JPH02202046A - リードフレームおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレームおよびこれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明はリードフレームおよびこれを用いた半導体装置
の製造方法に係り、特にリードフレームの形状に関する
。
の製造方法に係り、特にリードフレームの形状に関する
。
（従来の技術）
半導体素子の実装方法としては、封止用のパッケージ材
料として金属を用いる方法、セラミックを用いる方法、
樹脂を用いる方法等がある。
料として金属を用いる方法、セラミックを用いる方法、
樹脂を用いる方法等がある。
これらの方法のうち、樹脂を用いる方法では、例えば、
第３図に示すように、リードフレーム１のダイパッド２
に、半導体素子３を固着し、この半導体素子３のポンデ
ィングパッドとリードフレームのインナーリード４とを
金線あるいはアルミ線のボンディングワイヤ５によって
結線し、更にこれらを樹脂バラゲージ６内に封止するこ
とにより製造されている。
第３図に示すように、リードフレーム１のダイパッド２
に、半導体素子３を固着し、この半導体素子３のポンデ
ィングパッドとリードフレームのインナーリード４とを
金線あるいはアルミ線のボンディングワイヤ５によって
結線し、更にこれらを樹脂バラゲージ６内に封止するこ
とにより製造されている。
また、ここで用いられるリードフレームは、第４図に１
例を示す如く、半導体素子を搭載するためのダイパッド
２と、先端が該ダイパッドをとり囲むように延在せしめ
られたインナーリード４と、該インナーリードとほぼ直
交する方向に延びこれらインナーリードを一陣的に支持
するタイバー７と、該タイバーの外側に前記各インナー
リードに接続するように配設せしめられたアウターリー
ド８とダイパッド２を支持するサポートバー９とから構
成されている。
例を示す如く、半導体素子を搭載するためのダイパッド
２と、先端が該ダイパッドをとり囲むように延在せしめ
られたインナーリード４と、該インナーリードとほぼ直
交する方向に延びこれらインナーリードを一陣的に支持
するタイバー７と、該タイバーの外側に前記各インナー
リードに接続するように配設せしめられたアウターリー
ド８とダイパッド２を支持するサポートバー９とから構
成されている。
このような樹脂による封止方法は、安価でかつ実装作業
性が良好であることから、広く利用されている。
性が良好であることから、広く利用されている。
ところで、半導体装置の高集積化に伴い、半導体素子（
以下半導体チップ）からの発熱量が増え、これによる信
頼性低下が問題となっている。
以下半導体チップ）からの発熱量が増え、これによる信
頼性低下が問題となっている。
このような半導体装置の放熱対策として、第５図に示す
ごとく、半導体素子搭載部（以下パッドと指称す）の裏
面に複数の凹部０を設け、゛表面積を増大せしめて放熱
効果を高めるようにしたもの、あるいは第６図に示すよ
うに、パッド部分をリードフレーム本体と異なる放熱性
の良好な材質で構成し、嵌合部ｋを設けて両者を一体化
するようにしたものなど種々の提案がなされている。
ごとく、半導体素子搭載部（以下パッドと指称す）の裏
面に複数の凹部０を設け、゛表面積を増大せしめて放熱
効果を高めるようにしたもの、あるいは第６図に示すよ
うに、パッド部分をリードフレーム本体と異なる放熱性
の良好な材質で構成し、嵌合部ｋを設けて両者を一体化
するようにしたものなど種々の提案がなされている。
しかしながら、前者の構造では凹部０の形成により、パ
ッドが変形し易くなり、歩留まり低下の原因となってい
た。
ッドが変形し易くなり、歩留まり低下の原因となってい
た。
また、後者の構造では、パッド部分とリードフレーム本
体との嵌合不良により、ワイヤボンディング後、パッド
部分とリードフレーム本体とが分裂し、ワイヤの切断や
チップの破損というような不具合が発生することがたび
たびであった。
体との嵌合不良により、ワイヤボンディング後、パッド
部分とリードフレーム本体とが分裂し、ワイヤの切断や
チップの破損というような不具合が発生することがたび
たびであった。
（発明が解決しようとする課題）
このように、従来の樹脂封止型半導体装置においては、
放熱性の改善のための構造が提案されてはいるが、かえ
ってこの構造が歩留まり低下の原因となり、信頼性の高
いものを得ることかできないという問題があった。
放熱性の改善のための構造が提案されてはいるが、かえ
ってこの構造が歩留まり低下の原因となり、信頼性の高
いものを得ることかできないという問題があった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、放熱性が
良好で信頼性の高いリードフレームおよび半導体装置を
提供することを目的とする。
良好で信頼性の高いリードフレームおよび半導体装置を
提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
そこで本発明のリードフレームでは、インナーリードお
よびこれに連設されるアウターリードとを含むリード部
と、該リード部と一体的に形成されたサポートバーに延
設され、リード部形成面よりも下方に位置し、かつイン
ナーリード先端に囲まれた領域よりも外縁が外側にくる
ように、サポートバーによって支持せしめられた半導体
素子搭載部とを含み、かつ、半導体素子搭載部の外周は
、インナーリードの有無に応じて凹凸を有するように形
成している。
よびこれに連設されるアウターリードとを含むリード部
と、該リード部と一体的に形成されたサポートバーに延
設され、リード部形成面よりも下方に位置し、かつイン
ナーリード先端に囲まれた領域よりも外縁が外側にくる
ように、サポートバーによって支持せしめられた半導体
素子搭載部とを含み、かつ、半導体素子搭載部の外周は
、インナーリードの有無に応じて凹凸を有するように形
成している。
また、本発明の半導体装置の製造方法では、条材からイ
ンナーリードおよびこれに連設されるアウターリードと
を含むリード部と、該リード部と一体的に形成されたサ
ポートバーに延設され、サポートバーによってリード部
形成面よりも下方にくるように支持せしめられた半導体
素子搭載部とを含み、インナーリードの先端が半導体素
子搭載部の外周端よりも内側に延在し、かつ、半導体素
子搭載部の外周は、インナーリードの有無に応じて凹凸
を有する形状のリードフレームを形成し、半導体素子搭
載部の外形に符合するように形成された凹状の支持部を
有する治具に該リードフレームの半導体素子搭載部を装
着し、半導体素子を該半導体素子搭載部に固着すると共
に、ワイヤボンディングを行い、最後に樹脂封止するよ
うにしている。
ンナーリードおよびこれに連設されるアウターリードと
を含むリード部と、該リード部と一体的に形成されたサ
ポートバーに延設され、サポートバーによってリード部
形成面よりも下方にくるように支持せしめられた半導体
素子搭載部とを含み、インナーリードの先端が半導体素
子搭載部の外周端よりも内側に延在し、かつ、半導体素
子搭載部の外周は、インナーリードの有無に応じて凹凸
を有する形状のリードフレームを形成し、半導体素子搭
載部の外形に符合するように形成された凹状の支持部を
有する治具に該リードフレームの半導体素子搭載部を装
着し、半導体素子を該半導体素子搭載部に固着すると共
に、ワイヤボンディングを行い、最後に樹脂封止するよ
うにしている。
（作用）
本発明によれば、リード部と一体的に形成されたサポー
トバーによってリード部形成面よりも下方にくるように
半導体素子搭載部が支持せしめられているため、インナ
ーリードの有無に応じて、凹凸を有しかつこの外周縁が
インナーリード先端に囲まれた領域よりも外側にくるよ
うに、放熱性を高めるべく、半導体素子搭載部を大きく
形成しても、半導体素子搭載部とインナーリードとは、
接触することなく、立体的に交差し、信頼性を維持する
ことができる。そして、半導体素子搭載部を最大限に大
きく形成するようにすれば、高集積化に際して発熱量が
増大しても、放熱面積が高いため、熱による素子の劣化
のない極めて信頼性の高い半導体装置を提供することが
可能となる。
トバーによってリード部形成面よりも下方にくるように
半導体素子搭載部が支持せしめられているため、インナ
ーリードの有無に応じて、凹凸を有しかつこの外周縁が
インナーリード先端に囲まれた領域よりも外側にくるよ
うに、放熱性を高めるべく、半導体素子搭載部を大きく
形成しても、半導体素子搭載部とインナーリードとは、
接触することなく、立体的に交差し、信頼性を維持する
ことができる。そして、半導体素子搭載部を最大限に大
きく形成するようにすれば、高集積化に際して発熱量が
増大しても、放熱面積が高いため、熱による素子の劣化
のない極めて信頼性の高い半導体装置を提供することが
可能となる。
また、リード部と半導体素子搭載部とが一体的に形成さ
れているため５．半導体素子搭載部とリード部との嵌合
不良が生じたりすることもない。
れているため５．半導体素子搭載部とリード部との嵌合
不良が生じたりすることもない。
また、上記リードフレームは、サポートバーが折り曲げ
部を有し、強度的にやや不安定であり、位置ずれの心配
があるが、半導体素子搭載部の外形に符合するように形
成された凹状の支持部を有する治具に該リードフレーム
の半導体素子搭載部を装着した状態で、ワイヤボンディ
ングを行うようにしているため、位置ずれのない良好な
ボンディングが可能となり、また実装後においても変形
の虞もなく信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
部を有し、強度的にやや不安定であり、位置ずれの心配
があるが、半導体素子搭載部の外形に符合するように形
成された凹状の支持部を有する治具に該リードフレーム
の半導体素子搭載部を装着した状態で、ワイヤボンディ
ングを行うようにしているため、位置ずれのない良好な
ボンディングが可能となり、また実装後においても変形
の虞もなく信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
に説明する。
この半導体装置は、第１図に示すように、樹脂パッケー
ジ内６内に、半導体素子載置領域よりも面積が大きくな
るように形成され該リード部と一体的に形成されたサポ
ートバー９に延設され、リード部形成面よりも下方に位
置し、かつ・外周縁が凹凸を有しこの外周縁がインナー
リード先端に囲まれた領域よりも外側にくるように、サ
ポートバー９によって支持せしめられた半導体素子搭載
部すなわちダイパッド２２と、該ダイパッド２２に搭載
された半導体チップ３と、該半導体チップ搭載領域の周
縁部上にこれと立体的に交差するようにインナーリード
４の先端が伸長すると共に、ワイヤ５を介して半導体チ
ップ３と電気的接続がなされるように構成され、さらに
このインナーリード４に連設されるアウターリード８の
先端を樹脂パラゲージ６外に導出せしめてなることを特
徴とするものである。そして、このダイパッド２２の外
周の凹凸は、インナーリードの有無に応じてこれに符合
するように形成され、ダイパッド２２が最大限に大きく
なるように形成されている。
ジ内６内に、半導体素子載置領域よりも面積が大きくな
るように形成され該リード部と一体的に形成されたサポ
ートバー９に延設され、リード部形成面よりも下方に位
置し、かつ・外周縁が凹凸を有しこの外周縁がインナー
リード先端に囲まれた領域よりも外側にくるように、サ
ポートバー９によって支持せしめられた半導体素子搭載
部すなわちダイパッド２２と、該ダイパッド２２に搭載
された半導体チップ３と、該半導体チップ搭載領域の周
縁部上にこれと立体的に交差するようにインナーリード
４の先端が伸長すると共に、ワイヤ５を介して半導体チ
ップ３と電気的接続がなされるように構成され、さらに
このインナーリード４に連設されるアウターリード８の
先端を樹脂パラゲージ６外に導出せしめてなることを特
徴とするものである。そして、このダイパッド２２の外
周の凹凸は、インナーリードの有無に応じてこれに符合
するように形成され、ダイパッド２２が最大限に大きく
なるように形成されている。
次に、この半導体装置の製造方法について説明する。
第２図（ａ）乃至第２図（ｅ）は、本発明実施例の半導
体装置の製造工程を示す図である。
体装置の製造工程を示す図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、スタンピング法によ
り、銅からなる帯状材料を加工し、所望の形状のリード
フレームを形成する。このとき、ダイパッド２２の外周
はインナーリード４の先端と点線Ｃで示すカットライン
に沿って切り離されるように形成される。従って、イン
ナーリード４の先端形状かそのまま、ダイパッド２２の
外周形状に符合するように形成されることになる。 続
いて、第２図（ｂ）に示すように、デイプレス加工によ
り、サポートバーを所望の形状に折り曲げ、インナーリ
ード先端部にめっきを行うめっき工程など通常の処理工
程を経てリードフレーム１１を完成する。
り、銅からなる帯状材料を加工し、所望の形状のリード
フレームを形成する。このとき、ダイパッド２２の外周
はインナーリード４の先端と点線Ｃで示すカットライン
に沿って切り離されるように形成される。従って、イン
ナーリード４の先端形状かそのまま、ダイパッド２２の
外周形状に符合するように形成されることになる。 続
いて、第２図（ｂ）に示すように、デイプレス加工によ
り、サポートバーを所望の形状に折り曲げ、インナーリ
ード先端部にめっきを行うめっき工程など通常の処理工
程を経てリードフレーム１１を完成する。
この後、第２図（ｃ）に示すように、ダイパッド２２の
外形に符合するように形成された凹状の支持部Ｓを有す
る治具Ｚに該リードフレームのダイパッド２２を装着す
る。なお、ここでは、要部のみを示す。
外形に符合するように形成された凹状の支持部Ｓを有す
る治具Ｚに該リードフレームのダイパッド２２を装着す
る。なお、ここでは、要部のみを示す。
そして、この状態で、ダイパッド２２上に半導体チップ
３をエポキシ樹脂１２によって固着し、ワイヤボンディ
ング法により、各インナーリード４先端部のボンディン
グエリアと半導体チップ３のポンディングパッドとをワ
イヤボンディング法によりワイヤ５を介して結線する（
第２図（ｄ））そして、第２図（ｅ）に示すように、エ
ポキシ樹脂を用いて樹脂封止を行い、アウターリード先
端部を残して該リードフレーム構体を封止する。
３をエポキシ樹脂１２によって固着し、ワイヤボンディ
ング法により、各インナーリード４先端部のボンディン
グエリアと半導体チップ３のポンディングパッドとをワ
イヤボンディング法によりワイヤ５を介して結線する（
第２図（ｄ））そして、第２図（ｅ）に示すように、エ
ポキシ樹脂を用いて樹脂封止を行い、アウターリード先
端部を残して該リードフレーム構体を封止する。
ａ後に、タイバー７を切除し、アウターリード８の先端
を分離すると共に、所望の方向に折り曲げ成型し、第１
図に示した半導体装置が完成する。
を分離すると共に、所望の方向に折り曲げ成型し、第１
図に示した半導体装置が完成する。
このようにして形成された半導体装置では、ダイパッド
２２が最大限に大きく形成されているため、高集積化に
際して発熱量が増大しても、放熱面積が高いため、熱に
よる素子の劣化を防止することが可能となる。
２２が最大限に大きく形成されているため、高集積化に
際して発熱量が増大しても、放熱面積が高いため、熱に
よる素子の劣化を防止することが可能となる。
また、インナーリードの先端がダイパッド２２の周縁と
立体的に交差しているため、短絡などの不良発生の虞も
ない。
立体的に交差しているため、短絡などの不良発生の虞も
ない。
さらに、インナーリードの先端がダイパッド２２の周縁
と立体的に交差しており、サポートバーが折り曲げられ
ているため、強度的にはやや劣っている場合も考えられ
るが、本発明実施例の方法のように、治具で支持固定し
た状態でワイヤボンディングを行うことにより、インナ
ーリードの先端は位置ずれもなく良好に維持され、ボン
ディングの信頼性を良好に維持することができる。
と立体的に交差しており、サポートバーが折り曲げられ
ているため、強度的にはやや劣っている場合も考えられ
るが、本発明実施例の方法のように、治具で支持固定し
た状態でワイヤボンディングを行うことにより、インナ
ーリードの先端は位置ずれもなく良好に維持され、ボン
ディングの信頼性を良好に維持することができる。
また、インナーリード（リード部）とダイパッド２２（
半導体素子搭載部）は一体的に形成されているため、実
装後においても変形の虞もなく信頼性の高い半導体装置
を提供することができる。
半導体素子搭載部）は一体的に形成されているため、実
装後においても変形の虞もなく信頼性の高い半導体装置
を提供することができる。
以上説明してきたように、本発明によれば、インナーリ
ードの先端形状に応じて半導体素子搭載部の周縁が凹凸
を有するように形成され、半導体素子搭載部がリード部
形成面よりも下方に位置し、かつインナーリード先端に
囲まれた領域よりも外縁が外側にくるように、サポート
バーによって支持せしめられているため、高集積化に際
してリード幅の微細化が進んだ場合にも、放熱性が良好
で信頼性の高い半導体装置を得ることが可能となる。
ードの先端形状に応じて半導体素子搭載部の周縁が凹凸
を有するように形成され、半導体素子搭載部がリード部
形成面よりも下方に位置し、かつインナーリード先端に
囲まれた領域よりも外縁が外側にくるように、サポート
バーによって支持せしめられているため、高集積化に際
してリード幅の微細化が進んだ場合にも、放熱性が良好
で信頼性の高い半導体装置を得ることが可能となる。
また、本発明の方法では、上記リードフレームを用いて
実装を行うに際し、該半導体素子搭載部の外形に符合す
るように形成された凹状の支持部を有する治具に該リー
ドフレームの半導体素子搭載部を装着し、ワイヤボンデ
ィングを行うようにしているため、位置ずれのない良好
なボンデインクが可能となり、また実装後においても変
形の虞もなく信頼性の高い半導体装置を提供することが
できる。
実装を行うに際し、該半導体素子搭載部の外形に符合す
るように形成された凹状の支持部を有する治具に該リー
ドフレームの半導体素子搭載部を装着し、ワイヤボンデ
ィングを行うようにしているため、位置ずれのない良好
なボンデインクが可能となり、また実装後においても変
形の虞もなく信頼性の高い半導体装置を提供することが
できる。
第１図は本発明実施例の半導体装置を示す図、第２図（
ａ）乃至第２図（ｅ）は本発明実施例の半導体装置の製
造工程を示す図、第３図は従来例の半導体装置を示す図
、第４図乃至第６図は従来例のリードフレームを示す図
である。 １・・・リードフレーム、２・・・ダイパッド、３・・
・半導体素子、４・・・インナーリード、５・・・ボン
ディングワイヤ、６・・・樹脂、７・・・タイバー、８
・・・アウターリード、９・・・サポートバー、２２・
・・ダイパッド、１２・・・エポキシ樹脂、Ｓ・・・支
持部、Ｚ・・・治具。 第１図 第２図（Ｇ） 第２図 （Ｃ） 第２図 （ｄ） 第２図 （ｅ） 第３図 第４図
ａ）乃至第２図（ｅ）は本発明実施例の半導体装置の製
造工程を示す図、第３図は従来例の半導体装置を示す図
、第４図乃至第６図は従来例のリードフレームを示す図
である。 １・・・リードフレーム、２・・・ダイパッド、３・・
・半導体素子、４・・・インナーリード、５・・・ボン
ディングワイヤ、６・・・樹脂、７・・・タイバー、８
・・・アウターリード、９・・・サポートバー、２２・
・・ダイパッド、１２・・・エポキシ樹脂、Ｓ・・・支
持部、Ｚ・・・治具。 第１図 第２図（Ｇ） 第２図 （Ｃ） 第２図 （ｄ） 第２図 （ｅ） 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）インナーリードおよびこれに連設されるアウター
リードとを含むリード部と、 該インナーリードの先端形状に応じて周縁 に凹凸を有するように形成されると共に、 該リード部形成面よりも下方に位置し、か つインナーリード先端に囲まれた領域よりも外縁が外側
にくるように、該リード部に延設されたサポートバーに
よって支持せしめられた半導体素子搭載部とを具備した
ことを特徴とするリードフレーム。 - （２）インナーリードおよびこれに連設されるアウター
リードとを含むリード部と、 前記インナーリードの先端形状に応じて周 縁に凹凸を有するように形成されると共に、前記リード
部形成面よりも下方に位置し、 かつインナーリード先端に囲まれた領域よりも外縁が外
側にくるように、前記リード部に延設されたサポートバ
ーによって支持せしめられた半導体素子搭載部とを具備
したリードフレームを形成するリードフレーム形成工程
と、 前記半導体素子搭載部の外形に符合するよ うに形成された凹状の支持部を有する治具に前記リード
フレームの半導体素子搭載部を装着する支持工程と、 半導体素子を前記半導体素子搭載部に固着 する半導体素子固着工程と、 半導体素子と前記インナーリード先端とを 接続するワイヤボンディング工程と、 半導体素子搭載部から前記治具を取り外し、樹脂封止を
行う樹脂封止工程とを含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2119889A JPH02202046A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2119889A JPH02202046A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02202046A true JPH02202046A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12048273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2119889A Pending JPH02202046A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02202046A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5309019A (en) * | 1993-02-26 | 1994-05-03 | Motorola, Inc. | Low inductance lead frame for a semiconductor package |
| US5776802A (en) * | 1993-12-08 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63174347A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-18 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP2119889A patent/JPH02202046A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63174347A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-18 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5309019A (en) * | 1993-02-26 | 1994-05-03 | Motorola, Inc. | Low inductance lead frame for a semiconductor package |
| US5776802A (en) * | 1993-12-08 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
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