JPS6340352A - 電子部品用リ−ドフレ−ム - Google Patents
電子部品用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS6340352A JPS6340352A JP18268686A JP18268686A JPS6340352A JP S6340352 A JPS6340352 A JP S6340352A JP 18268686 A JP18268686 A JP 18268686A JP 18268686 A JP18268686 A JP 18268686A JP S6340352 A JPS6340352 A JP S6340352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tab
- lead frame
- divided
- expansion coefficient
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、電子部品特に半導体パッケージ用リードフレ
ームの構造改良に関し、信頼性と経済性を両立できるよ
うな電子部品の製造を可能にしたものである。
ームの構造改良に関し、信頼性と経済性を両立できるよ
うな電子部品の製造を可能にしたものである。
ＩＣ，トランジスターなどの半導体、センサー。
ＣＣＤ 、コンデンサー、抵抗などの電子部品はＳｉ。
０ｙ−、ＧａＡｓ 、 Ｉｎｐ を各種セラミックスな
どの素子をリードフレーム上に実装してパッケージされ
る。
どの素子をリードフレーム上に実装してパッケージされ
る。
リードフレームは金属板をプレスやエツチングで打抜き
成型される。第２図はその１例である。図によれば中央
のタブ部１に素子が金属鑞やエポキシで接着され、その
周囲にリード２が配置される。
成型される。第２図はその１例である。図によれば中央
のタブ部１に素子が金属鑞やエポキシで接着され、その
周囲にリード２が配置される。
素子上の電極パッドとリード２はワイヤボンドなどで給
配線される。リード中の３はタブを支持するタブ吊りリ
ードである。リードの一部即ちアクタ−リード部を残し
てエポキシなとでモールドされてパッケージされる。
配線される。リード中の３はタブを支持するタブ吊りリ
ードである。リードの一部即ちアクタ−リード部を残し
てエポキシなとでモールドされてパッケージされる。
素子とリードフレームとは構成している材質が互に異っ
ているため、両者の熱膨張率（ＴＣＥ ）が異なり、こ
のため発熱と温度サイクルに伴う熱応力を発生し、歪を
生じ素子への機械的ダメージとなり易い。高集積化、高
機能化の必要から、素子を大型化する程、その熱応力の
影響は甚だしい。
ているため、両者の熱膨張率（ＴＣＥ ）が異なり、こ
のため発熱と温度サイクルに伴う熱応力を発生し、歪を
生じ素子への機械的ダメージとなり易い。高集積化、高
機能化の必要から、素子を大型化する程、その熱応力の
影響は甚だしい。
このためＳｉ素子とＴＣＥが近似している。コバール合
金や４２合金などのＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金がリードフ
レーム材質に必要とされている。然しこれらの合金は熱
伝導度が小さく放熱性に乏しく、大型素子の発熱を効率
よ（放熱できないので素子の信頼性に対しては逆効果と
なっている。尚これらの合金は高価でもあるので経済性
冗も乏しい。
金や４２合金などのＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金がリードフ
レーム材質に必要とされている。然しこれらの合金は熱
伝導度が小さく放熱性に乏しく、大型素子の発熱を効率
よ（放熱できないので素子の信頼性に対しては逆効果と
なっている。尚これらの合金は高価でもあるので経済性
冗も乏しい。
そこでＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金に代って放熱性が１０〜
５０倍も優れている常用金属であるＣｕ系材料の使用が
利用される傾向にある。
５０倍も優れている常用金属であるＣｕ系材料の使用が
利用される傾向にある。
然しこの材料のＴＣＥは４〜５倍程大きい、つまりＳｉ
素子とＣｕ系材料とでは熱膨張率の値が余りにもマツチ
していない、即ちＴＣＥのミスマツチングの状態にある
。同様のことはＳｉ素子以外でも大きな問題であって、
素子とリードフレームは一般に別の材質で構成されてお
り、ＴＣＥのミスマツチングによる熱応力の発生は多少
の程度の差はあれ電子部品の共通問題である。
素子とＣｕ系材料とでは熱膨張率の値が余りにもマツチ
していない、即ちＴＣＥのミスマツチングの状態にある
。同様のことはＳｉ素子以外でも大きな問題であって、
素子とリードフレームは一般に別の材質で構成されてお
り、ＴＣＥのミスマツチングによる熱応力の発生は多少
の程度の差はあれ電子部品の共通問題である。
ＷやＭｏなどを前記ＴＣＥのミスマツチングに対する緩
衝材として用いたり、又リードフレームに代ってセラミ
ック基板を用いることも一部行われているが、生産性に
乏しく、材料が高価で経済性にも乏しい。
衝材として用いたり、又リードフレームに代ってセラミ
ック基板を用いることも一部行われているが、生産性に
乏しく、材料が高価で経済性にも乏しい。
生産性、経済性に有利な常用金属をリードフレームに用
いて、ＴＣＥミスマツチングに起因する信頼性の問題を
解消することが強（求められている。特に放熱性に有望
なＣｕ系リードフレームについては熱応力問題を解消す
ることは、信頼性、生産性、経済性すべての面に最適と
なるリードフレームを得ることとなる。
いて、ＴＣＥミスマツチングに起因する信頼性の問題を
解消することが強（求められている。特に放熱性に有望
なＣｕ系リードフレームについては熱応力問題を解消す
ることは、信頼性、生産性、経済性すべての面に最適と
なるリードフレームを得ることとなる。
本発明は、ＴＣＥミスマツチングによって起る熱応力を
分散縮少できるように、タブ部の構造を改良したもので
ある。第１図（Ａ） （Ｂ） （Ｑ （Ｉ） （Ｅ）は
いずれも本発明によるタブ部の例を示した平面図である
。
分散縮少できるように、タブ部の構造を改良したもので
ある。第１図（Ａ） （Ｂ） （Ｑ （Ｉ） （Ｅ）は
いずれも本発明によるタブ部の例を示した平面図である
。
第１回内はタブ部が１１と１２の２つに分割分離されそ
の各々にタブ吊りリード６と３！がある以外は第２図と
全く同様の例である。第１図（Ｂ）はタブ部が１６と１
４と１５と１６とに４分割され、その各々にタブ吊りリ
ード３ 、３／ 、 ３＃ 、 ３＃がある以外は第２
図と全（同様の他の例である。第１図（ｑは第１図（５
）のように２分割されたタブの１１と１２か細い連結部
２ｏにより連結された他の例で、第１図０は第１図（ｑ
に示したような連結部２１と２２が２個ついた他の例で
ある。第１図（ト）は４分割タブを連結部２３，２４，
２５，２６で連結した他の例である。
の各々にタブ吊りリード６と３！がある以外は第２図と
全く同様の例である。第１図（Ｂ）はタブ部が１６と１
４と１５と１６とに４分割され、その各々にタブ吊りリ
ード３ 、３／ 、 ３＃ 、 ３＃がある以外は第２
図と全（同様の他の例である。第１図（ｑは第１図（５
）のように２分割されたタブの１１と１２か細い連結部
２ｏにより連結された他の例で、第１図０は第１図（ｑ
に示したような連結部２１と２２が２個ついた他の例で
ある。第１図（ト）は４分割タブを連結部２３，２４，
２５，２６で連結した他の例である。
上記のような本発明リードフレームの実装は常法に従っ
て行うことができる。
て行うことができる。
タブを分割した本発明によるリードフレームは金属製フ
レームのＴＣＥミスマツチングによる熱応力を分散し、
縮少できる。熱応力による歪Σの変化は△Σ＝△（ＴＣ
Ｅ）△Ｔ−７（但しｌ；タブの一辺の長さ、ΔＴ；温度
変化、△ＴＣＥ ；タブと素子とのＴＣＥの差）の式で
表わせるから、本発明のようにタブを分割してｌを小さ
くするとΔΣは小さくなる。従って熱応力を減少できる
。分割は等方向、対称的に行うことが望ましい。
レームのＴＣＥミスマツチングによる熱応力を分散し、
縮少できる。熱応力による歪Σの変化は△Σ＝△（ＴＣ
Ｅ）△Ｔ−７（但しｌ；タブの一辺の長さ、ΔＴ；温度
変化、△ＴＣＥ ；タブと素子とのＴＣＥの差）の式で
表わせるから、本発明のようにタブを分割してｌを小さ
くするとΔΣは小さくなる。従って熱応力を減少できる
。分割は等方向、対称的に行うことが望ましい。
分割されたタブ間の空隙を示した図中の３０は上記の式
の歪み前後より以上であれば充分であり、通常１０μオ
ーダー以上である。
の歪み前後より以上であれば充分であり、通常１０μオ
ーダー以上である。
タブ部は実用上完全疋分離することなく、連結部を残し
て分割する方が有利な場合がある。それは、リードフレ
ーム成型やその後のメツキ加工。
て分割する方が有利な場合がある。それは、リードフレ
ーム成型やその後のメツキ加工。
素子実装パッケージ工程などでタブ部の一部が変形し、
平坦度を失うことが懸念されるので、補強の役割をする
からである。但し過剰の連結部の存在は前記の熱応力分
散効果を損うので、可及的に小さいことが有利である。
平坦度を失うことが懸念されるので、補強の役割をする
からである。但し過剰の連結部の存在は前記の熱応力分
散効果を損うので、可及的に小さいことが有利である。
材質や厚さ等にも依るが、連結部の巾は、複数個の連結
部を有する場合はその巾の和がタブ辺の長さｌの１／３
以下、特に１１５が望ましい。
部を有する場合はその巾の和がタブ辺の長さｌの１／３
以下、特に１１５が望ましい。
以上のＩＪ−ドフレームはＣｕ又はＣｕ合金例えばＣｕ
−８ｎ 、 Ｃｕ−Ｆｅ 、 Ｃｕ−Ｚｒ 、 Ｃｕ−
Ｃｒ−Ｚｒ 、 Ｃｕ−Ｎｉ−８ｉ 。
−８ｎ 、 Ｃｕ−Ｆｅ 、 Ｃｕ−Ｚｒ 、 Ｃｕ−
Ｃｒ−Ｚｒ 、 Ｃｕ−Ｎｉ−８ｉ 。
Ｃｕ −Ｓｎ −Ｃｒなどの合金で形成されるとき本発
明効果を最も太き（発揮できるし、素子部の発熱も放熱
できる。
明効果を最も太き（発揮できるし、素子部の発熱も放熱
できる。
更に本発明のリードフレームの他の重要な効果はタブと
モールドレジンとの密着の向上である。
モールドレジンとの密着の向上である。
分割されたタブ間の空隙３０にレジンが喰込み、そのた
め剥離を起し難い。従来のようにタブが分割されていな
いフレームでは上記剥離が部品の耐透湿の障害の原因と
なる。
め剥離を起し難い。従来のようにタブが分割されていな
いフレームでは上記剥離が部品の耐透湿の障害の原因と
なる。
実施例１
厚さ０．２０ ｍｍノｃｕ−２Ｓｎ−０，１５Ｃｒ合金
の板よりエツチング方法により、６８ピンの４方向フレ
ームを成型した。タブサイズ１８Ｘ１８ｍｍ角を４等分
して、各々を４本の吊りリードで支持した。この吊りリ
ードの巾を１．２ｍｍとして他のリードの０、４５ ｍ
ｍより巾広（した。４分割タブ間の空隙は０、２５ ｍ
ｍとした。このようにしてつ（つたフレームのタブ及び
リード先端部に５μ厚さのＡｇスポットメツキを施して
から、１８Ｘ１８ｍｍ角のＳｉ素子をペースト法により
ダイポンドし、２１５℃×１０分間キュアーした。これ
を２５μグのＡｕ線でワイヤボンドしてからエポキシレ
ジンでトランスファーモールドして、本発明の実施によ
るリードフレームを用いて半導体パッケージをつくった
。
の板よりエツチング方法により、６８ピンの４方向フレ
ームを成型した。タブサイズ１８Ｘ１８ｍｍ角を４等分
して、各々を４本の吊りリードで支持した。この吊りリ
ードの巾を１．２ｍｍとして他のリードの０、４５ ｍ
ｍより巾広（した。４分割タブ間の空隙は０、２５ ｍ
ｍとした。このようにしてつ（つたフレームのタブ及び
リード先端部に５μ厚さのＡｇスポットメツキを施して
から、１８Ｘ１８ｍｍ角のＳｉ素子をペースト法により
ダイポンドし、２１５℃×１０分間キュアーした。これ
を２５μグのＡｕ線でワイヤボンドしてからエポキシレ
ジンでトランスファーモールドして、本発明の実施によ
るリードフレームを用いて半導体パッケージをつくった
。
実施例２
実施例１と同様の４分割されたタブ部をこの実施例では
各々中央部で１．５ ｍｍの巾の連結部で連結し、他は
すべて実施例１に準じて半導体パッケージをつ（つた。
各々中央部で１．５ ｍｍの巾の連結部で連結し、他は
すべて実施例１に準じて半導体パッケージをつ（つた。
この実施例においてはＡｇのスポットメツキでタブ部の
変形が起りにくいので作業が容易であった。
変形が起りにくいので作業が容易であった。
比較例１
実施例１と同じＣｕ合金板よりエツチング法により６８
ビンのフレームを成型し丸タブサイズは実施例と同じ（
１８Ｘ１８ｍｍ角であるが、この比較例においてはタブ
は分割せずにして従来のようなタブで、他はすべて実施
例１に準じた。
ビンのフレームを成型し丸タブサイズは実施例と同じ（
１８Ｘ１８ｍｍ角であるが、この比較例においてはタブ
は分割せずにして従来のようなタブで、他はすべて実施
例１に準じた。
比較例２ 。
比較例１におけるＣｕ合金に代えて従来使用されている
４２合金を使用してリードフレームをつ（す、他はすべ
て比較例１に準じた。
４２合金を使用してリードフレームをつ（す、他はすべ
て比較例１に準じた。
以上のようにしてつ（られた実施例１．実施例２、比較
例１．比較例２０４種の半導体パッケージを１２０℃と
一５０°Ｃに各々６ｏ分間保持する熱サイクルを２５回
（り返し行い、Ｉ・Ｃの故障率をテストした。この結果
を第１表に示す。
例１．比較例２０４種の半導体パッケージを１２０℃と
一５０°Ｃに各々６ｏ分間保持する熱サイクルを２５回
（り返し行い、Ｉ・Ｃの故障率をテストした。この結果
を第１表に示す。
第１表
第１表によって比較例１と比較例２を比べると、リード
フレームにＣｕ合金を用いた前者が４２合金を用いた後
者より劣る成績を示した。然し同じＣｕ合金を用いても
タブを分割した本発明の実施例１及び実施例２は優れた
成績を示していた。
フレームにＣｕ合金を用いた前者が４２合金を用いた後
者より劣る成績を示した。然し同じＣｕ合金を用いても
タブを分割した本発明の実施例１及び実施例２は優れた
成績を示していた。
次に実施例１．実施例２．比較例２などの上記試験後の
良品を８５°Ｃ７８５％ＲＨのプレッシャークツカーに
て１０００時間処理してＩＣの故障率をテストした。そ
の結果を第２表に示す。
良品を８５°Ｃ７８５％ＲＨのプレッシャークツカーに
て１０００時間処理してＩＣの故障率をテストした。そ
の結果を第２表に示す。
第２表
第２表によれば実施例１及び２は比較例２に比べて優れ
た成績を示した。リードフレームに従来使用されている
４２合金を用いた比較例２が故障を起し易かった原因は
モールド材のエポキシとフレーム材の４２合金とのＴＣ
Ｅのミスマツチングにあると推される。実施例１及び実
施例２のＩＪ−ド部はＣｕ合金なのでエポキシモールド
とＴＣＥが近似していて、しかもタブが分割されている
のでモールド材の喰込み効果もあって熱サイクルにおい
て剥離し難（、その後のプレッシャークツカーで水分の
浸入が少なかった。これに対し、比較例２ではリードフ
レームに４２合金を用い、しかもタブが分割されてない
のでリード部とモールドとのミスマツチングが大きく、
熱サイクルでの剥離がプレッシャークツカーでの浸水と
なったと推される。
た成績を示した。リードフレームに従来使用されている
４２合金を用いた比較例２が故障を起し易かった原因は
モールド材のエポキシとフレーム材の４２合金とのＴＣ
Ｅのミスマツチングにあると推される。実施例１及び実
施例２のＩＪ−ド部はＣｕ合金なのでエポキシモールド
とＴＣＥが近似していて、しかもタブが分割されている
のでモールド材の喰込み効果もあって熱サイクルにおい
て剥離し難（、その後のプレッシャークツカーで水分の
浸入が少なかった。これに対し、比較例２ではリードフ
レームに４２合金を用い、しかもタブが分割されてない
のでリード部とモールドとのミスマツチングが大きく、
熱サイクルでの剥離がプレッシャークツカーでの浸水と
なったと推される。
上述したように、本発明はリードフレームのタブ部の改
善によって、大型の素子を搭載してもＴＣＥミスマツチ
ングてよる熱応力を無害な程度に軽減するものである。
善によって、大型の素子を搭載してもＴＣＥミスマツチ
ングてよる熱応力を無害な程度に軽減するものである。
特に一般にＴＣＥミスマツチングの大きいＣｕ系のフレ
ームにおいて、その特長である高い放熱性を活用し、し
かもＳｉ素子とのＴＣＥミスマツチングによる障害を防
止できるのでその実用的価値は太きい。
ームにおいて、その特長である高い放熱性を活用し、し
かもＳｉ素子とのＴＣＥミスマツチングによる障害を防
止できるのでその実用的価値は太きい。
第１図（５）及び第１図（Ｂ）は本発明の実施による分
割されたタブを示したリードフレームの平面概略図であ
り、第１図（Ｑ 、第１図（ＩＩＮ 、第１図（Ｅｉは
本発明の実施による他の例で分割されたタブが一部連結
された状態を示したリードフレームの平面概略図である
。第２図は従来使用されているリードフレームのタブ周
辺の平面図である。 １：タブ部 ２：リード ３．３’、３“、６Ｍ： 吊りリード１１ 、１２
、１３ 、１４ 、１５ 、１６ ：分割タブ２０、２
１，２２，２３１，２４，２５，２６ ：連結部６０：
分割タブ間の空隙
割されたタブを示したリードフレームの平面概略図であ
り、第１図（Ｑ 、第１図（ＩＩＮ 、第１図（Ｅｉは
本発明の実施による他の例で分割されたタブが一部連結
された状態を示したリードフレームの平面概略図である
。第２図は従来使用されているリードフレームのタブ周
辺の平面図である。 １：タブ部 ２：リード ３．３’、３“、６Ｍ： 吊りリード１１ 、１２
、１３ 、１４ 、１５ 、１６ ：分割タブ２０、２
１，２２，２３１，２４，２５，２６ ：連結部６０：
分割タブ間の空隙
Claims (3)
- （１）部品素子を搭載するタブ部を複数個に分割したこ
とを特徴とするリードフレーム。 - （２）材質がＣｕ又はＣｕ合金により形成された特許請
求の範囲第１項記載の電子部品用リードフレーム。 - （３）上記の分割されたタブ部は小さい連結部で互に連
結されている特許請求の範囲第１項記載の電子部品用リ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18268686A JPS6340352A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18268686A JPS6340352A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6340352A true JPS6340352A (ja) | 1988-02-20 |
Family
ID=16122661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18268686A Pending JPS6340352A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6340352A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415947A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用リードフレームおよび半導体装置 |
| DE4231325A1 (de) * | 1991-09-19 | 1993-04-01 | Mitsubishi Electric Corp | Zufuehrungsrahmen fuer eine halbleitervorrichtung |
| EP0642160A1 (en) * | 1993-09-07 | 1995-03-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor device with improved support means |
| US5521428A (en) * | 1993-03-22 | 1996-05-28 | Motorola, Inc. | Flagless semiconductor device |
| US5714792A (en) * | 1994-09-30 | 1998-02-03 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a reduced die support area and method for making the same |
| JP2009009957A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP18268686A patent/JPS6340352A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415947A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用リードフレームおよび半導体装置 |
| DE4231325A1 (de) * | 1991-09-19 | 1993-04-01 | Mitsubishi Electric Corp | Zufuehrungsrahmen fuer eine halbleitervorrichtung |
| US5760467A (en) * | 1991-09-19 | 1998-06-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device lead frame having sunk die pad portions |
| US5521428A (en) * | 1993-03-22 | 1996-05-28 | Motorola, Inc. | Flagless semiconductor device |
| EP0642160A1 (en) * | 1993-09-07 | 1995-03-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor device with improved support means |
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| JP2009009957A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
| US8076771B2 (en) | 2007-06-26 | 2011-12-13 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device having metal cap divided by slit |
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