JPH02278857A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH02278857A JPH02278857A JP1100856A JP10085689A JPH02278857A JP H02278857 A JPH02278857 A JP H02278857A JP 1100856 A JP1100856 A JP 1100856A JP 10085689 A JP10085689 A JP 10085689A JP H02278857 A JPH02278857 A JP H02278857A
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- resin
- support bars
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- sealing resin
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔（既要〕
樹脂封止型半導体装置に関し。
封止樹脂におけるクラック発生を防止して耐湿性を向上
すること、及び樹脂封止型半導体装置を小型化すること
を目的とし。
すること、及び樹脂封止型半導体装置を小型化すること
を目的とし。
半導体チップと複数のサポートバーと封止樹脂を含む樹
脂封止型半導体装置であって、該複数のサポートバーの
先端部が該半導体チップの一対の側面に接し、該半導体
チップと該複数のサポートバーが該封止樹脂に埋込まれ
ている樹脂封止型半導体装置により構成する。
脂封止型半導体装置であって、該複数のサポートバーの
先端部が該半導体チップの一対の側面に接し、該半導体
チップと該複数のサポートバーが該封止樹脂に埋込まれ
ている樹脂封止型半導体装置により構成する。
本発明は樹脂封止型半導体装置に関する。
樹脂封止型半導体装置には、封止樹脂におけるクランク
発生を防止し耐湿性を向上すること、さらに樹脂封止型
半導体装置を小型化することが要求されている。
発生を防止し耐湿性を向上すること、さらに樹脂封止型
半導体装置を小型化することが要求されている。
このため、かかる要求に合致する樹脂封止型半導体装置
を開発する必要がある。
を開発する必要がある。
（従来の技術〕
従来の樹脂封止型半導体装置においては、半導体チップ
をリードフレームにろう付けするのが一般的である。
をリードフレームにろう付けするのが一般的である。
第５図の従来例Ｉは、かかる従来の樹脂封止型半導体装
置の構造を説明するための図で、第５図（ａ）は樹脂封
止する前の半導体チップとリードフレームの配置を示す
上面図、第５図（ｂ）は樹脂封止後のＣ−Ｃ側面断面図
であり、１は半導体チップ、３は樹脂、４はリードフレ
ーム、４３はリードフレームの一部をなすダイパッド、
５はボンディングワイヤを表す。
置の構造を説明するための図で、第５図（ａ）は樹脂封
止する前の半導体チップとリードフレームの配置を示す
上面図、第５図（ｂ）は樹脂封止後のＣ−Ｃ側面断面図
であり、１は半導体チップ、３は樹脂、４はリードフレ
ーム、４３はリードフレームの一部をなすダイパッド、
５はボンディングワイヤを表す。
この構造では、リードフレーム４に半導体チップｌをろ
う付けするためのグイパッド４３を必要とし、このダイ
パッド４３は半導体チップ１の底面より面積が大きい必
要があり、小型化の要求に合わない、さらに、熱衝撃が
加わった時、封止樹脂３とダイパッド４３の熱膨張係数
の差によって封止樹脂３にグイバンド４３のコーナ一部
からクランクが発生し、そのクラックが外部にまで伝播
して耐湿性を損なうことがある。
う付けするためのグイパッド４３を必要とし、このダイ
パッド４３は半導体チップ１の底面より面積が大きい必
要があり、小型化の要求に合わない、さらに、熱衝撃が
加わった時、封止樹脂３とダイパッド４３の熱膨張係数
の差によって封止樹脂３にグイバンド４３のコーナ一部
からクランクが発生し、そのクラックが外部にまで伝播
して耐湿性を損なうことがある。
かかる問題点に対処して開発された樹脂封止型半導体装
置があり１例えば特願昭６２−３３５７２２号には第６
図に従来例■として示すような構造の樹脂封止型半導体
装置が開示されている。
置があり１例えば特願昭６２−３３５７２２号には第６
図に従来例■として示すような構造の樹脂封止型半導体
装置が開示されている。
第６図（ａ）は樹脂封止する前の半導体チップとリード
フレームの配置を示す上面図、第６図（ｂ）は樹脂封止
後のＤ−Ｄ側面断面図であり。
フレームの配置を示す上面図、第６図（ｂ）は樹脂封止
後のＤ−Ｄ側面断面図であり。
１は半導体チップ、 ２３．２４はリードフレームの一
部をなすサポートパー、３は封止樹脂、４はリードフレ
ーム、５はボンディングワイヤ、７は接着材を表す。
部をなすサポートパー、３は封止樹脂、４はリードフレ
ーム、５はボンディングワイヤ、７は接着材を表す。
この構造では、半導体チップｌをサポートパー２３、２
４に接着材７により固定することにより、リードフレー
ム４の中にダイパッドを不要にしている。従って前記の
問題点に対する有効な解決手段となってはいるが、なお
接着のための工数がふえるという問題がある。
４に接着材７により固定することにより、リードフレー
ム４の中にダイパッドを不要にしている。従って前記の
問題点に対する有効な解決手段となってはいるが、なお
接着のための工数がふえるという問題がある。
さらに、必ずしも接着を必要としない構造が°ある０例
えば、第７図の従来例■に示すような構造が特開昭５８
−５３８５２号公報に開示されている。
えば、第７図の従来例■に示すような構造が特開昭５８
−５３８５２号公報に開示されている。
第７図（ａ）は半導体チップとリードフレームの配置を
示す上面図であり、１は半導体チップ（半導体素子ペレ
ット）、４はリードフレーム。
示す上面図であり、１は半導体チップ（半導体素子ペレ
ット）、４はリードフレーム。
５はボンディングワイヤを表し、リードフレーム４には
半導体チップｌを側面で支える枠４４が形成されている
。さらに、第７図（ｂ）に示すように枠４４の内縁端に
半導体チップｌを側面で支える突出部の形成された構造
が示されている。
半導体チップｌを側面で支える枠４４が形成されている
。さらに、第７図（ｂ）に示すように枠４４の内縁端に
半導体チップｌを側面で支える突出部の形成された構造
が示されている。
この構造は接着材を必要としないが、接着材を併用して
固着を強固にしてもよい。
固着を強固にしてもよい。
しかし、この構造は枠４４の部分の面積を必要とするの
で樹脂封止型半導体装置の小型化の要求に反し、さらに
、枠４４の寸法は半導体チップ１の寸法と１対１に対応
しているので半導体チップの種類に対応してリードフレ
ームの種類も多くなるといった欠点がある。従って、こ
の樹脂封止型半導体装置においては、小型化、リードフ
レームの種類の数の低減化に対して、さらに改良を重ね
る必要がある。
で樹脂封止型半導体装置の小型化の要求に反し、さらに
、枠４４の寸法は半導体チップ１の寸法と１対１に対応
しているので半導体チップの種類に対応してリードフレ
ームの種類も多くなるといった欠点がある。従って、こ
の樹脂封止型半導体装置においては、小型化、リードフ
レームの種類の数の低減化に対して、さらに改良を重ね
る必要がある。
本発明の目的は１以上述べた問題点を解消して封止樹脂
にクラックが発生しない耐湿性のよい。
にクラックが発生しない耐湿性のよい。
小型でしかも製造工程が柔軟性に富む樹脂封止型半導体
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
第１図は実施例を説明するための図で、第１図（ａ）は
一部を破断した上面図、第１図（ｂ）はＡ−Ａ側面断面
図、第１図（ｃ）はＢ−Ｂ側面断面図であり、ｌは半導
体チップ、 ２１．２２はサポートパー、３は封止樹脂
、４１は外リード、４２は内リード、５はボンディング
ワイヤを表す。
一部を破断した上面図、第１図（ｂ）はＡ−Ａ側面断面
図、第１図（ｃ）はＢ−Ｂ側面断面図であり、ｌは半導
体チップ、 ２１．２２はサポートパー、３は封止樹脂
、４１は外リード、４２は内リード、５はボンディング
ワイヤを表す。
上記課題は、半導体チップｌと複数のサポートパー２１
．２２と封止樹脂３を含む樹脂封止型半導体装置であっ
て、該複数のサポートパー２１．２２の先端部が該半導
体チップ１の一対の側面に接し、該半導体チップ１と該
複数のサポートパー２１．２２が該封止樹脂３に埋込ま
れている樹脂封止型半導体装置によって解決される。
．２２と封止樹脂３を含む樹脂封止型半導体装置であっ
て、該複数のサポートパー２１．２２の先端部が該半導
体チップ１の一対の側面に接し、該半導体チップ１と該
複数のサポートパー２１．２２が該封止樹脂３に埋込ま
れている樹脂封止型半導体装置によって解決される。
第２図はサポートパーの作用を説明するための図で、ｌ
は半導体チップ、 ２１．２２はサポートバー４はリー
ドフレーム、５はボンディングワイヤを表す。
は半導体チップ、 ２１．２２はサポートバー４はリー
ドフレーム、５はボンディングワイヤを表す。
本発明では、リードフレーム４に半導体チ・ノブ１を固
定するのに、半導体チップ１の相対する側面をサポート
バー２１．２２の先端部でもって保持する。従って、樹
脂封止後、従来のダイパッドと封止樹脂との熱膨張係数
の差に起因するクランク発生といった問題は避けられ、
樹脂封止型半導体装置の耐湿性が向上する。
定するのに、半導体チップ１の相対する側面をサポート
バー２１．２２の先端部でもって保持する。従って、樹
脂封止後、従来のダイパッドと封止樹脂との熱膨張係数
の差に起因するクランク発生といった問題は避けられ、
樹脂封止型半導体装置の耐湿性が向上する。
その上、リードフレーム４のリードと半導体装ツブｌと
の距離を小さくすることができて、小型化が達成される
。
の距離を小さくすることができて、小型化が達成される
。
しかも、半導体チップｌの一つの相対する側面をサポー
トパー２１．２２で保持しているので、それに直交する
方向の側面では半導体チップ１の寸法に多少の変化があ
っても、フレキシブルに対応できるので９作業性がよい
。
トパー２１．２２で保持しているので、それに直交する
方向の側面では半導体チップ１の寸法に多少の変化があ
っても、フレキシブルに対応できるので９作業性がよい
。
さらに、リードフレーム４の一部をなすサポートパー２
１．２２は金属製であって弾性があるので。
１．２２は金属製であって弾性があるので。
サポートパー２１．２２の先端部を半導体チップ１を挿
入し易い形状に加工してお（ことにより、半導体チップ
１を容易に且つ確実に保持するようにすることもできる
。
入し易い形状に加工してお（ことにより、半導体チップ
１を容易に且つ確実に保持するようにすることもできる
。
第１図は実施例を説明するための図、第２図はサポート
パーの作用を説明するための図であり。
パーの作用を説明するための図であり。
以下これらの図を参照しながら説明する。
第２図参照
まず、半導体チップ１がリードフレーム４の一部をなす
サポートパー２１と２２の間に挿入される。
サポートパー２１と２２の間に挿入される。
サポートパー２１と２２は通常、鉄ニッケル系合金酸い
は銅系合金で、ある程度の弾性を有するのでサポートパ
ー２１と２２は若干の変形をもって半導体チップ１を保
持する。
は銅系合金で、ある程度の弾性を有するのでサポートパ
ー２１と２２は若干の変形をもって半導体チップ１を保
持する。
サポートパー２１と２２に保持された半導体チップｌと
リードフレーム４は図示していないボンデインダステー
ジに載せられ、半導体チップ１のパッド端子とリードフ
レーム４のリードがボンディングワイヤ５でもって接続
される。
リードフレーム４は図示していないボンデインダステー
ジに載せられ、半導体チップ１のパッド端子とリードフ
レーム４のリードがボンディングワイヤ５でもって接続
される。
第１図（ａ）乃至（ｃ）参照
次に、ワイヤボンディングの終わったリードフレーム４
を、上下から樹脂モールドすることにより、半導体チッ
プ１．サポートパー２１．２２．ボンディングワイヤ５
．及びリードの一部を封止樹脂３に埋込む、リードフレ
ーム４の外枠を切り落とし、外部に出た外リード４１を
折り曲げる。
を、上下から樹脂モールドすることにより、半導体チッ
プ１．サポートパー２１．２２．ボンディングワイヤ５
．及びリードの一部を封止樹脂３に埋込む、リードフレ
ーム４の外枠を切り落とし、外部に出た外リード４１を
折り曲げる。
第１図（ａ）はこのようにして完成した樹脂封止型半導
体装置の構造を、見やすくするために一部を破断した平
面図であり、半導体チップ１．サポートパー２１．２２
．ボンディングワイヤ５．内リード４２が封止樹脂３に
埋込まれていることを示している。
体装置の構造を、見やすくするために一部を破断した平
面図であり、半導体チップ１．サポートパー２１．２２
．ボンディングワイヤ５．内リード４２が封止樹脂３に
埋込まれていることを示している。
第１図（ｂ）はＡ−Ａ側面断面図で、サポートパー２１
．２２が半導体チップ１を保持する方向を含む断面を示
している。サポートパー２１．２２の先端部が半導体チ
ップｌに接触している。
．２２が半導体チップ１を保持する方向を含む断面を示
している。サポートパー２１．２２の先端部が半導体チ
ップｌに接触している。
第１図（ｃ）はＢ−Ｂ側面断面図で、サポートパー２１
．２２が半導体チップｌを保持する方向に直交する面の
断面を示している。半導体チップ１と外リード４１と内
リード４２の配置が見やすく示されている。
．２２が半導体チップｌを保持する方向に直交する面の
断面を示している。半導体チップ１と外リード４１と内
リード４２の配置が見やすく示されている。
第３図はサポートバー先端部の形状を示す、サポートパ
ー２１．２２の先端部は、半導体チップ１が挿入し易く
且つ確実に保持できるような形状に加工しておいてもよ
い。
ー２１．２２の先端部は、半導体チップ１が挿入し易く
且つ確実に保持できるような形状に加工しておいてもよ
い。
第３図（ａ）は先端部に丸みをつけた形状、第３図（ｂ
）は先端部の角を切り落としてテーパをつけた形状、第
３図（Ｃ）は先端部を下に曲げた形状、第３図（ｄ）は
先端部を上に曲げた形状を示している０図中の矢印は半
導体チップ１をはめ込む方向を表す。先端部の形状をこ
のようにすれば、半導体チップ１が挿入し易くなり、且
つ確実に保持できるようになる。
）は先端部の角を切り落としてテーパをつけた形状、第
３図（Ｃ）は先端部を下に曲げた形状、第３図（ｄ）は
先端部を上に曲げた形状を示している０図中の矢印は半
導体チップ１をはめ込む方向を表す。先端部の形状をこ
のようにすれば、半導体チップ１が挿入し易くなり、且
つ確実に保持できるようになる。
第４図はサポートバー先端部の被覆を示す。サポートパ
ー２１．２２の先端部には、第４図に示すように電気絶
縁性物質の被覆６を形成してもよい。
ー２１．２２の先端部には、第４図に示すように電気絶
縁性物質の被覆６を形成してもよい。
このような被覆は、よしんば、ボンディングワイヤ５が
サポートパー２１．２２の先端部に接触しても電気的に
絶縁できる作用を有する。絶縁性物質としては９例えば
ゴム、樹脂（エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミ
ド樹脂等）、ガラス（ＰＳＧ。
サポートパー２１．２２の先端部に接触しても電気的に
絶縁できる作用を有する。絶縁性物質としては９例えば
ゴム、樹脂（エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミ
ド樹脂等）、ガラス（ＰＳＧ。
ＳｉＮ、 ５ｉＯＮ等）を用いることができる。
なお、半導体チップｌの相対する一対の側面に接触する
サポートバーは、一対（２１，２２）だけでなく複数対
あってもよい。
サポートバーは、一対（２１，２２）だけでなく複数対
あってもよい。
（発明の効果）
以上説明した様に９本発明による樹脂封止型半導体装置
においては、半導体チップ１をリードフレームの一部を
なすサポートバーに弾性的に保持することができるので
、グイパッドも接着材も枠も必要としない。
においては、半導体チップ１をリードフレームの一部を
なすサポートバーに弾性的に保持することができるので
、グイパッドも接着材も枠も必要としない。
その結果、封止樹脂にクラックは発生せず耐湿性が確保
され、さらに小型化できるという効果を奏する。さらに
１本発明による樹脂封止型半導体装置を実現する製造工
程は簡単で柔軟性に富むという利点もある。
され、さらに小型化できるという効果を奏する。さらに
１本発明による樹脂封止型半導体装置を実現する製造工
程は簡単で柔軟性に富むという利点もある。
本発明は高密度型の樹脂封止型半導体装置の発展に寄与
するところが大きい。
するところが大きい。
第１図は実施例を説明するための図で、第１図（ａ）は
一部を破断した平面図、第１図（ｂ）はＡ−Ａ側面断面
図、第１図（Ｃ）はＢ−Ｂ側面断面図。 第２図はサポートバーの作用を説明するための図。 第３図はサポートバーの先端部の形状を示す図。 第４図はサポートバーの先端部の被覆を示す図第５図は
従来例■。 第６図は従来例■。 第７図は従来例■ である。図において。 ｌは半導体チップ。 ２１、２２．２３．２４はサポートバー３は封止樹脂。 ４はリードフレーム。 ４１は外リード。 ４２は内リード。 ４３はグイパッド。 ４４は枠。 ５はボンディングワイヤ。 ６は被覆。 ７は接着材 （α） （ｂ） 、／ ３ ・ ７／ （Ｃ） 寒 方組 イ不す キ Ｉ 図 ′すヤ”ｒ ＋＜−ｎ／％ｔｕｈｔＬａｌ”ｌ−４”４
ｊ：ｙ）ｙ １２１卒２図 （α） ろう付１す 。ｂ。 乏Ａし、１く、イクリ Ｉ ５１５ 図 （α） （ｂ） 従東０＋ｌπ 亭６図
一部を破断した平面図、第１図（ｂ）はＡ−Ａ側面断面
図、第１図（Ｃ）はＢ−Ｂ側面断面図。 第２図はサポートバーの作用を説明するための図。 第３図はサポートバーの先端部の形状を示す図。 第４図はサポートバーの先端部の被覆を示す図第５図は
従来例■。 第６図は従来例■。 第７図は従来例■ である。図において。 ｌは半導体チップ。 ２１、２２．２３．２４はサポートバー３は封止樹脂。 ４はリードフレーム。 ４１は外リード。 ４２は内リード。 ４３はグイパッド。 ４４は枠。 ５はボンディングワイヤ。 ６は被覆。 ７は接着材 （α） （ｂ） 、／ ３ ・ ７／ （Ｃ） 寒 方組 イ不す キ Ｉ 図 ′すヤ”ｒ ＋＜−ｎ／％ｔｕｈｔＬａｌ”ｌ−４”４
ｊ：ｙ）ｙ １２１卒２図 （α） ろう付１す 。ｂ。 乏Ａし、１く、イクリ Ｉ ５１５ 図 （α） （ｂ） 従東０＋ｌπ 亭６図
Claims (1)
- 半導体チップ（１）と複数のサポートバー（２１、２２
）と封止樹脂（３）を含む樹脂封止型半導体装置であっ
て、該複数のサポートバー（２１、２２）の先端部が該
半導体チップ（１）の一対の側面に接し、該半導体チッ
プ（１）と該複数のサポートバー（２１、２２）が該封
止樹脂（３）に埋込まれていることを特徴とする樹脂封
止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1100856A JPH02278857A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1100856A JPH02278857A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02278857A true JPH02278857A (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=14284952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1100856A Pending JPH02278857A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02278857A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08125105A (ja) * | 1993-12-08 | 1996-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5708293A (en) * | 1996-01-05 | 1998-01-13 | Matsushita Electronics Corporation | Lead frame and method of mounting semiconductor chip |
| US5776802A (en) * | 1993-12-08 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| JP2006108409A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5742137A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP1100856A patent/JPH02278857A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5742137A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08125105A (ja) * | 1993-12-08 | 1996-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5776802A (en) * | 1993-12-08 | 1998-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US5708293A (en) * | 1996-01-05 | 1998-01-13 | Matsushita Electronics Corporation | Lead frame and method of mounting semiconductor chip |
| JP2006108409A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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