JPH113963A - 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム

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JPH113963A
JPH113963A JP15463397A JP15463397A JPH113963A JP H113963 A JPH113963 A JP H113963A JP 15463397 A JP15463397 A JP 15463397A JP 15463397 A JP15463397 A JP 15463397A JP H113963 A JPH113963 A JP H113963A
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JP
Japan
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lead
lead frame
semiconductor device
resin
package
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JP15463397A
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Yoshiharu Takahashi
義治 高橋
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Sony Corp
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 リード成形精度が高く、また信頼性の高い基
板実装が可能な樹脂封止型半導体装置及びこの装置に使
用するリードフレームを提供する。 【解決手段】 インナーリード4aのボンディングエリ
アの平坦部4dを除いてリードフレーム4が下方に折り
曲げ加工されて、その先端側の外部リード4bがパッケ
ージ6の底面6aから外側に向けて底面6aと略平行に
導出されている構造にした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置の構造と、この装置に使用するリードフレームの形
状に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は従来の樹脂封止型半導体装置の一
例を示す要部構成断面図である。図3において、この樹
脂封止型半導体装置は、半導体チップ1が銀ペースト2
を介してダイパッド3上に接着固定されているととも
に、半導体チップ1の電極部1aとリードフレーム4の
インナーリード4aを金線ワイヤー5で接続し、その
後、リードフレーム4の外部リード4bとなる部分を除
いて樹脂封止(以後、この部分を「パッケージ6」と言
う)した構造になっている。
【0003】この樹脂封止型半導体装置の製造方法をさ
らに説明すると、この構造は次の(1)〜(4)の順に
形成される。 (1)まず、半導体チップ1を銀ペースト2を介して接
着固定するダイパッド3と、その周囲に配置されるイン
ナーリード4aを有したリードフレーム4を形成する。 (2)次にダイパッド3に固定された半導体チップ1の
電極1aとリードフレーム4のインナーリード4aとを
金線ワイヤー5で接続する。 (3)続いて、外部リード4bを残して樹脂封止を行
い、パッケージ6を形成する。(4)次に、専用のリー
ド成形金型を使用して、プレス機械の圧力で図3に示す
ような所定の形状の外部リード4bを形成する。すなわ
ち、本例では、外部リード4bはパッケージ6の側面よ
り導出され、そのパッケージ6の外側で略90度下側に
折り曲げられるとともに、その途中がさらに外側に向か
って略90度折り曲げられ、この外部リード4bの先端
側に配線基板(不図示)にはんだ付けされるリード平坦
部4cが形成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体装置では、樹脂封止後に外部リード4b
の折り曲げ加工を行っているので、精度の高いリード成
形を行うのが難しい。また、リード成形工程において、
パッケージ6の側面からの外部リード4bのリード長が
大きくなるため、成形後の搬送等で変形が起こり易くな
る。このため、リード平坦部4cの平坦度が悪くなり、
配線基板への実装工程ではんだ付け不良が発生し易く、
また信頼性の面でも問題があった。
【0005】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的はリード成形精度が高く、信頼性の
高い基板実装が可能な樹脂封止型半導体装置及びこの装
置に使用するリードフレームを提供することにある。さ
らに、他の目的は、以下に説明する内容の中で順次明ら
かにして行く。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、次の技術手段を講じたことを特徴とする。
すなわち、ダイパッド上に固定された半導体チップの電
極部とリードフレームのインナーリードとを金線ワイヤ
ーで接続し、前記リードフレームの外部リードを除いて
樹脂封止してなる半導体装置において、前記インナーリ
ードのボンディングエリアの平坦部を除いて前記リード
フレームが下方に折り曲げ加工されて外部リードがパッ
ケージの底面より導出されてなる構成としたものであ
る。この構成では、パッケージの中にインナーリードを
曲げ成形した部分がインサートされている状態にしてい
るので、インナーリードと封止樹脂との接着面積が大き
くなり、外部リードの外圧による抜け防止が図れ、同時
に半導体装置の信頼性が向上する。
【0007】本発明の半導体装置の好ましい態様におい
ては、外部リードを前記パッケージの底面より平行に折
り曲げて導出させて設ける。この構成にした場合では、
パッケージの底面より平行に折り曲げて導出された部分
がリード平坦部となり、基板への実装時に信頼性の高い
実装が可能になる。
【0008】さらに、本発明は上記目的を達成するため
に、インナーリードのボンディングエリアの平坦部を除
いて略90度下方へ折り曲げ加工されてなるリードフレ
ームを予め用意し、これを上記半導体装置に供給するよ
うにする。このリードフレームを使用した場合では、予
め単体で所定の形状に加工されているので、樹脂封止後
の外部リードの成形加工(曲げ加工)が省け、精度の高
い外部リード寸法が得られる。また、封入樹脂工程での
リード変形や平坦度(基板と接触する面)の悪化を無く
すことができる。さらに、樹脂封止後の曲げ加工が省け
るので、リード加工工程でのリード成形金型のコストダ
ウンを図ることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の形態を添付図面に
基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べる形態は、
本発明の好適な具体例であるから技術的に好ましい種々
の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明
において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、こ
れらの形態に限られるものではないものである。
【0010】図1は本発明の一形態例として示す樹脂封
止型半導体装置の要部構成断面図である。図1において
図3と同一符号を付したものは 図1と同一のものを示
している。そして、この樹脂封止型半導体装置は、半導
体チップ1が銀ペースト2を介してダイパッド3上に接
着固定されているとともに、半導体チップ1の電極部1
aとリードフレーム4のインナーリード4aを金線ワイ
ヤー5で接続し、その後、リードフレーム4の外部リー
ド4bとなる部分を除いて樹脂封止(パッケージ6)し
た構造になっている。また、リードフレーム4は、イン
ナーリード4aがボンディングエリアの平坦部4dを残
して略直角に下側に折り曲げ加工されているとともに、
外部リード4bがパッケージ6の底面6aより導出さ
れ、かつ底面6aに沿って平行に配設された構造になっ
ている。
【0011】この樹脂封止型半導体装置の製造方法をさ
らに説明すると、次の(1)〜(4)の順にして形成さ
れる。 (1)まず、リードフレーム4は、別の位置でプレス成
形されて、ボンディングエリアの平坦部4dを残して下
側に直角に折り曲げられたインナーリード4aと、この
インナーリード4aの下側で直角に外側に折り曲げられ
た外部リード4bとを一体に有した形で用意される。こ
の場合、リードフレーム4は帯状の部材に複数同時に形
成される。そして、半導体チップ1を銀ペースト2を介
して接着固定するダイパッド3と、上記リードフレーム
4とが所定の位置にセットされる。 (2)次にダイパッド3に固定された半導体チップ1の
電極1aとリードフレーム4の平坦部4dとを金線ワイ
ヤー5で接続する。 (3)続いて、外部リード4bを残して樹脂封止を行
い、パッケージ6を形成する。(4)次に、外部リード
4bの先端側に残されているダイバー部4eを切断する
と半導体装置が完成する。
【0012】したがって、本形態例の半導体装置の構造
によれば、インナーリード4aのボンディングエリアの
平坦部4dを除いてリードフレーム4を下方に折り曲げ
加工し、外部リード4bがパッケージ6の底面6aより
導出させた構造にしているので、パッケージ6の中にイ
ンサートされたインナーリード4aを曲げ成形した部分
ができる。そして、これがインナーリード4aと封止樹
脂との接着面積を大きくすることになり、外部リード4
bの外圧による抜け防止が図れる。これにより、半導体
装置の信頼性を向上させることができる。 また、パッ
ケージ6の外側においては、外部リード4bをパッケー
ジ6の底面6aより外側へ平行に折り曲げて導出させて
設けているので、この底面6aより平行に折り曲げて導
出された部分がリード平坦部となり、基板(不図示)へ
の実装時に信頼性の高い実装が可能になる。さらに、リ
ードフレーム4を、予め単体で所定の形状に加工して用
意するので、樹脂封止後の外部リード4bの成形加工
(曲げ加工)が省け、精度の高い外部リード寸法が得ら
れる。加えて、封入樹脂工程でのリード変形や平坦度
(基板と接触する面)の悪化を無くすことができる。ま
た、樹脂封止後の曲げ加工が省けるので、リード加工工
程でのリード成形金型のコストダウンを図ることができ
る。
【0013】なお、図1に示した形態例の構造では、外
部リード4bはパッケージ6の外側(底面6aの下側)
に導出された位置で、底面6aより平行に外側に向かっ
て折り曲げて導出させた状態にして形成していたが、例
えば図2に示すように、外部リード4bをパッケージ6
の底面6aと外部リード4bの底面6aが略同じになる
ように形成するとともに、外部リード4bの先端側、す
なわちリード平坦部を底面6aよりも僅かに下方となる
ように形成してなる構造等にしても差し支えないもので
ある。ここで、図2において図1と同一符号を付したも
のは図1と同一のものを示している。そして、この変形
例の構造の場合では、外部リード4bの厚みをパッケー
ジ6で吸収することができるので、全体の高さを小さく
することができる。また、リード平坦部を底面6aより
も僅かに下方となるように形成しているので、基板への
実装に支障をきたすこともない。
【0014】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
半導体装置自体における構造の信頼性を向上させること
ができるとともに、半導体を基板に実装する時の信頼性
も向上させることができる。さらに、外部リードの成形
精度を向上させることができるとともに、リード加工工
程でのコストを低減させて安価に提供できる等の効果が
期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一形態例として示す樹脂封止型半導体
装置の要部構成断面図である。
【図2】本発明の一変形例として示す樹脂封止型半導体
装置の要部構成断面図である。
【図3】従来の樹脂封止型半導体装置の要部構成断面図
である。
【符号の説明】
1…半導体チップ、1a…電極部、4…リードフレー
ム、4a…インナーリード、4b…外部リード、4c…
リード平坦部、4d…平坦部、5…金線ワイヤー、6…
パッケージ、6a…底面

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ダイパッド上に固定された半導体チップ
    の電極部とリードフレームのインナーリードとを金線ワ
    イヤーで接続し、前記リードフレームの外部リードを除
    いて樹脂封止してなる半導体装置において、 前記インナーリードのボンディングエリアの平坦部を除
    いて前記リードフレームが下方に折り曲げ加工されて外
    部リードがパッケージの底面より導出されている、 ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記外部リードを、前記パッケージの底
    面より平行に折り曲げて導出した請求項1に記載の樹脂
    封止型半導体装置。
  3. 【請求項3】 インナーリードのボンディングエリアの
    平坦部を除いて略90度下方へ折り曲げ加工されてなる
    樹脂封止型半導体装置に使用するリードフレーム。
JP15463397A 1997-06-12 1997-06-12 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム Pending JPH113963A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100385637C (zh) * 2006-06-08 2008-04-30 葵和精密电子(上海)有限公司 集成电路引线框架加工方法

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CN100385637C (zh) * 2006-06-08 2008-04-30 葵和精密电子(上海)有限公司 集成电路引线框架加工方法

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