JP2589520B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JP2589520B2 JP2589520B2 JP62335722A JP33572287A JP2589520B2 JP 2589520 B2 JP2589520 B2 JP 2589520B2 JP 62335722 A JP62335722 A JP 62335722A JP 33572287 A JP33572287 A JP 33572287A JP 2589520 B2 JP2589520 B2 JP 2589520B2
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 樹脂封止型半導体装置の製造方法の改良に関し、 樹脂のクラツク発生を防止し、耐湿性を低下させるこ
となく、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置の製造方法
を提供することを目的とし、 複数のサポートバーと、複数のリードとを有するリー
ドフレームを、リードフレーム押さえをもってボンディ
ングステージ上に固定し、半導体装置チップを前記複数
のサポートバーの中間に載置し、接着材をもって、前記
半導体装置チップと前記サポートバーとを接着し、前記
半導体装置チップのパッド端子と前記リードとを、ボン
ディングワイヤをもって接合し、前記半導体装置チップ
と、サポートバーと、リードとを、樹脂をもって一体に
モールドし、樹脂封止型半導体装置を形成する工程を要
旨とする。
となく、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置の製造方法
を提供することを目的とし、 複数のサポートバーと、複数のリードとを有するリー
ドフレームを、リードフレーム押さえをもってボンディ
ングステージ上に固定し、半導体装置チップを前記複数
のサポートバーの中間に載置し、接着材をもって、前記
半導体装置チップと前記サポートバーとを接着し、前記
半導体装置チップのパッド端子と前記リードとを、ボン
ディングワイヤをもって接合し、前記半導体装置チップ
と、サポートバーと、リードとを、樹脂をもって一体に
モールドし、樹脂封止型半導体装置を形成する工程を要
旨とする。
本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法の改良に
関する。
関する。
従来技術に係る樹脂封止型の半導体装置の構造を第４
図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。
図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。
第４図（ａ）は、樹脂封止型半導体装置１の平面図で
あり、第４図（ｂ）は、第４図（ａ）のＤ−Ｄをもって
示す面をもって切断した断面図であり、第４図（ｃ）
は、第４図（ａ）のＥ−Ｅをもって示す面をもって切断
した断面図である。図において、１は樹脂封止型半導体
装置であり、２は半導体装置チップであり、３はリード
フレームステージであり、４はリードであり、５は封止
用樹脂であり、11はボンディングワイヤである。
あり、第４図（ｂ）は、第４図（ａ）のＤ−Ｄをもって
示す面をもって切断した断面図であり、第４図（ｃ）
は、第４図（ａ）のＥ−Ｅをもって示す面をもって切断
した断面図である。図において、１は樹脂封止型半導体
装置であり、２は半導体装置チップであり、３はリード
フレームステージであり、４はリードであり、５は封止
用樹脂であり、11はボンディングワイヤである。
半導体チップ２は金属よりなるリードフレームステー
ジ３上に接着され、半導体装置チップ２のパッド端子
（図示せず）とリード４とがボンディングワイヤ11をも
って接合され、半導体装置チップ２と、リードフレーム
ステージ３と、リード４とが樹脂５をもって一体にモー
ルドされ、封止されている。
ジ３上に接着され、半導体装置チップ２のパッド端子
（図示せず）とリード４とがボンディングワイヤ11をも
って接合され、半導体装置チップ２と、リードフレーム
ステージ３と、リード４とが樹脂５をもって一体にモー
ルドされ、封止されている。
ところで、樹脂封止された半導体装置は、封止樹脂内
部に金属よりなるリードフレームステージ３を内在する
ため、熱衝撃が加わった場合、金属と樹脂との熱膨張率
の差によって、樹脂５とリードフレームステージ３とが
剥離する。特に、リードフレームステージ３の角の部分
には、応力が集中してクラツクが発生し、そのクラツク
が外面にまで成長して割れとなり、耐湿性を悪くし、半
導体装置の信頼性を低下させる。
部に金属よりなるリードフレームステージ３を内在する
ため、熱衝撃が加わった場合、金属と樹脂との熱膨張率
の差によって、樹脂５とリードフレームステージ３とが
剥離する。特に、リードフレームステージ３の角の部分
には、応力が集中してクラツクが発生し、そのクラツク
が外面にまで成長して割れとなり、耐湿性を悪くし、半
導体装置の信頼性を低下させる。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、樹
脂のクラツク発生を防止し、耐湿性を低下させることな
く、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置の製造方法を提
供することにある。
脂のクラツク発生を防止し、耐湿性を低下させることな
く、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置の製造方法を提
供することにある。
上記の目的は、複数のサポートバー（６）と、複数の
リード（４）とを有するリードフレーム（７）を、リー
ドフレーム押さえ（８）をもってボンディングステージ
（９）上に固定し、 半導体装置チップ（２）を前記複数のサポートバー
（６）の中間に載置し、接着材（10）をもって、前記半
導体装置チップ（２）と前記サポートバー（６）とを接
着し、 前記半導体装置チップ（２）のパッド端子（2a）と前
記リード（４）とを、ボンディングワイヤ（11）をもっ
て接合し、 前記半導体装置チップ（２）と、サポートバー（６）
と、リード（４）とを、樹脂（５）をもって一体にモー
ルドし、樹脂封止型半導体装置を形成する工程によって
達成される。
リード（４）とを有するリードフレーム（７）を、リー
ドフレーム押さえ（８）をもってボンディングステージ
（９）上に固定し、 半導体装置チップ（２）を前記複数のサポートバー
（６）の中間に載置し、接着材（10）をもって、前記半
導体装置チップ（２）と前記サポートバー（６）とを接
着し、 前記半導体装置チップ（２）のパッド端子（2a）と前
記リード（４）とを、ボンディングワイヤ（11）をもっ
て接合し、 前記半導体装置チップ（２）と、サポートバー（６）
と、リード（４）とを、樹脂（５）をもって一体にモー
ルドし、樹脂封止型半導体装置を形成する工程によって
達成される。
本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法を実施
して製造した半導体装置にあっては、半導体装置チップ
２を載置するための金属よりなるリードフレームステー
ジ３を使用せず、半導体装置チップ２は、その側面の少
なくとも二つがサポートバー６に接着されることによっ
て固定される。したがって、樹脂封止型半導体装置の封
止用樹脂の内部には、金属が内在しないので、金属と樹
脂との熱膨張率の差にもとづくクラツクの発生がなく、
樹脂封止型半導体装置の信頼性が向上する。
して製造した半導体装置にあっては、半導体装置チップ
２を載置するための金属よりなるリードフレームステー
ジ３を使用せず、半導体装置チップ２は、その側面の少
なくとも二つがサポートバー６に接着されることによっ
て固定される。したがって、樹脂封止型半導体装置の封
止用樹脂の内部には、金属が内在しないので、金属と樹
脂との熱膨張率の差にもとづくクラツクの発生がなく、
樹脂封止型半導体装置の信頼性が向上する。
以下、図面を参照しつゝ、本発明の二つの実施例に係
る樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
る樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
第１例 第２図（ａ）、（ｂ）参照 第２図（ａ）は平面図であり、第２図（ｂ）は第２図
（ａ）のＣ−Ｃをもって示す面をもって切断した断面図
である。
（ａ）のＣ−Ｃをもって示す面をもって切断した断面図
である。
複数のサポートバー６と、複数のリード４とを有する
リードフレーム７を、リードフレーム押さえ８をもって
ボンディングステージ９上に固定する。
リードフレーム７を、リードフレーム押さえ８をもって
ボンディングステージ９上に固定する。
半導体装置チップ２を、複数のサポートバー６の間に
載置し、接着剤10をもってサポートバー６に接着する。
載置し、接着剤10をもってサポートバー６に接着する。
ボンディングステージ９を加熱しつゝ、半導体装置チ
ップ２のパッド端子2aとリード４を、ボンディングワイ
ヤ11をもって接合する。なお、接合時の加熱によって、
前記半導体装置チップ２とサポートバー６とを接着する
接着剤10が硬化する。
ップ２のパッド端子2aとリード４を、ボンディングワイ
ヤ11をもって接合する。なお、接合時の加熱によって、
前記半導体装置チップ２とサポートバー６とを接着する
接着剤10が硬化する。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）参照 半導体装置チップ２、サポートバー６、および、リー
ド４を、樹脂５をもって一体にモールドし、樹脂封止す
る。なお、第１図（ａ）は平面図を、第１図（ｂ）はＡ
−Ａ断面図を、第１図（ｃ）はＢ−Ｂ断面図を示す。
ド４を、樹脂５をもって一体にモールドし、樹脂封止す
る。なお、第１図（ａ）は平面図を、第１図（ｂ）はＡ
−Ａ断面図を、第１図（ｃ）はＢ−Ｂ断面図を示す。
第２例 第３図（ａ）、（ｂ）参照 第３図（ａ）は、半導体装置チップ２がサポートバー
６に接着固定された部分を示す平面図であり、第３図
（ｂ）は、半導体装置チップ２がサポートバー６に接着
固定された部分を示す側面図である。
６に接着固定された部分を示す平面図であり、第３図
（ｂ）は、半導体装置チップ２がサポートバー６に接着
固定された部分を示す側面図である。
第１例と相違する点は、半導体装置チップ２とサポー
トバー６とを接着する工程を、以下のとおり変更する点
である。
トバー６とを接着する工程を、以下のとおり変更する点
である。
サポートバー６の先端部に、平面図が梯形状のポリイ
ミドテープ12を接着し、半導体装置チップ２の側面の少
なくとも二つ（本例においては二つの対向する側面）
が、それぞれ前記ポリイミドテープ12上に位置するよう
に載置し、接着材10をもって半導体装置チップ２と、ポ
リイミドテープ12と、サポートバー６とを接着する。
ミドテープ12を接着し、半導体装置チップ２の側面の少
なくとも二つ（本例においては二つの対向する側面）
が、それぞれ前記ポリイミドテープ12上に位置するよう
に載置し、接着材10をもって半導体装置チップ２と、ポ
リイミドテープ12と、サポートバー６とを接着する。
なお、サポートバー６の先端部およびポリイミドテー
プ12の形状は、第２図および第３図に示す形状に限定さ
れるものではなく、半導体装置チップと良好に接着し得
る形状であればよい。
プ12の形状は、第２図および第３図に示す形状に限定さ
れるものではなく、半導体装置チップと良好に接着し得
る形状であればよい。
以上説明せるとおり、本発明に係る樹脂封止型半導体
装置の製造方法を実施して製造した半導体装置において
は、半導体装置チップは、その側面の少なくとも二つが
サポートバーに接着され固定されるので、半導体装置チ
ップ下部に半導体装置チップを載置する、金属よりなる
リードフレームステージを必要としない。
装置の製造方法を実施して製造した半導体装置において
は、半導体装置チップは、その側面の少なくとも二つが
サポートバーに接着され固定されるので、半導体装置チ
ップ下部に半導体装置チップを載置する、金属よりなる
リードフレームステージを必要としない。
樹脂封止型半導体装置の封止樹脂内部に金属が内在し
ないため、金属と樹脂との熱膨張率の差に起因する樹脂
のクラツク発生がなく、したがって、耐湿性が低下せ
ず、信頼性が向上する。
ないため、金属と樹脂との熱膨張率の差に起因する樹脂
のクラツク発生がなく、したがって、耐湿性が低下せ
ず、信頼性が向上する。
第１図（ａ）は、本発明の第１実施例に係る樹脂封止型
半導体装置の製造方法を実施して製造した半導体装置の
平面図である。 第１図（ｂ）は、第１図（ａ）のＡ−Ａをもって示す面
をもって切断した断面図である。 第１図（ｃ）は、第１図（ａ）のＢ−Ｂをもって示す面
をもって切断した断面図である。 第２図（ａ）は、本発明の第１実施例に係る樹脂封止型
半導体装置の製造方法の工程を示す平面図である。 第２図（ｂ）は、第２図（ａ）のＣ−Ｃをもって示す面
をもって切断した断面図である。 第３図（ａ）は、本発明の第２実施例に係る樹脂封止型
半導体装置の製造方法を実施して製造した半導体装置の
半導体装置チップとサポートバーとの接着部の構造を示
す平面図である。 第３図（ｂ）は、本発明の第２実施例に係る樹脂封止型
半導体装置の製造方法を実施して製造した半導体装置の
半導体装置チップとサポートバーとの接着部の構造を示
す側面図である。 第４図（ａ）は、従来技術に係る樹脂封止型半導体装置
の外形図である。 第４図（ｂ）は、第４図（ａ）のＤ−Ｄをもって示す面
をもって切断した断面図である。 第４図（ｃ）は、第４図（ａ）のＥ−Ｅをもって示す面
をもって切断した断面図である。 １……樹脂封止型半導体装置、 ２……半導体装置チップ、 2a……半導体装置チップのパッド端子、 ３……リードフレームステージ、 ４……リード、 ５……樹脂、 ６……サポートバー、 ７……リードフレーム、 ８……リードフレーム押さえ、 ９……ボンディングステージ、 10……接着剤、 11……ボンディングワイヤ、 12……ポリイミドテープ。
半導体装置の製造方法を実施して製造した半導体装置の
平面図である。 第１図（ｂ）は、第１図（ａ）のＡ−Ａをもって示す面
をもって切断した断面図である。 第１図（ｃ）は、第１図（ａ）のＢ−Ｂをもって示す面
をもって切断した断面図である。 第２図（ａ）は、本発明の第１実施例に係る樹脂封止型
半導体装置の製造方法の工程を示す平面図である。 第２図（ｂ）は、第２図（ａ）のＣ−Ｃをもって示す面
をもって切断した断面図である。 第３図（ａ）は、本発明の第２実施例に係る樹脂封止型
半導体装置の製造方法を実施して製造した半導体装置の
半導体装置チップとサポートバーとの接着部の構造を示
す平面図である。 第３図（ｂ）は、本発明の第２実施例に係る樹脂封止型
半導体装置の製造方法を実施して製造した半導体装置の
半導体装置チップとサポートバーとの接着部の構造を示
す側面図である。 第４図（ａ）は、従来技術に係る樹脂封止型半導体装置
の外形図である。 第４図（ｂ）は、第４図（ａ）のＤ−Ｄをもって示す面
をもって切断した断面図である。 第４図（ｃ）は、第４図（ａ）のＥ−Ｅをもって示す面
をもって切断した断面図である。 １……樹脂封止型半導体装置、 ２……半導体装置チップ、 2a……半導体装置チップのパッド端子、 ３……リードフレームステージ、 ４……リード、 ５……樹脂、 ６……サポートバー、 ７……リードフレーム、 ８……リードフレーム押さえ、 ９……ボンディングステージ、 10……接着剤、 11……ボンディングワイヤ、 12……ポリイミドテープ。
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも二つのサポートバー（６）と複
数のリード（４）とを有するリードフレーム（７）を、
リードフレーム押さえ（８）をもってボンディングステ
ージ（９）上に固定し、 半導体装置チップ（２）を前記少なくとも二つのサポー
トバー（６）の中間に載置し、 接着剤（10）をもって、前記半導体装置チップ（２）の
側面の少なくとも二つと前記サポートバー（６）とを接
着し、 前記半導体装置チップ（２）のパッド端子（2a）と前記
リード（４）とを、ボンディングワイヤ（11）をもって
接合し、前記サポートバー（６）が前記半導体装置チッ
プ（２）に接着され、前記ボンディングワイヤ（11）が
前記半導体装置チップ（２）のパッド端子（2a）に接続
されている結合体を前記ボンディングステージ（９）か
ら離し、 前記半導体装置チップ（２）と、前記サポートバー
（６）と、前記リード（４）とを、樹脂（５）をもって
一体にモールドし、樹脂封止型半導体装置を形成する 工程を有することを特徴とする 樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記サポートバー（６）には、その先端部
にポリイミドテープ（12）が接着されてなり、前記半導
体装置チップ（２）の側面と、前記サポートバー（６）
と、前記ポリイミドテープ（12）とを前記接着剤（10）
をもって接着し、固定する ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62335722A JP2589520B2 (ja) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62335722A JP2589520B2 (ja) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179351A JPH01179351A (ja) | 1989-07-17 |
| JP2589520B2 true JP2589520B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=18291737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62335722A Expired - Lifetime JP2589520B2 (ja) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2589520B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2875334B2 (ja) * | 1990-04-06 | 1999-03-31 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JP2653951B2 (ja) * | 1990-11-19 | 1997-09-17 | 沖電気工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP4709521B2 (ja) * | 2004-10-06 | 2011-06-22 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59181025A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS62269325A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS63240055A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-12-30 JP JP62335722A patent/JP2589520B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01179351A (ja) | 1989-07-17 |
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