JPH02126655A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02126655A JPH02126655A JP27968088A JP27968088A JPH02126655A JP H02126655 A JPH02126655 A JP H02126655A JP 27968088 A JP27968088 A JP 27968088A JP 27968088 A JP27968088 A JP 27968088A JP H02126655 A JPH02126655 A JP H02126655A
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- die pad
- lead frame
- pad part
- resin
- epoxy resin
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 7
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にプラスチックパッケー
ジの熱ストレスによるパッケージクラックおよびチップ
クラックの防止を図ることに関するものである。
ジの熱ストレスによるパッケージクラックおよびチップ
クラックの防止を図ることに関するものである。
半導体装置において、プラスチックパッケージのダイパ
ッド部をモールド樹脂と密着性の良いエポキシ系樹脂、
もしくはポリイミド系樹脂で作製することにより、熱ス
トレスによるダイパッド部とモールド樹脂との剥離によ
るパッケージクラック、およびダイパッド部と半導体チ
ップとの熱膨張係数差により生じるチップクラックを防
止するようにしたものである。
ッド部をモールド樹脂と密着性の良いエポキシ系樹脂、
もしくはポリイミド系樹脂で作製することにより、熱ス
トレスによるダイパッド部とモールド樹脂との剥離によ
るパッケージクラック、およびダイパッド部と半導体チ
ップとの熱膨張係数差により生じるチップクラックを防
止するようにしたものである。
従来の半導体装置は、基本的には、第２図（ａ）のよう
な構造をしており、チップをのせるダイパッド部７はリ
ードフレーム６と同一の素材、すなわち４２７０イにッ
ケル４２％、鉄合金）や銅等の金属で形成されていた。
な構造をしており、チップをのせるダイパッド部７はリ
ードフレーム６と同一の素材、すなわち４２７０イにッ
ケル４２％、鉄合金）や銅等の金属で形成されていた。
しかし、前述の従来技術では、ダイパッド部の金属７と
モールド樹脂３との密着が弱いため、モールド樹脂が吸
湿したような状態でリフロー等の急激な熱ストレスが加
わると、ダイパッド部の金属７とモールド樹脂３との界
面で剥離が起こり、水蒸気の圧力によりパッケージのク
ラックを引き起こすという問題点があった。また、半導
体装置ブ２とダイパッド部の金属７の接着には、金とシ
リコンの共晶を用いることも多く、この場合には、半導
体チップ２とダイパッド部の金属７との熱膨張係数の違
いにより、熱ストレスによるチップクラックや電気的特
性変動を引き起こすという問題点があった。
モールド樹脂３との密着が弱いため、モールド樹脂が吸
湿したような状態でリフロー等の急激な熱ストレスが加
わると、ダイパッド部の金属７とモールド樹脂３との界
面で剥離が起こり、水蒸気の圧力によりパッケージのク
ラックを引き起こすという問題点があった。また、半導
体装置ブ２とダイパッド部の金属７の接着には、金とシ
リコンの共晶を用いることも多く、この場合には、半導
体チップ２とダイパッド部の金属７との熱膨張係数の違
いにより、熱ストレスによるチップクラックや電気的特
性変動を引き起こすという問題点があった。
本発明は、このような問題点を解決するもので、その目
的とするところは、パッケージクラック、チップクラッ
ク等を引き起こす原因となっているダイパッド部の金属
部７を排除し、しかも従来のパッケージング技術を大き
く変更することなしに熱ストレスに対する信頼性の高い
半導体装置を提供することにある。
的とするところは、パッケージクラック、チップクラッ
ク等を引き起こす原因となっているダイパッド部の金属
部７を排除し、しかも従来のパッケージング技術を大き
く変更することなしに熱ストレスに対する信頼性の高い
半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、プラスチックパッケージのダイ
パッド部をモールド樹脂と密着の良いエポキシ系樹脂、
もしくはポリイミド系樹脂で形成することを特徴とする
ものである。
パッド部をモールド樹脂と密着の良いエポキシ系樹脂、
もしくはポリイミド系樹脂で形成することを特徴とする
ものである。
本発明の作用を述べれば、ダイパッド部をモールド樹脂
と密着の良いエポキシ系樹脂もしくはポリイミド系樹脂
で形成しているため、パッケージが吸湿したような状態
で急激な熱ストレスが加わっても、従来のようにダイパ
ッド部とモールド樹脂が剥離することが少なく、パッケ
ージクラックの発生を抑制することかできる。また、エ
ポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂によるダイパッドは金
属によるダイパッドに比ベチップに対する応力の発生が
少ないことからチップクラックの発生も抑制することが
できる。
と密着の良いエポキシ系樹脂もしくはポリイミド系樹脂
で形成しているため、パッケージが吸湿したような状態
で急激な熱ストレスが加わっても、従来のようにダイパ
ッド部とモールド樹脂が剥離することが少なく、パッケ
ージクラックの発生を抑制することかできる。また、エ
ポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂によるダイパッドは金
属によるダイパッドに比ベチップに対する応力の発生が
少ないことからチップクラックの発生も抑制することが
できる。
以下、本発明について実施例に基づき説明する。
第１図は本発明の主要部の断面図であって、１は半導体
チップとリードを接続するボンディングワイヤー、２は
半導体チップ、３はプラスチックモールド樹脂、４はリ
ード、５はエポキシ樹脂で形成したダイパッドである。
チップとリードを接続するボンディングワイヤー、２は
半導体チップ、３はプラスチックモールド樹脂、４はリ
ード、５はエポキシ樹脂で形成したダイパッドである。
次に本発明の半導体装置の製造方法について述べる。
先ず、従来のリードフレーム（第２図（ｂ））から金属
のダイパッド部７を取り除いた形のリードフレームを準
備する。
のダイパッド部７を取り除いた形のリードフレームを準
備する。
次１：、ｍ１図（ｂ）のようにトランスファモールド技
術を用い、リードフレームにエポキシ樹脂でダイパッド
部を形成する。この時、ダイパッド部は後工程のボンデ
ィング工程で割れ等の発生しないよう充分な強度を持っ
た形状、厚さに設計する必要かある。
術を用い、リードフレームにエポキシ樹脂でダイパッド
部を形成する。この時、ダイパッド部は後工程のボンデ
ィング工程で割れ等の発生しないよう充分な強度を持っ
た形状、厚さに設計する必要かある。
次に、このようにして作製された第１図（ｂ）のリード
フレームのエポキシ樹脂製グイパッド上に半導体チップ
をグイボンドする。
フレームのエポキシ樹脂製グイパッド上に半導体チップ
をグイボンドする。
以降のワイヤーボンディング工程、トランスファモール
ド工程等は従来のプラスチック工程と同様に行なう。
ド工程等は従来のプラスチック工程と同様に行なう。
ここではダイパッド部をパッケージモールド材と同一の
エポキシ樹脂を用いトランスファモールド法により形成
したが、パッケージモールド材と密着性がよいポリイミ
ド系樹脂でも同様の効果が期待できる。また、ダイパッ
ド部の形成はトランスファモールド法に限らず、ボッテ
ィング法でも可能である。
エポキシ樹脂を用いトランスファモールド法により形成
したが、パッケージモールド材と密着性がよいポリイミ
ド系樹脂でも同様の効果が期待できる。また、ダイパッ
ド部の形成はトランスファモールド法に限らず、ボッテ
ィング法でも可能である。
本発明の効果は、ダイパッドにエポキシ系樹脂もしくは
ポリイミド系樹脂を用いることにより、実装時の急激な
熱ストレスによるパッケージクラック、チップクラック
を抑制できるため、実装時の工程不良率の減少および信
頼性の向上に寄与する。
ポリイミド系樹脂を用いることにより、実装時の急激な
熱ストレスによるパッケージクラック、チップクラック
を抑制できるため、実装時の工程不良率の減少および信
頼性の向上に寄与する。
第１図（ａ）は本発明による半導体装置の主要部の断面
図。 第１図（ｂ）は本発明による半導体装置の製造工程途中
のリードフレーム図。 第２図（ａ）は従来の半導体装置の主要部の断面図。 第２図（ｂ）は従来の半導体装置に使用されているリー
ドフレーム図。 １・・・ボンディングワイヤー（金線）・半導体チップ ３・・・プラスチックモールド樹脂 （エポキシ樹脂） 中リード（４２アロイ） ・エポキシ樹脂によるダイパッド ・リードフレーム ・ダイパッド（４２アロイ） 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 Ｗ（他１名）第２図 （ａ） 第２図 （ｂ）
図。 第１図（ｂ）は本発明による半導体装置の製造工程途中
のリードフレーム図。 第２図（ａ）は従来の半導体装置の主要部の断面図。 第２図（ｂ）は従来の半導体装置に使用されているリー
ドフレーム図。 １・・・ボンディングワイヤー（金線）・半導体チップ ３・・・プラスチックモールド樹脂 （エポキシ樹脂） 中リード（４２アロイ） ・エポキシ樹脂によるダイパッド ・リードフレーム ・ダイパッド（４２アロイ） 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 Ｗ（他１名）第２図 （ａ） 第２図 （ｂ）
Claims (1)
- プラスチックパッケージのダイパッド部をモールド樹脂
と密着性の良いエポキシ系樹脂、もしくはポリイミド系
樹脂で作製することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27968088A JPH02126655A (ja) | 1988-11-05 | 1988-11-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27968088A JPH02126655A (ja) | 1988-11-05 | 1988-11-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02126655A true JPH02126655A (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=17614375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27968088A Pending JPH02126655A (ja) | 1988-11-05 | 1988-11-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02126655A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0964243A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-07 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR20190137703A (ko) | 2018-06-01 | 2019-12-11 | 에이블릭 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
-
1988
- 1988-11-05 JP JP27968088A patent/JPH02126655A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0964243A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-07 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR20190137703A (ko) | 2018-06-01 | 2019-12-11 | 에이블릭 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| US11037866B2 (en) | 2018-06-01 | 2021-06-15 | Ablic Inc. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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