JPH07231065A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH07231065A
JPH07231065A JP1913694A JP1913694A JPH07231065A JP H07231065 A JPH07231065 A JP H07231065A JP 1913694 A JP1913694 A JP 1913694A JP 1913694 A JP1913694 A JP 1913694A JP H07231065 A JPH07231065 A JP H07231065A
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JP
Japan
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resin
lead
semiconductor device
lead frame
semiconductor element
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JP1913694A
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Nae Yoneda
奈柄 米田
Makoto Kitano
誠 北野
Tetsuo Kumazawa
鉄雄 熊沢
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215Layer and wire connectors

Abstract

(57)【要約】 【目的】放熱性の高い樹脂封止型半導体装置を提供す
る。 【構成】樹脂封止型半導体装置の半導体素子1と接触す
るリード3から熱の短絡リード8を分岐させ、樹脂6の
表面に面で露出させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、稼働時に空冷を必要と
する半導体装置のパッケージ構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体装置の熱をリードや金
属板を用いて放熱する方法が提案されている。例えば、
特開平4−150060 号公報に記載の公報に開示されるよう
に、伝熱板を半導体装置の表面へ露出させる構造があ
る。また、リードを表面へ露出させる構造には、特開平
4−171856号,特開昭63−249358号の公報がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、伝
熱板を用いて放熱する特開平4−150060 号公報に記載の
ものは、伝熱板を後付けするためにコストが増大すると
いう欠点がある。特開平4−171856 号公報に記載の場合
はリードが必ずしも面で露出せずに、樹脂によるスキン
層の存在を容認しているため、放熱器をはんだ等で、搭
載することが出来ず、また、特開昭63−249358号公報に
記載のものは表面へ露出するリードがタブと連続してい
ないため、両者共、大きな放熱効果を期待することは出
来ない。
【0004】本発明の目的は、部品点数を増やすことな
く、樹脂封止型半導体装置の放熱効果を高める構造を提
供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、樹脂封止型半導体装置を以下のように構成
した。すなわち、タブと連続するリードを短経路で放熱
器に接続する様に、リードの一部を途中で折り曲げ、樹
脂表面に露出させる、あるいは樹脂表面からリードに到
達する貫通孔を設ける。
【0006】
【作用】タブと連続したリードの一部を途中で折り曲
げ、樹脂表面に露出させる、あるいはリードに到達する
貫通孔を設けてはんだを樹脂表面まで充填することによ
り、樹脂外部に存在するアウターリードを折り曲げて樹
脂表面に到達させるよりも、放熱経路が短くなり、樹脂
表面に放熱器を搭載した場合にチップ,放熱器間の熱抵
抗を小さくでき、大きな放熱性能を確保できる。さら
に、樹脂表面に金属面が露出しているため、放熱器を搭
載する場合は、樹脂表面にグリース等の経年劣化の大き
い接着剤ではなく、接着剤に比べ熱伝導性が大きいはん
だ等で、強固に固定することが出来る。
【0007】
【実施例】本発明の第一実施例による樹脂封止型半導体
装置を図1に示す。樹脂封止型半導体装置は半導体素子
1と、半導体素子を搭載するタブ2と、タブと連続した
放熱リード3と、信号用リード4,信号用リードと半導
体素子を電気的に接続するワイヤ5,封止樹脂6から構
成されている。放熱リード3のうち樹脂外部に延長され
た部位は、実装基板7への放熱を促進する。この放熱リ
ード3の一部が熱の短絡リード8として分岐され、樹脂
表面に折り曲げられ、面で露出する。
【0008】第一実施例による図1の樹脂封止型半導体
装置では、放熱リード3は半導体素子1の辺を起点に延
びているが、図2に示すように頂点を起点とし、その放
熱リード3から分岐した熱の短絡リード8が樹脂表面に
露出していても良い。
【0009】第一実施例による図1、および図2の樹脂
封止型半導体装置は、放熱リード3を備え、それより熱
の短絡リード8が分岐されているが、図3に示すように
樹脂外部に延長されないタブ吊りリード9より熱の短絡
リードを分岐しても良い。
【0010】第一実施例による図1,図2、及び図3の
樹脂封止型半導体装置に放熱器を搭載した模式断面を図
4に示す。放熱器10は樹脂表面に搭載され、熱の短絡
リード8とはんだ11で固定されている。半導体素子1
で発熱した熱はこの熱の短絡リード8を介して、放熱器
10へ流れ、放熱が促進される。
【0011】本発明の第二実施例による樹脂封止型半導
体装置を図5に示す。樹脂封止型半導体装置の基本構成
は図1に同じであるが、樹脂表面から放熱リード3に達
する貫通孔12が設けられている。貫通孔の形成方法
は、例えば、金型に突起を設ければ、貫通孔12は樹脂
封止と同時に形成することができる。貫通孔12ははん
だペーストなどのろう材13で樹脂表面まで満たされて
いる。
【0012】第二実施例による図5の樹脂封止型半導体
装置では、貫通孔10の到達する放熱リード3は半導体
素子1の辺を起点に延びているが、半導体素子1の頂点
を起点とした放熱リードであっても良い。また、放熱リ
ードのように樹脂外部に延長されないタブ吊りリード9
に貫通孔12が達していても良い。
【0013】第二実施例による図5の樹脂封止型半導体
装置に放熱器を搭載した断面図を図6に示す。放熱器1
0は樹脂表面に搭載され、放熱器10の突起14が樹脂
表面の貫通孔12に嵌合し、はんだ13で固定されてい
る。
【0014】本発明の第三実施例による樹脂封止型半導
体装置を図7に示す。樹脂封止型半導体装置は半導体素
子1と、半導体素子の能動面上に絶縁材15を介して信
号用リード4,バスバー16が搭載されている。この構
造はリードオンチップ(LOC)構造と呼ばれる。LOC構
造のチップ面上に吊りリード9が絶縁材を介して搭載さ
れ、熱の短絡リード8が分岐される。
【0015】第三実施例による図7の樹脂封止型半導体
装置に放熱器を搭載した断面図を図8に示す。放熱器1
0は樹脂表面に搭載され、熱の短絡リード8とはんだ1
1で固定されている。半導体素子1で発熱した熱はこの
熱の短絡リード8を介して、放熱器10へ流れ、放熱が
促進される。
【0016】第三実施例による図7,図8の樹脂封止型
半導体装置では、熱の分岐8リードが設けられている
が、図9に示すように放熱器10の突起14が樹脂表面
の貫通孔12に嵌合し、はんだ13で固定されていても
良い。
【0017】
【発明の効果】本発明によれば、半導体装置の樹脂表面
に放熱リードやタブ吊りリードから分岐した熱の短絡リ
ードを露出させるため、半導体素子と樹脂表面間の熱抵
抗を低減できる。
【0018】放熱器と熱の短絡リード接続することで、
放熱器からの冷却効率を高めることができる。
【0019】熱の短絡リードは金属性であるため、放熱
器をはんだなどのろう材で半導体装置上に強固に固定す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一実施例による樹脂封止型半導体装
置において辺から延びる放熱リードから熱の短絡リード
が分岐された構造の斜視図。
【図2】本発明の第一実施例による樹脂封止型半導体装
置において頂点から延びる放熱リードから熱の短絡リー
ドが分岐された構造の斜視図。
【図3】本発明の第一実施例による樹脂封止型半導体装
置において吊りリードから熱の短絡リードが分岐された
構造の斜視図。
【図4】図1から図3の樹脂封止型半導体装置において
放熱器を搭載した構造の断面図。
【図5】本発明の第二実施例による樹脂封止型半導体装
置において樹脂表面から放熱リードに達する貫通孔を設
け、はんだを充填した構造の斜視図。
【図6】図5の樹脂封止型半導体装置において放熱器を
搭載した構造の断面図。
【図7】本発明の第三実施例による樹脂封止型半導体装
置においてリードオンチップ構造のタブ吊りリードから
熱の短絡リードが分岐された構造の斜視図。
【図8】図7の樹脂封止型半導体装置において放熱器を
搭載した構造の断面図。
【図9】図8の樹脂封止型半導体装置においてタブ吊り
リードに達する貫通孔を設け、はんだを充填した構造の
断面図。
【符号の説明】
1…半導体素子、2…タブ、3…放熱リード、4…信号
用リード、5…ワイヤ、6…樹脂、7…基板、8…熱の
短絡リードハブ。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】リードの集合体とタブから成るリードフレ
    ームと、前記タブに搭載した半導体素子と前記リードを
    電気的に接続する手段を有し、前記リードフレームの一
    部と前記半導体素子と前記接続部を樹脂封止することに
    よりパッケージを形成した樹脂封止型半導体装置におい
    て、前記タブと連続した前記リードフレームの板厚方向
    に垂直な表面の一部が素子に平行なパッケージ表面に露
    出していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項2】リードの集合体から成るリードフレーム
    と、半導体素子の能動面上に前記リードを絶縁材を介し
    て搭載し、前記半導体素子と前記リードを電気的に接続
    する手段を有し、前記リードフレームの一部と前記半導
    体素子と前記接続部を樹脂封止することによりパッケー
    ジを形成した樹脂封止型半導体装置において、半導体装
    置上に搭載された前記リードフレームの板厚方向に垂直
    な表面の一部が素子に平行なパッケージ表面に露出して
    いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項3】請求項第1または2において、前記樹脂の
    表面に露出した前記リードフレームの一部に放熱器を接
    続した樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項4】リードの集合体とタブから成るリードフレ
    ームと、前記タブに搭載した半導体素子と前記リードを
    電気的に接続する手段を有し、前記リードフレームの一
    部と前記半導体素子と前記接続部を樹脂封止することに
    よりパッケージを形成した樹脂封止型半導体装置におい
    て、前記樹脂封止型半導体装置を実装する基板に対向す
    る前記樹脂封止型半導体装置の樹脂に、前記タブと連続
    した前記リードフレームに達する貫通孔が設けられたこ
    とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  5. 【請求項5】リードの集合体から成るリードフレーム
    と、半導体素子の能動面上にリードを絶縁材を介して搭
    載し、前記半導体素子と前記リードを電気的に接続する
    手段を有し、前記リードフレームの一部と前記半導体素
    子と前記接続部を樹脂封止することによりパッケージを
    形成した樹脂封止型半導体装置において、前記樹脂封止
    型半導体装置を実装する基板に対向する樹脂に、前記半
    導体素子上に搭載された前記リードフレームの一部に達
    する貫通孔が設けられたことを特徴とする樹脂封止型半
    導体装置。
  6. 【請求項6】請求項4または5において、前記貫通孔に
    金属が充填され、放熱器が搭載されている樹脂封止型半
    導体装置。
  7. 【請求項7】請求項4、または5において、前記貫通孔
    に嵌合する突起を有した放熱器が、前記突起と前記リー
    ドフレームをはんだ付けして搭載される樹脂封止型半導
    体装置。
JP1913694A 1994-02-16 1994-02-16 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH07231065A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7245004B2 (en) 2003-05-20 2007-07-17 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
JP2012151172A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法

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