JPS5826176B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS5826176B2
JPS5826176B2 JP50053588A JP5358875A JPS5826176B2 JP S5826176 B2 JPS5826176 B2 JP S5826176B2 JP 50053588 A JP50053588 A JP 50053588A JP 5358875 A JP5358875 A JP 5358875A JP S5826176 B2 JPS5826176 B2 JP S5826176B2
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JP
Japan
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resin
semiconductor device
heat sink
synthetic resin
sealed
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Application number
JP50053588A
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English (en)
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JPS51129177A (en
Inventor
好文 竹内
勝喜 岩崎
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は樹脂封止型半導体装置に関するものであり、特
に合成樹脂部と放熱板とのひっかかり強度を向上させた
樹脂封止型半導体装置に関するものである。
比較的高出力の樹脂封止型半導体装置であるパワートラ
ンジスタ、サイリスク等を樹脂封止するに当っては、第
1図に示すようなリードフレームの外部リード2の一端
に段差を持って連続して作られた放熱板4に半導体素子
5を、金糸又は半田系ソルダで接着し、半導体素子5上
の電極と前記リードフレームの外部リード1,3との間
を金属細線8等で電気的に接続する。
次に半導体素子5と外部リードの接続部とを樹脂封止金
型を使って樹脂により封止した後樹脂封止されたリード
フレームを切断して単体の樹脂封止型半導体装置を製造
するのが一般的である。
単体の半導体装置をハンドリングする際又はプリント基
板に取り付ける際等に、第2図に矢印10で示すように
、放熱板4に外力が加わり合成樹脂1にクラック9が入
り、合成樹脂から放熱板がはずれ、又は合成樹脂内部の
半導体素子を劣化させるという問題がある。
これは、第3図に示すように放熱板4の耳部6が、放熱
板4に対して垂直ないし幾分外側に曲っている為に合成
樹脂7と耳部6とのひっかかりが弱く、耳部6の外側の
合成樹脂7の部分が薄き破断強度が弱いからである。
本発明の目的は、上述の欠点を無くした、機械的強度の
大きな樹脂封止型半導体装置を提供することである。
次に添附図面の第4図に示す一実施例に沿って本発明を
説明する。
第4図に示すように、放熱板4の両端に設けられた耳部
6を放熱板4の半導体素子5の載置面に対し角度11で
示す如く鋭角に曲げることにより、耳部6の外側面の合
成樹脂7の厚みが第3図に示す従来のものより増し、合
成樹脂7のこの部分の破断強度が強くなり、合成樹脂7
と放熱板4とのひっかかり強度が増して第2図の矢印1
0の方向の力等に対して強くなる。
従って合成樹脂7から放熱板4がはずれ、あるいは合成
樹脂に割れが生じて半導体素子が劣化することを防止で
きる。
耳部6は放熱板4に対し耳部曲げ角度11を45°程度
にするのが適当である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の樹脂封止型半導体装置に用いるリードフ
レームの斜視図、第2図は放熱板に外力が加わり合成樹
脂にクラックが入った従来の樹脂封止型半導体装置の斜
視図、第3図は第1図の■−■線断面図、第4図は本発
明の樹脂封止型半導体装置の第3図と同様の断面図であ
る。 図中1〜3は外部リード、4放熱板、5半導体素子、6
ミミ部、7合成樹脂、8金属細線、9クラツク、10外
力、11ミミ部曲げ角度である。 なお図中同一符号は同τ又は相当部分である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 放熱板が一部露出した状態で樹脂封止された樹脂封
    止型半導体装置に於いて、合成樹脂で覆われる上記放熱
    板の一部を半導体素子載置面と鋭角をなすように曲げた
    ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
JP50053588A 1975-05-02 1975-05-02 樹脂封止型半導体装置 Expired JPS5826176B2 (ja)

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JPS5193164A (ja) * 1975-02-12 1976-08-16

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