JPH0758273A - リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及びそれを用いた半導体装置Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置において、樹脂パッケ
ージの成形時に生じる熱収縮応力や半導体装置の実装時
に生じる熱膨張応力に起因する樹脂パッケージのクラッ
クの発生を抑制する。また、薄型樹脂パッケージからの
ワイヤ露出やダイパッド底面の露出を防止する。これに
より、半導体装置の信頼性を高める。 【構成】 ダイパッド１０４にプレス、エッチング等に
よって中空部１０６を設け、さらにダイパッド１０４を
ハーフエッチングやスタンピング等によって薄くする。
これにより、半導体チップの裏面に樹脂が接着し、さら
にダイパッドのモールド樹脂への食いつきが良くなるこ
とにより、封止樹脂と半導体チップ裏面及びダイパッド
との密着性が向上する。
ージの成形時に生じる熱収縮応力や半導体装置の実装時
に生じる熱膨張応力に起因する樹脂パッケージのクラッ
クの発生を抑制する。また、薄型樹脂パッケージからの
ワイヤ露出やダイパッド底面の露出を防止する。これに
より、半導体装置の信頼性を高める。 【構成】 ダイパッド１０４にプレス、エッチング等に
よって中空部１０６を設け、さらにダイパッド１０４を
ハーフエッチングやスタンピング等によって薄くする。
これにより、半導体チップの裏面に樹脂が接着し、さら
にダイパッドのモールド樹脂への食いつきが良くなるこ
とにより、封止樹脂と半導体チップ裏面及びダイパッド
との密着性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造に使用されるリードフレーム及びそれを用いて製
造した半導体装置に関する。
の製造に使用されるリードフレーム及びそれを用いて製
造した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】樹脂封
止型半導体装置は、一般に、集積回路が形成された半導
体チップの電極と、これに対応したリードフレームの各
インナーリードとを接続し、次いで各リードの先端部に
形成されたアウターリードを残して射出成形機等を用い
てモールディングにより半導体チップの樹脂封止を行っ
た後、成形された樹脂パッケージの外側において各リー
ドを切断し、必要に応じてリードを適宜折り曲げること
により製造されている。
止型半導体装置は、一般に、集積回路が形成された半導
体チップの電極と、これに対応したリードフレームの各
インナーリードとを接続し、次いで各リードの先端部に
形成されたアウターリードを残して射出成形機等を用い
てモールディングにより半導体チップの樹脂封止を行っ
た後、成形された樹脂パッケージの外側において各リー
ドを切断し、必要に応じてリードを適宜折り曲げること
により製造されている。
【０００３】図２３は、上述した方法によって製造した
従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す斜視図である
（特公昭61-3100号公報）。図２３において２はリード
フレーム、４はリードフレーム２のダイパッド、６はイ
ンナーリード、８はアウターリードを示す。１０はダイ
パッド４の中央部に接着され、樹脂パッケージ１２によ
って封止された半導体チップで、その電極とこれと対応
するインナーリード６とはそれぞれワイヤ１４により接
続されている。
従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す斜視図である
（特公昭61-3100号公報）。図２３において２はリード
フレーム、４はリードフレーム２のダイパッド、６はイ
ンナーリード、８はアウターリードを示す。１０はダイ
パッド４の中央部に接着され、樹脂パッケージ１２によ
って封止された半導体チップで、その電極とこれと対応
するインナーリード６とはそれぞれワイヤ１４により接
続されている。
【０００４】このような樹脂封止型半導体装置は、近年
高集積化等の要請から、半導体チップの配線が微細化さ
れると共に、半導体チップそのものも大型化している。
ところで、半導体装置の製造において樹脂封止に用いら
れる合成樹脂（主としてエポキシ樹脂）は、半導体チッ
プ（主としてＳｉ）及びリードフレーム（主として42Al
loy）と熱膨張係数が大きく相違しており、また自然放
置しておいても容易に吸湿する。このため、合成樹脂に
よる樹脂封止を行った場合、図２４に矢印で示すよう
に、樹脂パッケージ１２の成形後これが常温まで冷える
過程で、樹脂パッケージ１２の中心方向に集中するよう
に熱収縮応力が作用する。また、半導体装置１６を基板
等に実装する際、樹脂パッケージ１２が半田槽やリフロ
ー等による２５０℃前後の高温下にさらされる過程で、
樹脂パッケージ１２に吸湿された水分の気化、膨張によ
り、樹脂パッケージ１２のダイパッド４の端面に接する
部分Ａ、Ｂ（図２５参照）に内部応力が集中する。これ
らの現象は、半導体装置が大型になるほど顕著になる。
高集積化等の要請から、半導体チップの配線が微細化さ
れると共に、半導体チップそのものも大型化している。
ところで、半導体装置の製造において樹脂封止に用いら
れる合成樹脂（主としてエポキシ樹脂）は、半導体チッ
プ（主としてＳｉ）及びリードフレーム（主として42Al
loy）と熱膨張係数が大きく相違しており、また自然放
置しておいても容易に吸湿する。このため、合成樹脂に
よる樹脂封止を行った場合、図２４に矢印で示すよう
に、樹脂パッケージ１２の成形後これが常温まで冷える
過程で、樹脂パッケージ１２の中心方向に集中するよう
に熱収縮応力が作用する。また、半導体装置１６を基板
等に実装する際、樹脂パッケージ１２が半田槽やリフロ
ー等による２５０℃前後の高温下にさらされる過程で、
樹脂パッケージ１２に吸湿された水分の気化、膨張によ
り、樹脂パッケージ１２のダイパッド４の端面に接する
部分Ａ、Ｂ（図２５参照）に内部応力が集中する。これ
らの現象は、半導体装置が大型になるほど顕著になる。
【０００５】上記のように、従来の樹脂パッケージで
は、成形時に発生する熱収縮応力あるいはプリント基板
に実装する際に生じる熱膨張応力（これは図２４の矢印
と反対方向に生じる）等により、図２５に示すように内
部応力の集中部Ａ，Ｂから樹脂パッケージ１２にクラッ
ク１８が発生し、クラック１８からの水分の侵入によ
り、半導体チップ１０やワイヤ１４が腐食したり、半導
体装置１６そのものの絶縁性が低下して、信頼性を失う
ことがあった。
は、成形時に発生する熱収縮応力あるいはプリント基板
に実装する際に生じる熱膨張応力（これは図２４の矢印
と反対方向に生じる）等により、図２５に示すように内
部応力の集中部Ａ，Ｂから樹脂パッケージ１２にクラッ
ク１８が発生し、クラック１８からの水分の侵入によ
り、半導体チップ１０やワイヤ１４が腐食したり、半導
体装置１６そのものの絶縁性が低下して、信頼性を失う
ことがあった。
【０００６】また、図２６は、薄型樹脂パッケージを有
する半導体装置の製造に使用される従来のリードフレー
ムを示す。このリードフレーム２２は、リード２４が樹
脂パッケージ２６の短辺側から出ている形式のものであ
る（図２８参照）。ダイパッド２８はステイ３０から延
びた吊り３２及びリード２４側のセンターから延びた吊
り３４によって支えられている。また、ダイパッド２８
には十字スリット３６が複数設けられており、封止樹脂
との密着性等に効果をあげている。
する半導体装置の製造に使用される従来のリードフレー
ムを示す。このリードフレーム２２は、リード２４が樹
脂パッケージ２６の短辺側から出ている形式のものであ
る（図２８参照）。ダイパッド２８はステイ３０から延
びた吊り３２及びリード２４側のセンターから延びた吊
り３４によって支えられている。また、ダイパッド２８
には十字スリット３６が複数設けられており、封止樹脂
との密着性等に効果をあげている。
【０００７】図２６のリードフレーム２２を用いて半導
体装置の製造を行う場合、図３０に示すようにダイパッ
ド２８に半導体チップ３８をダイボンドし、さらに金線
ワイヤ４０をボンドした後、モールドマシンにて基準穴
４２を基準に図２７の斜線の部分に樹脂封止を行う。そ
して、半導体装置の機能を果たすために、リード２４間
をつないでいるタイバー４４とリード２４の先端とを切
断し、リード２４の曲げ加工を施した後、吊り３２、３
４を切断し、図２８のような形状とする。
体装置の製造を行う場合、図３０に示すようにダイパッ
ド２８に半導体チップ３８をダイボンドし、さらに金線
ワイヤ４０をボンドした後、モールドマシンにて基準穴
４２を基準に図２７の斜線の部分に樹脂封止を行う。そ
して、半導体装置の機能を果たすために、リード２４間
をつないでいるタイバー４４とリード２４の先端とを切
断し、リード２４の曲げ加工を施した後、吊り３２、３
４を切断し、図２８のような形状とする。
【０００８】図２９は、図２８に示した半導体装置４６
の側面図である。図３０はその半分の部分の断面図で、
樹脂パッケージ２６の厚さＤに対する金線ワイヤ４０、
ダイパッド２８、チップ３８の関係を示している。リー
ド２４の厚さＣとダイパッド２８の厚さＥとは等しい。
ダイパッド２８をリード２４の位置より下げてデプレス
してあるのは、金線ワイヤ４０をボンドし易くするため
とチップ３８等を樹脂パッケージ２６の厚さＤの中にバ
ランス良くレイアウトするためである。
の側面図である。図３０はその半分の部分の断面図で、
樹脂パッケージ２６の厚さＤに対する金線ワイヤ４０、
ダイパッド２８、チップ３８の関係を示している。リー
ド２４の厚さＣとダイパッド２８の厚さＥとは等しい。
ダイパッド２８をリード２４の位置より下げてデプレス
してあるのは、金線ワイヤ４０をボンドし易くするため
とチップ３８等を樹脂パッケージ２６の厚さＤの中にバ
ランス良くレイアウトするためである。
【０００９】なお、薄型樹脂パッケージの半導体装置
は、図２６〜３０に説明したような樹脂パッケージの四
辺の短辺方向からリードが出ているタイプと、図３１〜
３５に示したような樹脂パッケージの四辺の長辺方向か
らリードが出ているタイプとがある。いずれのタイプ
も、樹脂パッケージに対する金線ワイヤ、半導体チッ
プ、ダイパッドの関係は同じであるから、図３１〜３５
において、図２６〜３０に示したリードフレーム及び半
導体装置と同一構成の部分には、同一参照符号を付して
その説明を省略する。
は、図２６〜３０に説明したような樹脂パッケージの四
辺の短辺方向からリードが出ているタイプと、図３１〜
３５に示したような樹脂パッケージの四辺の長辺方向か
らリードが出ているタイプとがある。いずれのタイプ
も、樹脂パッケージに対する金線ワイヤ、半導体チッ
プ、ダイパッドの関係は同じであるから、図３１〜３５
において、図２６〜３０に示したリードフレーム及び半
導体装置と同一構成の部分には、同一参照符号を付して
その説明を省略する。
【００１０】従来、この種の薄型樹脂パッケージの半導
体装置の製造では、樹脂封止工程において、モールド金
型内にリードフレームを配置したときにダイパッドの高
さのばらつきによって金線ワイヤが上金型に当たり、樹
脂封止後に樹脂パッケージの表面に金線ワイヤが露出し
たり、ダイパッドの底面が露出したりして、製品不良に
なることがある。したがって、現在の薄型パッケージの
半導体装置の製造では、ダイパッドの底面や金線ワイヤ
ーの上部が樹脂パッケージから露出しないように、リー
ドフレームの入庫検査でリード部とダイパッドの高さに
ついて精度を厳しくチェックしている。
体装置の製造では、樹脂封止工程において、モールド金
型内にリードフレームを配置したときにダイパッドの高
さのばらつきによって金線ワイヤが上金型に当たり、樹
脂封止後に樹脂パッケージの表面に金線ワイヤが露出し
たり、ダイパッドの底面が露出したりして、製品不良に
なることがある。したがって、現在の薄型パッケージの
半導体装置の製造では、ダイパッドの底面や金線ワイヤ
ーの上部が樹脂パッケージから露出しないように、リー
ドフレームの入庫検査でリード部とダイパッドの高さに
ついて精度を厳しくチェックしている。
【００１１】しかし、リード部とダイパッドの高さが一
定レベル内にあるリードフレームを使用した場合でも、
半導体チップをダイボンドする工程及び金線ワイヤをボ
ンドする工程でダイパッドに予熱を加えることにより、
ダイパッドの高さが多少変化することがある。現在使用
されているダイパッドに十字スリットを設けた図２６、
図３１のリードフレームは、封止樹脂との密着性の面で
効果があるが、表面積が大きいため、ダイボンド、ワイ
ヤボンドの予熱を加える工程でのリードフレーム変形量
が大きくなり、パッケージからのワイヤ露出及びダイパ
ッド底面の露出が発生することがある。
定レベル内にあるリードフレームを使用した場合でも、
半導体チップをダイボンドする工程及び金線ワイヤをボ
ンドする工程でダイパッドに予熱を加えることにより、
ダイパッドの高さが多少変化することがある。現在使用
されているダイパッドに十字スリットを設けた図２６、
図３１のリードフレームは、封止樹脂との密着性の面で
効果があるが、表面積が大きいため、ダイボンド、ワイ
ヤボンドの予熱を加える工程でのリードフレーム変形量
が大きくなり、パッケージからのワイヤ露出及びダイパ
ッド底面の露出が発生することがある。
【００１２】これに対し、上述した薄型樹脂パッケージ
からの金線ワイヤ及びダイパッド底面の露出を防ぐた
め、金線ワイヤのアーチの高さを低く抑える方法も考え
られているが、種々の問題があるためいまだ実用化には
至っておらず、したがって現在の薄型樹脂パッケージ半
導体装置のパッケージ厚は、チップ厚、ダイパッド厚、
金線ワイヤアーチ高さ等による制約を受けているのが実
状である。
からの金線ワイヤ及びダイパッド底面の露出を防ぐた
め、金線ワイヤのアーチの高さを低く抑える方法も考え
られているが、種々の問題があるためいまだ実用化には
至っておらず、したがって現在の薄型樹脂パッケージ半
導体装置のパッケージ厚は、チップ厚、ダイパッド厚、
金線ワイヤアーチ高さ等による制約を受けているのが実
状である。
【００１３】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、樹脂パッケージの成形時に生じる熱収縮応力や半導
体装置の実装時に生じる熱膨張応力に起因する樹脂パッ
ケージのクラックの発生を抑制することができるととも
に、薄型樹脂パッケージからのワイヤ露出やダイパッド
底面の露出を効果的に防止することができるリードフレ
ーム及びそれを用いた半導体装置を提供することを目的
とする。
で、樹脂パッケージの成形時に生じる熱収縮応力や半導
体装置の実装時に生じる熱膨張応力に起因する樹脂パッ
ケージのクラックの発生を抑制することができるととも
に、薄型樹脂パッケージからのワイヤ露出やダイパッド
底面の露出を効果的に防止することができるリードフレ
ーム及びそれを用いた半導体装置を提供することを目的
とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、ダイパ
ッドに中空部を設け、かつダイパッドをハーフエッチン
グやスタンピング等によって薄くすることにより、半導
体チップの裏面に樹脂が接着し、さらにダイパッドのモ
ールド樹脂への食いつきが良くなることにより、封止樹
脂と半導体チップ裏面及びダイパッドとの密着性が向上
し、樹脂パッケージ成形時や半導体装置の実装時に樹脂
パッケージにクラックや歪が発生しにくくなるととも
に、ダイパッドがリード部及びステイ部よりも薄くな
り、薄型樹脂パッケージからのワイヤ及びダイパッド底
面の露出が防止されることを知見し、本発明をなすに至
った。
記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、ダイパ
ッドに中空部を設け、かつダイパッドをハーフエッチン
グやスタンピング等によって薄くすることにより、半導
体チップの裏面に樹脂が接着し、さらにダイパッドのモ
ールド樹脂への食いつきが良くなることにより、封止樹
脂と半導体チップ裏面及びダイパッドとの密着性が向上
し、樹脂パッケージ成形時や半導体装置の実装時に樹脂
パッケージにクラックや歪が発生しにくくなるととも
に、ダイパッドがリード部及びステイ部よりも薄くな
り、薄型樹脂パッケージからのワイヤ及びダイパッド底
面の露出が防止されることを知見し、本発明をなすに至
った。
【００１５】したがって、本発明は、樹脂封止型半導体
装置用のリードフレームにおいて、ダイパッドに中空部
が形成され、かつダイパッドがリード部より薄く形成さ
れていることを特徴とするリードフレームを提供する。
装置用のリードフレームにおいて、ダイパッドに中空部
が形成され、かつダイパッドがリード部より薄く形成さ
れていることを特徴とするリードフレームを提供する。
【００１６】また、本発明は、上記のリードフレームの
ダイパッドに半導体を搭載して樹脂封止してなることを
特徴とする半導体装置提供する。
ダイパッドに半導体を搭載して樹脂封止してなることを
特徴とする半導体装置提供する。
【００１７】
【実施例】次に、実施例により本発明を具体的に示す
が、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
が、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【００１８】第１実施例 図１は第１実施例のリードフレーム、図２〜５はその製
造工程を示す。本実施例のリードフレーム１０２を製造
する場合、まず、図２に示したような従来形状のリード
フレームのダイパッド１０４に、プレス、エッチング等
によって図３に示したような四角形の中空部１０６を形
成する。なお、図１〜５において、１０８はリード、１
１０はサポートバーを示す。次に、ダイパッド１０４の
面にハーフエッチングを施し、図４の１０４ａに示すよ
うにダイパッドを薄くする。その後、図５に示すように
上金型１１２及び下金型１１４等を用いてダイパッド１
０４ａをスタンピングし、図１の１０４ｂに示すように
ダイパッドをさらに薄くする。これにより、図１に示し
た本実施例のリードフレーム１０２が得られる。
造工程を示す。本実施例のリードフレーム１０２を製造
する場合、まず、図２に示したような従来形状のリード
フレームのダイパッド１０４に、プレス、エッチング等
によって図３に示したような四角形の中空部１０６を形
成する。なお、図１〜５において、１０８はリード、１
１０はサポートバーを示す。次に、ダイパッド１０４の
面にハーフエッチングを施し、図４の１０４ａに示すよ
うにダイパッドを薄くする。その後、図５に示すように
上金型１１２及び下金型１１４等を用いてダイパッド１
０４ａをスタンピングし、図１の１０４ｂに示すように
ダイパッドをさらに薄くする。これにより、図１に示し
た本実施例のリードフレーム１０２が得られる。
【００１９】本実施例のリードフレーム１０２は、樹脂
封止を行ったときに、ダイパッド１０４ｂの中空部１０
６の部分では、半導体チップの裏面の一部が封止樹脂と
密着する。封止樹脂は、半導体チップの素材であるシリ
コン化合物との接着力の方が、リードフレーム１０２の
材質である42Alloy等の金属との接着力よりも大きいの
で、チップ裏面と封止樹脂との密着性は向上する。ま
た、本実施例のリードフレーム１０２では、ダイパッド
１０４ｂが薄くなっており、そのエッジも鋭利になって
いるため、このリードフレーム１０２を用いて製造した
半導体装置ではダイパッド１０４ｂの封止樹脂への食い
つきがよくなり、このためダイパッド裏面の封止樹脂の
剥離が抑制される。
封止を行ったときに、ダイパッド１０４ｂの中空部１０
６の部分では、半導体チップの裏面の一部が封止樹脂と
密着する。封止樹脂は、半導体チップの素材であるシリ
コン化合物との接着力の方が、リードフレーム１０２の
材質である42Alloy等の金属との接着力よりも大きいの
で、チップ裏面と封止樹脂との密着性は向上する。ま
た、本実施例のリードフレーム１０２では、ダイパッド
１０４ｂが薄くなっており、そのエッジも鋭利になって
いるため、このリードフレーム１０２を用いて製造した
半導体装置ではダイパッド１０４ｂの封止樹脂への食い
つきがよくなり、このためダイパッド裏面の封止樹脂の
剥離が抑制される。
【００２０】第２実施例 図６は第２実施例のリードフレームを示す。なお、図６
において、図１のリードフレームと同一構成の部分には
同一参照符号を付してその説明を省略する。本実施例の
リードフレーム１１６では、第１実施例で行ったハーフ
エッチング及びスタンピングをダイパッドの周縁部１０
４ｃを残して施す。これにより、第１実施例と比較し
て、ダイパッドの機械的強度が向上し、またダイパッド
のデプレスを安定化させることが可能となる。
において、図１のリードフレームと同一構成の部分には
同一参照符号を付してその説明を省略する。本実施例の
リードフレーム１１６では、第１実施例で行ったハーフ
エッチング及びスタンピングをダイパッドの周縁部１０
４ｃを残して施す。これにより、第１実施例と比較し
て、ダイパッドの機械的強度が向上し、またダイパッド
のデプレスを安定化させることが可能となる。
【００２１】第３実施例 図７は第３実施例のリードフレームのスタンピングを行
う前の状態を示す。なお、図６において、図１のリード
フレームと同一構成の部分には同一参照符号を付してそ
の説明を省略する。本実施例のリードフレーム１１８で
は、ダイパッド１０４の中空部の各コーナーに切り欠き
１２０を設けてある。これにより、スタンピングの際に
隣り合う辺部から広がってきたダイパッドの干渉を減少
させることができ、ダイパッドの形状や厚さを安定させ
ることができる。
う前の状態を示す。なお、図６において、図１のリード
フレームと同一構成の部分には同一参照符号を付してそ
の説明を省略する。本実施例のリードフレーム１１８で
は、ダイパッド１０４の中空部の各コーナーに切り欠き
１２０を設けてある。これにより、スタンピングの際に
隣り合う辺部から広がってきたダイパッドの干渉を減少
させることができ、ダイパッドの形状や厚さを安定させ
ることができる。
【００２２】実験例 第２実施例のリードフレームを用いた半導体装置及び従
来のリードフレームを用いた半導体装置を、温度８５
℃、湿度８５％の雰囲気中で１２時間又は２４時間保管
した後、２６０℃に加熱した半田槽に浸漬した。その
後、樹脂パッケージのクラックの発生を調べた。結果を
表１に示す。表１において、分母は試験した半導体装置
の個数を示し、分子はクラックが発生した半導体装置の
個数を示した。表１から明らかなように、いずれの吸湿
時間においても、本発明例のクラック発生数は従来例よ
りも低減していることがわかる。
来のリードフレームを用いた半導体装置を、温度８５
℃、湿度８５％の雰囲気中で１２時間又は２４時間保管
した後、２６０℃に加熱した半田槽に浸漬した。その
後、樹脂パッケージのクラックの発生を調べた。結果を
表１に示す。表１において、分母は試験した半導体装置
の個数を示し、分子はクラックが発生した半導体装置の
個数を示した。表１から明らかなように、いずれの吸湿
時間においても、本発明例のクラック発生数は従来例よ
りも低減していることがわかる。
【００２３】
【表１】
【００２４】第４実施例 図８は第４実施例のリードフレームを示す平面図であ
る。本実施例のリードフレーム２０２は、薄型樹脂パッ
ケージの半導体装置の製造に特に好適に使用できるもの
である。このリードフレーム２０２においては、図の上
下にあるステイ２０４の部分から吊り２０６がダイパッ
ド２０８の短辺部を支持し、図の左右にあるリード２１
０のセンター部分から吊り２１２がダイパッド２０８の
長辺部を支持している。ダイパッド２０８には、複数の
格子孔（中空部）２１４が形成されている。スタンピン
グ前の状態では、リード２１０とダイパッド２０８の高
さ及び厚さは同じである。図９はスタンピング前におけ
る図１Ｘ−Ｘ部分の断面図であるが、リード２１０及び
ダイパッド２０８は厚さＬであることがわかる。なお、
図８において２２０はタイバー、２２２は基準穴を示
す。
る。本実施例のリードフレーム２０２は、薄型樹脂パッ
ケージの半導体装置の製造に特に好適に使用できるもの
である。このリードフレーム２０２においては、図の上
下にあるステイ２０４の部分から吊り２０６がダイパッ
ド２０８の短辺部を支持し、図の左右にあるリード２１
０のセンター部分から吊り２１２がダイパッド２０８の
長辺部を支持している。ダイパッド２０８には、複数の
格子孔（中空部）２１４が形成されている。スタンピン
グ前の状態では、リード２１０とダイパッド２０８の高
さ及び厚さは同じである。図９はスタンピング前におけ
る図１Ｘ−Ｘ部分の断面図であるが、リード２１０及び
ダイパッド２０８は厚さＬであることがわかる。なお、
図８において２２０はタイバー、２２２は基準穴を示
す。
【００２５】図１０はダイパッド２０８をスタンピング
して薄くする状態を示した図である。上金型２１６と下
金型２１８との間にリードフレーム２０２を挟み、高圧
で押圧することにより、図１１に示したようにダイパッ
ド２０８が吊り２１２に支持され、かつダイパッド２０
８の厚さＭがリードフレーム２０２の厚さＬの半分以下
となる。このようにダイパッド２０８を薄くすること
は、図８のようにダイパッド２０８に格子孔２１４を形
成することによって可能となる。
して薄くする状態を示した図である。上金型２１６と下
金型２１８との間にリードフレーム２０２を挟み、高圧
で押圧することにより、図１１に示したようにダイパッ
ド２０８が吊り２１２に支持され、かつダイパッド２０
８の厚さＭがリードフレーム２０２の厚さＬの半分以下
となる。このようにダイパッド２０８を薄くすること
は、図８のようにダイパッド２０８に格子孔２１４を形
成することによって可能となる。
【００２６】図１２は、半導体チップ２２４（図１５参
照）をダイパッド２０８にダイボンドし、さらに金線ワ
イヤ２２６をボンドした後、樹脂封止を行う状態を示す
図である。斜線部分が樹脂パッケージ２２８を表してい
る。図１３はその側面図である。図１４は樹脂封止後タ
イバー２２０を切断し、リード２１０先端をカットし、
リード２１０を曲げた半導体装置の外形を表した図であ
る。図１５は、図１２のＹ−Ｙ部分の半分の断面図であ
る。
照）をダイパッド２０８にダイボンドし、さらに金線ワ
イヤ２２６をボンドした後、樹脂封止を行う状態を示す
図である。斜線部分が樹脂パッケージ２２８を表してい
る。図１３はその側面図である。図１４は樹脂封止後タ
イバー２２０を切断し、リード２１０先端をカットし、
リード２１０を曲げた半導体装置の外形を表した図であ
る。図１５は、図１２のＹ−Ｙ部分の半分の断面図であ
る。
【００２７】図１５は本実施例のダイパッド２０８の効
果を表した図であり、パッケージ２０８内にリード２１
０と平行して設けられた吊り２１２によってダイパッド
２０８が支持されている。ダイパッド２０８の厚さＭ
は、リード２１０の厚さＬの半分以下に薄くなってい
る。すなわち、パッケージの厚さＮに対して従来はリー
ドの厚さＬと同じ厚さのダイパッドが設けられていた
が、本実施例では吊り２１２の途中部分から薄く処理さ
れたダイパッド２０８が設けられている。
果を表した図であり、パッケージ２０８内にリード２１
０と平行して設けられた吊り２１２によってダイパッド
２０８が支持されている。ダイパッド２０８の厚さＭ
は、リード２１０の厚さＬの半分以下に薄くなってい
る。すなわち、パッケージの厚さＮに対して従来はリー
ドの厚さＬと同じ厚さのダイパッドが設けられていた
が、本実施例では吊り２１２の途中部分から薄く処理さ
れたダイパッド２０８が設けられている。
【００２８】超薄型樹脂パッケージの厚さは、１／１０
０m/m単位で薄さを求められている。それは、現在普及
しているＩＣカード等の厚さを決定するのは半導体装置
の厚さだからである。本実施例では、ダイパッド２０８
に中空部（格子孔）２１４を設けたことにより、樹脂パ
ッケージ２２８の厚さを薄くすることができるほか、生
産工程においても従来のいろいろな問題を解決できるメ
リットがある。
０m/m単位で薄さを求められている。それは、現在普及
しているＩＣカード等の厚さを決定するのは半導体装置
の厚さだからである。本実施例では、ダイパッド２０８
に中空部（格子孔）２１４を設けたことにより、樹脂パ
ッケージ２２８の厚さを薄くすることができるほか、生
産工程においても従来のいろいろな問題を解決できるメ
リットがある。
【００２９】第５実施例 図１６〜２０は、樹脂パッケージの四辺の長辺方向から
リードが出ているタイプの半導体装置を示す。図１６〜
２０の半導体装置において、樹脂パッケージ２２８に対
する金線ワイヤ２２６、半導体チップ２２４、ダイパッ
ド２０８の関係は第４実施例の半導体装置と同じである
から、図１６〜２０において、図５〜１５に示したリー
ドフレーム及び半導体装置と同一構成の部分には、同一
参照符号を付してその説明を省略する。
リードが出ているタイプの半導体装置を示す。図１６〜
２０の半導体装置において、樹脂パッケージ２２８に対
する金線ワイヤ２２６、半導体チップ２２４、ダイパッ
ド２０８の関係は第４実施例の半導体装置と同じである
から、図１６〜２０において、図５〜１５に示したリー
ドフレーム及び半導体装置と同一構成の部分には、同一
参照符号を付してその説明を省略する。
【００３０】第６実施例 図２１、２２に示すリードフレームは、ダイパッド２０
８の周縁部を残して中を打ち抜くことによりダイパッド
２０８に四角形の中空部２３０を形成したものである。
このようにダイパッド２０８の周縁部のみを残すことに
より、ダイパッド２０８をより薄く加工することを可能
にしたものである。また、半導体チップをダイボンドし
た後、金線ワイヤをボンドする場合、チップの真下にダ
イパッド２０８の枠があるので、ボンド性等の問題が生
じることがない。図２１、２２の半導体装置において、
樹脂パッケージ２０８に対する金線ワイヤ、半導体チッ
プ、ダイパッドの関係は、第４実施例の半導体装置と同
じである。
８の周縁部を残して中を打ち抜くことによりダイパッド
２０８に四角形の中空部２３０を形成したものである。
このようにダイパッド２０８の周縁部のみを残すことに
より、ダイパッド２０８をより薄く加工することを可能
にしたものである。また、半導体チップをダイボンドし
た後、金線ワイヤをボンドする場合、チップの真下にダ
イパッド２０８の枠があるので、ボンド性等の問題が生
じることがない。図２１、２２の半導体装置において、
樹脂パッケージ２０８に対する金線ワイヤ、半導体チッ
プ、ダイパッドの関係は、第４実施例の半導体装置と同
じである。
【００３１】なお、上記実施例では、中空部の形状を四
角形としたが、本考案において中空部の形状に特に限定
はなく、他の形状としてもよい。また、その他の構成に
ついても本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更して
差し支えない。
角形としたが、本考案において中空部の形状に特に限定
はなく、他の形状としてもよい。また、その他の構成に
ついても本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更して
差し支えない。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
樹脂パッケージの成形時に生じる熱収縮応力や半導体装
置をプリント基板に実装する際に生じる熱膨張応力に起
因する樹脂パッケージのクラックの発生を防止できると
ともに、薄型樹脂パッケージからのワイヤ露出及びダイ
パッド底面の露出を防止することができる。したがっ
て、本発明によれば、薄型でかつクラックの発生しない
樹脂パッケージを有する信頼性の高い半導体装置を得る
ことができる。
樹脂パッケージの成形時に生じる熱収縮応力や半導体装
置をプリント基板に実装する際に生じる熱膨張応力に起
因する樹脂パッケージのクラックの発生を防止できると
ともに、薄型樹脂パッケージからのワイヤ露出及びダイ
パッド底面の露出を防止することができる。したがっ
て、本発明によれば、薄型でかつクラックの発生しない
樹脂パッケージを有する信頼性の高い半導体装置を得る
ことができる。
【図１】第１実施例のリードフレームを表した図で、
（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略側面図である。
（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略側面図である。
【図２】従来のリードフレームを表した図で、（ａ）は
概略平面図、（ｂ）は概略側面図である。
概略平面図、（ｂ）は概略側面図である。
【図３】図２のリードフレームのダイパッドに中空部を
形成した状態を示す図で、（ａ）は概略平面図、（ｂ）
は概略側面図である。
形成した状態を示す図で、（ａ）は概略平面図、（ｂ）
は概略側面図である。
【図４】図３のリードフレームのダイパッドにハーフエ
ッチングを施した状態を示す図で、（ａ）は概略平面
図、（ｂ）は概略側面図である。
ッチングを施した状態を示す図で、（ａ）は概略平面
図、（ｂ）は概略側面図である。
【図５】図４のリードフレームのダイパッドを薄くする
状態を示す概略断面図である。
状態を示す概略断面図である。
【図６】第２実施例のリードフレームを表した図で、
（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略側面図である。
（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略側面図である。
【図７】第３実施例のリードフレームを表した概略平面
図である。
図である。
【図８】第４実施例のリードフレームを表した概略平面
図である。
図である。
【図９】スタンピング前における図８のＸ−Ｘ部分の概
略断面図である
略断面図である
【図１０】図８のリードフレームのダイパッドをスタン
ピングする状態を示す概略断面図である。
ピングする状態を示す概略断面図である。
【図１１】ダイパッドを薄くした後の図８のリードフレ
ームを示す概略断面図である。
ームを示す概略断面図である。
【図１２】第４実施例のリードフレームを用いて樹脂封
止を行う状態を示す概略平面図である。
止を行う状態を示す概略平面図である。
【図１３】第４実施例のリードフレームを用いて樹脂パ
ッケージを行った状態を示す側面図である。
ッケージを行った状態を示す側面図である。
【図１４】第４実施例のリードフレームを用いて製造し
た薄型樹脂パッケージ半導体装置を示す側面図である。
た薄型樹脂パッケージ半導体装置を示す側面図である。
【図１５】図１２のＹ−Ｙ部分の半分を示す断面図であ
る。
る。
【図１６】第５実施例のリードフレームを表した概略平
面図である。
面図である。
【図１７】第５実施例のリードフレームを用いて樹脂封
止を行う状態を示す概略平面図である。
止を行う状態を示す概略平面図である。
【図１８】第５実施例のリードフレームを用いて製造し
た薄型樹脂パッケージ半導体装置を示す平面図である。
た薄型樹脂パッケージ半導体装置を示す平面図である。
【図１９】第５実施例のリードフレームを用いて製造し
た薄型樹脂パッケージ半導体装置を示す側面図である。
た薄型樹脂パッケージ半導体装置を示す側面図である。
【図２０】第５実施例のリードフレームを用いて製造し
た薄型樹脂パッケージ半導体装置の半分を示す断面図で
ある。
た薄型樹脂パッケージ半導体装置の半分を示す断面図で
ある。
【図２１】第６実施例のリードフレームを表した概略平
面図である。
面図である。
【図２２】第６実施例のリードフレームを用いて樹脂封
止を行う状態を示す概略平面図である。
止を行う状態を示す概略平面図である。
【図２３】従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す一
部切り欠き斜視図である。
部切り欠き斜視図である。
【図２４】図２３の樹脂封止型半導体装置の樹脂パッケ
ージに熱収縮応力が生じた状態を示す断面図である。
ージに熱収縮応力が生じた状態を示す断面図である。
【図２５】図２３の樹脂封止型半導体装置の樹脂パッケ
ージにクラックが生じた状態を示す断面図である。
ージにクラックが生じた状態を示す断面図である。
【図２６】従来の薄型樹脂パッケージ用リードフレーム
を表した概略平面図である。
を表した概略平面図である。
【図２７】図２６のリードフレームを用いて樹脂封止を
行う状態を示す概略平面図である。
行う状態を示す概略平面図である。
【図２８】図２６のリードフレームを用いて製造した薄
型樹脂パッケージ半導体装置を示す平面図である。
型樹脂パッケージ半導体装置を示す平面図である。
【図２９】図２６のリードフレームを用いて製造した薄
型樹脂パッケージ半導体装置を示す側面図である。
型樹脂パッケージ半導体装置を示す側面図である。
【図３０】図２６のリードフレームを用いて製造した薄
型樹脂パッケージ半導体装置の半分を示す断面図であ
る。
型樹脂パッケージ半導体装置の半分を示す断面図であ
る。
【図３１】従来の薄型樹脂パッケージ用リードフレーム
の他の例を表した概略平面図である。
の他の例を表した概略平面図である。
【図３２】図３１のリードフレームを用いて樹脂封止を
行う状態を示す概略平面図である。
行う状態を示す概略平面図である。
【図３３】図３１のリードフレームを用いて樹脂パッケ
ージを行った状態を示す側面図である。
ージを行った状態を示す側面図である。
【図３４】図３１のリードフレームを用いて製造した薄
型樹脂パッケージ半導体装置を示す側面図である。
型樹脂パッケージ半導体装置を示す側面図である。
【図３５】図３１のリードフレームを用いて製造した薄
型樹脂パッケージ半導体装置の半分を示す断面図であ
る。
型樹脂パッケージ半導体装置の半分を示す断面図であ
る。
１０２ リードフレーム １０４ ダイパッド １０６ 中空部 １０８ リード １１６ リードフレーム １１８ リードフレーム ２０２ リードフレーム ２０８ ダイパッド ２１０ リード ２１４ 中空部
Claims (2)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置用のリードフレー
ムにおいて、ダイパッドに中空部が形成され、かつダイ
パッドがリード部より薄く形成されていることを特徴と
するリードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載のリードフレームのダイパ
ッドに半導体を搭載して樹脂封止してなることを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5222830A JPH0758273A (ja) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5222830A JPH0758273A (ja) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758273A true JPH0758273A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16788584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5222830A Pending JPH0758273A (ja) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758273A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004112133A1 (ja) * | 2003-06-17 | 2004-12-23 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | メタル基材装置及びｉｃカードモジュールの製造方法 |
| US7271471B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-09-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Metal substrate apparatus, method of manufacturing an IC card module apparatus, and an IC card module apparatus |
| WO2008093586A1 (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Rohm Co., Ltd. | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| CN105814681A (zh) * | 2013-11-29 | 2016-07-27 | 株式会社神户制钢所 | 底板以及具备底板的半导体装置 |
-
1993
- 1993-08-16 JP JP5222830A patent/JPH0758273A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004112133A1 (ja) * | 2003-06-17 | 2004-12-23 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | メタル基材装置及びｉｃカードモジュールの製造方法 |
| US7271471B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-09-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Metal substrate apparatus, method of manufacturing an IC card module apparatus, and an IC card module apparatus |
| WO2008093586A1 (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Rohm Co., Ltd. | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| JP2008187009A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Rohm Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| US8039934B2 (en) | 2007-01-30 | 2011-10-18 | Rohm Co., Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method |
| US8829660B2 (en) | 2007-01-30 | 2014-09-09 | Rohm Co., Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor device |
| US9287202B2 (en) | 2007-01-30 | 2016-03-15 | Rohm Co., Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method |
| US9502339B2 (en) | 2007-01-30 | 2016-11-22 | Rohm Co., Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method |
| US9991213B2 (en) | 2007-01-30 | 2018-06-05 | Rohm Co., Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method |
| CN105814681A (zh) * | 2013-11-29 | 2016-07-27 | 株式会社神户制钢所 | 底板以及具备底板的半导体装置 |
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