JP2564595B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置の製造技術さらにはリードフレー
ムを用いてなされる半導体装置の製造に適用して特に有
効な技術に関するもので、特に多ピンリードフレームを
用いてなされる半導体装置の製造に利用して有効な技術
に関するものである。
ムを用いてなされる半導体装置の製造に適用して特に有
効な技術に関するもので、特に多ピンリードフレームを
用いてなされる半導体装置の製造に利用して有効な技術
に関するものである。
［従来の技術］ 一般に、リードフレームにおけるリードはタイバを介
してリード外枠に支持されているが、タイバからインナ
リード先端までに至る距離が長いものでは、各種製造工
程において、インナリードが曲がり易く、インナリード
間のショート等が起こり易い。そこで、従来、インナリ
ードの曲がりを防止するため次のような製造技術が考え
られている。
してリード外枠に支持されているが、タイバからインナ
リード先端までに至る距離が長いものでは、各種製造工
程において、インナリードが曲がり易く、インナリード
間のショート等が起こり易い。そこで、従来、インナリ
ードの曲がりを防止するため次のような製造技術が考え
られている。
以下、その製造技術を第６図および第７図（Ａ）〜
（Ｃ）に基づいて説明する。
（Ｃ）に基づいて説明する。
先ず、エッチングまたはプレスによるパターニングを
通じて形成された通常のリードフレーム９を用意し、こ
のリードフレーム９のインナリード1a上面にポリイミド
系の樹脂からなる絶縁テープ２を貼着する（第６図およ
び第７図（Ａ））。
通じて形成された通常のリードフレーム９を用意し、こ
のリードフレーム９のインナリード1a上面にポリイミド
系の樹脂からなる絶縁テープ２を貼着する（第６図およ
び第７図（Ａ））。
次いで、このようにして得られたテーピングリードフ
レームにおけるタブ３上に銀ペースト等の接合材（図示
せず）を用いて第７図（Ｂ）に示すように半導体チップ
４を接合すると共に、半導体チップ４のボンディングパ
ッド4aとインナリード1aとをAu,AlまたはCu等のワイヤ
５で電気的に接続する。次いで、半導体チップ４および
その周辺部を第７図（Ｃ）に示すように封止樹脂６によ
って被覆する。そして、アウタリード1bに半田メッキを
施し、リードフレーム９におけるリード１をリードフレ
ーム外枠から分離すると共にアウタリード1bを成形す
る。これにより単品の半導体装置が得られる。
レームにおけるタブ３上に銀ペースト等の接合材（図示
せず）を用いて第７図（Ｂ）に示すように半導体チップ
４を接合すると共に、半導体チップ４のボンディングパ
ッド4aとインナリード1aとをAu,AlまたはCu等のワイヤ
５で電気的に接続する。次いで、半導体チップ４および
その周辺部を第７図（Ｃ）に示すように封止樹脂６によ
って被覆する。そして、アウタリード1bに半田メッキを
施し、リードフレーム９におけるリード１をリードフレ
ーム外枠から分離すると共にアウタリード1bを成形す
る。これにより単品の半導体装置が得られる。
［発明が解決しようとする課題］ ところで、上記製造技術では絶縁テープ２を貼着する
際、加熱処理を施さなければならないが、絶縁テープ２
の熱膨張係数とインナリード1aとの熱膨張係数との違い
からテーピング後インナリード1aの間隔が無秩序に変化
してしまい、このインナリード1aの間隔変化によって製
造ラインにおけるスループットの低下が惹起される。
際、加熱処理を施さなければならないが、絶縁テープ２
の熱膨張係数とインナリード1aとの熱膨張係数との違い
からテーピング後インナリード1aの間隔が無秩序に変化
してしまい、このインナリード1aの間隔変化によって製
造ラインにおけるスループットの低下が惹起される。
つまり、その後に行なわれるワイヤボンディングの工
程では、半導体チップ４のボンディングパッド4aとイン
ナリード1aとを認識し、その認識結果に基づいて実際の
ワイヤボンディングが施行されるが、上記のようにイン
ナリード1aの間隔が無秩序に変化すると、個別にインナ
リード1aを認識する必要があることから、インナリード
1aの認識に長時間要してしまう。
程では、半導体チップ４のボンディングパッド4aとイン
ナリード1aとを認識し、その認識結果に基づいて実際の
ワイヤボンディングが施行されるが、上記のようにイン
ナリード1aの間隔が無秩序に変化すると、個別にインナ
リード1aを認識する必要があることから、インナリード
1aの認識に長時間要してしまう。
また、上記製造技術に用いられるテーピングリードフ
レームでは、インナリード1aの先端部には絶縁テープ２
を貼着することはできない。なぜなら、インナリード1a
の先端部はワイヤ５の接続部位となっているからであ
る。そこで、従来はインナリード1aの先端部から比較的
離れた部位に絶縁テープ２を貼着するようにしている
が、この場合には絶縁テープ２の貼着箇所からインナリ
ード1aの先端部までの距離が長くなる。したがって、絶
縁テープ２の貼着箇所におけるインナリード1aの僅かな
間隔変化によってインナリード1aの先端部の接触が惹起
され、インナリード1a同士の接触が起こる。その結果、
半導体装置の製造ラインにおける歩留りが低下してしま
うという問題があった。
レームでは、インナリード1aの先端部には絶縁テープ２
を貼着することはできない。なぜなら、インナリード1a
の先端部はワイヤ５の接続部位となっているからであ
る。そこで、従来はインナリード1aの先端部から比較的
離れた部位に絶縁テープ２を貼着するようにしている
が、この場合には絶縁テープ２の貼着箇所からインナリ
ード1aの先端部までの距離が長くなる。したがって、絶
縁テープ２の貼着箇所におけるインナリード1aの僅かな
間隔変化によってインナリード1aの先端部の接触が惹起
され、インナリード1a同士の接触が起こる。その結果、
半導体装置の製造ラインにおける歩留りが低下してしま
うという問題があった。
さらに、最近の半導体装置においては、小型パッケー
ジ内に大型の半導体チップ４を封入したものも出現して
いるが、このような半導体装置ではインナリード1aの長
さが短いので、絶縁テープ２を貼着するスペースを樹脂
パッケージ内に確保することができず、上記製造技術を
そのままの形では利用できない。
ジ内に大型の半導体チップ４を封入したものも出現して
いるが、このような半導体装置ではインナリード1aの長
さが短いので、絶縁テープ２を貼着するスペースを樹脂
パッケージ内に確保することができず、上記製造技術を
そのままの形では利用できない。
本発明は、かかる点に鑑みなされたもので、製造ライ
ンにおけるスループットおよび歩留りの向上を図ること
ができる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
している。
ンにおけるスループットおよび歩留りの向上を図ること
ができる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
している。
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴
については、本明細書の記述および添附図面から明らか
になるであろう。
については、本明細書の記述および添附図面から明らか
になるであろう。
［課題を解決するための手段］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を説明すれば、下記のとおりである。
要を説明すれば、下記のとおりである。
即ち、エッチングまたはプレス等のパターニングによ
るリード成形時に互いに連結されたままになるように成
形されたリードフレームのインナリード部の先端部に絶
縁テープを貼着した後、インナリードの互いに連結され
ている先端部を除去して該先端部を互いに分離し、この
分離されたインナリードの先端部上面に半導体チップを
接合し、その後、半導体チップにおけるボンディングパ
ッドとインナリードとをワイヤにて接続するようにした
ものである。
るリード成形時に互いに連結されたままになるように成
形されたリードフレームのインナリード部の先端部に絶
縁テープを貼着した後、インナリードの互いに連結され
ている先端部を除去して該先端部を互いに分離し、この
分離されたインナリードの先端部上面に半導体チップを
接合し、その後、半導体チップにおけるボンディングパ
ッドとインナリードとをワイヤにて接続するようにした
ものである。
［作用］ 上記した手段によれば、連結されたインナリードの先
端部に絶縁テープを施した後、インナリードの先端部を
分離させるようにしているので、絶縁テープの貼着の
際、インナリードの間隔変化が抑制され、製造工程中常
にインナリードが適正に保持されるという作用によっ
て、ワイヤボンディングの際のインナリードの認識時間
が大幅に減少されると共に、隣り合うワイヤ同士および
インナリード同士の接触が防止される。その結果、製造
ラインにおけるスループットおよび歩留りの向上という
上記目的が達成される。
端部に絶縁テープを施した後、インナリードの先端部を
分離させるようにしているので、絶縁テープの貼着の
際、インナリードの間隔変化が抑制され、製造工程中常
にインナリードが適正に保持されるという作用によっ
て、ワイヤボンディングの際のインナリードの認識時間
が大幅に減少されると共に、隣り合うワイヤ同士および
インナリード同士の接触が防止される。その結果、製造
ラインにおけるスループットおよび歩留りの向上という
上記目的が達成される。
また、インナリードの先端部に半導体チップを接合す
るようにしているので、インナリードの任意位置にワイ
ヤが接続できるという作用によって、大小の半導体チッ
プを同一フレームに搭載することが可能となり、リード
フレーム自体の汎用性が増大することになる。
るようにしているので、インナリードの任意位置にワイ
ヤが接続できるという作用によって、大小の半導体チッ
プを同一フレームに搭載することが可能となり、リード
フレーム自体の汎用性が増大することになる。
［実施例］ 以下、本発明に係る半導体装置の製造方法の実施例を
図面に基づいて説明する。
図面に基づいて説明する。
第１図には本発明に係る半導体装置の製造方法の第１
および第２の実施例に用いられるリードフレームが示さ
れている。
および第２の実施例に用いられるリードフレームが示さ
れている。
同図において符号11は42アロイまたは銅合金等によっ
て形成されたリードフレームを表わしており、このリー
ドフレーム11においては、リード12におけるインナリー
ド12aの先端部が中央部に存する矩形の連結部13によっ
て相互に連結されている。つまり、このリードフレーム
11はエッチングまたはプレス等により成形されるが、そ
の際、インナリード12aの先端部が互いに連結されるよ
うにされている。なお、上記連結部13のサイズは搭載す
る半導体チップ14のサイズより僅かに小さくなるように
構成されている。
て形成されたリードフレームを表わしており、このリー
ドフレーム11においては、リード12におけるインナリー
ド12aの先端部が中央部に存する矩形の連結部13によっ
て相互に連結されている。つまり、このリードフレーム
11はエッチングまたはプレス等により成形されるが、そ
の際、インナリード12aの先端部が互いに連結されるよ
うにされている。なお、上記連結部13のサイズは搭載す
る半導体チップ14のサイズより僅かに小さくなるように
構成されている。
先ず、上記リードフレーム11を用いてなされる第１の
実施例に係る半導体装置の製造方法を説明する。
実施例に係る半導体装置の製造方法を説明する。
この実施例では、最初に、第２図（Ａ）に示すリード
フレーム11（第１図に示すリードフレーム）における連
結部13とその周辺部（インナリード12aの先端部）上面
に、搭載される半導体チップ14（第２図（Ｄ））のサイ
ズと同じか、やや大きめなサイズの絶縁テープ15を貼着
する（第２図（Ｂ））。この絶縁テープ15としては、特
に制限はされないがポリイミド系樹脂からなり下面に接
着剤が付着されたテープが用いられ、このポリイミド系
樹脂テープの貼着は例えば160〜200℃の雰囲気下で10〜
20kg/cm2で0.3秒間加圧することによってなされる。
フレーム11（第１図に示すリードフレーム）における連
結部13とその周辺部（インナリード12aの先端部）上面
に、搭載される半導体チップ14（第２図（Ｄ））のサイ
ズと同じか、やや大きめなサイズの絶縁テープ15を貼着
する（第２図（Ｂ））。この絶縁テープ15としては、特
に制限はされないがポリイミド系樹脂からなり下面に接
着剤が付着されたテープが用いられ、このポリイミド系
樹脂テープの貼着は例えば160〜200℃の雰囲気下で10〜
20kg/cm2で0.3秒間加圧することによってなされる。
こうして絶縁テープ15が貼着されたならば、リードフ
レーム11の連結部13を第２図（Ｃ）に示すようにプレス
を用いて打ち抜き、インナリード12aの先端部を分離さ
せる。このとき連結部13上面に貼着されていた絶縁テー
プ15の一部も同時に打ち抜かれることになるが、打抜き
部分以外の絶縁テープ15は残り、この残余の絶縁テープ
15によってインナリード12aの間隔は適正に保持され
る。
レーム11の連結部13を第２図（Ｃ）に示すようにプレス
を用いて打ち抜き、インナリード12aの先端部を分離さ
せる。このとき連結部13上面に貼着されていた絶縁テー
プ15の一部も同時に打ち抜かれることになるが、打抜き
部分以外の絶縁テープ15は残り、この残余の絶縁テープ
15によってインナリード12aの間隔は適正に保持され
る。
次いで、ダイボンディングの工程では、上記残余の絶
縁テープ15上面に銀ペーストまたはエポキシ樹脂等の接
合材（図示せず）を載せ、第２図（Ｄ）に示すように、
当該接合材を介して半導体チップ14を接合する。
縁テープ15上面に銀ペーストまたはエポキシ樹脂等の接
合材（図示せず）を載せ、第２図（Ｄ）に示すように、
当該接合材を介して半導体チップ14を接合する。
その後、ワイヤボンディングの工程で、半導体チップ
14のボンディングパッド14aとインナリード12aとをAu,A
lまたはCu等のワイヤ16によって電気的に接続し、半導
体チップ14およびその周辺部をエポキシ樹脂17によって
封止する（第２図（Ｅ））。次いで、アウタリード12b
に半田メッキを施した後、リードフレーム11の外枠から
リード12を切り離すと共に、アウタリード12bを成形す
る。
14のボンディングパッド14aとインナリード12aとをAu,A
lまたはCu等のワイヤ16によって電気的に接続し、半導
体チップ14およびその周辺部をエポキシ樹脂17によって
封止する（第２図（Ｅ））。次いで、アウタリード12b
に半田メッキを施した後、リードフレーム11の外枠から
リード12を切り離すと共に、アウタリード12bを成形す
る。
以上により単品の半導体装置が得られる。
上記実施例の半導体装置の製造方法によれば次のよう
な効果を得ることができる。
な効果を得ることができる。
即ち、上記実施例に係る半導体装置の製造方法によれ
ば、インナリード12aの先端部が互いに連結されたリー
ドフレーム11を用い、絶縁テープ15を貼着した後、イン
ナリード12aの先端部を分離するようにしているので、
絶縁テープ15を貼着するまでの間は連結部13によってイ
ンナリード12aの間隔変化が防止され、連結部13の打抜
き後は絶縁テープ15によってインナリード12aの間隔変
化が防止されるという作用によって、隣合うインナリー
ド12a同士の間隔が適正に保持され、ワイヤボンディン
グ時における個々のインナリード12aの認識が容易とな
り、ワイヤボンディング時間を大幅に短縮することがで
きる。
ば、インナリード12aの先端部が互いに連結されたリー
ドフレーム11を用い、絶縁テープ15を貼着した後、イン
ナリード12aの先端部を分離するようにしているので、
絶縁テープ15を貼着するまでの間は連結部13によってイ
ンナリード12aの間隔変化が防止され、連結部13の打抜
き後は絶縁テープ15によってインナリード12aの間隔変
化が防止されるという作用によって、隣合うインナリー
ド12a同士の間隔が適正に保持され、ワイヤボンディン
グ時における個々のインナリード12aの認識が容易とな
り、ワイヤボンディング時間を大幅に短縮することがで
きる。
また、上記実施例に係る半導体装置の製造方法によれ
ば、インナリード12aの先端部上面に半導体チップ14を
接合するようにしているため、インナリード12aの任意
位置がワイヤ16の接続部として利用できるという作用に
よって、ピン数（リード数）が同数の大小様々な半導体
チップ14を搭載でき、したがって、搭載する半導体チッ
プ14のサイズに応じたリードフレームを個別に用意する
必要がなくなり、リードフレームの標準化ひいては半導
体装置のコスト低減を図ることが可能となる。
ば、インナリード12aの先端部上面に半導体チップ14を
接合するようにしているため、インナリード12aの任意
位置がワイヤ16の接続部として利用できるという作用に
よって、ピン数（リード数）が同数の大小様々な半導体
チップ14を搭載でき、したがって、搭載する半導体チッ
プ14のサイズに応じたリードフレームを個別に用意する
必要がなくなり、リードフレームの標準化ひいては半導
体装置のコスト低減を図ることが可能となる。
さらに、上記実施例に係る半導体装置の製造方法によ
れば、インナリード12aの先端部上面に半導体チップ14
を接合するようにしているので、パッケージに封入され
るリード長さが増大するという作用によって、リード12
の抜け落ちが効果的に防止できる。
れば、インナリード12aの先端部上面に半導体チップ14
を接合するようにしているので、パッケージに封入され
るリード長さが増大するという作用によって、リード12
の抜け落ちが効果的に防止できる。
また、上記実施例に係る半導体装置の製造方法によれ
ば、インナリード12aの先端部上面に半導体チップ14を
接合するようにしているので、半導体チップ14の接合後
にはインナリード12aが固定されるという作用によっ
て、樹脂モールドの際などに隣合うインナリード12a同
士およびワイヤ16同士の接触が防止される。
ば、インナリード12aの先端部上面に半導体チップ14を
接合するようにしているので、半導体チップ14の接合後
にはインナリード12aが固定されるという作用によっ
て、樹脂モールドの際などに隣合うインナリード12a同
士およびワイヤ16同士の接触が防止される。
以上の相乗効果によって本実施例の製造方法によれ
ば、半導体装置の製造ラインにおけるスループットおよ
び歩留りの向上を図ることができると共に、半導体装置
の信頼性を高めることができる。
ば、半導体装置の製造ラインにおけるスループットおよ
び歩留りの向上を図ることができると共に、半導体装置
の信頼性を高めることができる。
また、第３図（Ａ）〜（Ｅ）には本発明に係る半導体
装置の製造方法の第２の実施例が示されている。
装置の製造方法の第２の実施例が示されている。
この第２の実施例の半導体装置の製造方法にあっても
第１の実施例におけると同様のリードフレーム11（第１
図）が用いられる。
第１の実施例におけると同様のリードフレーム11（第１
図）が用いられる。
この実施例では、第３図（Ａ）に示すリードフレーム
11（第１図と同様のリードフレーム）において、絶縁テ
ープ15を連結部13およびその周辺部に貼着するにあた
り、絶縁テープ15を連結部13およびその周辺部下面に貼
着する（第３図（Ｂ））。この点において第１の実施例
と異なっている。その他の点では第１の実施例と略同様
である。
11（第１図と同様のリードフレーム）において、絶縁テ
ープ15を連結部13およびその周辺部に貼着するにあた
り、絶縁テープ15を連結部13およびその周辺部下面に貼
着する（第３図（Ｂ））。この点において第１の実施例
と異なっている。その他の点では第１の実施例と略同様
である。
つまり、絶縁テープ15を貼着した後には、リードフレ
ーム11の連結部13を第３図（Ｃ）に示すようにプレスを
用いて打ち抜き、インナリード12aの先端部を分離させ
る。そして、ダイボンディングの工程では、インナリー
ド12aの先端部上面に接合材を介して半導体チップ14を
接合する（第３図（Ｄ））。また、ワイヤボンディング
の工程では、半導体チップ14のボンディングパッド14a
とインナリード12aとをワイヤ16によって電気的に接続
し、その後、半導体チップ14およびその周辺部をエポキ
シ樹脂17によって封止する（第３図（Ｅ））。しかる
後、アウタリード12bに半田メッキを施し、リードフレ
ーム11の外枠からリード12を切り離すと共に、アウタリ
ード12bを成形する。
ーム11の連結部13を第３図（Ｃ）に示すようにプレスを
用いて打ち抜き、インナリード12aの先端部を分離させ
る。そして、ダイボンディングの工程では、インナリー
ド12aの先端部上面に接合材を介して半導体チップ14を
接合する（第３図（Ｄ））。また、ワイヤボンディング
の工程では、半導体チップ14のボンディングパッド14a
とインナリード12aとをワイヤ16によって電気的に接続
し、その後、半導体チップ14およびその周辺部をエポキ
シ樹脂17によって封止する（第３図（Ｅ））。しかる
後、アウタリード12bに半田メッキを施し、リードフレ
ーム11の外枠からリード12を切り離すと共に、アウタリ
ード12bを成形する。
以上により単品の半導体装置を得る。
この第２の実施例によっても第１の実施例と同様の効
果を得ることができる。
果を得ることができる。
また、第４図（Ａ）〜（Ｅ）には本発明に係る半導体
装置の製造方法の第３の実施例が示されている。
装置の製造方法の第３の実施例が示されている。
この第３の実施例で用いられるリードフレーム21は、
第１および第２の実施例で用いられたリードフレーム11
（第１図）と基本的には同様な構成となっているが、イ
ンナリード22aの先端部および連結部23の厚みが他のリ
ード部分の厚みよりも薄くなるように成形されている点
において第１図のリードフレーム11と異なっている。即
ち、このリードフレーム21にはその上面に凹部が形成さ
れている。
第１および第２の実施例で用いられたリードフレーム11
（第１図）と基本的には同様な構成となっているが、イ
ンナリード22aの先端部および連結部23の厚みが他のリ
ード部分の厚みよりも薄くなるように成形されている点
において第１図のリードフレーム11と異なっている。即
ち、このリードフレーム21にはその上面に凹部が形成さ
れている。
この実施例では、第４図（Ａ）に示すリードフレーム
21における連結部23およびその周辺部つまり厚みの薄い
部分の下面に絶縁テープ15を貼着するようになっている
（第３図（Ｂ））。それ以外の点においては第１の実施
例と略同様である。
21における連結部23およびその周辺部つまり厚みの薄い
部分の下面に絶縁テープ15を貼着するようになっている
（第３図（Ｂ））。それ以外の点においては第１の実施
例と略同様である。
つまり、絶縁テープ15の貼着後には、リードフレーム
21の連結部23を第４図（Ｃ）に示すようにプレスを用い
て打ち抜いてインナリード22aの先端部を分離させ、イ
ンナリード22aの先端部上面に半導体チップ14を接合し
（第４図（Ｄ））、半導体チップ14のボンディングパッ
ド14aとインナリード22aとをワイヤ16によって電気的に
接続し、半導体チップ14およびその周辺部をエポキシ樹
脂17によって封止する（第４図（Ｅ））。次いで、アウ
タリード22bに半田メッキを施した後、リードフレーム2
1の外枠からリード22を切り離すと共に、アウタリード2
2bを成形する。
21の連結部23を第４図（Ｃ）に示すようにプレスを用い
て打ち抜いてインナリード22aの先端部を分離させ、イ
ンナリード22aの先端部上面に半導体チップ14を接合し
（第４図（Ｄ））、半導体チップ14のボンディングパッ
ド14aとインナリード22aとをワイヤ16によって電気的に
接続し、半導体チップ14およびその周辺部をエポキシ樹
脂17によって封止する（第４図（Ｅ））。次いで、アウ
タリード22bに半田メッキを施した後、リードフレーム2
1の外枠からリード22を切り離すと共に、アウタリード2
2bを成形する。
以上により単品の半導体装置を得る。
なお、絶縁テープ15を連結部23およびその周辺部つま
り厚みの薄い部分の上面に貼着するようにしても良い。
り厚みの薄い部分の上面に貼着するようにしても良い。
この実施例によっても第１の実施例におけると同様の
効果を得ることができる。
効果を得ることができる。
さらに、この実施例の半導体装置の製造方法によれ
ば、上記のように凹部を有するリードフレーム21を用
い、この凹部に半導体チップ14を接合するようにしてい
るので、半導体チップ14がリードフレーム21の上面に対
して相対的に下がり、比較的短いワイヤ16によってボン
ディングパッド14aとインナリード22aとが接続され、そ
の結果、樹脂モールド工程等におけるワイヤショートの
発生が抑制される。
ば、上記のように凹部を有するリードフレーム21を用
い、この凹部に半導体チップ14を接合するようにしてい
るので、半導体チップ14がリードフレーム21の上面に対
して相対的に下がり、比較的短いワイヤ16によってボン
ディングパッド14aとインナリード22aとが接続され、そ
の結果、樹脂モールド工程等におけるワイヤショートの
発生が抑制される。
なお、上記リードフレーム21は次のような利点をも有
する。
する。
即ち、インナリード22aの先端の間隔はピン数が増大
するに伴って小さくなる。特に、インナリード22aの先
端部を半導体チップ14に重ね合せた場合にはその傾向は
顕著である。ところが、この場合リードフレーム21の厚
みが大きいと、上記インナリード22aの先端部を精度良
くパターンニングできない。反面、リードフレーム21全
体の厚みを小さくするにも限界がある。なぜなら、アウ
タリード22bの剛性が劣化してしまい、折曲しやすくな
ってしまうからである。その点、上記のようなリードフ
レーム21によれば、アウタリード22bの剛性を劣化させ
ることなくインナリード22aの先端のパターンニング精
度を向上させることが可能となる。
するに伴って小さくなる。特に、インナリード22aの先
端部を半導体チップ14に重ね合せた場合にはその傾向は
顕著である。ところが、この場合リードフレーム21の厚
みが大きいと、上記インナリード22aの先端部を精度良
くパターンニングできない。反面、リードフレーム21全
体の厚みを小さくするにも限界がある。なぜなら、アウ
タリード22bの剛性が劣化してしまい、折曲しやすくな
ってしまうからである。その点、上記のようなリードフ
レーム21によれば、アウタリード22bの剛性を劣化させ
ることなくインナリード22aの先端のパターンニング精
度を向上させることが可能となる。
また、第５図（Ａ）〜（Ｅ）には本発明に係る半導体
装置の第４の実施例が示されている。
装置の第４の実施例が示されている。
この第４の実施例で用いられるリードフレーム31（第
５図（Ａ））はインナリード32a先端部が他のリード部
分に対して下方に折曲形成されている。そして、この実
施例では、リードフレーム31の連結部33およびインナリ
ード部32aの折曲部下面に絶縁テープ15を貼着するよう
にしている（第５図（Ｂ））。それ以外の点では、第１
の実施例と略同様である。
５図（Ａ））はインナリード32a先端部が他のリード部
分に対して下方に折曲形成されている。そして、この実
施例では、リードフレーム31の連結部33およびインナリ
ード部32aの折曲部下面に絶縁テープ15を貼着するよう
にしている（第５図（Ｂ））。それ以外の点では、第１
の実施例と略同様である。
つまり、絶縁テープ15の貼着後には、リードフレーム
31の連結部33を第５図（Ｃ）に示すようにプレスを用い
て打ち抜いてインナリード32aの先端部を分離させ、イ
ンナリード32aの先端部上面に半導体チップ14を接合し
（第５図（Ｄ））、半導体チップ14のボンディングパッ
ド14aとインナリード32aとをワイヤ16によって電気的に
接続し、半導体チップ14およびその周辺部をエポキシ樹
脂17によって封止する（第５図（Ｅ））。次いで、アウ
タリード32bに半田メッキを施した後、リードフレーム3
1の外枠からリード32を切り離すと共に、アウタリード3
2bを成形する。
31の連結部33を第５図（Ｃ）に示すようにプレスを用い
て打ち抜いてインナリード32aの先端部を分離させ、イ
ンナリード32aの先端部上面に半導体チップ14を接合し
（第５図（Ｄ））、半導体チップ14のボンディングパッ
ド14aとインナリード32aとをワイヤ16によって電気的に
接続し、半導体チップ14およびその周辺部をエポキシ樹
脂17によって封止する（第５図（Ｅ））。次いで、アウ
タリード32bに半田メッキを施した後、リードフレーム3
1の外枠からリード32を切り離すと共に、アウタリード3
2bを成形する。
以上により単品の半導体装置を得る。
なお、絶縁テープ15の貼着はインナリード32aの上面
であっても良い。
であっても良い。
この第４の実施例によっても第１の実施例と同様の効
果を得ることができる。
果を得ることができる。
さらに、この実施例の半導体装置の製造方法によれ
ば、上記のように凹部を有するリードフレーム31を用
い、この凹部に半導体チップ14を接合するようにしてい
るので、半導体チップ14がリードフレーム31の上面に対
して相対的に下がり、比較的短いワイヤ16によってボン
ディングパッド14aとインナリード32aとが接続され、そ
の結果、樹脂モールド工程等におけるワイヤショートの
発生が抑制される。
ば、上記のように凹部を有するリードフレーム31を用
い、この凹部に半導体チップ14を接合するようにしてい
るので、半導体チップ14がリードフレーム31の上面に対
して相対的に下がり、比較的短いワイヤ16によってボン
ディングパッド14aとインナリード32aとが接続され、そ
の結果、樹脂モールド工程等におけるワイヤショートの
発生が抑制される。
また、上述のように半導体チップ14がリードフレーム
31の上面に対して相対的に下がるので、パッケージ自体
の厚みを小さくすることができる。
31の上面に対して相対的に下がるので、パッケージ自体
の厚みを小さくすることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば、上記実施例では、１枚のリードフレームにて
同一の半導体装置を製造する場合を前提に説明したが、
１枚のリードフレームを用いてピン数が同じで大きさの
異なる多種の半導体装置を同時に製造するようにしても
良いことは勿論である。
同一の半導体装置を製造する場合を前提に説明したが、
１枚のリードフレームを用いてピン数が同じで大きさの
異なる多種の半導体装置を同時に製造するようにしても
良いことは勿論である。
［発明の効果］ 本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりであ
る。
って得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりであ
る。
即ち、エッチングまたはプレス等のパターニングによ
るリード成形時にインナリードの先端部が互いに連結さ
れたままになるように成形されたリードフレームのイン
ナリードの先端部に絶縁テープを貼着した後、インナリ
ードの互いに連結されている先端部を除去して該先端部
を互いに分離させ、この分離されたインナリードの先端
部上面に半導体チップを接合し、その後、半導体チップ
におけるボンディングパッドとインナリードとをワイヤ
にて接続するようにしたので、製造工程中、インナリー
ド間隔が適正に保持され、その結果、ワイヤボンディン
グの際のインナリードの認識時間が大幅に減少されると
共に、隣り合うワイヤ同士およびインナリードのショー
トが防止される。その結果、製造ラインにおけるスルー
プットおよび歩留りの向上という上記目的が達成され
る。
るリード成形時にインナリードの先端部が互いに連結さ
れたままになるように成形されたリードフレームのイン
ナリードの先端部に絶縁テープを貼着した後、インナリ
ードの互いに連結されている先端部を除去して該先端部
を互いに分離させ、この分離されたインナリードの先端
部上面に半導体チップを接合し、その後、半導体チップ
におけるボンディングパッドとインナリードとをワイヤ
にて接続するようにしたので、製造工程中、インナリー
ド間隔が適正に保持され、その結果、ワイヤボンディン
グの際のインナリードの認識時間が大幅に減少されると
共に、隣り合うワイヤ同士およびインナリードのショー
トが防止される。その結果、製造ラインにおけるスルー
プットおよび歩留りの向上という上記目的が達成され
る。
また、インナリードの先端部に半導体チップを接合す
るようにしているので、リードフレーム自体の汎用性も
増大することになる。
るようにしているので、リードフレーム自体の汎用性も
増大することになる。
第１図は本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の実
施例および第２の実施例に用いられるリードフレームの
一部を示す平面図、 第２図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係る半導体装置の製造
方法の第１の実施例の工程図、 第３図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係る半導体装置の製造
方法の第２の実施例の工程図、 第４図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係る半導体装置の製造
方法の第３の実施例の工程図、 第５図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係る半導体装置の製造
方法の第４の実施例の工程図、 第６図は従来用いられていたリードフレームの一部を示
す平面図、 第７図（Ａ）〜（Ｃ）は従来の半導体装置の製造方法を
示す工程図である。 11,21,31……リードフレーム、12a,22a,32a……インナ
リード、13,23,33……連結部、14……半導体チップ、14
a……ボンディングパッド、15……絶縁テープ。
施例および第２の実施例に用いられるリードフレームの
一部を示す平面図、 第２図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係る半導体装置の製造
方法の第１の実施例の工程図、 第３図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係る半導体装置の製造
方法の第２の実施例の工程図、 第４図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係る半導体装置の製造
方法の第３の実施例の工程図、 第５図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係る半導体装置の製造
方法の第４の実施例の工程図、 第６図は従来用いられていたリードフレームの一部を示
す平面図、 第７図（Ａ）〜（Ｃ）は従来の半導体装置の製造方法を
示す工程図である。 11,21,31……リードフレーム、12a,22a,32a……インナ
リード、13,23,33……連結部、14……半導体チップ、14
a……ボンディングパッド、15……絶縁テープ。
フロントページの続き (72)発明者 増田 正親 東京都小平市上水本町1450番地 株式会 社日立製作所武藤工場内 (56)参考文献 特開 昭61−125059（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−105970（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−12341（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−57439（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】リードフレームの上面に半導体チップを接
合し、半導体チップのボンディングパッドと上記リード
フレームのインナリードとを電気的に接続するにあた
り、エッチングまたはプレス等のパターニングによるリ
ード成形時にインナリードが先端部において互いに連結
されたままになるように成形されたリードフレームを用
い、このリードフレームにおけるインナリードの先端部
に絶縁テープを貼着し、インナリード間隔を上記絶縁テ
ープによって保持しつつ上記インナリードの互いに連結
されている先端部を除去して該先端部を互いに分離さ
せ、この分離されたインナリードの先端部上面に半導体
チップを接合し、その後、半導体チップのボンディング
パッドとインナリードとをワイヤにて接続するようにし
たことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】上記絶縁テープを上記インナリードの先端
部に貼着するにあたり、上記絶縁テープを上記インナリ
ードの先端部上面に貼着するようにしたことを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】上記絶縁テープを上記インナリードの先端
部に貼着するにあたり、上記絶縁テープを上記インナリ
ードの先端部下面に貼着したことを特徴とする請求項１
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】上記リードフレームは上記インナリードの
先端部の厚みが他のリード部分の厚みよりも薄く成るよ
うに成形されていることを特徴とする請求項１〜３いず
れか記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】上記絶縁テープはポリイミド系の樹脂から
構成されていることを特徴とする請求項１〜４いずれか
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63057520A JP2564595B2 (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 半導体装置の製造方法 |
| KR1019890002852A KR970011649B1 (ko) | 1988-03-10 | 1989-03-08 | 반도체 장치의 제조방법 |
| US07/321,385 US4994411A (en) | 1988-03-10 | 1989-03-10 | Process of producing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63057520A JP2564595B2 (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01231332A JPH01231332A (ja) | 1989-09-14 |
| JP2564595B2 true JP2564595B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=13058011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63057520A Expired - Fee Related JP2564595B2 (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2564595B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53105970A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Hitachi Ltd | Assembling method for semiconductor device |
| JPS5812341A (ja) * | 1981-07-16 | 1983-01-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS5957439A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS61125059A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置 |
-
1988
- 1988-03-11 JP JP63057520A patent/JP2564595B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01231332A (ja) | 1989-09-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |