JPS621239A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS621239A
JPS621239A JP60139863A JP13986385A JPS621239A JP S621239 A JPS621239 A JP S621239A JP 60139863 A JP60139863 A JP 60139863A JP 13986385 A JP13986385 A JP 13986385A JP S621239 A JPS621239 A JP S621239A
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JP
Japan
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inner leads
lead
leads
adjacent
bonding wires
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JP60139863A
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Mitsumasa Tsutsui
筒井　光正
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Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
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Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野〕 本発明はリードフレームにマウントされた半導体素子を
樹脂で封止した樹脂封止型の半導体装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
第３図および第４図に従来の樹脂封止型半導体装置を示
す。第３図は樹脂封止の模様を示す透視平面図、第４図
はその断面図である。リードフレームのベッド３上に導
電性接着剤等によって半導体チップ（素子）がマウント
され、リードフレームのベッド３と所定の間隔を有して
放射状に離隔配設されたリードフレームのインナリード
２と半導体チップ４の電極とが金線、アルミニウム線等
のボンディングワイヤ５で接続されている。そして、半
導体チップ４、ボンディングワイヤ５およびインナリー
ド２を含む領域が封止樹脂１によって封止され、インナ
リード２に連設するアウタリード６が封止樹脂１から水
平に突出してフラットパッケージ型の半導体装置が構成
される。
しかしながら、この従来装置においては、インナリード
先端ピッチは強度上の要求から非常に微小にすることは
困難であり、一般に半導体チップ４の電極の間隔に比べ
て大きくなる。したがって電極の数と同数のインナリー
ドを具備するためには、半導体チップの大きさを大きく
しなければならず、パッケージの外形が大きくなる。又
、すべてのインナリードが同一平面上に位置するため、
インナリードの曲り等による隣接するインナリード先端
どうしの接触不良および隣接するボンディングワイヤど
うしの接触不良が多く、歩留りの低下、信頼性低下の原
因となっているという問題がある。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、パッケー
ジ外形の縮小化とボンディングワイヤ等の接触防止を可
能とした半導体装置を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するため、本発明による半導体装置は、
−のインナリードに対して隣接する他のインナリードの
＾さを交互に上下させて、インナリードのピッチを小さ
くし、又、隣接するボンディングワイヤの接触を防止し
たことを特徴としている。このため外形の縮小化と信頼
性の向上を図ることができる。
（発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して具体的に
説明する。第１図は本発明の一実施例の透視平面図、第
２図はその断面図である。この実施例の装置は、リード
フレームのベッド１３上に導電性接着剤を介してマウン
トされた半導体チップ１４と、ベッド１３と一定の間隔
で配設されたリードフレームのインナリード１２ａ、１
２ｂと、このインナリード１２ａ、１２ｂと半導体チッ
プ１４の電極とを接続するボンディングワイヤ１５とを
具備している。そして、半導体チップ１４、ボンディン
グワイヤ１５およびインナリード１２ａ、１２ｂを含む
領域が封止樹脂１１で封止され、インナリード１２ａ、
１２ｂに連設するアウタリード１６が封止樹脂１１から
突出して引出し端子となっている。このような半導体装
置において、−のインナリード１２ａは第２図に図示さ
れるようにその先端部が隣接する他のインナリード１２
ｂよりも高くなっており、この高低が隣接するインナリ
ード間で交互にくり返されている。
すなわち、他のインナリード１２ｂはリードフレームの
ベッド１３と同一平面上に位置しており、−のインナリ
ード１２ａの先端部はベッド１３よりも高い位置に存在
する。このような段差は例えばリードフレームの打抜き
の際、高い位置のインナリード７ａをプレス加工で折曲
させることで形成することができる。このような加工に
より、折曲されたーのインナリード１２ａの先端部は隣
接する他のインナリード１２ｂよりも半導体チップ１４
から離隔された位置となっている。そして、各インナリ
ード１２ａ、１２ｂはボンディングワイヤ１５によって
半導体チップ１４の電極と接続されるが、インナリード
１２ａ、１２ｂが段差をもって配設されるだめ、隣接す
るインナリードどうしおよびボンディングワイヤとは高
さが異なり、インナリードどうしが接触する危険が少な
くなる他、封止樹脂の際にワイヤ流れを起こしても隣接
するボンディングワイヤが相互に接触することがない。
したがってリード間隔を従来よりも狭めることが可能と
なる。
このようなワイヤボンディングにおいては、低い位置の
インナリード１２ｂをまず接続し、次いで、高い位置の
インナリード１２ａを接続するのが作業を安全にかつ効
率的に行う上で好ましい。
また高い位置のインナリードのワイヤボンディングを安
定に行うためにインナリードの高低に合致した支持部を
備えた支持冶具を使用することができる。
なお、本発明においては、−のインナリード１２−ａと
屈曲された他のインナリード１２ｂとをそれらの先端が
半導体素子１４の外端から等距離になるように配設して
もよく、この場合には折曲される分だけ−のインナリー
ド１２を予め、長く形成しておくことによって可能とな
る。又、−のインナリード１２ａを他のインナリード１
２ｂよりも低い位置に形成してもよい。
また、実施例ではフラットパッケージについて本発明を
適用しているが、リードフレームを用いる他のパッケー
ジについても同様に本発明を適用することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明にかかる半導体装置によれば
隣接づるインナリード間のワイヤ接続部を交互に高さを
異ならせて配設しているのでインナリード間のピッチを
小さくすることができると共に、隣接するインナリード
どうし、隣接するボンディングワイＶどうしが接触する
ことを有効に防止でき、不良率を低減させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の透視平面図、第２図はその
断面図、第３図は従来装置の透視平面図、第４図の断面
図である。 ３．１３・・・ベッド、４．１４・・・半導体素子、５
゜１５・・・ボンディングワイヤ、１２ａ、１２ｂ・・
・インナリード。 出願人代理人　　猪　　股　　　　消 馬　１　図 ６２　図 も　３　図 ５４　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、リードフレームのベッドにマウントされた半導体素
    子と、この半導体素子の電極とボンディングワイヤで接
    続され、前記ベッドの周囲に配設されたリードフレーム
    の複数のインナリードとを具備してなる半導体装置にお
    いて、 前記複数のインナリードのうち互いに隣接するインナリ
    ード間でワイヤボンディング接続部の高さが交互に異な
    っていることを特徴とする半導体装置。 ２、高い位置のインナリード先端部が低い位置のインナ
    リード先端部よりも半導体素子外端からの距離が大きく
    形成された特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
JP60139863A 1985-06-26 1985-06-26 半導体装置 Pending JPS621239A (ja)

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JPS621239A true JPS621239A (ja) 1987-01-07

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0320997A2 (en) * 1987-12-17 1989-06-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having a lead frame
WO1996019828A1 (en) * 1994-12-21 1996-06-27 Vlsi Technology, Inc. Wirebond lead system with improved wire separation
US7102216B1 (en) * 2001-08-17 2006-09-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and leadframe with horizontal leads spaced in the vertical direction and method of making

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