JP2705983B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2705983B2 JP2705983B2 JP19469489A JP19469489A JP2705983B2 JP 2705983 B2 JP2705983 B2 JP 2705983B2 JP 19469489 A JP19469489 A JP 19469489A JP 19469489 A JP19469489 A JP 19469489A JP 2705983 B2 JP2705983 B2 JP 2705983B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- chip
- mold
- molded
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は集積回路装置の樹脂封止に関し、 金型に圧入される樹脂材料によって外部リードが変形
し、或いは集積回路チップの位置が変動するのを回避す
ることを目的とし、 一表面に粘着面を有する補助固定材の前記粘着面に集
積回路チップ及び外部リード材を粘着させ、 前記集積回路チップ及び前記外部リード材の前記補助
固定材上の部分を第１の樹脂材料によってモールドし、 前記補助固定材を除去して前記モールド体を第２の樹脂
材料によってモールドする構成とする。
し、或いは集積回路チップの位置が変動するのを回避す
ることを目的とし、 一表面に粘着面を有する補助固定材の前記粘着面に集
積回路チップ及び外部リード材を粘着させ、 前記集積回路チップ及び前記外部リード材の前記補助
固定材上の部分を第１の樹脂材料によってモールドし、 前記補助固定材を除去して前記モールド体を第２の樹脂
材料によってモールドする構成とする。
本発明は半導体集積回路装置の樹脂封止に関わり、特
に成形時に機械的歪みの生じることのない樹脂モールド
法に関わる。
に成形時に機械的歪みの生じることのない樹脂モールド
法に関わる。
通常の樹脂封止型の集積回路装置（IC）は、外部リー
ドであるリードフレームと、これにワイヤボンディング
されたICUチップを金型に収め、エポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂を圧入して形成する。
ドであるリードフレームと、これにワイヤボンディング
されたICUチップを金型に収め、エポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂を圧入して形成する。
このモールド成形は複数のICを一時に処理するもので
あって、平面に配列された複数の金型に同時に樹脂を圧
入する構成が取られることから、金型の樹脂注入口の位
置を任意に設定することが出来ず、金型内の樹脂の流れ
を制御することは殆ど不可能という事情がある。
あって、平面に配列された複数の金型に同時に樹脂を圧
入する構成が取られることから、金型の樹脂注入口の位
置を任意に設定することが出来ず、金型内の樹脂の流れ
を制御することは殆ど不可能という事情がある。
従前はリードフレームやダイパッドと呼ばれるチップ
載置台の機械的強度が比較的大であり、金型に圧入され
た樹脂によってこれが変形することは殆どなかったので
あるが、近年モールド成形体の寸法、特にその厚さ、を
小とすることが要求されるようになり、リードフレーム
は薄いものが用いられるようになったため、リードの先
端部が上下方向に押圧されて変形し、ボンディング・ワ
イヤの断線のような事故が発生し易くなっている。
載置台の機械的強度が比較的大であり、金型に圧入され
た樹脂によってこれが変形することは殆どなかったので
あるが、近年モールド成形体の寸法、特にその厚さ、を
小とすることが要求されるようになり、リードフレーム
は薄いものが用いられるようになったため、リードの先
端部が上下方向に押圧されて変形し、ボンディング・ワ
イヤの断線のような事故が発生し易くなっている。
また、リードフレームの一部であるダイパッドも、こ
れを支持する部分の機械的強度が低下したことから、モ
ールド成形時に捩じれたり傾いたりすることが多くな
り、これもICの不良発生の原因となっている。
れを支持する部分の機械的強度が低下したことから、モ
ールド成形時に捩じれたり傾いたりすることが多くな
り、これもICの不良発生の原因となっている。
第４図は従来の樹脂封止型ICの構造例を示す模式図で
あり、同図（ａ）は一部破断平面図、同図（ｂ）はその
Ｘ−Ｘ′断面図である。
あり、同図（ａ）は一部破断平面図、同図（ｂ）はその
Ｘ−Ｘ′断面図である。
ICチップ２はリードフレームの一部であるダイパッド
７上に、銀ペーストなどのろう材３によって接着されて
おり、ICチップのボンディング・パッドと外部リード５
の先端部６の間はワイヤ４によって接続されている。
７上に、銀ペーストなどのろう材３によって接着されて
おり、ICチップのボンディング・パッドと外部リード５
の先端部６の間はワイヤ４によって接続されている。
図の状態では既に除去されているが、樹脂封止作業終
了迄は全ての外部リードとダイパッドの支持体８はタイ
バーによって一体化されており、エポキシのような樹脂
１によってモールド成形されている。
了迄は全ての外部リードとダイパッドの支持体８はタイ
バーによって一体化されており、エポキシのような樹脂
１によってモールド成形されている。
これを上下に分けた金型に固定して収容し、樹脂を圧
入してモールドする。樹脂の注入方向は（ａ）図で紙面
に平行な方向であるが、金型の空洞内では樹脂は自由に
移動するので、既述した如く、リードの先端部６やタイ
パッド７に上下方向の力が加わることがあり、これ等の
強度が不足すると、変形してモールドされることによっ
て、極端な場合にはワイヤの断線を伴うことになる。
入してモールドする。樹脂の注入方向は（ａ）図で紙面
に平行な方向であるが、金型の空洞内では樹脂は自由に
移動するので、既述した如く、リードの先端部６やタイ
パッド７に上下方向の力が加わることがあり、これ等の
強度が不足すると、変形してモールドされることによっ
て、極端な場合にはワイヤの断線を伴うことになる。
また、SiのICチップ、銀ペースト、Ni或いはCuである
ダイパッドが積層された構造は熱歪みを生じやすく、こ
れをモールドする樹脂体にクラックを発生させる原因と
なる。
ダイパッドが積層された構造は熱歪みを生じやすく、こ
れをモールドする樹脂体にクラックを発生させる原因と
なる。
本発明の目的は金型内のICチップ位置を変えたり、リ
ード端部を変形させることのない樹脂封止法を提供する
ことであり、それによって樹脂封止型のIC装置の不良発
生を防止することである。
ード端部を変形させることのない樹脂封止法を提供する
ことであり、それによって樹脂封止型のIC装置の不良発
生を防止することである。
上記目的を達成するため、本発明の樹脂封止法では 一表面に粘着面を有する補助固定材の前記粘着面に集
積回路チップ及び外部リード材を粘着させ、 前記集積回路チップ及び前記外部リード材の前記補助
固定材上の部分を第１の樹脂材料によってモールドし、 前記補助固定材を除去して前記モールド体を第２の樹
脂材料によってモールドすることが行われる。
積回路チップ及び外部リード材を粘着させ、 前記集積回路チップ及び前記外部リード材の前記補助
固定材上の部分を第１の樹脂材料によってモールドし、 前記補助固定材を除去して前記モールド体を第２の樹
脂材料によってモールドすることが行われる。
本発明の樹脂封止法によって形成されたICは、その断
面構造が第１図に模式的に示されているように、第１の
樹脂１によってICチップ２及びリードフレームの端部６
の上部がモールドされた後、第２の樹脂１′によって下
部がモールドされるのであるから、夫々のモールド作業
で、金型に注入された樹脂の流れがICチップやリード先
端部を上または下に押圧することがあっても、他方の金
型或いは成形済の樹脂モールド体によってささえられて
いるため、これが変形することはない。
面構造が第１図に模式的に示されているように、第１の
樹脂１によってICチップ２及びリードフレームの端部６
の上部がモールドされた後、第２の樹脂１′によって下
部がモールドされるのであるから、夫々のモールド作業
で、金型に注入された樹脂の流れがICチップやリード先
端部を上または下に押圧することがあっても、他方の金
型或いは成形済の樹脂モールド体によってささえられて
いるため、これが変形することはない。
また、ICチップ／ろう材／ダイパッドの重ね合わせが
無いことから、熱歪みによって樹脂モールド体にクラッ
クが生ずることも避けられる。
無いことから、熱歪みによって樹脂モールド体にクラッ
クが生ずることも避けられる。
第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明実施例の工程を示す断
面模試図である。以下、同図を参照しながら説明する。
面模試図である。以下、同図を参照しながら説明する。
先ず、同図（ａ）に示される如く、粘着面を有するテ
ープ９にICチップ２とリードフレームを貼付し、リード
フレームの先端部６とチップの間をワイヤ４で接続す
る。
ープ９にICチップ２とリードフレームを貼付し、リード
フレームの先端部６とチップの間をワイヤ４で接続す
る。
これを金型に収容して樹脂封止を行い、同図（ｂ）の
ように上半分をモールドする。この場合、下側の金型10
とテープとの間に隙間があると、モールド用の樹脂が入
り込み、後続工程でテープを除去するのに支障を来すこ
とがあるので、金型はこのような隙間の生じない形状と
する。テープは圧入される樹脂によって下側の金型に押
し付けられるので、このような条件を満たすことは比較
的容易である。ここで使用する第１の樹脂材料について
は後に説明する。なお、11は上側の金型である。
ように上半分をモールドする。この場合、下側の金型10
とテープとの間に隙間があると、モールド用の樹脂が入
り込み、後続工程でテープを除去するのに支障を来すこ
とがあるので、金型はこのような隙間の生じない形状と
する。テープは圧入される樹脂によって下側の金型に押
し付けられるので、このような条件を満たすことは比較
的容易である。ここで使用する第１の樹脂材料について
は後に説明する。なお、11は上側の金型である。
次にチップ下方のテープを剥離する。この時チップ上
面は樹脂で強固に保持されているからテープの剥離はさ
ほど困難ではないが、チップに応力を発生させることは
好ましくないので、紫外線照射によって付着力を失う粘
着剤のように、剥離容易なものを用いることが望まし
い。
面は樹脂で強固に保持されているからテープの剥離はさ
ほど困難ではないが、チップに応力を発生させることは
好ましくないので、紫外線照射によって付着力を失う粘
着剤のように、剥離容易なものを用いることが望まし
い。
この状態ではチップ底面がリードフレーム面より突出
しており、本実施例では、これを研磨することによって
チップの厚みを減少させる。ICチップの厚さは、単に放
熱の観点からだけでも、小であることが望ましいもので
あるが、ウエハの状態でその厚さを減ずるには限度があ
るため、ここで厚さを減少させているのである。
しており、本実施例では、これを研磨することによって
チップの厚みを減少させる。ICチップの厚さは、単に放
熱の観点からだけでも、小であることが望ましいもので
あるが、ウエハの状態でその厚さを減ずるには限度があ
るため、ここで厚さを減少させているのである。
以上の処理を終えた半封止ICを別な金型に収容し、第
２の樹脂材料を圧入して下半分のモールドを行うと、第
２図（ｃ）に示されるように、上下を別々にモールドし
たIC装置が実現する。該図面では金型は省略されている
が、第２図（ｂ）の下側の型だけを樹脂モールド用の型
に交換するだけでもよい。
２の樹脂材料を圧入して下半分のモールドを行うと、第
２図（ｃ）に示されるように、上下を別々にモールドし
たIC装置が実現する。該図面では金型は省略されている
が、第２図（ｂ）の下側の型だけを樹脂モールド用の型
に交換するだけでもよい。
封止用樹脂の最も一般的なものはエポキシ樹脂であ
り、これにSi粉末のようなフィラーと呼ばれる充填材を
混じたものが用いられる。フィラーは成形体の硬度及び
強度を高めるためのものであるが、ICチップ表面を被覆
する樹脂にSiのような導電体が多量に含まれることは好
ましいことではないから、チップ上方を被覆する第１の
樹脂はフィラーの少ないものを用い、下方をモールドす
る第２の樹脂には十分な強度を持たせるだけのフィラー
を混入するといった使い分けをすることで、本発明の効
果を高めることが出来る。
り、これにSi粉末のようなフィラーと呼ばれる充填材を
混じたものが用いられる。フィラーは成形体の硬度及び
強度を高めるためのものであるが、ICチップ表面を被覆
する樹脂にSiのような導電体が多量に含まれることは好
ましいことではないから、チップ上方を被覆する第１の
樹脂はフィラーの少ないものを用い、下方をモールドす
る第２の樹脂には十分な強度を持たせるだけのフィラー
を混入するといった使い分けをすることで、本発明の効
果を高めることが出来る。
第３図は、本発明の別な実施例を示す断面模式図であ
る。この実施例では樹脂１′による２回目の封止を、下
半分だけでなく上下全体に対して行っている。このよう
な構成とすることで、上述の樹脂材料の使い分けがより
効果的なものとなる。
る。この実施例では樹脂１′による２回目の封止を、下
半分だけでなく上下全体に対して行っている。このよう
な構成とすることで、上述の樹脂材料の使い分けがより
効果的なものとなる。
以上説明したような工程で樹脂封止を行えば、夫々の
モールド程で金型内に圧入される樹脂の流れは、リード
フレーム或いはICチップの面に平行な流れが主となり、
リード端部やチップを上下方向に変形させるような流れ
は生じない。従ってそのような変形に起因するボンディ
ング・ワイヤ断線等の故障は生じない。
モールド程で金型内に圧入される樹脂の流れは、リード
フレーム或いはICチップの面に平行な流れが主となり、
リード端部やチップを上下方向に変形させるような流れ
は生じない。従ってそのような変形に起因するボンディ
ング・ワイヤ断線等の故障は生じない。
また、本発明ではICチップをリードフレームの一部で
あるダイパッドに載せる構造は採っていないので、熱歪
みに因るモールド樹脂のクラック発生といった故障も生
じることがない。
あるダイパッドに載せる構造は採っていないので、熱歪
みに因るモールド樹脂のクラック発生といった故障も生
じることがない。
第１図は本発明によるIC装置の構造を示す断面模式図、 第２図は実施例の工程を示す断面模式図、 第３図は他の実施例の構造を示す断面模式図、 第４図は従来の樹脂封止IC装置の構造を示す模式図であ
って、 図に於いて 1,1′は樹脂、 ２はICチップ、 ３はろう材、 ４はワイヤ、 ５は外部リード、 ６はリード端部、 ７はダイパッド、 ８はダイパッド支持体、 ９はテープ 10は下側金型、 11は上側金型 である。
って、 図に於いて 1,1′は樹脂、 ２はICチップ、 ３はろう材、 ４はワイヤ、 ５は外部リード、 ６はリード端部、 ７はダイパッド、 ８はダイパッド支持体、 ９はテープ 10は下側金型、 11は上側金型 である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊狩 伸一 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内 (72)発明者 尾堂 隆治 鹿児島県薩摩郡入来町副田5950番地 株 式会社九州富士通エレクトロニクス内 (56)参考文献 特開 平２−1396（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−119147（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−87843（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】一表面に粘着面を有する補助固定材（９）
の前記粘着面に集積回路チップ（２）及び外部リード材
の先端部（６）を粘着させ、 前記集積回路チップ及び前記外部リード材の前記補助固
定材上の部分を第１の樹脂材料（１）によってモールド
し、 前記補助固定材を除去して前記モールド体を第２の樹脂
材料（１′）によってモールドすることを特長とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19469489A JP2705983B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19469489A JP2705983B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360048A JPH0360048A (ja) | 1991-03-15 |
| JP2705983B2 true JP2705983B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=16328725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19469489A Expired - Lifetime JP2705983B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2705983B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5441684A (en) * | 1993-09-24 | 1995-08-15 | Vlsi Technology, Inc. | Method of forming molded plastic packages with integrated heat sinks |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP19469489A patent/JP2705983B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0360048A (ja) | 1991-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3205235B2 (ja) | リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型 | |
| US5869905A (en) | Molded packaging for semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH10313082A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JP2001274316A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2005223331A (ja) | リードフレーム、これを利用した半導体チップパッケージ及びその製造方法 | |
| US5708294A (en) | Lead frame having oblique slits on a die pad | |
| JP2001237361A (ja) | 小さな持上げマウントパッドを有するリードフレーム | |
| JP2010165777A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH08264569A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2705983B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07161910A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP5420737B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7582974B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing same | |
| JPH0964266A (ja) | リードフレーム | |
| JPH01187841A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2555931B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005050948A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2005311099A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2589520B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| KR200157363Y1 (ko) | 연결와이어를 사용하지 않고 칩의 본딩패드와 리드프레임의 리드를 접속한 반도체 장치 | |
| JP4362902B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH07169780A (ja) | Ｃｏｌ半導体装置、及びそのリードフレーム | |
| JP3514516B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003188332A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001284370A (ja) | 半導体装置の製造方法 |