターン3、半導体素子2、金属細線(ボンディングワイヤ)4、下部導体パターン6、スルーホール5、及び封止樹脂9を有する。上部導体パターン3及び下部導体パターン6は、樹脂基板8の上面及び下面にメッキ又はエッチングにより形成されている。ここでは、樹脂基板8の封止樹脂9側に形成された導体パターンを上部導体パターン3、その反対側に形成された導体パターンを下部導体パターン6と表記している。上部導体パターン3と下部導体パターン6とは、樹脂基板8を貫通するスルーホール5の内面に形成された層間導体7を介して電気的に接続されている。半導体素子2は、銀等の金属粉を含む又は含まない接着剤10により上部導体パターン3上に固着されている。さらに、半導体素子2と別の上部導体パターン3とは、金等からなる金属細線(ボンディングワイヤ)4によって電気的に接続されている。樹脂基板8の上部側、すなわち上部導体パターン3、半導体素子2及び金属細線4、は、エポキシ系等の封止樹脂9によって封止されている。
上部導体パターン3は、樹脂封止時の樹脂基板8の変形を防止するため、封止樹脂側の樹脂基板8面において樹脂基板8が上部導体パターン3から露出する領域をできるだけ少なくするように配される。すなわち、上部導体パターン間において絶縁性を確保するための領域を少なくするように上部導体パターン3のパターン形状を形成する。好ましくは、上部導体パターン3は、樹脂基板8面を少なくとも50%を被覆するようにし、より好ましくは50%〜70%、さらに好ましくは70%以上被覆するようにする。
また、樹脂基板8の露出面を少なくするため、上部導体パターン3間の間隔dは、好ましくは0.15mm以下、より好ましくは0.1mm以下にする。上部導体パターン3の厚さは、厚いほど半導体装置自体の剛性を向上させるので、少なくとも10μmあると好ましく、より好ましくは30μm以上である。
上部導体パターン3の占有面積を拡大する手段として、電気経路として使用される導体パターンの面積を拡大させてもよいし、又は他の導体ないし電子部品と電気的接続されていないダミー導体パターン3aを設けてもよい。例えば、図1に示す半導体装置1のように、樹脂基板8の角部や半導体素子1が搭載された上部導体パターン3の周囲に、他の導体ないし部品との絶縁性を保持する領域を確保しながらダミー導体パターン3aを形成することができる。ダミー導体パターン3aは、電気経路として使用される導体パターンと同じ材質でもよいし、電気経路としては使用されないので安価ないし硬質な金属等を使用しても良い。
さらに下部導体パターン6においても、占有率を大きくする、及び/又は厚さを厚くするなど、上部導体パターン3と同様の形態にして補助的に半導体装置1の剛性を向上させることができる。
上部導体パターン3及び下部導体パターン6の材質は、金属ならいずれのものでもよいが、電気伝導性に優れた金属が好ましいことは言うまでもなく、単体であっても合金であってもよい。特に、導体パターン3、6は、銅、金、銀又はニッケルから形成することが好ましく、さらにメッキ等を有する多層構造にしてもよい。例えば上層から順に金、ニッケル、銅をそれぞれ厚さ1μm、5μm、30μmで積層した導体パターン3、6を使用することができる。
樹脂基板8の材料は適宜選択することができ、エポキシ系樹脂、ポイリイミド系樹脂等を使用することができる。また、封止樹脂9の材料としては、エポシキ系樹脂、ポリエステル系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂等を使用することができる。
本発明の第2実施形態に係る半導体装置の上面図を図3に及びIV−IV線の断面図を図4に示す。図3においては、導体パターン3に模様が付されており、また封止樹脂9は図示されていない。第1実施形態に係る半導体装置1においてはスルーホール5は樹脂基板8を貫通するように形成されているが、第2実施形態に係る半導体装置1においてはスルーホール5は、内面を露出するように樹脂基板8の側面に形成されている。第2実施形態によれば、側面の半田濡れ形状を観察することができる。上部導体パターン3の形態は、第1実施形態と同様に構成されている。
導体パターン間の間隔dが0.075mm、0.10mm、0.15mm、0.20mm、0.25mm、0.30mm、0.35mm及び0.375mmと異なる図5に示すような半導体装置1を作製し、各半導体装置1における樹脂封止の際のクラック等の発生状況を調べた。厚さ110μmのガラスエポキシの樹脂基板8上に、銅、ニッケル及び金からなる導体パターン3、6を形成し、上部導体パターン3上に銀粉を含む接着剤10を用いて半導体素子2を搭載した。導体パターン3、6は、下層が厚さ23μmの銅、上層が厚さの合計7μmのニッケルと金から構成されている。上部導体パターン3と半導体素子2とは金属細線4によって電気的に接続し、上部導体パターン3と下部導体パターン6もスルーホール5を通じて電気的に接続した。また、樹脂基板8の角部に、半導体素子2等と電気的に接続されていない、樹脂基板8上を覆うだけのダミー導体パターン3aを形成した。最後に、半導体素子2が搭載された面側をエポキシ樹脂で封止した。樹脂封止は、トランスファ成形法を用いて、テープを使用せずに、温度175℃、圧力約9.8×106Pa(約100kgf/cm2)、封止保持時間約2分の条件で行った。
樹脂封止の際に半導体素子2に発生した平均クラック数(半導体装置1個当たり)と上部導体パターン3の間隔dとの関係を示すグラフを図6に示す。クラックは、半導体素子2の上面から下面に向けて発生していた。図6によれば、上部導体パターン3間の間隔が0.2mmを超える(上部導体パターン3の占有率約50%未満)とクラック数が増大しているが、導体パターン間の間隔dが1.5mm以下(上部導体パターン3の占有率約70%以上)の範囲ではクラックの発生は認められなかった。これより、導体パターンの間隔(導体パターンの占有率)が樹脂封止時のクラックの発生に大きな影響を及ぼすことが示され、導体パターンの間隔(導体パターンの占有率)の調整によってテープを使用しなくてもクラックの発生を防止できることが判明した。
1 半導体装置
2 半導体素子
3 上部導体パターン
3a ダミー導体パターン
4 金属細線(ボンディングワイヤ)
5 スルーホール
6 下部導体パターン
7 層間導体
8 樹脂基板
9 封止樹脂
10 接着剤
21 半導体装置
22 半導体素子
23 上部導体パターン
24 金属細線(ボンディングワイヤ)
25 スルーホール
26 下部導体パターン
27 層間導体
28 樹脂基板
29 封止樹脂
30 接着剤
2 半導体素子
3 上部導体パターン
3a ダミー導体パターン
4 金属細線(ボンディングワイヤ)
5 スルーホール
6 下部導体パターン
7 層間導体
8 樹脂基板
9 封止樹脂
10 接着剤
21 半導体装置
22 半導体素子
23 上部導体パターン
24 金属細線(ボンディングワイヤ)
25 スルーホール
26 下部導体パターン
27 層間導体
28 樹脂基板
29 封止樹脂
30 接着剤
Claims (6)
- 導体パターンが配されている樹脂基板の少なくとも一面に半導体素子が搭載されていると共に前記少なくとも一面が樹脂封止されている半導体装置において、
前記導体パターンは、前記少なくとも一面の表面積の70%以上を占めていることを特徴とする半導体装置。 - 前記導体パターンは、他の導体と電気的に接続されていないダミー導体パターンを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記少なくとも一面において、前記導体パターン間の電気的絶縁をとるための間隔は0.15mm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記導体パターンの厚さは少なくとも10μmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記導体パターンは、複数の種類の導体から構成される多層構造を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 樹脂封止に使用される樹脂は、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂又はフェノール系樹脂であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。
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