JPH08148634A - リードフレームならびにそれを用いた半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

リードフレームならびにそれを用いた半導体装置およびその製造方法

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JPH08148634A JP6286379A JP28637994A JPH08148634A JP H08148634 A JPH08148634 A JP H08148634A JP 6286379 A JP6286379 A JP 6286379A JP 28637994 A JP28637994 A JP 28637994A JP H08148634 A JPH08148634 A JP H08148634A
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lead frame
wire
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tab
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卓 菊池
Masakatsu Goto
正克 後藤
Eiji Yamaguchi
栄次 山口
Hiroyuki Hozoji
裕之 宝蔵寺
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Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ボンディングワイヤの変形および接触事故が
防止できるリードフレームならびにそれを用いた半導体
装置およびその製造方法を提供する。 【構成】 半導体素子が形成されているチップが搭載さ
れるタブ２を有し、複数のリード５におけるインナリー
ド５ｂはアウタリード５ａと同じ平面の位置にある第１
のワイヤボンディング部５ｃと第１のワイヤボンディン
グ部５ｃよりも低い位置にある第２のワイヤボンディン
グ部５ｄとを備えており、インナリード５ｂの先端部の
裏面はタブ２の裏面に固着されている絶縁体３と固着さ
れ、リードフレームとする。また、前述したリードフレ
ーム１を用いた半導体装置およびその製造方法とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームならび
にそれを用いた半導体装置およびその製造技術に関し、
特に、微細ピッチおよび多ピン化されたリードフレーム
であっても隣接するボンディングワイヤの接触を防止で
きるリードフレームおよびそれを用いた半導体装置に適
用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体集積回路装置などの半導体
装置は、電子機器またはそれを用いたシステムの小型
化、高性能化、高集積化および多機能化に伴い、微細ピ
ッチ化および多ピン化の傾向にある。これらに対応する
パッケージ技術としては、例えばＱＦＰ（Quad Flat Pa
ckage)と呼ばれる樹脂封止型のパッケージが用いられて
いる。
【０００３】この種の半導体装置のリードフレームの中
央部のタブには例えば半導体集積回路などの半導体素子
が形成されているチップが搭載されている。そして、チ
ップの表面の接続電極とリードフレームのインナリード
がボンディングワイヤによりワイヤボンディングされ、
樹脂封止体により封止されている。
【０００４】なお、樹脂封止用のリードフレームについ
て記載されている文献としては、例えば特開昭５５−２
１１２８号公報に記載されているものがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体装置
の多ピン化および微細ピッチ化に伴い、ボンディングワ
イヤの変形および隣接するボンディングワイヤが接触す
るという問題点があることを本発明者は見い出した。
【０００６】すなわち、半導体装置の多ピン化および微
細ピッチ化に伴い、微細加工された多数のインナリード
を有するリードフレームを用いた半導体装置の製造工程
における封止用の樹脂を用いた樹脂封止工程において、
樹脂の流れに起因してボンディングワイヤの変形および
隣接するボンディングワイヤの接触事故が発生するとい
う問題点がある。
【０００７】また、半導体装置の多ピン化および微細ピ
ッチ化に伴い、微細加工された多数のインナリードを有
するリードフレームを用いた半導体装置の製造工程にお
ける封止用の樹脂を用いた樹脂封止工程において、微細
加工されたインナリードの変位およびタブの変位に起因
してボンディングワイヤの変形および隣接するボンディ
ングワイヤの接触事故が発生するという問題点がある。
【０００８】本発明の一つの目的は、ボンディングワイ
ヤの変形および接触事故が防止できるリードフレームを
提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、ボンディングワイヤ
の変形および接触事故が防止できるリードフレームを用
いた高信頼度の半導体装置を提供することにある。
【００１０】本発明のさらに他の目的は、ボンディング
ワイヤの変形および接触事故が防止できるリードフレー
ムを用いた簡単な製造工程からなる半導体装置の製造方
法を提供することにある。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明において開示され
る発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、以下
の通りである。
【００１３】（１）本発明のリードフレームは、アウタ
リードとインナリードとからなっている複数のリードが
フレームの内部に向かって配設されており、リードにお
けるインナリードはアウタリードと同じ平面の位置にあ
る第１のワイヤボンディング部と第１のワイヤボンディ
ング部よりも低い位置にある第２のワイヤボンディング
部とを備えているものとする。
【００１４】（２）本発明の半導体装置の製造方法は、
前項（１）に記載したリードフレームを用い、そのリー
ドフレームにおけるタブの上に半導体素子が形成されて
いるチップを搭載し、タブの上にチップを固着する工程
と、ワイヤボンディング装置を使用して、チップの表面
の接続電極とリードフレームのインナリードにおける第
１のワイヤボンディング部とを第１のボンディングワイ
ヤにより接続する工程と、ワイヤボンディング装置を使
用して、前記チップの表面の前記接続電極と隣接する接
続電極と前記リードフレームのインナリードに隣接する
インナリードにおける第２のワイヤボンディング部とを
第２のボンディングワイヤにより接続する工程と、樹脂
封止装置を使用して、成形金型にリードフレームをセッ
トして、封止用の樹脂を成形金型におけるキャビティ部
に圧入して樹脂封止体を形成し、少なくともチップおよ
びインナリードをパッケージングする工程とを有するも
のとする。
【００１５】
【作用】
（１）前記した本発明のリードフレームによれば、リー
ドにおけるインナリードはアウタリードと同じ平面の位
置にある第１のワイヤボンディング部と第１のワイヤボ
ンディング部よりも低い位置にある第２のワイヤボンデ
ィング部とを備えていることにより、第１のワイヤボン
ディング部に接続された第１のボンディングワイヤと第
２のワイヤボンディング部に接続された第２のボンディ
ングワイヤとの間の距離が従来のものに比較して大きく
なるので、例えば樹脂封止工程などの半導体装置の製造
工程において第１のボンディングワイヤおよび第２のボ
ンディングワイヤの変形が少なくなると共に隣接する第
１のボンディングワイヤと第２のボンディングワイヤと
の接触事故を防止することができる。
【００１６】また、前述した本発明のリードフレームに
よれば、リードの微細加工を行い、リードの本数を多く
すると共にリードの間の距離すなわちピッチを短縮して
もボンディングワイヤの変形が少なくなると共に隣接す
るボンディングワイヤの接触事故を防止することができ
ることにより、微細加工をもってリードの本数を増加で
きると共にリードのピッチを小さくできるので、多数本
の微細なリードを微細なピッチをもって配置している多
ピン化および微細ピッチ化を行ったリードフレームとす
ることができる。
【００１７】（２）前記した本発明の半導体装置の製造
方法によれば、ワイヤボンディング装置を使用して、チ
ップの表面の接続電極と前項（１）に記載したリードフ
レームのインナリードにおける第１のワイヤボンディン
グ部とを第１のボンディングワイヤにより接続する工程
と、ワイヤボンディング装置を使用して、前記チップの
表面の前記接続電極と隣接する接続電極と前記リードフ
レームのインナリードに隣接するインナリードにおける
第２のワイヤボンディング部とを第２のボンディングワ
イヤにより接続する工程と、樹脂封止装置を使用して樹
脂封止体を形成する工程とを有するものであることによ
り、第１のボンディングワイヤと第２のボンディングワ
イヤとの間の距離が従来のものに比較して大きくなるの
で、樹脂封止工程などでの封止用の樹脂の流れによる外
力の影響により第１のボンディングワイヤおよび第２の
ボンディングワイヤの変形が少なくなると共にそれらの
接触事故を防止することができる。
【００１８】また、前記した本発明の半導体装置の製造
方法によれば、第１のボンディングワイヤと第２のボン
ディングワイヤとの間の距離が従来のものに比較して大
きくなり、樹脂封止工程などでの封止用の樹脂の流れに
よる外力の影響により第１のボンディングワイヤおよび
第２のボンディングワイヤの変形が少なくなると共にそ
れらの接触事故を防止することができることにより、微
細加工された多数のインナリードを有するリードフレー
ムを採用できると共に簡単な製造工程により半導体装置
の小型化、高集積化および多機能化ができるので、簡単
な製造工程により多ピン化および微細ピッチ化した半導
体装置を製造できる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。なお、実施例を説明するための全図におい
て同一機能を有するものは同一の符号を付し、重複説明
は省略する。
【００２０】（実施例１）図１は、本発明の一実施例で
あるリードフレームを示す平面図である。図２は、図１
におけるＡ−Ａ矢視断面を示す断面図である。同図を用
いて、本発明のリードフレームについて説明する。
【００２１】本実施例のリードフレーム１は、例えば半
導体集積回路を構成する半導体素子が形成されているチ
ップが搭載されるタブ２を中央部に有する。タブ２の裏
面は、例えばポリイミド樹脂などの耐熱性を有し機械的
強度の高いものからなる絶縁体３に固着されている。
【００２２】また、複数のリード５がフレーム４の内部
に向かって配設されている。なお、図１に示す４ａおよ
び４ｂはリードフレーム１の位置合わせなどに使用され
る孔を示している。
【００２３】リード５は、アウタリード５ａとインナリ
ード５ｂとからなり、リード５におけるアウタリード５
ａとインナリード５ｂの境界部には、リード５と同一の
材料から形成されているダムバー６が複数のリード５の
間を連結している形状になって周設されている。
【００２４】このような形状のダムバー６は、樹脂封止
時に樹脂封止ラインから封止用の樹脂が漏れ出ないよう
に周設されていることにより、ダムバー６により樹脂封
止工程での封止用の樹脂の流出を止めることができる。
【００２５】リード５におけるインナリード５ｂは、図
２に示すように、２段に曲折されており、第１のワイヤ
ボンディング部５ｃと第２のワイヤボンディング部５ｄ
とを備えている。
【００２６】第１のワイヤボンディング部５ｃは、リー
ド５におけるインナリード５ｂの領域に設けられてお
り、その位置はアウタリード５ａと同じ平面の曲折され
ていない位置にある。
【００２７】また、第２のワイヤボンディング部５ｄ
は、リード５におけるインナリード５ｂの領域に設けら
れており、その位置は第１のワイヤボンディング部５ｃ
よりも低い位置となっておりインナリード５ｂの曲折さ
れている位置にある。
【００２８】さらに、インナリード５ｂの先端部の主面
は、タブ２の主面と同じ平面の位置にあり、インナリー
ド５ｂの先端部の裏面は絶縁体３に固着されている。
【００２９】前述したように、本実施例のリードフレー
ム１は、曲折されているインナリード５ｂの異なる高さ
の位置に第１のワイヤボンディング部５ｃと第２のワイ
ヤボンディング部５ｄとを備えているものである。その
結果、第１のワイヤボンディング部５ｃの位置として
は、タブ２の上に搭載されるチップの表面よりも高い位
置に配置することができることにより、ＬＯＣ（Lead O
n Chip）構造に類似したものとすることができるので、
微細加工化されたものでしかも微細ピッチ化されたリー
ド５とすることができる。
【００３０】また、タブ２の上に半導体素子が形成され
ているチップを固着し、チップの表面の接続電極とイン
ナリード５ｂにおける第１のワイヤボンディン部５ｃと
を第１のボンディングワイヤにより接続すると共にチッ
プの表面の前記接続電極と隣接する接続電極と前記イン
ナリード５ｂと隣接するインナリード５ｂにおける第２
のワイヤボンディング部５ｄとを第２のボンディングワ
イヤにより接続することにより、第１のボンディングワ
イヤと第２のボンディングワイヤとの間の距離が従来の
ものに比較して大きくなるので、例えば樹脂封止工程な
どでの外力の影響によりボンディングワイヤの変形が少
なくなると共に隣接するボンディングワイヤの接触事故
を防止することができる。
【００３１】また、本実施例のリードフレーム１は、タ
ブ２およびインナリード５ｂの先端部が絶縁体３に固着
されている。その結果、タブ２およびインナリード５ｂ
の変位に対して絶縁体３により機械的に強度化されてい
るので、例えば樹脂封止工程などでの外力の影響があっ
てもタブ２の変位およびインナリード５ｂの変位を低減
できる。
【００３２】さらに、本実施例のリードフレーム１は、
曲折されているインナリード５ｂの異なる高さの位置に
第１のワイヤボンディング部５ｃと第２のワイヤボンデ
ィング部５ｄとを備えているものであることにより、第
１のボンディングワイヤと第２のボンディングワイヤと
の間の距離が従来のものに比較して大きくなるので、ボ
ンディングワイヤの変形が少なくなると共に隣接するボ
ンディングワイヤの接触事故を防止することができる。
また、本実施例のリードフレーム１は、タブ２およびイ
ンナリード５ｂの先端部が絶縁体３に固着されているこ
とにより、タブ２の変位およびインナリード５ｂの変位
を低減できる。
【００３３】したがって、本実施例のリードフレーム１
は、リード２の微細加工を行い、リードの本数を多くす
ると共にリード２の間の距離すなわちピッチを短縮して
もボンディングワイヤの変形が少なくなると共に隣接す
るボンディングワイヤの接触事故を防止することができ
る。また、タブ２の変位およびインナリード５ｂの変位
を低減できる。
【００３４】その結果、本実施例のリードフレーム１
は、ボンディングワイヤの変形および接触事故が防止で
きるリードフレームとなることにより、微細加工をもっ
てリード５の本数を増加できると共にリード５のピッチ
を小さくできるので、多数本の微細なリード５を微細な
ピッチをもって配置している多ピン化および微細ピッチ
化を行ったリードフレームとすることができる。
【００３５】また、半導体装置の多ピン化および微細ピ
ッチ化に対応して微細加工された多数のインナリードを
有する本実施例のリードフレーム１を半導体装置の製造
工程に適用することにより、封止用の樹脂を用いた樹脂
封止工程において、樹脂の流れに起因してボンディング
ワイヤの変形および隣接するボンディングワイヤの接触
事故が発生するのを防止できる。
【００３６】また、半導体装置の多ピン化および微細ピ
ッチ化に伴い、微細加工された多数のインナリードを有
するリードフレームを用いた半導体装置の製造工程にお
ける封止用の樹脂を用いた樹脂封止工程において、微細
加工されたインナリードの変位およびタブの変位に起因
してボンディングワイヤの変形および隣接するボンディ
ングワイヤの接触事故が発生するのを防止できる。
【００３７】本実施例のリードフレーム１の製造は、例
えば鉄とニッケルとの合金である４２アロイまたは銅な
どの金属からなる金属板にリードフレーム１のパターン
を例えばプレス加工などにより形成する。なお、図１に
示すリードフレーム１は、一つのパターンを示している
ものであるが、２個以上の複数のパターンが連結された
リードフレームの態様とすることもできる。
【００３８】次に、例えばポリイミド樹脂などの耐熱性
を有し機械的強度の高いものからなるシート状の絶縁体
３の中央部にリードフレーム１と同一の材料からなるタ
ブ２を固着させた後、そのシート状の絶縁体３をリード
フレーム１の中央部に配置してインナリード５ｂの先端
部の裏面を固着させることにより、図１および図２に示
すようなリードフレーム１を形成する。
【００３９】本実施例のリードフレーム１を用いた半導
体装置は、多数本の微細なリード５を微細なピッチをも
って配置したリードフレーム１を用いたものであっても
ボンディングワイヤの変形および接触事故が防止できる
ことにより、小型化、高集積化および多機能化ができる
ので、多ピン化および微細ピッチ化したものでしかも不
良発生が防止できる高信頼度の半導体装置とすることが
できる。
【００４０】また、半導体装置の多ピン化および微細ピ
ッチ化に伴い、微細加工された多数のインナリードを有
するリードフレームを用いた半導体装置の製造工程にお
ける封止用の樹脂を用いた樹脂封止工程において、樹脂
の流れに起因してボンディングワイヤの変形および隣接
するボンディングワイヤの接触事故が発生するのを防止
できるので、その製造工程を簡単にすることができる。
【００４１】（実施例２）図３〜図６は、本発明の他の
実施例であるリードフレームを用いた半導体装置の製造
工程を示す図である。図３〜図５は平面図であり、図６
は拡大断面図である。同図を用いて、本発明のリードフ
レームを用いた半導体装置の製造方法について説明す
る。
【００４２】まず、図３に示すように、前述した実施例
１のリードフレーム１を用意し、そのタブ２に例えば半
導体集積回路を構成する半導体素子が形成されているチ
ップ７を搭載して、ペレットボンディングを行いタブ２
にチップ７を固着する。
【００４３】次に、図４に示すように、ワイヤボンディ
ング装置を使用して、チップ７の表面の接続電極（図示
を省略している）とリードフレーム１のインナリード５
ｂとを例えば金線などのボンディングワイヤにより接続
する。
【００４４】この場合、ワイヤボンディング装置を使用
して、チップ７の表面の接続電極とリードフレーム１の
インナリード５ｂにおける第１のワイヤボンディング部
５ｃとを第１のボンディングワイヤ８により接続する。
【００４５】次に、同じワイヤボンディング装置を使用
して、チップ７の表面の前記接続電極と隣接する接続電
極と前記インナリード５ｂに隣接するインナリード５ｂ
における第２のワイヤボンディング部５ｄとを第２のボ
ンディングワイヤ９により接続する。
【００４６】次に、図５に示すように、樹脂封止装置を
使用して、成形金型にワイヤボンディング工程が終了し
たリードフレーム１をセットし、例えば熱硬化性樹脂な
どの封止用の樹脂を加熱した成形金型におけるキャビテ
ィ部に圧入して樹脂封止体１０を形成し、リードフレー
ム１におけるインナリード５ｂ、チップ７、第１のボン
ディングワイヤ８および第２のボンディングワイヤ９な
どをパッケージングする。
【００４７】この場合、ダムバー６は、樹脂封止型半導
体装置のモールド樹脂止め用ダム部として機能し、樹脂
封止工程での封止用の樹脂の流出を防止するために、リ
ード５に周設されているものである。また、ダムバー６
は、リード５の間を力学的に補強していることにより、
リード５の変形および位置ずれを防止する機能を有する
ものである。
【００４８】次に、フレーム４およびダムバー６を切断
して取り除くことにより、図６に示すような樹脂封止さ
れた半導体装置を製作する。なお、図６において、１１
はチップ７をタブ２に固着する際に使用されている例え
ばはんだまたは熱硬化性樹脂などの接合材料からなる接
合材を示している。
【００４９】前述したように本実施例の半導体装置の製
造工程において使用しているリードフレーム１は、曲折
されているインナリード５ｂの異なる高さの位置に第１
のワイヤボンディング部５ｃと第２のワイヤボンディン
グ部５ｄとを備えているものであることにより、第１の
ボンディングワイヤ８と第２のボンディングワイヤ９と
の間の距離が従来のものに比較して大きくなるので、第
１のボンディングワイヤ８および第２のボンディングワ
イヤ９の変形が少なくなると共に隣接する第１のボンデ
ィングワイヤ８と第２のボンディングワイヤ９の接触事
故を防止することができる。
【００５０】また、前述したように本実施例の半導体装
置の製造工程において使用しているリードフレーム１
は、タブ２およびインナリード５ｂの先端部が絶縁体３
に固着されていることにより、タブ２およびインナリー
ド５ｂの変位に対して絶縁体３により機械的に強度化さ
れているので、タブ２の変位およびインナリード５ｂの
変位を低減できる。
【００５１】さらに、前述したように本実施例の半導体
装置の製造工程において使用しているリードフレーム１
は、第１のボンディングワイヤ８および第２のボンディ
ングワイヤ９の変形およびそれらの接触事故が防止でき
るリードフレーム１となることにより、微細加工をもっ
てリード５の本数を増加できると共にリード５のピッチ
を小さくできるので、多数本の微細なリード５を微細な
ピッチをもって配置している多ピン化および微細ピッチ
化を行ったリードフレーム１を採用することができる。
【００５２】すなわち、半導体装置の多ピン化および微
細ピッチ化に伴い、微細加工された多数のインナリード
５ｂを有するリードフレーム１を用いた半導体装置の製
造工程における封止用の樹脂を用いた樹脂封止工程にお
いて、樹脂の流れに起因して第１のボンディングワイヤ
８および第２のボンディングワイヤ９の変形およびそれ
らの隣接する第１のボンディングワイヤ８と第２のボン
ディングワイヤ９の接触事故が発生するのを防止でき
る。
【００５３】また、半導体装置の多ピン化および微細ピ
ッチ化に伴い、微細加工された多数のインナリード５ｂ
を有するリードフレーム１を用いた半導体装置の製造工
程における封止用の樹脂を用いた樹脂封止工程におい
て、微細加工されたインナリード５ｂの変位およびタブ
２の変位に起因して第１のボンディングワイヤ８および
第２のボンディングワイヤ９の変形およびそれらの接触
事故が発生するのを防止できる。
【００５４】本実施例のリードフレーム１を用いた半導
体装置は、多数本の微細なリード５を微細なピッチをも
って配置したリードフレーム１を用いたものであっても
第１のボンディングワイヤ８および第２のボンディング
ワイヤ９の変形およびそれらの接触事故が防止できるこ
とにより、小型化、高集積化および多機能化ができるの
で、多ピン化および微細ピッチ化した半導体装置とする
ことができる。
【００５５】さらに、本実施例の半導体装置の製造工程
は、半導体装置の多ピン化および微細ピッチ化に伴い、
微細加工された多数のインナリード５ｂを有するリード
フレーム１を用いた半導体装置の製造工程とすることが
できる。また、その製造工程における封止用の樹脂を用
いた樹脂封止工程において、樹脂の流れなどに起因して
第１のボンディングワイヤ８および第２のボンディング
ワイヤ９の変形およびそれらの接触事故が発生するのを
防止できるので、簡単でしかも安定した製造工程をもっ
て半導体装置を高い製造歩留まりおよび低コストをもっ
て製造することができる。
【００５６】（実施例３）図７は、本発明の他の実施例
であるリードフレームを示す平面図である。図８は、図
７におけるＢ−Ｂ矢視断面を示す断面図である。
【００５７】本実施例のリードフレーム１２は、タブ２
およびインナリード５ｂの主面に例えばポリイミド樹脂
などの耐熱性を有し機械的強度の高いものからなる絶縁
体３が固着されているものである。それ以外の態様は、
前述した実施例１のリードフレーム１と同様な形態を有
している。
【００５８】本実施例のリードフレーム１２を用いた半
導体装置の製造工程は、リードフレーム１２を用意し、
そのタブ２の上の絶縁体３の表面に例えば半導体集積回
路などの半導体素子が形成されているチップを搭載し
て、ペレットボンディングを行いタブ２にチップを固着
する。なお、絶縁体３としては、ペレットボンディング
工程におけるチップをタブ２に固着する際に使用されて
いる例えば熱硬化性樹脂などの絶縁性の接合材料からな
る接合材を流用してもよい。この場合には、タブ２の上
にチップを搭載し、このチップを固定するのに絶縁性の
接合材を使用して行うと共にこの接合材を用いてインナ
リード５ｂの先端部の主面を接合材により固定する工程
を採用することができる。
【００５９】次に、ワイヤボンディング工程および樹脂
封止工程などを行うが、これらの製造工程は前述した実
施例２の半導体の製造方法と同様なものであるため、説
明を省略する。
【００６０】図９は、本実施例のリードフレーム１２を
用いた半導体装置を示す拡大断面図である。
【００６１】同図に示すように、本実施例の半導体装置
は、タブ２およびインナリード５ｂの主面に例えばポリ
イミド樹脂などの耐熱性を有し機械的強度の高いものか
らなる絶縁体３が固着されているものである。それ以外
の態様は、前述した実施例２の半導体装置と同様な形態
を有している。
【００６２】したがって、本実施例のリードフレーム１
２ならびにそれを用いた半導体装置および半導体装置の
製造方法は、前述した実施例１および実施例２とほぼ同
様なものであることにより、その作用および効果もほぼ
同様なものであるので、説明を省略する。
【００６３】（実施例４）図１０は、本発明の他の実施
例であるリードフレームを示す平面図である。図１１
は、図１０におけるＣ−Ｃ矢視断面を示す断面図であ
る。
【００６４】本実施例のリードフレーム１３は、例えば
半導体集積回路を構成する半導体素子が形成されている
チップが搭載されるタブ２を中央部に有する。タブ２
は、その四辺のコーナー部で四方向のタブ吊りリード１
４によりフレーム４に接続されて保持されている。な
お、図１に示す４ａおよび４ｂはリードフレーム１の位
置合わせなどに使用される孔を示している。
【００６５】また、複数のリード５がフレーム４の内部
に向かって配設されている。
【００６６】リード５は、アウタリード５ａとインナリ
ード５ｂとからなり、リード５におけるアウタリード５
ａとインナリード５ｂの境界部には、リード５と同一の
材料から形成されているダムバー６が複数のリード５の
間を連結している形状になって周設されている。
【００６７】このような形状のダムバー６は、樹脂封止
時に樹脂封止ラインから封止用の樹脂が漏れ出ないよう
に周設されていることにより、ダムバー６により樹脂封
止工程での封止用の樹脂の流出を止めることができる。
【００６８】１本離れのリード５におけるインナリード
５ｂは、そのインナリード５ｂの先端部が隣接するイン
ナリード５ｂに比較して切断された形状となっている。
また、そのインナリード５ｂの先端部は、第１のワイヤ
ボンディング部５ｃとなっている。
【００６９】１本離れのリード５におけるインナリード
５ｂは、図１１に示すように、２段に曲折されており、
その先端部は第２のワイヤボンディング部５ｄとなって
いると共にその領域がワイヤボンディングを容易に行う
ことができるように広域化された四辺形状となってい
る。
【００７０】第１のワイヤボンディング部５ｃは、１本
離れのリード５におけるインナリード５ｂの領域に設け
られており、その位置はアウタリード５ａと同じ平面の
曲折されていない位置にある。
【００７１】また、第２のワイヤボンディング部５ｄ
は、１本離れのリード５におけるインナリード５ｂの領
域に設けられており、その位置は第１のワイヤボンディ
ング部５ｃよりも低い位置となっておりインナリード５
ｂの曲折されている位置にある。
【００７２】前述したように、本実施例のリードフレー
ム１３は、１本離れのインナリード５ｂの異なる高さの
位置に第１のワイヤボンディング部５ｃと第２のワイヤ
ボンディング部５ｄとを備えているものである。その結
果、第１のワイヤボンディング部５ｃの位置としては、
タブ２の上に搭載されるチップの表面よりも高い位置に
配置することができることにより、ＬＯＣ（Lead On Ch
ip）構造に類似したものとすることができるので、微細
加工化されたものでしかも微細ピッチ化されたリード５
とすることができる。
【００７３】また、タブ２の上に半導体素子が形成され
ているチップを固着し、チップの表面の接続電極とイン
ナリード５ｂにおける第１のワイヤボンディン部５ｃと
を第１のボンディングワイヤにより接続すると共にチッ
プの表面の前記接続電極と隣接する接続電極と前記イン
ナリード５ｂと隣接するインナリード５ｂにおける第２
のワイヤボンディング部５ｄとを第２のボンディングワ
イヤにより接続することにより、第１のボンディングワ
イヤと第２のボンディングワイヤとの間の距離が従来の
ものに比較して大きくなるので、例えば樹脂封止工程な
どでの外力の影響によりボンディングワイヤの変形が少
なくなると共に隣接するボンディングワイヤの接触事故
を防止することができる。
【００７４】また、本実施例のリードフレーム１３は、
１本離れのリード５のインナリード５ｂを短くしている
ことにより、その領域のインナリード５ｂの領域に隣接
するインナリード５ｂの先端部を広域化して配置するこ
とができる。また、タブ２は、その四辺のコーナー部で
四方向のタブ吊りリード１４によりフレーム４に接続さ
れて保持されている。
【００７５】その結果、１本離れのリード５のインナリ
ード５ｂは短く、それに隣接するリード５のインナリー
ド５ｂの先端部は広いものであると共にタブ２はタブ吊
りリード１４によりフレーム４に接続されていることに
より、タブ２の変位およびインナリード５ｂの変位に対
して機械的に強度化されているので、例えば樹脂封止工
程などでの外力の影響があってもタブ２の変位およびイ
ンナリード５ｂの変位を低減できる。
【００７６】さらに、本実施例のリードフレーム１３
は、１本離れのインナリード５ｂの異なる高さの位置に
第１のワイヤボンディング部５ｃと第２のワイヤボンデ
ィング部５ｄとを備えているものであることにより、第
１のボンディングワイヤと第２のボンディングワイヤと
の間の距離が従来のものに比較して大きくなるので、ボ
ンディングワイヤの変形が少なくなると共に隣接するボ
ンディングワイヤの接触事故を防止することができる。
【００７７】したがって、本実施例のリードフレーム１
３は、リード２の微細加工を行い、リードの本数を多く
すると共にリード２の間の距離すなわちピッチを短縮し
てもボンディングワイヤの変形が少なくなると共に隣接
するボンディングワイヤの接触事故を防止することがで
きる。また、タブ２の変位およびインナリード５ｂの変
位を低減できる。
【００７８】その結果、本実施例のリードフレーム１３
は、ボンディングワイヤの変形および接触事故が防止で
きるリードフレームとなることにより、微細加工をもっ
てリード５の本数を増加できると共にリード５のピッチ
を小さくできるので、多数本の微細なリード５を微細な
ピッチをもって配置している多ピン化および微細ピッチ
化を行ったリードフレームとすることができる。
【００７９】また、半導体装置の多ピン化および微細ピ
ッチ化に対応して微細加工された多数のインナリード５
ｂを有する本実施例のリードフレーム１３を半導体装置
の製造工程に適用することにより、封止用の樹脂を用い
た樹脂封止工程において、樹脂の流れに起因してボンデ
ィングワイヤの変形および隣接するボンディングワイヤ
の接触事故が発生するのを防止できる。
【００８０】また、半導体装置の多ピン化および微細ピ
ッチ化に伴い、微細加工された多数のインナリード５ｂ
を有するリードフレーム１３を用いた半導体装置の製造
工程における封止用の樹脂を用いた樹脂封止工程におい
て、微細加工されたインナリードの変位およびタブの変
位に起因してボンディングワイヤの変形および隣接する
ボンディングワイヤの接触事故が発生するのを防止でき
る。
【００８１】本実施例のリードフレーム１３の製造は、
例えば鉄とニッケルとの合金である４２アロイまたは銅
などの金属からなる金属板にリードフレーム１３のパタ
ーンを例えばプレス加工などにより形成する。なお、図
１０に示すリードフレーム１３は、一つのパターンを示
しているものであるが、２個以上の複数のパターンが連
結されたリードフレームの態様とすることもできる。
【００８２】図１２は、本実施例のリードフレーム１３
を用いた半導体装置を示す拡大断面図である。
【００８３】本実施例のリードフレーム１３を用いた半
導体装置の製造方法は、まず、リードフレーム１３を用
意し、そのタブ２に例えば半導体集積回路を構成する半
導体素子が形成されているチップ７を搭載して、接合材
１１を用いてペレットボンディングを行いタブ２にチッ
プ７を固着する。
【００８４】次に、ワイヤボンディング工程および樹脂
封止工程などを行うが、これらの製造工程は前述した本
実施例２の半導体の製造方法と同様なものであるため、
説明を省略する。
【００８５】本実施例のリードフレーム１３を用いた半
導体装置およびその製造方法は、前述した実施例２の半
導体装置と比較すると使用しているリードフレーム１３
が異なるのみで、それ以外の態様は前述した実施例２の
半導体装置およびその製造方法と同様なものである。し
たがって、その作用および効果もほぼ同様なものである
ので、説明を省略する。
【００８６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１，２，３および４に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうま
でもない。
【００８７】例えばリードフレームのパターン、リード
の本数およびリードの形状などを必要に応じて種々の態
様とすることができる。また、リードフレームを用いた
種々の半導体集積回路装置およびその製造方法に適用で
きるようにリードフレームのパターンなどを種々の態様
とすることができる。
【００８８】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００８９】（１）本発明のリードフレームによれば、
リードにおけるインナリードはアウタリードと同じ平面
の位置にある第１のワイヤボンディング部と第１のワイ
ヤボンディング部よりも低い位置にある第２のワイヤボ
ンディング部とを備えていることにより、第１のワイヤ
ボンディング部に接続された第１のボンディングワイヤ
と第２のワイヤボンディング部に接続された第２のボン
ディングワイヤとの間の距離が従来のものに比較して大
きくなるので、例えば樹脂封止工程などの半導体装置の
製造工程において第１のボンディングワイヤおよび第２
のボンディングワイヤの変形が少なくなると共に隣接す
る第１のボンディングワイヤと第２のボンディングワイ
ヤとの接触事故を防止することができる。
【００９０】また、本発明のリードフレームによれば、
インナリードの先端部の主面は、タブの主面と同じ平面
の位置にあり、タブおよびインナリードの先端部は絶縁
体に固着されていることにより、タブおよびインナリー
ドの変位に対して絶縁体により機械的に強度化されてい
るので、例えば樹脂封止工程などでの外力の影響があっ
てもタブの変位およびインナリードの変位を低減でき
る。
【００９１】さらに、本発明のリードフレームによれ
ば、リードの微細加工を行い、リードの本数を多くする
と共にリードの間の距離すなわちピッチを短縮してもボ
ンディングワイヤの変形が少なくなると共に隣接するボ
ンディングワイヤの接触事故を防止することができるこ
とにより、微細加工をもってリードの本数を増加できる
と共にリードのピッチを小さくできるので、多数本の微
細なリードを微細なピッチをもって配置している多ピン
化および微細ピッチ化を行ったリードフレームとするこ
とができる。
【００９２】（２）本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、ワイヤボンディング装置を使用して、チップの表
面の接続電極と前項（１）に記載したリードフレームの
インナリードにおける第１のワイヤボンディング部とを
第１のボンディングワイヤにより接続する工程と、ワイ
ヤボンディング装置を使用して、前記チップの表面の前
記接続電極と隣接する接続電極と前記リードフレームの
インナリードに隣接するインナリードにおける第２のワ
イヤボンディング部とを第２のボンディングワイヤによ
り接続する工程と、樹脂封止装置を使用して樹脂封止体
を形成する工程とを有するものであることにより、第１
のボンディングワイヤと第２のボンディングワイヤとの
間の距離が従来のものに比較して大きくなるので、樹脂
封止工程などでの封止用の樹脂の流れによる外力の影響
により第１のボンディングワイヤおよび第２のボンディ
ングワイヤの変形が少なくなると共にそれらの接触事故
を防止することができる。
【００９３】また、本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、使用しているリードフレームは、タブおよびイン
ナリードの先端部が絶縁体に固着されていることによ
り、タブおよびインナリードの変位に対して絶縁体によ
り機械的に強度化されているので、タブの変位およびイ
ンナリードの変位を低減できる。
【００９４】さらに、本発明の半導体装置の製造方法に
よれば、第１のボンディングワイヤと第２のボンディン
グワイヤとの間の距離が従来のものに比較して大きくな
り、樹脂封止工程などでの封止用の樹脂の流れによる外
力の影響により第１のボンディングワイヤおよび第２の
ボンディングワイヤの変形が少なくなると共にそれらの
接触事故を防止することができることにより、微細加工
された多数のインナリードを有するリードフレームを採
用できると共に簡単な製造工程により半導体装置の小型
化、高集積化および多機能化ができるので、簡単な製造
工程により多ピン化および微細ピッチ化した半導体装置
を製造できる。
【００９５】さらにまた、本発明の半導体装置の製造方
法によれば、半導体装置の多ピン化および微細ピッチ化
に伴い、微細加工された多数のインナリードを有するリ
ードフレームを用いた半導体装置の製造工程とすること
ができる。また、その製造工程における封止用の樹脂を
用いた樹脂封止工程において、樹脂の流れなどに起因し
て第１のボンディングワイヤおよび第２のボンディング
ワイヤの変形およびそれらの接触事故が発生するのを防
止できるので、簡単でしかも安定した製造工程をもって
半導体装置を高い製造歩留まりおよび低コストをもって
製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であるリードフレームを示す
平面図である。
【図２】図１におけるリードフレームのＡ−Ａ矢視断面
を示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施例であるリードフレームを用
いた半導体装置の製造工程を示す平面図である。
【図４】本発明の他の実施例であるリードフレームを用
いた半導体装置の製造工程を示す平面図である。
【図５】本発明の他の実施例であるリードフレームを用
いた半導体装置の製造工程を示す平面図である。
【図６】本発明の他の実施例であるリードフレームを用
いた半導体装置を示す拡大断面図である。
【図７】本発明の他の実施例であるリードフレームを示
す平面図である。
【図８】図７におけるリードフレームのＢ−Ｂ矢視断面
を示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施例であるリードフレームを用
いた半導体装置を示す拡大断面図である。
【図１０】本発明の他の実施例であるリードフレームを
示す平面図である。
【図１１】図１０におけるリードフレームのＣ−Ｃ矢視
断面を示す断面図である。
【図１２】本発明の他の実施例であるリードフレームを
用いた半導体装置を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
１ リードフレーム ２ タブ ３ 絶縁体 ４ フレーム ４ａ 孔 ４ｂ 孔 ５ リード ５ａ アウタリード ５ｂ インナリード ５ｃ 第１のワイヤボンディング部 ５ｄ 第２のワイヤボンディング部 ６ ダムバー ７ チップ ８ 第１のボンディングワイヤ ９ 第２のボンディングワイヤ １０ 樹脂封止体 １１ 接合材 １２ リードフレーム １３ リードフレーム １４ タブ吊りリード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 栄次 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 宝蔵寺 裕之 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子が形成されているチップが搭
    載されるタブを有し、アウタリードとインナリードとか
    らなっている複数のリードがフレームの内部に向かって
    配設されているリードフレームであって、前記インナリ
    ードは前記アウタリードと同じ平面の位置にある第１の
    ワイヤボンディング部と前記第１のワイヤボンディング
    部よりも低い位置にある第２のワイヤボンディング部と
    を備えていることを特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項２】 前記インナリードの先端部の主面は、前
    記タブの主面と同じ平面の位置にあることを特徴とする
    請求項１記載のリードフレーム。
  3. 【請求項３】 前記インナリードの先端部の主面は、前
    記タブの主面に固着されている絶縁体と固着されている
    ことを特徴とする請求項１または２記載のリードフレー
    ム。
  4. 【請求項４】 前記インナリードの先端部の裏面は、前
    記タブの裏面に固着されている絶縁体と固着されている
    ことを特徴とする請求項１または２記載のリードフレー
    ム。
  5. 【請求項５】 半導体素子が形成されているチップが搭
    載されるタブを有し、アウタリードとインナリードとか
    らなっている複数のリードがフレームの内部に向かって
    配設されているリードフレームであって、１本離れの前
    記リードにおける前記インナリードは前記アウタリード
    と同じ平面の位置にある第１のワイヤボンディング部を
    有し、前記リードと隣接している前記リードにおける前
    記インナリードは前記第１のワイヤボンディング部より
    も低い位置にある第２のワイヤボンディング部を有する
    と共に前記インナリードよりも広域化されている先端部
    を有することを特徴とするリードフレーム。
  6. 【請求項６】 請求項１、２、３、４または５記載のリ
    ードフレームにおけるタブの上に半導体素子が形成され
    ているチップが固着されており、前記チップの表面の接
    続電極と前記リードフレームのインナリードにおける第
    １のワイヤボンディン部とが第１のボンディングワイヤ
    により接続されていると共に前記チップの表面の前記接
    続電極と隣接する接続電極と前記インナリードと隣接す
    るインナリードにおける第２のワイヤボンディング部と
    が第２のボンディングワイヤにより接続されていること
    を特徴とする半導体装置。
  7. 【請求項７】 前記タブ、前記チップ、前記インナリー
    ド、前記第１のボンディングワイヤおよび第２のボンデ
    ィングワイヤが少なくとも封止用の樹脂によりパッケー
    ジングされていることを特徴とする請求項６記載の半導
    体装置。
  8. 【請求項８】 請求項１、２、３、４または５記載のリ
    ードフレームにおけるタブの上に半導体素子が形成され
    ているチップを搭載し、前記タブの上に前記チップを固
    着する工程と、 ワイヤボンディング装置を使用して、前記チップの表面
    の接続電極と前記リードフレームのインナリードにおけ
    る第１のワイヤボンディング部とを第１のボンディング
    ワイヤにより接続する工程と、 ワイヤボンディング装置を使用して、前記チップの表面
    の前記接続電極と隣接する接続電極と前記リードフレー
    ムの前記インナリードに隣接するインナリードにおける
    第２のワイヤボンディング部とを第２のボンディングワ
    イヤにより接続する工程と、 樹脂封止装置を使用して、成形金型に前記リードフレー
    ムをセットして、封止用の樹脂を前記成形金型における
    キャビティ部に圧入して樹脂封止体を形成し、少なくと
    も前記チップおよび前記インナリードをパッケージング
    する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7178222B2 (en) 2000-07-17 2007-02-20 Alps Electric Co., Ltd. Method of manufacturing a tunneling magnetoresistive element
CN110034086A (zh) * 2015-09-15 2019-07-19 东芝存储器株式会社 引线架
CN113035821A (zh) * 2021-03-12 2021-06-25 众联慧合(天津)电子有限公司 一种二极管成型用引线框架及二极管及二极管的制造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7178222B2 (en) 2000-07-17 2007-02-20 Alps Electric Co., Ltd. Method of manufacturing a tunneling magnetoresistive element
CN110034086A (zh) * 2015-09-15 2019-07-19 东芝存储器株式会社 引线架
CN110034086B (zh) * 2015-09-15 2024-03-01 铠侠股份有限公司 引线架
CN113035821A (zh) * 2021-03-12 2021-06-25 众联慧合(天津)电子有限公司 一种二极管成型用引线框架及二极管及二极管的制造方法

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