JP3195515B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームを用い
た樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関し、特
に、微細ピッチで多ピン化されたリードフレームを用い
て製造される樹脂封止型半導体装置に適用して有効な技
術に関する。
た樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関し、特
に、微細ピッチで多ピン化されたリードフレームを用い
て製造される樹脂封止型半導体装置に適用して有効な技
術に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近のＬＳＩで代表される半導体装置
は、小型化、高集積化、多機能化の要求が益々強くなっ
てきているのに伴い、半導体チップが搭載されるリード
フレームは、より一層微細ピッチで多ピン化されたもの
が用いられる傾向にある。
は、小型化、高集積化、多機能化の要求が益々強くなっ
てきているのに伴い、半導体チップが搭載されるリード
フレームは、より一層微細ピッチで多ピン化されたもの
が用いられる傾向にある。
【０００３】このように微細ピッチ化、多ピン化された
リードフレームは、例えば日経ＢＰ社発行、「ＶＬＳＩ
パッケージング技術（上）」、１９９３年５月３１日発
行、Ｐ１５７に図示されている。このようなリードフレ
ームは、半導体チップを搭載すべきダイパッドがダイパ
ッド吊りリードを介してフレーム本体に支持されてい
て、ダイパッドの周囲には多数のインナーリードが配置
された形状を有している。
リードフレームは、例えば日経ＢＰ社発行、「ＶＬＳＩ
パッケージング技術（上）」、１９９３年５月３１日発
行、Ｐ１５７に図示されている。このようなリードフレ
ームは、半導体チップを搭載すべきダイパッドがダイパ
ッド吊りリードを介してフレーム本体に支持されてい
て、ダイパッドの周囲には多数のインナーリードが配置
された形状を有している。
【０００４】このようなリードフレームを用いて樹脂封
止型半導体装置を製造するには、ダイパッドに半導体チ
ップを搭載した後、この半導体チップのパッド電極とイ
ンナーリードとの間にワイヤをボンディングして、これ
らリードフレーム、半導体チップ、ボンディングワイヤ
及びインナーリードを、トランスファモールド法により
樹脂製パッケージによって封止することが行われる。
止型半導体装置を製造するには、ダイパッドに半導体チ
ップを搭載した後、この半導体チップのパッド電極とイ
ンナーリードとの間にワイヤをボンディングして、これ
らリードフレーム、半導体チップ、ボンディングワイヤ
及びインナーリードを、トランスファモールド法により
樹脂製パッケージによって封止することが行われる。
【０００５】このような微細ピッチ化、多ピン化された
リードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造す
る場合のパッケージ技術としては、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｔ（Ｔｈｉｎ）ＱＦＰ、
ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）等が広く採用されている。
リードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造す
る場合のパッケージ技術としては、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｔ（Ｔｈｉｎ）ＱＦＰ、
ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）等が広く採用されている。
【０００６】ここで、前記のようなリードフレームに半
導体チップを搭載する場合、半導体チップの位置決めを
容易にするために、ダイパッド吊りリードの途中部分に
プレス加工等によって折曲部を設けて、他の部分よりダ
イパッドを低い位置に支持するようにした形状のリード
フレームが知られている。例えば日経ＢＰ社発行、「日
経マイクロデバイス」、１９９０年６月号、Ｐ５３に
は、そのような形状のリードフレームを用いて製造され
た樹脂封止型半導体装置が図示されている。
導体チップを搭載する場合、半導体チップの位置決めを
容易にするために、ダイパッド吊りリードの途中部分に
プレス加工等によって折曲部を設けて、他の部分よりダ
イパッドを低い位置に支持するようにした形状のリード
フレームが知られている。例えば日経ＢＰ社発行、「日
経マイクロデバイス」、１９９０年６月号、Ｐ５３に
は、そのような形状のリードフレームを用いて製造され
た樹脂封止型半導体装置が図示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記のように途中部分
に折曲部が設けられたダイパッド吊りリードを有するリ
ードフレームを用いる場合は、ダイパッドの高さ位置に
ばらつきが生ずるという問題がある。
に折曲部が設けられたダイパッド吊りリードを有するリ
ードフレームを用いる場合は、ダイパッドの高さ位置に
ばらつきが生ずるという問題がある。
【０００８】すなわち、ダイパッドの位置を低くするた
めにダイパッド吊りリードの途中部分に折曲部を設ける
際、ダイパッド吊りリードに変形、反り等が発生して、
このダイパッド吊りリードの高さ位置（ロケーション）
にばらつきが生ずるので、結果的にダイパッドの高さ位
置をばらつかせるようになる。このため、最悪の場合
は、ダイパッドへの半導体チップの搭載（チップボンデ
ィング）が不可能になる。
めにダイパッド吊りリードの途中部分に折曲部を設ける
際、ダイパッド吊りリードに変形、反り等が発生して、
このダイパッド吊りリードの高さ位置（ロケーション）
にばらつきが生ずるので、結果的にダイパッドの高さ位
置をばらつかせるようになる。このため、最悪の場合
は、ダイパッドへの半導体チップの搭載（チップボンデ
ィング）が不可能になる。
【０００９】このような問題は、リードフレームの標準
化のために、ダイパッドの面積をこれに搭載すべき半導
体チップの面積よりも小さく形成したリードフレームに
おいても同様に生じ、この場合はダイパッド吊りリード
が長くなることにより、このリードの強度が弱くなるの
で、その傾向は大きくなる。
化のために、ダイパッドの面積をこれに搭載すべき半導
体チップの面積よりも小さく形成したリードフレームに
おいても同様に生じ、この場合はダイパッド吊りリード
が長くなることにより、このリードの強度が弱くなるの
で、その傾向は大きくなる。
【００１０】また、このように微細ピッチで多ピン化さ
れたリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製
造する場合には、ダイパッドの高さ位置がばらつくこと
によって、樹脂封止時に未充填不良が発生し易いという
問題がある。
れたリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製
造する場合には、ダイパッドの高さ位置がばらつくこと
によって、樹脂封止時に未充填不良が発生し易いという
問題がある。
【００１１】すなわち、ダイパッドの高さ位置がばらつ
くと、半導体チップを搭載した後に樹脂封止を行うと
き、ダイパッドの上方側あるいは下方側で完全に樹脂が
充填されない部分が生じるようになる。このため、半導
体チップあるいはダイパッドの一部がパッケージから露
出するようになる。
くと、半導体チップを搭載した後に樹脂封止を行うと
き、ダイパッドの上方側あるいは下方側で完全に樹脂が
充填されない部分が生じるようになる。このため、半導
体チップあるいはダイパッドの一部がパッケージから露
出するようになる。
【００１２】このような問題は、最近特に要望の強くな
っている薄型化パッケージにおいて多く発生しており、
有効な解決策が望まれている。
っている薄型化パッケージにおいて多く発生しており、
有効な解決策が望まれている。
【００１３】
【００１４】本発明の目的は、ダイパッドの高さ位置の
ばらつきを低減することによって、リードフレームを用
いて製造する場合、樹脂封止時に発生し易い未充填不良
を防止するようにした樹脂封止型半導体装置を提供する
ことにある。
ばらつきを低減することによって、リードフレームを用
いて製造する場合、樹脂封止時に発生し易い未充填不良
を防止するようにした樹脂封止型半導体装置を提供する
ことにある。
【００１５】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。
【００１７】半導体チップと、該半導体チップを搭載す
るダイパッドと、該ダイパッドを支持し、折曲部を有す
る複数の吊りリードと、一部が樹脂封止される複数のリ
ードとを有する半導体装置であって、前記ダイパッドは
前記リードの樹脂封止される部分とは異なる高さ位置に
支持され、前記吊りリードの折曲部は第１折曲げ部分と
該第１折曲げ部分から連続する中間部分と該中間部分か
ら連続する第２折曲げ部分とから構成されており、前記
第１折曲げ部分、中間部分及び第２折曲げ部分の幅は、
前記ダイパッドに隣接する前記吊りリードの部分の幅よ
りも狭い構成、または、半導体チップと、該半導体チッ
プを搭載するダイパッドと、該ダイパッドを支持し、折
曲部を有する複数の吊りリードと、一部が樹脂封止され
る複数のリードとを有する半導体装置であって、前記ダ
イパッドは前記リードの樹脂封止される部分とは異なる
高さ位置に支持され、前記吊りリードの折曲部は第１折
曲げ部分と該第１折曲げ部分から連続する中間部分と該
中間部分から連続する第２折曲げ部分とから構成されて
おり、前記第１折曲げ部分、中間部分及び第２折曲げ部
分の幅は、前記ダイパッドに隣接する前記吊りリードの
部分の幅よりも狭く、前記ダイパッドの面積は前記半導
体チップの面積よりも小さい構成、または、樹脂封止さ
れる半導体チップと、該半導体チップを搭載する第１の
部材と、該第１の部材に結合される第２の部材と、該第
１の部材に結合される前記第２の部材とは異なる第３の
部材と、前記半導体チップと電気的に接続され、一部を
樹脂封止される第４の部材とを有する半導体装置であっ
て、前記第２の部材は第１の幅を有する部分と該第１の
幅より狭い第２の幅を有する部分とを備え、前記第１の
幅を有する部分は前記第１の部材に結合され、前記第２
の幅を有する部分には第１折曲げ部分と該第１折曲げ部
分から連続する中間部分と該中間部分から連続する第２
折曲げ部分とが設けられており、前記第１の部材は前記
第４の部材の樹脂封止される部分が属する平面とは異な
る平面に属する構成となっている。
るダイパッドと、該ダイパッドを支持し、折曲部を有す
る複数の吊りリードと、一部が樹脂封止される複数のリ
ードとを有する半導体装置であって、前記ダイパッドは
前記リードの樹脂封止される部分とは異なる高さ位置に
支持され、前記吊りリードの折曲部は第１折曲げ部分と
該第１折曲げ部分から連続する中間部分と該中間部分か
ら連続する第２折曲げ部分とから構成されており、前記
第１折曲げ部分、中間部分及び第２折曲げ部分の幅は、
前記ダイパッドに隣接する前記吊りリードの部分の幅よ
りも狭い構成、または、半導体チップと、該半導体チッ
プを搭載するダイパッドと、該ダイパッドを支持し、折
曲部を有する複数の吊りリードと、一部が樹脂封止され
る複数のリードとを有する半導体装置であって、前記ダ
イパッドは前記リードの樹脂封止される部分とは異なる
高さ位置に支持され、前記吊りリードの折曲部は第１折
曲げ部分と該第１折曲げ部分から連続する中間部分と該
中間部分から連続する第２折曲げ部分とから構成されて
おり、前記第１折曲げ部分、中間部分及び第２折曲げ部
分の幅は、前記ダイパッドに隣接する前記吊りリードの
部分の幅よりも狭く、前記ダイパッドの面積は前記半導
体チップの面積よりも小さい構成、または、樹脂封止さ
れる半導体チップと、該半導体チップを搭載する第１の
部材と、該第１の部材に結合される第２の部材と、該第
１の部材に結合される前記第２の部材とは異なる第３の
部材と、前記半導体チップと電気的に接続され、一部を
樹脂封止される第４の部材とを有する半導体装置であっ
て、前記第２の部材は第１の幅を有する部分と該第１の
幅より狭い第２の幅を有する部分とを備え、前記第１の
幅を有する部分は前記第１の部材に結合され、前記第２
の幅を有する部分には第１折曲げ部分と該第１折曲げ部
分から連続する中間部分と該中間部分から連続する第２
折曲げ部分とが設けられており、前記第１の部材は前記
第４の部材の樹脂封止される部分が属する平面とは異な
る平面に属する構成となっている。
【００１８】複数のリードと、途中部分に他の部分より
も狭い幅の折曲部を有する複数の吊りリードと、前記リ
ードとは異なる高さ位置に前記吊りリードで支持される
ダイパッドとを有するリードフレームの該ダイパッドに
半導体チップを搭載する第１の工程と、該第１の工程後
に前記半導体チップを搭載した前記リードフレームの一
部を樹脂封止する第２の工程とを有する構成、また、複
数のリードと、途中部分に他の部分よりも狭い幅の第１
折曲げ部分と該第１折曲げ部分から連続する中間部分と
該中間部分から連続する第２折曲げ部分とから構成され
る折曲部を有する複数の吊りリードと、前記リードとは
異なる高さ位置に前記吊りリードで支持されるダイパッ
ドとを有するリードフレームの該ダイパッドに半導体チ
ップを搭載する第１の工程と、該第１の工程後に前記半
導体チップを搭載した前記リードフレームの一部を樹脂
封止する第２の工程とを有する加工方法によって加工さ
れたリードフレームである構成となっている。
も狭い幅の折曲部を有する複数の吊りリードと、前記リ
ードとは異なる高さ位置に前記吊りリードで支持される
ダイパッドとを有するリードフレームの該ダイパッドに
半導体チップを搭載する第１の工程と、該第１の工程後
に前記半導体チップを搭載した前記リードフレームの一
部を樹脂封止する第２の工程とを有する構成、また、複
数のリードと、途中部分に他の部分よりも狭い幅の第１
折曲げ部分と該第１折曲げ部分から連続する中間部分と
該中間部分から連続する第２折曲げ部分とから構成され
る折曲部を有する複数の吊りリードと、前記リードとは
異なる高さ位置に前記吊りリードで支持されるダイパッ
ドとを有するリードフレームの該ダイパッドに半導体チ
ップを搭載する第１の工程と、該第１の工程後に前記半
導体チップを搭載した前記リードフレームの一部を樹脂
封止する第２の工程とを有する加工方法によって加工さ
れたリードフレームである構成となっている。
【００１９】半導体チップと、該半導体チップを搭載す
るダイパッドと、該ダイパッドを支持し、折曲部を有す
る複数の吊りリードと、一部が樹脂封止される複数のリ
ードとを有する半導体装置であって、前記ダイパッドは
前記リードの樹脂封止される部分とは異なる高さ位置に
支持され、前記吊りリードの折曲部は第１折曲げ部分と
該第１折曲げ部分から連続する中間部分と該中間部分か
ら連続する第２折曲げ部分とから構成されており、前記
第１折曲げ部分、中間部分及び第２折曲げ部分の幅は、
前記ダイパッドに隣接する前記吊りリードの部分の幅よ
りも狭い構成、または、半導体チップと、該半導体チッ
プを搭載するダイパッドと、該ダイパッドを支持し、途
中に折曲部を有する複数の吊りリードと、一部が樹脂封
止される複数のリードとを有する半導体装置であって、
前記ダイパッドは前記リードの樹脂封止される部分とは
異なる高さ位置に支持され、前記折曲部は第１折曲げ部
分と該第１折曲げ部分から連続する中間部分と該中間部
分から連続する第２折曲げ部分とから構成されており、
前記第１折曲げ部分、中間部分及び第２折曲げ部分の幅
は、前記吊りリードの他の部分の幅よりも狭い構成とな
っている。
るダイパッドと、該ダイパッドを支持し、折曲部を有す
る複数の吊りリードと、一部が樹脂封止される複数のリ
ードとを有する半導体装置であって、前記ダイパッドは
前記リードの樹脂封止される部分とは異なる高さ位置に
支持され、前記吊りリードの折曲部は第１折曲げ部分と
該第１折曲げ部分から連続する中間部分と該中間部分か
ら連続する第２折曲げ部分とから構成されており、前記
第１折曲げ部分、中間部分及び第２折曲げ部分の幅は、
前記ダイパッドに隣接する前記吊りリードの部分の幅よ
りも狭い構成、または、半導体チップと、該半導体チッ
プを搭載するダイパッドと、該ダイパッドを支持し、途
中に折曲部を有する複数の吊りリードと、一部が樹脂封
止される複数のリードとを有する半導体装置であって、
前記ダイパッドは前記リードの樹脂封止される部分とは
異なる高さ位置に支持され、前記折曲部は第１折曲げ部
分と該第１折曲げ部分から連続する中間部分と該中間部
分から連続する第２折曲げ部分とから構成されており、
前記第１折曲げ部分、中間部分及び第２折曲げ部分の幅
は、前記吊りリードの他の部分の幅よりも狭い構成とな
っている。
【００２０】
【作用】上述した手段によれば、折曲部はダイパッド吊
りリードの前記他の部分より狭い幅の部分に設けられて
いるので、前記他の部分で曲げる場合に比べて、折曲部
の第１折曲げ部分及び第２折曲げ部分が曲がりやすく、
所望の位置にダイパッドを支持する場合にも折曲部の特
に中間部分が十分に延び、ダイパッド吊りリードの高さ
位置のばらつきが低減される。さらに、折曲部の幅が狭
くなっているので、折り曲げの際に生じるダイパッド吊
りリードの変形、反り等の原因となる歪みをも吸収する
ことができる。したがって、ダイパッド吊りリードには
ほとんど変形、反り等が発生しないため、ダイパッド吊
りリードの高さ位置のばらつきが低減され、結果として
ダイパッドの高さ位置のばらつきを低減することができ
る。これによって、リードフレームを用いて製造する場
合、樹脂封止時に発生し易い未充填不良を防止すること
ができる。
りリードの前記他の部分より狭い幅の部分に設けられて
いるので、前記他の部分で曲げる場合に比べて、折曲部
の第１折曲げ部分及び第２折曲げ部分が曲がりやすく、
所望の位置にダイパッドを支持する場合にも折曲部の特
に中間部分が十分に延び、ダイパッド吊りリードの高さ
位置のばらつきが低減される。さらに、折曲部の幅が狭
くなっているので、折り曲げの際に生じるダイパッド吊
りリードの変形、反り等の原因となる歪みをも吸収する
ことができる。したがって、ダイパッド吊りリードには
ほとんど変形、反り等が発生しないため、ダイパッド吊
りリードの高さ位置のばらつきが低減され、結果として
ダイパッドの高さ位置のばらつきを低減することができ
る。これによって、リードフレームを用いて製造する場
合、樹脂封止時に発生し易い未充填不良を防止すること
ができる。
【００２１】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００２２】（実施例１）図１は本発明の実施例１によ
るリードフレームを示す上面図で、図２は図１のＡ−Ａ
断面図である。リードフレーム１は、例えばＦｅ−Ｎｉ
合金材料からなる方形状のダイパッド２が、この四方を
ダイパッド吊りリード３を介して図示しないフレーム本
体に支持されている。ダイパッド２の周囲には多数のイ
ンナーリード５が配置されており、これらインナリード
５の端部にはアウターリードが接続されている。これら
インナーリード５及びアウターリードはダイパッド２及
びダイパッド吊りリード３と一体化されて形成されてい
る。
るリードフレームを示す上面図で、図２は図１のＡ−Ａ
断面図である。リードフレーム１は、例えばＦｅ−Ｎｉ
合金材料からなる方形状のダイパッド２が、この四方を
ダイパッド吊りリード３を介して図示しないフレーム本
体に支持されている。ダイパッド２の周囲には多数のイ
ンナーリード５が配置されており、これらインナリード
５の端部にはアウターリードが接続されている。これら
インナーリード５及びアウターリードはダイパッド２及
びダイパッド吊りリード３と一体化されて形成されてい
る。
【００２３】ダイパッド２に結合されている各ダイパッ
ド吊りリード３の途中部分３Ａには折曲部６が設けら
れ、折曲部６は、図１及び図２に示されているように、
第１折曲げ部分と該第１折曲げ部分から連続する中間部
分と該中間部分から連続する第２折曲げ部分とから構成
され、前記中間部分を下方に傾斜させることによってダ
イパッド２はダイパッド吊りリード３の他の部分３Ｂよ
り低い位置に支持されている。また、折曲部６は、特に
ダイパッド吊りリード３の他の部分３Ｂ及びダイパッド
２に隣接する部分３Ｃよりも狭い幅Ｗに形成された細幅
部７に設けられている。
ド吊りリード３の途中部分３Ａには折曲部６が設けら
れ、折曲部６は、図１及び図２に示されているように、
第１折曲げ部分と該第１折曲げ部分から連続する中間部
分と該中間部分から連続する第２折曲げ部分とから構成
され、前記中間部分を下方に傾斜させることによってダ
イパッド２はダイパッド吊りリード３の他の部分３Ｂよ
り低い位置に支持されている。また、折曲部６は、特に
ダイパッド吊りリード３の他の部分３Ｂ及びダイパッド
２に隣接する部分３Ｃよりも狭い幅Ｗに形成された細幅
部７に設けられている。
【００２４】このようなリードフレーム１は、次のよう
な方法で製造される。
な方法で製造される。
【００２５】まず、図３に示すように、予め例えばＦｅ
−Ｎｉ合金材料からなる板状部材を用いて、プレス法、
エッチング法等の任意の加工手段によって、所望のパタ
ーンを有するリードフレーム１を形成する。すなわち、
方形状のダイパッド２がこの四方をダイパッド吊りリー
ド３を介して図示しないフレーム本体に支持され、かつ
ダイパッド２の周囲に多数のインナーリード５が配置さ
れた形状のリードフレーム１を形成する。
−Ｎｉ合金材料からなる板状部材を用いて、プレス法、
エッチング法等の任意の加工手段によって、所望のパタ
ーンを有するリードフレーム１を形成する。すなわち、
方形状のダイパッド２がこの四方をダイパッド吊りリー
ド３を介して図示しないフレーム本体に支持され、かつ
ダイパッド２の周囲に多数のインナーリード５が配置さ
れた形状のリードフレーム１を形成する。
【００２６】次に、図４に示すように、各ダイパッド吊
りリード３の途中部分３Ａに、他の部分３Ｂ及びダイパ
ッド２に隣接する部分３Ｃよりも狭い幅Ｗの細幅部７
を、プレス法、エッチング法等の任意の加工手段によっ
て形成する。図６は図４のＡ−Ａ断面図を示している。
あるいは、この細幅部７の形成は、図３の工程と同時に
行うようにしても良い。
りリード３の途中部分３Ａに、他の部分３Ｂ及びダイパ
ッド２に隣接する部分３Ｃよりも狭い幅Ｗの細幅部７
を、プレス法、エッチング法等の任意の加工手段によっ
て形成する。図６は図４のＡ−Ａ断面図を示している。
あるいは、この細幅部７の形成は、図３の工程と同時に
行うようにしても良い。
【００２７】続いて、図５に示すように、各ダイパッド
吊りリード３の途中位置３Ａに形成された細幅部７に、
プレス法等の加工手段によって、いわゆるディプレス加
工を施して折曲部６を形成する。これによって、ダイパ
ッド２はダイパッド吊りリード３の他の位置３Ｂよりも
低い位置に支持される。折曲部６はダイパッド吊りリー
ド２の特に細幅部７を加工することにより形成するの
で、加工時にダイパッド吊りリード３にほとんど変形、
反り等を発生させることなく形成することができる。図
７は図５のＡ−Ａ断面図を示している。
吊りリード３の途中位置３Ａに形成された細幅部７に、
プレス法等の加工手段によって、いわゆるディプレス加
工を施して折曲部６を形成する。これによって、ダイパ
ッド２はダイパッド吊りリード３の他の位置３Ｂよりも
低い位置に支持される。折曲部６はダイパッド吊りリー
ド２の特に細幅部７を加工することにより形成するの
で、加工時にダイパッド吊りリード３にほとんど変形、
反り等を発生させることなく形成することができる。図
７は図５のＡ−Ａ断面図を示している。
【００２８】このような実施例１のリードフレームによ
れば、次のような効果が得られる。
れば、次のような効果が得られる。
【００２９】ダイパッド２をダイパッド吊りリード３の
他の位置３Ｂよりも低い位置に支持する折曲部６は、特
にダイパッド吊りリード３の他の部分３Ｂ及びダイパッ
ド２に隣接する部分３Ｃよりも狭い幅Ｗの細幅部７に設
けられるので、加工時にダイパッド吊りリード３にはほ
とんど変形、反り等が発生しないため、ダイパッド２の
高さ位置のばらつきを低減することができる。これによ
り、ダイパッド２への半導体チップの搭載（チップボン
ディング）が不可能になるような事態は生じない。
他の位置３Ｂよりも低い位置に支持する折曲部６は、特
にダイパッド吊りリード３の他の部分３Ｂ及びダイパッ
ド２に隣接する部分３Ｃよりも狭い幅Ｗの細幅部７に設
けられるので、加工時にダイパッド吊りリード３にはほ
とんど変形、反り等が発生しないため、ダイパッド２の
高さ位置のばらつきを低減することができる。これによ
り、ダイパッド２への半導体チップの搭載（チップボン
ディング）が不可能になるような事態は生じない。
【００３０】（実施例２）図８は本発明の実施例２によ
る樹脂封止型半導体装置を示す上面図で、図９は図８の
Ａ−Ａ断面図、図１０は図８のＢ−Ｂ断面図である。樹
脂封止型半導体装置８は、実施例１により得られたリー
ドフレーム１を用いて、ダイパッド２に搭載された半導
体チップ９と、この半導体チップ９のパッド電極１０と
インナーリード５との間を電気的に接続するボンディン
グワイヤ１１と、リードフレーム１、半導体チップ９、
ボンディングワイヤ１１及びインナーリード５を封止し
た樹脂製パッケージ１２とを有している。なお、図８に
おいては、説明をわかり易くするために樹脂製パッケー
ジ１２を取り除いた構造で示している。
る樹脂封止型半導体装置を示す上面図で、図９は図８の
Ａ−Ａ断面図、図１０は図８のＢ−Ｂ断面図である。樹
脂封止型半導体装置８は、実施例１により得られたリー
ドフレーム１を用いて、ダイパッド２に搭載された半導
体チップ９と、この半導体チップ９のパッド電極１０と
インナーリード５との間を電気的に接続するボンディン
グワイヤ１１と、リードフレーム１、半導体チップ９、
ボンディングワイヤ１１及びインナーリード５を封止し
た樹脂製パッケージ１２とを有している。なお、図８に
おいては、説明をわかり易くするために樹脂製パッケー
ジ１２を取り除いた構造で示している。
【００３１】次に、実施例２による樹脂封止型半導体装
置の製造方法を工程順に説明する。
置の製造方法を工程順に説明する。
【００３２】まず、図１１（ａ）に示すように、実施例
１により得られた、途中部分３Ａに他の部分３Ｂよりダ
イパッド２を低い位置に支持し、かつ前記他の部分３Ｂ
及びダイパッド２に隣接する部分３Ｃより狭い幅Ｗの部
分に設けられた折曲部６を有するダイパッド吊りリード
３を介してダイパッド２が支持されたリードフレーム１
を用意する。
１により得られた、途中部分３Ａに他の部分３Ｂよりダ
イパッド２を低い位置に支持し、かつ前記他の部分３Ｂ
及びダイパッド２に隣接する部分３Ｃより狭い幅Ｗの部
分に設けられた折曲部６を有するダイパッド吊りリード
３を介してダイパッド２が支持されたリードフレーム１
を用意する。
【００３３】次に、図１１（ｂ）に示すように、ダイパ
ッド２上にＡｕ−Ｓｉ共晶合金、Ａｇペースト等のろう
材を介して、半導体チップ９を搭載（チップボンディン
グ）する。
ッド２上にＡｕ−Ｓｉ共晶合金、Ａｇペースト等のろう
材を介して、半導体チップ９を搭載（チップボンディン
グ）する。
【００３４】続いて、図１１（ｃ）に示すように、半導
体チップ９のパッド電極１０とインナーリード５との間
にＡｕ線のようなワイヤ１１をボンディングする。この
ワイヤボンディングは周知のように行い、複数のパッド
電極１０とインナーリード５との間を、キャピラリー１
３を往復させて、対応するもの同士を接続する。
体チップ９のパッド電極１０とインナーリード５との間
にＡｕ線のようなワイヤ１１をボンディングする。この
ワイヤボンディングは周知のように行い、複数のパッド
電極１０とインナーリード５との間を、キャピラリー１
３を往復させて、対応するもの同士を接続する。
【００３５】次に、図１１（ｄ）に示すように、半導体
チップ９、ボンディングワイヤ１１及びインナーリード
５を含むリードフレーム１を、トランスファモールド装
置の上型１４と下型間に挟持して、ゲート１６から矢印
のように流体状の樹脂を供給する。これによって、上型
１４と下型１５間の空間内には樹脂が充填されるので、
図８に示すように樹脂製パッケージ１２で封止された樹
脂封止型半導体装置８が得られる。
チップ９、ボンディングワイヤ１１及びインナーリード
５を含むリードフレーム１を、トランスファモールド装
置の上型１４と下型間に挟持して、ゲート１６から矢印
のように流体状の樹脂を供給する。これによって、上型
１４と下型１５間の空間内には樹脂が充填されるので、
図８に示すように樹脂製パッケージ１２で封止された樹
脂封止型半導体装置８が得られる。
【００３６】このような実施例２の樹脂封止型半導体装
置によれば、次のような効果が得られる。
置によれば、次のような効果が得られる。
【００３７】途中部分３Ａに他の部分３Ｂよりダイパッ
ド２を低い位置に支持し、かつ前記他の部分３Ｂ及びダ
イパッド２に隣接する部分３Ｃより狭い幅Ｗの部分に設
けられた折曲部６を有するダイパッド吊りリード３を介
してダイパッド２が支持されたリードフレーム１を用い
て、このダイパッド２に半導体チップ９を搭載するの
で、ダイパッド２の高さ位置のばらつきが低減されてい
ることにより、リードフレームを用いて製造する場合、
樹脂封止時に発生し易い未充填不良を防止することがで
きる。これにより、ダイパッド２の上方側あるいは下方
側で完全に樹脂が充填されるようになるので、半導体チ
ップ９あるいはダイパッド２の一部がパッケージ１２か
ら露出するようなことはなくなる。従って、薄型化パッ
ケージに適用して有効となる。
ド２を低い位置に支持し、かつ前記他の部分３Ｂ及びダ
イパッド２に隣接する部分３Ｃより狭い幅Ｗの部分に設
けられた折曲部６を有するダイパッド吊りリード３を介
してダイパッド２が支持されたリードフレーム１を用い
て、このダイパッド２に半導体チップ９を搭載するの
で、ダイパッド２の高さ位置のばらつきが低減されてい
ることにより、リードフレームを用いて製造する場合、
樹脂封止時に発生し易い未充填不良を防止することがで
きる。これにより、ダイパッド２の上方側あるいは下方
側で完全に樹脂が充填されるようになるので、半導体チ
ップ９あるいはダイパッド２の一部がパッケージ１２か
ら露出するようなことはなくなる。従って、薄型化パッ
ケージに適用して有効となる。
【００３８】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００３９】例えば、ダイパッドを支持するダイパッド
吊りリードは必ずしもダイパッドの四方に設ける必要は
なく、二方のような任意の方向に設けることができる。
吊りリードは必ずしもダイパッドの四方に設ける必要は
なく、二方のような任意の方向に設けることができる。
【００４０】また、折曲部は各ダイパッド吊りリードに
対して１個に限らず、複数個設けるようにしても良い。
対して１個に限らず、複数個設けるようにしても良い。
【００４１】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるリード
フレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の技術
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではない。本発明は、少なくともダイパッドがダイ
パッド吊りリードによって支持される条件のものには適
用できる。
なされた発明をその背景となった利用分野であるリード
フレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の技術
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではない。本発明は、少なくともダイパッドがダイ
パッド吊りリードによって支持される条件のものには適
用できる。
【００４２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
【００４３】ダイパッドの高さ位置のばらつきを低減す
るようにしたリードフレームを得ることができる。
るようにしたリードフレームを得ることができる。
【００４４】ダイパッドをダイパッド吊りリードを介し
て支持するリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装
置を製造する場合、樹脂封止時に発生し易い未充填不良
を防止することができる。
て支持するリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装
置を製造する場合、樹脂封止時に発生し易い未充填不良
を防止することができる。
【図１】本発明の実施例１によるリードフレームを示す
上面図である。
上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】実施例１によるリードフレームの製造方法の一
工程を示す上面図である。
工程を示す上面図である。
【図４】実施例１によるリードフレームの製造方法の他
の工程を示す上面図である。
の工程を示す上面図である。
【図５】実施例１によるリードフレームの製造方法のそ
の他の工程を示す上面図である。
の他の工程を示す上面図である。
【図６】図４のＡ−Ａ断面図である。
【図７】図５のＡ−Ａ断面図である。
【図８】本発明の実施例２による樹脂封止型半導体装置
を示す上面図である。
を示す上面図である。
【図９】図８のＡ−Ａ断面図である。
【図１０】図８のＢ−Ｂ断面図である。
【図１１】実施例２による樹脂封止型半導体装置の製造
方法を工程順に示すもので、（ａ）乃至（ｄ）は断面図
である。
方法を工程順に示すもので、（ａ）乃至（ｄ）は断面図
である。
１…リードフレーム、２…ダイパッド、３…ダイパッド
吊りリード、３Ａ…ダイパッド吊りリードの途中部分、
３Ｂ…ダイパッド吊りリードの他の部分、３Ｃ…ダイパ
ッド吊りリードのダイパッドに隣接する部分、５…イン
ナーリード、６…折曲部、７…細幅部、８…半導体装
置、９…半導体チップ、１０…パッド電極、１１…ボン
ディングワイヤ、１２…樹脂製パッケージ、１３…キャ
ピラリー、１４…上型、１５…下型、１６…ゲート。
吊りリード、３Ａ…ダイパッド吊りリードの途中部分、
３Ｂ…ダイパッド吊りリードの他の部分、３Ｃ…ダイパ
ッド吊りリードのダイパッドに隣接する部分、５…イン
ナーリード、６…折曲部、７…細幅部、８…半導体装
置、９…半導体チップ、１０…パッド電極、１１…ボン
ディングワイヤ、１２…樹脂製パッケージ、１３…キャ
ピラリー、１４…上型、１５…下型、１６…ゲート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮木 美典 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株式会社日立製作所 半導体事業部内 (56)参考文献 特開 昭62−165347（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−216303（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−168757（ＪＰ，Ａ) 実開 昭54−91063（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (15)
- 【請求項１】 半導体チップと、該半導体チップを搭載
するダイパッドと、該ダイパッドを支持し、折曲部を有
する複数の吊りリードと、一部が樹脂封止される複数の
リードとを有する半導体装置であって、 前記ダイパッドは前記リードの樹脂封止される部分とは
異なる高さ位置に支持され、前記吊りリードの折曲部は
第１折曲げ部分と該第１折曲げ部分から連続する中間部
分と該中間部分から連続する第２折曲げ部分とから構成
されており、前記第１折曲げ部分、中間部分及び第２折
曲げ部分の幅は、前記ダイパッドに隣接する前記吊りリ
ードの部分の幅よりも狭いことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 半導体チップと、該半導体チップを搭載
するダイパッドと、該ダイパッドを支持し、折曲部を有
する複数の吊りリードと、一部が樹脂封止される複数の
リードとを有する半導体装置であって、 前記ダイパッドは前記リードの樹脂封止される部分とは
異なる高さ位置に支持され、前記吊りリードの折曲部は
第１折曲げ部分と該第１折曲げ部分から連続する中間部
分と該中間部分から連続する第２折曲げ部分とから構成
されており、前記第１折曲げ部分、中間部分及び第２折
曲げ部分の幅は、前記ダイパッドに隣接する前記吊りリ
ードの部分の幅よりも狭く、前記ダイパッドの面積は前
記半導体チップの面積よりも小さいことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項３】 前記複数の吊りリードは前記ダイパッド
を四方から支持していることを特徴とする請求項１又は
請求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記複数の吊りリードは前記ダイパッド
を二方から支持していることを特徴とする請求項１又は
請求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記ダイパッドは露出することなく樹脂
封止されることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何
れか一項に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 樹脂封止される半導体チップと、該半導
体チップを搭載する第１の部材と、該第１の部材に結合
される第２の部材と、該第１の部材に結合される前記第
２の部材とは異なる第３の部材と、前記半導体チップと
電気的に接続され、一部を樹脂封止される第４の部材と
を有する半導体装置であって、 前記第２の部材は第１の幅を有する部分と該第１の幅よ
り狭い第２の幅を有する部分とを備え、前記第１の幅を
有する部分は前記第１の部材に結合され、前記第２の幅
を有する部分には第１折曲げ部分と該第１折曲げ部分か
ら連続する中間部分と該中間部分から連続する第２折曲
げ部分とが設けられており、 前記第１の部材は前記第４の部材の樹脂封止される部分
が属する平面とは異なる平面に属することを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項７】 複数のリードと、途中部分に他の部分よ
りも狭い幅の第１折曲げ部分と該第１折曲げ部分から連
続する中間部分と該中間部分から連続する第２折曲げ部
分とから構成される折曲部を有する複数の吊りリード
と、前記リードとは異なる高さ位置に前記吊りリードで
支持されるダイパッドとを有するリードフレームの該ダ
イパッドに半導体チップを搭載する第１の工程と、 該第１の工程後に前記半導体チップを搭載した前記リー
ドフレームの一部を樹脂封止する第２の工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 複数の吊りリードと、該吊りリードを介
してフレーム本体に支持されるダイパッドと、複数のリ
ードとを有するリードフレームの前記吊りリードの途中
部分に他の部分よりも狭い幅の細幅部を形成する工程
と、 前記ダイパッドを前記リードとは異なる高さ位置に支持
されるように前記細幅部を加工する工程とを有する加工
方法によって加工されたリードフレームであることを特
徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 半導体チップと、該半導体チップを搭載
するダイパッドと、該ダイパッドを支持し、折曲部を有
する複数の吊りリードと、一部が樹脂封止される複数の
リードとを有する半導体装置であって、 前記ダイパッドは前記リードの樹脂封止される部分とは
異なる高さ位置に支持され、前記折曲部は第１折曲げ部
分と該第１折曲げ部分から連続する中間部分と該中間部
分から連続する第２折曲げ部分とから構成されており、
前記第１折曲げ部分、中間部分及び第２折曲げ部分の幅
は、前記ダイパッドに搭載される前記半導体チップに隣
接する前記吊りリードの部分の幅よりも狭いことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項１０】 半導体チップと、該半導体チップを搭
載するダイパッドと、該ダイパッドを支持し、途中に折
曲部を有する複数の吊りリードと、一部が樹脂封止され
る複数のリードとを有する半導体装置であって、 前記ダイパッドは前記リードの樹脂封止される部分とは
異なる高さ位置に支持され、前記折曲部は第１折曲げ部
分と該第１折曲げ部分から連続する中間部分と該中間部
分から連続する第２折曲げ部分とから構成されており、
前記第１折曲げ部分、中間部分及び第２折曲げ部分の幅
は、前記吊りリードの他の部分の幅よりも狭いことを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項１１】 前記ダイパッドの面積は前記半導体チ
ップの面積よりも小さいことを特徴とする請求項９又は
請求項１０に記載の半導体装置。 - 【請求項１２】 前記複数の吊りリードは前記ダイパッ
ドを四方から支持していることを特徴とする請求項９乃
至請求項１１の何れか一項に記載の半導体装置。 - 【請求項１３】 前記複数の吊りリードは前記ダイパッ
ドを二方から支持していることを特徴とする請求項９乃
至請求項１１の何れか一項に記載の半導体装置。 - 【請求項１４】 前記ダイパッドは露出することなく樹
脂封止されることを特徴とする請求項９乃至請求項１３
の何れか一項に記載の半導体装置。 - 【請求項１５】 前記複数の吊りリードは４本であるこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項５並びに請求項９乃
至請求項１４の何れか一項に記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09334795A JP3195515B2 (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2000113392A JP3745190B2 (ja) | 1995-04-19 | 2000-04-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09334795A JP3195515B2 (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | 半導体装置及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288449A JPH08288449A (ja) | 1996-11-01 |
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ID=14079748
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|---|---|---|---|
| JP09334795A Expired - Lifetime JP3195515B2 (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | 半導体装置及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1995
- 1995-04-19 JP JP09334795A patent/JP3195515B2/ja not_active Expired - Lifetime
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2000
- 2000-04-14 JP JP2000113392A patent/JP3745190B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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