JP2000150723A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂封止形の半導体装置のモールド本体部の
反りを防止して実装性の向上を図る。 【解決手段】 半導体チップを支持したタブと、前記
半導体チップを樹脂封止して形成したモールド本体部２
と、前記タブのチップ支持側と反対側の方向にモールド
本体部２から突出したモールド突出部２ａと、前記半導
体チップの周囲に延在して配置されたインナリードと、
前記半導体チップのパッドとこれに対応する前記インナ
リードとを電気的に接続するボンディングワイヤと、モ
ールド本体部２から突出した複数のアウタリード５とか
らなり、モールド本体部２の裏面側２ｃにモールド突出
部２ａが形成されたことによってモールド本体部２の反
りを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関し、特に、樹脂封止形の半導体装置におけるモールド
本体部の反り防止に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】モールドによる樹脂封止形（プラスチック
封止タイプ）の半導体装置は、半導体チップの多機能化
や大容量化により、チップサイズが大形化する一方、シ
ステム全体を小形化するために、半導体装置を薄形かつ
多ピン化し、その結果、比較的大きな表面積を有する面
実装形のＱＦＰ（Quad Flat Package)などが主流となっ
ている。

【０００４】なお、面実装形の半導体装置の構造とその
問題点については、例えば、日経ＢＰ社、１９９３年５
月３１日発行、香山晋、成瀬邦彦（監）、「実践講座Ｖ
ＬＳＩパッケージング技術（下）」、１２３〜１３５頁
に記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術におけるＱＦＰなどの樹脂封止形の半導体装置では、
半導体チップを支持するタブ（チップ支持部材）を境界
とした封止用樹脂の表裏面側のバランスが悪いため、樹
脂封止後にモールド本体部に反り（パッケージ反りとも
いう）が発生しやすい。

【０００６】その結果、モールド本体部に反りが発生す
ると、リードフレームからアウタリードを切断分離する
フレーム切断成形工程において、切断金型の金型クラン
プ時にモールド本体部に応力が掛り、アウタリードの変
形が起こることが問題となる。

【０００７】さらに、アウタリードが変形すると、アウ
タリードの被実装部のリード平坦度が悪化し、プリント
配線基板などの実装基板への実装時に、半導体装置の実
装不良が発生することが問題となる。

【０００８】本発明の目的は、モールド本体部の反りを
防止して実装性の向上を図る半導体装置およびその製造
方法を提供することにある。

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１１】すなわち、本発明による半導体装置は、半
導体チップを支持した薄板状のチップ支持部材と、前記
半導体チップおよび前記チップ支持部材を樹脂封止して
形成したモールド本体部と、前記チップ支持部材のチッ
プ支持側もしくはその反対側の方向に前記モールド本体
部から突出したモールド突出部と、前記半導体チップの
表面電極と電気的に接続され、前記モールド本体部から
突出した複数のアウタリードとを有し、前記モールド突
出部によって前記モールド本体部の反りを防止し得るも
のである。

【００１２】これにより、チップ支持部材に搭載された
半導体チップの表裏両面側の封止用樹脂（レジンともい
う）の量のバランスを良くできるとともに、モールド本
体部の剛性を高めることができる。

【００１３】その結果、封止用樹脂とチップ支持部材と
の間で熱膨張差が生じた際にもモールド本体部における
反りの発生を防ぐことができる。

【００１４】したがって、アウタリードの変形を防ぐこ
とができ、これにより、アウタリードの被実装部の平坦
度精度を向上できる。

【００１５】その結果、半導体装置の実装性を向上でき
る。

【００１６】また、本発明による半導体装置の製造方法
は、半導体チップを支持する薄板状のチップ支持部材を
備えたリードフレームを準備する工程と、前記半導体チ
ップを前記リードフレームの前記チップ支持部材によっ
て支持する工程と、前記半導体チップの表面電極とこれ
に対応する前記リードフレームのインナリードとを電気
的に接続する工程と、前記半導体チップおよび前記チッ
プ支持部材を樹脂封止してモールド本体部と、前記チッ
プ支持部材のチップ支持側もしくはその反対側の方向に
前記モールド本体部から突出させたモールド突出部とを
形成する工程と、前記モールド本体部から突出する複数
のアウタリードとこれを支持する前記リードフレームの
枠部とを分離する工程とを有するものである。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００１８】図１は本発明による半導体装置の構造の実
施の形態の一例を示す図であり、（ａ）は側面図、
（ｂ）は底面図、図２は図１に示す半導体装置の内部の
構造を示す断面図、図３は図１に示す半導体装置の実装
部材への実装方法の一例を示す断面図である。

【００１９】本実施の形態の半導体装置は、主面である
回路形成面１ｂに半導体集積回路が形成された半導体チ
ップ１を有するものであり、かつこの半導体チップ１を
モールドによって樹脂封止した樹脂封止形のものであ
る。

【００２０】なお、本実施の形態の半導体装置は、比較
的大きなサイズの半導体チップ１を薄板状のチップ支持
部材であるタブ３（ダイパッドともいう）に搭載した面
実装タイプのものである。

【００２１】したがって、前記半導体装置は、ＣＯＬ
（Chip On Lead) 構造のものであるとともに、多ピンで
薄形、かつ比較的大きな表面積を有する薄形多ピンＩＣ
（Integrated Circuit）パッケージであり、本実施の形
態では、前記半導体装置の一例として、図１に示すＱＦ
Ｐを取り上げて説明する。

【００２２】図１および図２に示すＱＦＰの構成は、半
導体チップ１を支持した薄板状のチップ支持部材である
タブ３と、半導体チップ１およびタブ３を樹脂封止して
形成したモールド本体部２と、タブ３のチップ支持側３
ａと反対側の方向（モールド本体部２の裏面側２ｃ）に
このモールド本体部２から突出したモールド突出部２ａ
と、半導体チップ１の周囲に延在して配置されたインナ
リード４と、半導体チップ１の表面電極であるパッド１
ａとこれに対応するインナリード４とを電気的に接続す
るボンディングワイヤ６と、インナリード４と繋がりか
つこのインナリード４を介して半導体チップ１のパッド
１ａと電気的に接続されるとともに、モールド本体部２
から突出した複数のアウタリード５とからなり、モール
ド本体部２の裏面側２ｃにモールド突出部２ａが形成さ
れたことによってモールド本体部２の反りを防止するも
のである。

【００２３】すなわち、本実施の形態のＱＦＰは、モー
ルド本体部２の裏面側２ｃにモールド突出部２ａが形成
されたことにより、半導体チップ１の表裏両面側の封止
用樹脂（レジンとも呼ぶ）の量のバランスを良くして
（半導体チップ１の回路形成面１ｂ側と裏面１ｃ側とで
封止用樹脂の量をだいたい同じにする）、モールド本体
部２が反ることを防止するものである。

【００２４】なお、前記ＱＦＰは、多ピンタイプであ
り、したがって、放熱性を高める必要もあるため、モー
ルド本体部２の裏面側２ｃにおいては、図３に示すよう
に、ＱＦＰ実装時の実装基板８との間の隙間も確保しな
ければならない。

【００２５】したがって、本実施の形態のＱＦＰでは、
モールド本体部２の裏面側２ｃのほぼ中央部でモールド
突出部２ａが最も厚くなるようにほぼピラミッド形に形
成されている。

【００２６】すなわち、図１（ａ）に示すように、モー
ルド本体部２の裏面側２ｃにおいてモールド突出部２ａ
は、中央部の厚さが最も厚く、図１（ｂ）に示すよう
に、前記中央部からモールド本体部２の４つの角部に向
けて傾斜した面が形成されている。

【００２７】これにより、モールド本体部２の裏面側２
ｃにおいて、ＱＦＰ実装時の実装基板８（図３参照）と
の間の隙間も確保できる。

【００２８】なお、前記ＱＦＰでは、図１（ａ）に示す
ように、モールド突出部２ａの先端面２ｂが平坦で、か
つＱＦＰ実装時に実装基板８の実装面に水平になるよう
にモールド本体部２に平行に形成されている（図２参
照）。

【００２９】これは、図３に示すように、ＱＦＰを実装
基板８に仮実装する際、接合材である接着剤７の介在を
安定させるためである。

【００３０】ここで、ＱＦＰのモールド本体部２の厚さ
は、例えば、最大２.5ｍｍ程度であり、ＱＦＰを実装部
材である実装基板８に実装した際のモールド本体部２と
実装基板８との隙間は、例えば、０.5〜０.7ｍｍ程度で
ある。

【００３１】したがって、モールド本体部２から下方に
向けて突出させるモールド突出部２ａの突出量は、例え
ば、前記隙間の６０〜７０％程度である。

【００３２】また、本実施の形態のＱＦＰでは、モール
ド装置を用いて樹脂封止が行われるため、モールド本体
部２とモールド突出部２ａとがモールドによって一体に
形成されている。

【００３３】なお、モールド本体部２およびモールド突
出部２ａを形成するためにモールド時に使用される封止
用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などであ
る。

【００３４】また、タブ３、インナリード４およびアウ
タリード５などを有するリードフレームは、例えば、そ
の厚さが０.1５ｍｍ程度の薄板状の部材であり、鉄、
銅、または、鉄とニッケルとの合金などによって形成さ
れている。

【００３５】なお、本実施の形態の半導体装置は、ＱＦ
Ｐであるため、アウタリード５は、図１（ｂ）に示すよ
うに、モールド本体部２からその４方向に向かって突出
し、かつ、図１（ａ）に示すように、ガルウィング状に
曲げ成形されている。

【００３６】また、図２に示すように、半導体チップ１
は、例えば、ペースト材などによってタブ３に固定され
ている。

【００３７】さらに、半導体チップ１のパッド１ａとイ
ンナリード４とを電気的に接続する金属細線であるボン
ディングワイヤ６は、例えば、金などによって形成され
た細線である。

【００３８】次に、本実施の形態の半導体装置（ＱＦ
Ｐ）の製造方法について説明する。

【００３９】まず、半導体チップ１を支持する薄板状の
チップ支持部材であるタブ３を備えたリードフレームを
準備する。

【００４０】その後、半導体チップ１を前記リードフレ
ームのタブ３によって支持する。

【００４１】すなわち、半導体チップ１をタブ３に搭載
するダイボンディング（ペレットボンディングともい
う）を行う。

【００４２】その際、銀ペーストなどを用いてタブ３に
半導体チップ１を取り付ける。

【００４３】続いて、半導体チップ１のパッド１ａ（表
面電極）とこれに対応する前記リードフレームのインナ
リード４とを電気的に接続する。

【００４４】すなわち、ワイヤボンディングを行って、
半導体チップ１のパッド１ａとインナリード４とをボン
ディングワイヤ６によって接続する。

【００４５】その後、エポキシ系の熱硬化性樹脂などの
封止用樹脂を用いて、モールドにより樹脂封止を行う。

【００４６】本実施の形態では、モールドによって、半
導体チップ１、タブ３、ボンディングワイヤ６およびイ
ンナリード４を樹脂封止してモールド本体部２と、タブ
３のチップ支持側３ａと反対側の方向（半導体チップ１
の裏面１ｃ方向）にモールド本体部２から突出させたモ
ールド突出部２ａとを形成する。

【００４７】したがって、本実施の形態のモールド工程
では、モールド金型のキャビティにモールド突出部２ａ
を形成する凹部が形成されたモールド装置を用いること
となり、これにより、モールド本体部２とモールド突出
部２ａとを一体で形成できる。

【００４８】この際、モールド本体部２の裏面側２ｃに
モールド突出部２ａが形成されることにより、半導体チ
ップ１の表裏両面側の封止用樹脂の量のバランスが取
れ、その結果、樹脂硬化後に、モールド本体部２が反る
ことを防止できる。

【００４９】なお、本実施の形態では、図１（ａ）に示
すように、モールド突出部２ａの先端面２ｂを平坦にか
つモールド本体部２と平行になるように形成する。

【００５０】モールド終了後、切断・成形工程におい
て、モールド本体部２から突出する複数のアウタリード
５とこれを支持する前記リードフレームの枠部とを分離
するとともに、アウタリード５を所望の形状に曲げ成形
する。

【００５１】すなわち、切断金型を用いて前記リードフ
レームの所定箇所を切断し、これにより、前記リードフ
レームの枠部からアウタリード５を分離しつつ、分離後
のアウタリード５を所望の形状（本実施の形態では、図
１（ａ）に示すようなガルウィング状）に曲げ成形す
る。

【００５２】この際、モールド本体部２に反りが形成さ
れていないため、切断金型の金型クランプ時にモールド
本体部２に不要な応力が掛かることを防げ、これに起因
してアウタリード５が変形することを防止できる。

【００５３】これにより、図１に示すＱＦＰを組み立て
ることができる。

【００５４】その後、必要に応じて、図３に示すよう
に、実装部材であるプリント配線基板などの実装基板８
に前記ＱＦＰを実装する。

【００５５】その際、まず、モールド突出部２ａの先端
面２ｂと実装基板８とを接合材によって仮実装する。

【００５６】すなわち、実装基板８の所定箇所に接着剤
７を塗布し、この接着剤７にＱＦＰのモールド突出部２
ａの先端面２ｂが接触するように、かつＱＦＰのアウタ
リード５の被実装部５ａと実装基板８の接続電極８ａと
の位置を合わせてＱＦＰを実装基板８上に載置し、ＱＦ
Ｐを仮固定（仮実装）する。

【００５７】なお、本実施の形態のＱＦＰでは、そのモ
ールド本体部２の裏面側２ｃに突出したモールド突出部
２ａが形成されていることにより、ＱＦＰを実装基板８
上に仮実装した際に、モールド突出部２ａと実装基板８
との距離が短くなるため、図７に示す比較例のＱＦＰ
（モールド突出部２ａが形成されていない半導体装置）
の実装状態と比較して、接着剤７（接合材）の塗布量す
なわち使用量を低減できる。

【００５８】その後、この状態で、図３に示すようなＱ
ＦＰが載置された実装基板８をリフロー炉に通して、本
実施の形態のＱＦＰを実装基板８に実装する。

【００５９】本実施の形態の半導体装置（ＱＦＰ）およ
びその製造方法によれば、以下のような作用効果が得ら
れる。

【００６０】すなわち、薄板状のチップ支持部材である
タブ３のチップ支持側３ａと反対側の方向つまり半導体
チップ１の裏面１ｃの方向にモールド本体部２から突出
したモールド突出部２ａが設けられたことにより、タブ
３に搭載された半導体チップ１の表裏両面側の封止用樹
脂（レジンともいう）の量のバランスを良くできるとと
もに、モールド本体部２の剛性を高めることができる。

【００６１】これにより、前記封止用樹脂とタブ３との
間で熱膨張差が生じた際にもモールド本体部２における
反りの発生を防ぐことができる。

【００６２】したがって、リードフレームの切断成形工
程で切断金型によってアウタリード５がクランプされた
際にも、アウタリード５およびモールド本体部２には不
要な応力が掛からないため、アウタリード５の変形を防
ぐことができる。

【００６３】その結果、アウタリード５の被実装部５ａ
の平坦度精度を向上できるため、実装基板８にＱＦＰ
（半導体装置）を実装した際のアウタリード５と実装基
板８の接続電極８ａとの電気的接続性を向上できる。

【００６４】これにより、ＱＦＰの実装性を向上でき
る。

【００６５】なお、切断金型によるクランプ時に、アウ
タリード５およびモールド本体部２には不要な応力が掛
からないため、アウタリード５の変形を防ぐことができ
るとともに、パッケージクラックの発生を防げる。

【００６６】これにより、ＱＦＰの品質を向上できる。

【００６７】また、モールド本体部２の中央部にモール
ド突出部２ａの最大厚さ箇所が形成されていることによ
り、モールド時の封止用樹脂の樹脂流れのバランスを崩
すことなくモールド本体部２の剛性を高めることができ
る。

【００６８】また、モールド突出部２ａの先端面２ｂが
平坦に形成されていることにより、ＱＦＰの実装基板８
への仮実装時にモールド突出部２ａと実装基板８との間
に接合材である接着剤７を介在させた際に、接着剤７の
介在状態を安定させることができる。

【００６９】これにより、ＱＦＰの実装基板８への仮実
装時の位置決めを高精度に行うことができ、その結果、
ＱＦＰの実装性を向上できる。

【００７０】また、接着剤７によってＱＦＰを仮実装す
る際に、モールド突出部２ａが形成されていることによ
り、モールド本体部２と実装基板８との距離が短くなる
ため、接着剤７の塗布量つまり使用量を低減できる。

【００７１】これにより、ＱＦＰの製造コストを低減で
きる。

【００７２】さらに、接着剤７の使用量を低減できるた
め、接着剤７を硬化させる際の硬化時間を短縮できる。

【００７３】これにより、ＱＦＰを実装基板８に実装す
る際の処理時間を短縮できる。

【００７４】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。

【００７５】例えば、前記実施の形態で説明したＱＦＰ
のモールド突出部２ａの形状については、図１に示す形
状以外のものも種々考えられる。

【００７６】ここで、図４に示すＱＦＰは、モールド本
体部２の裏面側２ｃにおいてその中央部からモールド本
体部２の４つの辺の中央に向けて傾斜した面が形成され
ているものであり、四角形の先端面２ｂの向きをモール
ド本体部２に対して図１に示すＱＦＰの場合と比較して
４５°回転させたものである。

【００７７】また、図５に示すＱＦＰは、モールド本体
部２の裏面側２ｃにおいてモールド突出部２ａの形状を
四角錐形状とし、その中央部の先端面２ｂを平坦な四角
形に形成したものである。

【００７８】さらに、図６に示すＱＦＰは、モールド本
体部２の裏面側２ｃにおいてモールド突出部２ａの形状
を円錐形状とし、その中央部の先端面２ｂを平坦な円形
に形成したものである。

【００７９】なお、モールド突出部２ａの形状は、図４
〜図６に示す形状以外のものであってもよいことは言う
までもない。

【００８０】また、図４〜図６に示す他の実施の形態の
半導体装置によっても、図１〜図３に示す前記実施の形
態の半導体装置と同様の効果が得られる。

【００８１】また、前記実施の形態および前記他の実施
の形態においては、半導体装置がＱＦＰの場合について
説明したが、前記ＱＦＰは、樹脂封止形の面実装タイプ
で、かつ比較的薄形・多ピンタイプでそのモールド本体
部２にこのモールド本体部２から突出するモールド突出
部２ａが形成されているものであれば、他のＱＦＪ（Qu
ad Flat J-leaded Package) などであってもよく、ある
いは、それ以外のものであってもよい。

【００８２】さらに、前記実施の形態および前記他の実
施の形態においては、半導体装置がＣＯＬ（Chip On Le
ad) 構造の場合を説明したが、前記半導体装置は、例え
ば、ＬＯＣ（Lead On Chip) 構造のものであってもよ
い。

【００８３】その際、半導体チップ１はチップ支持部材
となるインナリード４に固定される構造となるが、モー
ルド突出部２ａは、チップ支持部材のチップ支持側３ａ
（図３参照）もしくはその反対側の何れの方向に突出す
る場合も考えられ、何れの方向に突出する場合において
も、半導体チップ１およびチップ支持部材を境界として
モールド本体部２の封止用樹脂の量の少ない側にモール
ド突出部２ａを形成すればよい。

【００８４】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００８５】（１）．薄板状のチップ支持部材のチップ
支持側もしくはその反対側の方向にモールド突出部が設
けられたことにより、チップ支持部材に搭載された半導
体チップの表裏両面側の封止用樹脂の量のバランスを良
くできるとともに、モールド本体部の剛性を高めること
ができる。これにより、モールド本体部における反りの
発生を防ぐことができる。したがって、アウタリードの
変形を防ぐことができる。その結果、アウタリードの被
実装部の平坦度精度を向上でき、これにより、実装部材
に半導体装置を実装した際のアウタリードと実装部材の
接続電極との電気的接続性を向上できる。

【００８６】（２）．前記（１）により、半導体装置の
実装性を向上できる。

【００８７】（３）．モールド突出部の先端面が平坦に
形成されていることにより、半導体装置の実装部材への
仮実装時にモールド突出部と実装部材との間に接合材を
介在させた際に、接合材の介在状態を安定させることが
できる。これにより、半導体装置の仮実装時の位置決め
を高精度に行うことができ、その結果、半導体装置の実
装性を向上できる。

【００８８】（４）．接合材によって半導体装置を仮実
装する際に、モールド突出部が形成されていることによ
り、モールド本体部と実装部材との距離が短くなるた
め、接合材の使用量を低減できる。その結果、半導体装
置の製造コストを低減できる。

【００８９】（５）．接合材の使用量を低減できるた
め、接合材を硬化させる際の硬化時間を短縮できる。こ
れにより、半導体装置を実装する際の処理時間を短縮で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ),（ｂ）は本発明による半導体装置の構造
の実施の形態の一例を示す図であり、（ａ）は側面図、
（ｂ）は底面図である。

【図２】図１に示す半導体装置の内部の構造を示す断面
図である。

【図３】図１に示す半導体装置の実装部材への実装方法
の一例を示す断面図である。

【図４】（ａ),（ｂ）は本発明の他の実施の形態である
半導体装置の構造を示す図であり、（ａ）は側面図、
（ｂ）は底面図である。

【図５】（ａ),（ｂ）は本発明の他の実施の形態である
半導体装置の構造を示す図であり、（ａ）は側面図、
（ｂ）は底面図である。

【図６】（ａ),（ｂ）は本発明の他の実施の形態である
半導体装置の構造を示す図であり、（ａ）は側面図、
（ｂ）は底面図である。

【図７】本発明の半導体装置の実装部材への実装方法に
対する比較例の半導体装置の実装方法を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 半導体チップ １ａ パッド（表面電極） １ｂ 回路形成面 １ｃ 裏面 ２ モールド本体部 ２ａ モールド突出部 ２ｂ 先端面 ２ｃ 裏面側 ３ タブ（チップ支持部材） ３ａ チップ支持側 ４ インナリード ５ アウタリード ５ａ 被実装部 ６ ボンディングワイヤ ７ 接着剤（接合材） ８ 実装基板（実装部材） ８ａ 接続電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂本 満 北海道亀田郡七飯町字中島145番地 日立 北海セミコンダクタ株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA08 DA09 DA10

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 樹脂封止形の半導体装置であって、 半導体チップを支持した薄板状のチップ支持部材と、 前記半導体チップおよび前記チップ支持部材を樹脂封止
   して形成したモールド本体部と、 前記チップ支持部材のチップ支持側もしくはその反対側
   の方向に前記モールド本体部から突出したモールド突出
   部と、 前記半導体チップの表面電極と電気的に接続され、前記
   モールド本体部から突出した複数のアウタリードとを有
   し、 前記モールド突出部によって前記モールド本体部の反り
   を防止し得ることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 樹脂封止形の半導体装置であって、 半導体チップを支持した薄板状のチップ支持部材と、 前記半導体チップおよび前記チップ支持部材を樹脂封止
   して形成したモールド本体部と、 前記チップ支持部材のチップ支持側と反対側の方向に前
   記モールド本体部から突出したモールド突出部と、 前記半導体チップの表面電極と電気的に接続され、前記
   モールド本体部から突出した複数のアウタリードとを有
   し、 前記モールド突出部によって前記モールド本体部の反り
   を防止し得ることを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置であ
   って、前記モールド突出部が前記モールド本体部の中央
   部に形成されていることを特徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】 請求項１，２または３記載の半導体装置
   であって、前記モールド突出部の先端面が平坦に形成さ
   れていることを特徴とする半導体装置。
5. 【請求項５】 樹脂封止形の半導体装置の製造方法であ
   って、 半導体チップを支持する薄板状のチップ支持部材を備え
   たリードフレームを準備する工程と、 前記半導体チップを前記リードフレームの前記チップ支
   持部材によって支持する工程と、 前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記リー
   ドフレームのインナリードとを電気的に接続する工程
   と、 前記半導体チップおよび前記チップ支持部材を樹脂封止
   してモールド本体部と、前記チップ支持部材のチップ支
   持側もしくはその反対側の方向に前記モールド本体部か
   ら突出させたモールド突出部とを形成する工程と、 前記モールド本体部から突出する複数のアウタリードと
   これを支持する前記リードフレームの枠部とを分離する
   工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
6. 【請求項６】 樹脂封止形の半導体装置の製造方法であ
   って、 半導体チップを支持する薄板状のチップ支持部材を備え
   たリードフレームを準備する工程と、 前記半導体チップを前記リードフレームの前記チップ支
   持部材によって支持する工程と、 前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記リー
   ドフレームのインナリードとを電気的に接続する工程
   と、 前記半導体チップおよび前記チップ支持部材を樹脂封止
   してモールド本体部と、前記チップ支持部材のチップ支
   持側と反対側の方向に前記モールド本体部から突出させ
   たモールド突出部とを形成する工程と、 前記モールド本体部から突出する複数のアウタリードと
   これを支持する前記リードフレームの枠部とを分離する
   工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
7. 【請求項７】 請求項５または６記載の半導体装置の製
   造方法であって、前記樹脂封止によって前記モールド突
   出部を形成する際に、前記モールド突出部の先端面を平
   坦に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置の製造方法で
   あって、前記半導体装置を実装部材に実装する際に、前
   記モールド突出部の前記先端面と前記実装部材とを接合
   材によって仮実装することを特徴とする半導体装置の製
   造方法。