JPH03136270A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH03136270A JPH03136270A JP27443989A JP27443989A JPH03136270A JP H03136270 A JPH03136270 A JP H03136270A JP 27443989 A JP27443989 A JP 27443989A JP 27443989 A JP27443989 A JP 27443989A JP H03136270 A JPH03136270 A JP H03136270A
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- lead
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は半導体組立用部材であるリードフレームに関す
るものである。
るものである。
[従来の技術]
近低 半導体の高密度実装化が進展してきているが、こ
のような中で年々半導体素子のパッケージの外形が小さ
くなってきている。このため、半導体組立用部材である
リードフレームにおいて、樹脂のモールドラインからダ
ムバーまでの距離は、従来0.25關位あったものが、
0.18++m位と狭(なっており、ダムバーとパッケ
ージラインは、より一層近付くようになってきている。
のような中で年々半導体素子のパッケージの外形が小さ
くなってきている。このため、半導体組立用部材である
リードフレームにおいて、樹脂のモールドラインからダ
ムバーまでの距離は、従来0.25關位あったものが、
0.18++m位と狭(なっており、ダムバーとパッケ
ージラインは、より一層近付くようになってきている。
また、 リードフレームのアウターリードのピッチは年
々狭くなる傾向にあり、0.65.0155.0.5.
0.35m+*と小さくなってきている。そして、アウ
ターリードのピッチが狭くなるにつれて、板厚も0.2
5〜0.07mと薄くなってきている。
々狭くなる傾向にあり、0.65.0155.0.5.
0.35m+*と小さくなってきている。そして、アウ
ターリードのピッチが狭くなるにつれて、板厚も0.2
5〜0.07mと薄くなってきている。
そのような中で、アウターリード巾が0.3〜0.2削
程度でつくられるため、0.25〜0.15■とかなり
細いダムバー切断用ポンチを用いて、ダムバーを切断す
るようにしている。
程度でつくられるため、0.25〜0.15■とかなり
細いダムバー切断用ポンチを用いて、ダムバーを切断す
るようにしている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、このような細い切断用ポンチによりダム
バーを切断するようにすると、従来リードフレーム1の
比較的厚い板厚でダムバーを切断しているので、切断用
ポンチは欠は易くなり、切断用ポンチの寿命が短いもの
となっている。
バーを切断するようにすると、従来リードフレーム1の
比較的厚い板厚でダムバーを切断しているので、切断用
ポンチは欠は易くなり、切断用ポンチの寿命が短いもの
となっている。
また、切断用ポンチが欠けることにより、第8図に示す
ようにダムバーにおける切断面に大きな面ダレaが発生
してしまう。このような面ダレaが生じると、大きなタ
テバリが生じてしまい、外観上不具合となる。
ようにダムバーにおける切断面に大きな面ダレaが発生
してしまう。このような面ダレaが生じると、大きなタ
テバリが生じてしまい、外観上不具合となる。
更にダムバーとモールドライン間のレジンをカットする
際、レジンバリが飛び散ってしまうという問題もある。
際、レジンバリが飛び散ってしまうという問題もある。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、その目的は、ポンチの寿命を長くすることができる
と共に、ダムバー切断面の面ダレを防止することのでき
るリードフレームを提供することである。
て、その目的は、ポンチの寿命を長くすることができる
と共に、ダムバー切断面の面ダレを防止することのでき
るリードフレームを提供することである。
また本発明は、ダムバー切断時に起こるモールドレジン
の飛び散りを防止することのできるリードフレームを提
供することである。
の飛び散りを防止することのできるリードフレームを提
供することである。
[課題を解決するための手段]
前述の課題を解決するために、本発明のリードフレーム
は、インナーリードとアウターリードとの間に形成され
るダムバー部を備えているリードフレームにおいて、ダ
ムバー部とアウターリードとにまたがる部分に、該ダム
バーのインナーリード側の一部を残して薄肉部が形成さ
れていることを特徴としている。
は、インナーリードとアウターリードとの間に形成され
るダムバー部を備えているリードフレームにおいて、ダ
ムバー部とアウターリードとにまたがる部分に、該ダム
バーのインナーリード側の一部を残して薄肉部が形成さ
れていることを特徴としている。
また本発明は、前記薄肉部がハーフエッチ加工されたハ
ーフエッチ部であることを特徴としている。
ーフエッチ部であることを特徴としている。
更に本発明は、前記ハーフエッチ部のダムバー部側にス
リットが形成されていることを特徴としている。
リットが形成されていることを特徴としている。
[作用コ
このように構成された本発明のリードフレームにおいて
は、ダムバー部とアウターリードとのまたがる部分が薄
肉に形成される。したがって、この板厚の薄い薄肉部を
カットすることにより、切断ポンチにかかる応力が小さ
くなる。これにより、切断ポンチの負荷が小さくなるの
で、切断ポンチの寿命が延びると共に、切断面゛の面ダ
レを極力抑えることができる。
は、ダムバー部とアウターリードとのまたがる部分が薄
肉に形成される。したがって、この板厚の薄い薄肉部を
カットすることにより、切断ポンチにかかる応力が小さ
くなる。これにより、切断ポンチの負荷が小さくなるの
で、切断ポンチの寿命が延びると共に、切断面゛の面ダ
レを極力抑えることができる。
また、薄肉部をハーフエッチ加工により形成することに
より、ダムバー部とモールドライン間のレジンを打ち抜
きにより落とす(レジンカット)場合、ハーフエッチ部
のレジンは、ハーフエッチにより表面が荒れた面となっ
ているところと接触するようになるので、密着性がよく
なり、レジンカットによるレジンの飛び散りは抑制され
る。
より、ダムバー部とモールドライン間のレジンを打ち抜
きにより落とす(レジンカット)場合、ハーフエッチ部
のレジンは、ハーフエッチにより表面が荒れた面となっ
ているところと接触するようになるので、密着性がよく
なり、レジンカットによるレジンの飛び散りは抑制され
る。
[実施例]
以下、図面を用いて、本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明に係るリードフレームの一実施例を部分
的に示す平面図である。
的に示す平面図である。
第1図及び第2図に示すように、 リードフレーム1は
、例えば銅合金、42アロイ等の金属からなるD I
P (Dual In1ine Package)タイ
プのリードフレームであり、上下に配置されると共に互
いに平行に延設された一対のレール2,2を備えている
。一対のレール2,2の間には、半導体素子3を搭載す
るグイパッド4が配設されており、このグイパッド4は
一対のダイパッドサポート5,5を介してこれら一対の
レール2.2に支持されている。
、例えば銅合金、42アロイ等の金属からなるD I
P (Dual In1ine Package)タイ
プのリードフレームであり、上下に配置されると共に互
いに平行に延設された一対のレール2,2を備えている
。一対のレール2,2の間には、半導体素子3を搭載す
るグイパッド4が配設されており、このグイパッド4は
一対のダイパッドサポート5,5を介してこれら一対の
レール2.2に支持されている。
また、一対のレール2,2間には、このグイパッド4を
左右に挟んで一対のダムバー6.6が架設されている。
左右に挟んで一対のダムバー6.6が架設されている。
これらダムバー6.6には、複数(図では7本)のイン
ナーリード7.7.・・・と同数のアウターリード8,
8.・・・とからなるリードがそれぞれ設けられている
。これらのダムバー6はアウターリード8へのレジンの
流出止めの役割をしている。また、各インナーリード7
.7.・・・の先端は、グイパッド4に対向するように
適宜曲げられている。
ナーリード7.7.・・・と同数のアウターリード8,
8.・・・とからなるリードがそれぞれ設けられている
。これらのダムバー6はアウターリード8へのレジンの
流出止めの役割をしている。また、各インナーリード7
.7.・・・の先端は、グイパッド4に対向するように
適宜曲げられている。
ダイパッド4の上に搭載された半導体素子3の各電極と
インナーリード7の対応する電極とがワイヤ9,9.・
・・によってボンディングされている。
インナーリード7の対応する電極とがワイヤ9,9.・
・・によってボンディングされている。
また、リードフレーム1は所定板厚(例えば0.15m
m)の42アロイを用いて形成されており、ダムバー6
のインナーリード7側の部分6aを所定量(例えば0.
05mm)残し、ダムバー6のその他の部分6bに所定
深さ(例えば0.08mm)の71−フェッチ加工が施
されている。したがって、ダムバー6のハーフエッチ部
であるその他の部分6bは板厚が薄い薄肉部となってい
る。
m)の42アロイを用いて形成されており、ダムバー6
のインナーリード7側の部分6aを所定量(例えば0.
05mm)残し、ダムバー6のその他の部分6bに所定
深さ(例えば0.08mm)の71−フェッチ加工が施
されている。したがって、ダムバー6のハーフエッチ部
であるその他の部分6bは板厚が薄い薄肉部となってい
る。
次に、このように形成されているリードフレームを用い
て半導体素子3のパッケージングを行うための工程を説
明する。
て半導体素子3のパッケージングを行うための工程を説
明する。
ダイパッド4の上に半導体素子3をAu−3i共品又は
、導電性あるいは絶縁性ペーストにより搭載固着する。
、導電性あるいは絶縁性ペーストにより搭載固着する。
次に、Au又はCuのワイヤ9により、半導体素子3上
の電極パッド3a、3a。
の電極パッド3a、3a。
・・・とインナーリード7.7.・・・とをワイヤーボ
ンディングする。この後、モールドライン10の範囲を
モールドレジンでトランスアファモールドすると共に、
ダムバー6とモールドライン10との間のレジンをカッ
トした後、ダムバー6を切断ライン11に沿って切断す
る。最後にアウターリード8を所望の形状に曲げて、
リードフレーム1を完成する。
ンディングする。この後、モールドライン10の範囲を
モールドレジンでトランスアファモールドすると共に、
ダムバー6とモールドライン10との間のレジンをカッ
トした後、ダムバー6を切断ライン11に沿って切断す
る。最後にアウターリード8を所望の形状に曲げて、
リードフレーム1を完成する。
ところで、このダムバー6を切断する場合は、ハーフエ
ッチ面6cと反対側からレジンカットし、ダムバー6の
切断を行うようにする。このような方法によれば、第2
図(a)から明らかなように切断箇所はダムバー6の板
厚の薄いところが大部分を占めるようになるのでダムバ
ー6の強度が小さくなっており、このためダムバー6を
容易に切断することができる。したがって、切断用ポン
チが欠けるようなことはなくなり、切断用ポンチの寿命
が延びるようになる。
ッチ面6cと反対側からレジンカットし、ダムバー6の
切断を行うようにする。このような方法によれば、第2
図(a)から明らかなように切断箇所はダムバー6の板
厚の薄いところが大部分を占めるようになるのでダムバ
ー6の強度が小さくなっており、このためダムバー6を
容易に切断することができる。したがって、切断用ポン
チが欠けるようなことはなくなり、切断用ポンチの寿命
が延びるようになる。
また、ダムバー6を容易に切断することができることか
ら、同図(b)に示すように切断の除土じる面ダレは小
さくなり、しかもダムバー6の内側から越えてハーフエ
ッチ部6bに流れ込んだハーフエッチ面6c上のレジン
バリは、ハーフエッチ部6bと切断用金型のダイスとの
間に挟まれた形になると共にハーフエッチにより表面が
荒れた面となったところと接触するようになるので、密
着が他の而よりもよく、レジンの飛び散りは少なくなる
。
ら、同図(b)に示すように切断の除土じる面ダレは小
さくなり、しかもダムバー6の内側から越えてハーフエ
ッチ部6bに流れ込んだハーフエッチ面6c上のレジン
バリは、ハーフエッチ部6bと切断用金型のダイスとの
間に挟まれた形になると共にハーフエッチにより表面が
荒れた面となったところと接触するようになるので、密
着が他の而よりもよく、レジンの飛び散りは少なくなる
。
この場合、ハーフエッチ部6″bは、第1図に示すよう
にダイパッド4の半導体素子の搭載面と同じ側の面に形
成してもよいし、またその反対側の面でもよい。
にダイパッド4の半導体素子の搭載面と同じ側の面に形
成してもよいし、またその反対側の面でもよい。
また、ダムバー6をハーフエッチ6b側から切断するよ
うにしても、前述の場合とほとんど同じ効果が得られる
。
うにしても、前述の場合とほとんど同じ効果が得られる
。
第3図は本発明の他の実施例を示す平面図である。なお
、前述の実施例と同じ構成要素には同じ符号を付すこと
により、その説明は省略する。
、前述の実施例と同じ構成要素には同じ符号を付すこと
により、その説明は省略する。
第3図に示すように、この実施例は、ハーフエッチ部6
bをダムバー6の内側の一部を残すようにして、インナ
ーリード7とアウターリード8との周縁を結ぶ線の間の
範囲内に施したものである。
bをダムバー6の内側の一部を残すようにして、インナ
ーリード7とアウターリード8との周縁を結ぶ線の間の
範囲内に施したものである。
この実施例においても、前記の実施例と同じ作用効果を
得ることができる。
得ることができる。
第4図及び第5図は本発明の更に他の実施例を8十図で
ある。なお、前述の実施例と同じ構成要素には同じ符号
を付すことにより、その説明は省略する。
ある。なお、前述の実施例と同じ構成要素には同じ符号
を付すことにより、その説明は省略する。
第4図及び第5図(a)に示すように、この実施例では
、ハーフエッチ加工されたダムバー部分6bに所定幅−
(例えば0 、1 mm)のスリット12が形成されて
いる。
、ハーフエッチ加工されたダムバー部分6bに所定幅−
(例えば0 、1 mm)のスリット12が形成されて
いる。
このようなスリット12を形成することにより、ダムバ
ー6を更に一層容易に切断することができるようになる
。したがって、第5図(b)に示すように切断用ポンチ
の寿命をより一層延ばすことができると共に、面ダレや
レジンの飛び散りをより一層効果的に防止することがで
きるようになる。
ー6を更に一層容易に切断することができるようになる
。したがって、第5図(b)に示すように切断用ポンチ
の寿命をより一層延ばすことができると共に、面ダレや
レジンの飛び散りをより一層効果的に防止することがで
きるようになる。
第6図は本発明の更に他の実施例を示す平面図である。
なお、前述の実施例と同じ構成要素には同じ符号を付す
ことにより、その説明は省略する。
ことにより、その説明は省略する。
第6図に示すように、この実施例は、前述の第3図に示
した実施例と同様にハーフエッチ部6bをダムバー6の
内側の一部を残すようにして、インナーリード7とアウ
ターリード8との周縁を結ぶ線の間の範囲内に施したも
のである。この実施例においても、第4図に示した実施
例と同じ作用効果を得ることができる。
した実施例と同様にハーフエッチ部6bをダムバー6の
内側の一部を残すようにして、インナーリード7とアウ
ターリード8との周縁を結ぶ線の間の範囲内に施したも
のである。この実施例においても、第4図に示した実施
例と同じ作用効果を得ることができる。
なお、本発明は、第7図に示°すようなQ F P (
Quad Flat Package)タイプのリード
フレーム1にも適用することができ、その場合にも、同
様の効果を得ることができる。
Quad Flat Package)タイプのリード
フレーム1にも適用することができ、その場合にも、同
様の効果を得ることができる。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように、本発明のリードフレー
ムによれば、アウターリードのピッチが狭くなり、ダム
バーの切断11が狭くなっても、切断ポンチにかかる応
力を極力小さくすることができるので、切断ポンチの寿
命を延長させることができる。また、ダムバーを容易に
切断することができるので1面ダレが小さくなる。した
がって、タテバリがほとんど生じなく、外観をきわめて
良好にすることができる。更に、薄肉部をハーフエッチ
加工により形成することにより、切断時のレジンバリの
飛び散りを抑えることができ5 リード部への打痕の発
生を減少させ、信頼性の高い半導体製品を得ることがで
きる。
ムによれば、アウターリードのピッチが狭くなり、ダム
バーの切断11が狭くなっても、切断ポンチにかかる応
力を極力小さくすることができるので、切断ポンチの寿
命を延長させることができる。また、ダムバーを容易に
切断することができるので1面ダレが小さくなる。した
がって、タテバリがほとんど生じなく、外観をきわめて
良好にすることができる。更に、薄肉部をハーフエッチ
加工により形成することにより、切断時のレジンバリの
飛び散りを抑えることができ5 リード部への打痕の発
生を減少させ、信頼性の高い半導体製品を得ることがで
きる。
第1図は本発明に係るリードフレームの一実施例の平面
図、第2図は第1図における■−汀線に沿う断面を示し
、 (a)はダムバー切断前の断面図、 (b)はダム
バー切断後の断面図、第3図は本発明の他の実施例を示
す平面図、第4図は本発明の更に他の実施例を示す断面
図、第5図は第4図におけるv−■線に沿う断面を示し
、 (a)はダムバー切断前の断面図、 (b)はダム
バー切断後の断面図、第6図は本発明の更に他の実施例
を示す断面図、第7図は本発明を他のタイプのリードフ
レームの平面図、第8図は従来のリードフレームの第2
図及び第5図と同様の断面を示し、 (a)はダムバー
切断前の断面図、 (b)はダムバー切断後の断面図で
ある。 1・・・リードフレーム、 3・・・半導体素子、 4
・・・グイパッド、5・・・グイパッドサポート、6・
・・ダムバー6b・・・リードフレームのハーフエッチ
加工された部分、 7・・・インナーリード、 8・・
・アウターリード、9・・・ボンディングワイヤ、 1
0・・・レジンモールドライン、 12・・・スリット 第1図
図、第2図は第1図における■−汀線に沿う断面を示し
、 (a)はダムバー切断前の断面図、 (b)はダム
バー切断後の断面図、第3図は本発明の他の実施例を示
す平面図、第4図は本発明の更に他の実施例を示す断面
図、第5図は第4図におけるv−■線に沿う断面を示し
、 (a)はダムバー切断前の断面図、 (b)はダム
バー切断後の断面図、第6図は本発明の更に他の実施例
を示す断面図、第7図は本発明を他のタイプのリードフ
レームの平面図、第8図は従来のリードフレームの第2
図及び第5図と同様の断面を示し、 (a)はダムバー
切断前の断面図、 (b)はダムバー切断後の断面図で
ある。 1・・・リードフレーム、 3・・・半導体素子、 4
・・・グイパッド、5・・・グイパッドサポート、6・
・・ダムバー6b・・・リードフレームのハーフエッチ
加工された部分、 7・・・インナーリード、 8・・
・アウターリード、9・・・ボンディングワイヤ、 1
0・・・レジンモールドライン、 12・・・スリット 第1図
Claims (3)
- (1)インナーリードとアウターリードとの間に形成さ
れるダムバー部を備えているリードフレームにおいて、 ダムバー部とアウターリードとにまたがる部分に、該ダ
ムバーのインナーリード側の一部を残して薄肉部が形成
されていることを特徴とするリードフレーム。 - (2)前記薄肉部はハーフエッチ加工されたハーフエッ
チ部であることを特徴とする請求項1記載のリードフレ
ーム。 - (3)更に前記薄肉部のダムバー部側にスリットが形成
されていることを特徴とする請求項1または2記載のリ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27443989A JPH03136270A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27443989A JPH03136270A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03136270A true JPH03136270A (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=17541697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27443989A Pending JPH03136270A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03136270A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5412157A (en) * | 1992-07-17 | 1995-05-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
US7943431B2 (en) * | 2005-12-02 | 2011-05-17 | Unisem (Mauritius) Holdings Limited | Leadless semiconductor package and method of manufacture |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP27443989A patent/JPH03136270A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5412157A (en) * | 1992-07-17 | 1995-05-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
US7943431B2 (en) * | 2005-12-02 | 2011-05-17 | Unisem (Mauritius) Holdings Limited | Leadless semiconductor package and method of manufacture |
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