JPH0637217A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0637217A
JPH0637217A JP18786192A JP18786192A JPH0637217A JP H0637217 A JPH0637217 A JP H0637217A JP 18786192 A JP18786192 A JP 18786192A JP 18786192 A JP18786192 A JP 18786192A JP H0637217 A JPH0637217 A JP H0637217A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellet
heat sink
semiconductor
main
semiconductor pellet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18786192A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuhiko Funatsu
Akira Higuchi
Akira Muto
Junya Ogasawara
純也 小笠原
顕 樋口
晃 武藤
勝彦 船津
Original Assignee
Hitachi Ltd
株式会社日立製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, 株式会社日立製作所 filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP18786192A priority Critical patent/JPH0637217A/ja
Publication of JPH0637217A publication Critical patent/JPH0637217A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Abstract

(57)【要約】 【目的】 放熱性能を高める。 【構成】 ペレット11の第1主面にヒートシンク15
を絶縁層14を介して接合し、ヒートシンク15のペレ
ット11の反対側の主面を樹脂封止パッケージ17の端
面から露出させる。また、ヒートシンク15にワイヤ1
3を逃げる凹部16を設ける。 【効果】 ペレット11の電子回路からの発熱はヒート
シンク15から直接外部へ放出される。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造技
術、特に、半導体ペレット(以下、ペレットという。)
の放熱性能を向上するための技術に関し、例えば、樹脂
封止型のパッケージを備えているパワートランジスタに
利用して有効なものに関する。

【0002】

【従来の技術】一般に、消費電力が大きいパワートラン
ジスタにおいては、ペレットがヘッダにボンディングさ
れ、このヘッダの一主面が樹脂封止パッケージの一主面
から露出されることによって、その放熱性能が高められ
ている。

【0003】なお、ペレットがボンディングされたタブ
にヒートシンクを直接的に接触させるように構成されて
いる半導体装置として、特開昭54−128278号公
報に記載されているように、樹脂封止パッケージの一端
面に凹部がタブを露出させるように没設されているもの
がある。

【0004】また、コンピュータに使用される高密度、
高速型の半導体集積回路装置においては、高い放熱性能
が要求されるため、例えば、特開昭53−110371
号公報に記載されているように、半導体ペレットをボン
ディングされた金属板にヒートシンクが外付けされてい
るセラミックパッケージが使用されている。

【0005】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のパワー
トランジスタにおいては、ペレットの放熱はトランジス
タ回路が形成されている第1主面とは反対側の第2主面
から行われることになるため、出力が増大した場合に
は、放熱性能が充分に確保されない場合が発生するとい
う問題点があることが、本発明者によって明らかにされ
た。

【0006】本発明の目的は、高い放熱性能を有する半
導体装置を提供することにある。

【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【0008】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。すなわち、第1主面側に電子回路が作り込まれ
ている半導体ペレットと、この半導体ペレットがボンデ
ィングされている金属部材と、この半導体ペレットに対
向するように配線されている複数本のインナリードと、
インナリードと半導体ペレットとの間に橋絡されている
ワイヤと、前記半導体ペレット、前記金属部材の一部、
インナリード群およびワイヤ群を樹脂封止する樹脂封止
パッケージとを備えている半導体装置において、前記半
導体ペレットの第1主面にヒートシンクが絶縁層を介し
て接合されているとともに、このヒートシンクは前記樹
脂封止パッケージにその一部を露出されて植設されてお
り、さらに、このヒートシンクには前記ワイヤとの接触
を逃げるための凹部が形成されていることを特徴とす
る。

【0009】

【作用】前記した手段によれば、半導体ペレットの電子
回路が作り込まれた第1主面側にヒートシンクが直接的
に接触されているため、半導体ペレットの電子回路から
の発熱はこのヒートシンクを経て外部に直接的に放出さ
れることになり、充分な放熱性能が確保される。

【0010】また、半導体ペレット、インナリード、お
よびヒートシンクは樹脂封止パッケージにより樹脂封止
されているため、この半導体装置がプリント配線基板に
実装される時や、実装された後において、移送中の振動
等による外力がこの半導体装置に加わった場合において
も、リード曲がり等のような事故が起きるのを防止する
ことができ、その結果、短絡不良や、断線不良の発生の
を未然に回避することができる。

【0011】

【実施例】図1(a)、(b)、(c)は本発明の一実
施例であるパワートランジスタを示す正面断面図、平面
断面図および要部を樹脂封止パッケージを除いた状態で
示す斜視図である。

【0012】本実施例において、本発明に係る半導体装
置は、樹脂封止パッケージを備えているパワートランジ
スタ1として構成されている。

【0013】すなわち、このパワートランジスタ1は、
第1主面に電子回路としてのトランジスタ回路が作り込
まれている半導体ペレット(以下、ペレットという。)
11と、このペレット11がボンディングされている金
属部材としてのヘッダ2と、このペレット11に対向す
るように配線されている3本のインナリード3と、各イ
ンナリード3にそれぞれ一体的に連結されているアウタ
リード4と、インナリード3とペレット11との間に橋
絡されているワイヤ13と、前記ペレット11、前記ヘ
ッダ2の一部、インナリード3群およびワイヤ13群を
樹脂封止する樹脂封止パッケージ17とを備えている。

【0014】そして、前記ペレット11の第1主面には
ヒートシンク15が絶縁層14を介して接合されている
とともに、このヒートシンク15は前記樹脂封止パッケ
ージ17にその一部を露出された状態で植設されてい
る。さらに、このヒートシンク15には一対のワイヤ1
3との接触を逃げるための逃げ凹部16が一対、それぞ
れ形成されている。

【0015】前記ヒートシンク15は、その平面形状が
前記ペレット11の平面形状と略等しい角柱形状に一体
成形されており、このヒートシンク15が前記ペレット
11の第1主面に絶縁層14を介して接合されている。

【0016】次に、前記構成に係るパワートランジスタ
1の構成各部について、組立工程順に説明する。この説
明により、前記パワートランジスタ1の構成の詳細が明
らかにされる。

【0017】ペレットボンディング以前において、イン
ナリード3群およびヘッダ2はリードフレーム(図示せ
ず)として一体的に構成されている。リードフレーム
は、鉄−ニッケル合金や燐青銅等のような比較的に大き
い機械的強度を有するばね材料から成る薄板が用いられ
て、打ち抜きプレス加工またはエッチング加工等のよう
な適当な手段により一体成形されている。

【0018】このリードフレームの表面には銀(Ag)
等を用いためっき処理が適宜部分的に施され、このめっ
き被膜(図示せず)によって、ペレットボンディングお
よびワイヤボンディングが適正に実施されるようになっ
ている。

【0019】このリードフレームの状態で、ヘッダ2の
第1主面の略中央部にペレット11が銀ペースト等から
成るボンディング層12によりボンディングされる。

【0020】次いで、両端に位置するインナリード3、
3と、ペレット11との間にワイヤ13、13が超音波
熱圧着式等の適当なワイヤボンディング装置(図示せ
ず)によってそれぞれボンディングされる。

【0021】本実施例においては、ワイヤボンディング
作業が終了した後、ペレット11のトランジスタ回路が
作り込まれた第1主面側に絶縁層14を介して、ヒート
シンク15が接合される。

【0022】すなわち、ペレット11の第1主面には絶
縁層14が保護膜の上に重ねて被着されている。絶縁層
14は、電気的絶縁性および熱伝導性が良好で、かつ、
ペレット11の保護膜およびヒートシンク15のいずれ
の材料にも接合性の良好な材料、例えば、ポリイミド樹
脂やエポキシ樹脂等が用いられて、ペレット11の保護
膜上に均一に形成されている。

【0023】この絶縁層14はペレット11が製造され
る所謂前工程において、予め形成しておいてもよいし、
ワイヤボンディング作業後に形成してもよい。但し、絶
縁層14がワイヤボンディング作業後に形成される場合
には、ワイヤ13との干渉を避け、ワイヤ13、13相
互間の絶縁性についての配慮が必要である。したがっ
て、この場合、絶縁層14はヒートシンク15側に形成
しておいてもよい。

【0024】他方、ヒートシンク15は銅等のような熱
伝導性の良好な材料が用いられて、図1(c)に示され
ているように、ペレット11と略等しい正方形の角柱形
状に形成されている。

【0025】そして、ヒートシンク15におけるペレッ
ト11の両ボンディングパッドとの対向面には、ボンデ
ィングワイヤを逃げるための逃げ凹部16が一対、それ
ぞれ一体的に没設されている。この逃げ凹部16は、そ
の平面形状が略二等辺三角形の角柱穴形状に形成されて
おり、そのインナリード3側の端面が開放されている。
また、この逃げ凹部16の間口、奥行きおよび高さは、
ペレット11とインナリード3との間に張設されたワイ
ヤ13との干渉を回避し得るように形成されている。

【0026】このように構成されたヒートシンク15は
その逃げ凹部16側の端面においてペレット11の第1
主面に接合される。このとき、絶縁層14によりヒート
シンク15とペレット11との接合が実行される。接合
手段としては、ヒートシンク15を加熱して絶縁層14
を溶融させることにより溶着する方法等を適用すること
ができる。この状態において、絶縁層14によりヒート
シンク15とペレット11との間は電気的に絶縁され
る。

【0027】このようにしてペレットの第1主面にヒー
トシンクが接合された組立体には、樹脂封止パッケージ
17がトランスファ成形装置(図示せず)を使用されて
成形される。この樹脂封止パッケージ17により、ペレ
ット11、ヘッダ2、インナリード3、絶縁層14およ
びヒートシンク15が樹脂封止される。

【0028】この状態において、ヘッダ2およびヒート
シンク15のペレット11と反対側の主面は樹脂封止パ
ッケージ17の両端面からそれぞれ露出された状態にな
っている。また、3本のアウタリード4が樹脂封止パッ
ケージ17の一側面から突出された状態になっている。

【0029】その後、樹脂封止パッケージが成形された
リードフレームは、リード切断成形工程において、リー
ド切断成形装置(図示せず)によってアウタリード4を
図1(a)および(b)に示されているように、ガル・
ウィング形状等に適宜屈曲成形される。

【0030】以上のようにして構成されたパワートラン
ジスタ1はプリント配線基板(図示せず)に表面実装さ
れる。すなわち、ヘッダ2の露出面およびアウタリード
4群の実装面がプリント配線基板に当接された状態で、
パワートランジスタ1はプリントに電気的かつ機械的に
接続される。

【0031】そして、必要に応じて、このパワートラン
ジスタ1はヒートシンク15に押さえ具(図示せず)が
当てられて、その押さえ具により、プリント配線基板に
押さえられて固定されたりする。

【0032】この実装状態で、パワートランジスタ1が
稼働されてペレット11が発熱した場合、その熱はペレ
ット11の第1主面からヒートシンク15に直接的に熱
伝導されるとともに、ヒートシンク15の広い表面から
外気に放熱されるため、相対的にペレット11は充分に
冷却される。

【0033】また、ヒートシンク15に放熱フィンや、
押さえ具等が連設されている場合には、ヒートシンク1
5の熱が放熱フィンや、押さえ具等を通じてさらに広い
範囲に熱伝導されるため、放熱効果はより一層高くな
る。

【0034】前記実施例によれば次の効果が得られる。 ペレット11の第1主面にヒートシンク15を絶縁
層14を介して直接的に接合することにより、ペレット
11における第1主面の発熱をヒートシンク15に直接
的に伝えて樹脂封止パッケージ17の外部に効果的に放
出させることができるため、高い放熱性能を確保するこ
とができる。

【0035】 電気的接続用のインナリード3とは別
に、熱伝導性の良好な材料が用いられて形成されたヒー
トシンク15にペレット11をボンディングすることに
より、前記の放熱性能をより一層高めることができ
る。

【0036】 他方、電気的接続用のインナリード3
はヒートシンク15とは別に機械的強度の高い材料を用
いて形成することにより、リード群の曲がりや破損等を
防止することができるとともに、前記およびによ
り、高い放熱性能を確保することができる。

【0037】 ペレット11、インナリード3群およ
びヒートシンク15の一部を樹脂封止パッケージ17に
よって樹脂封止することにより、リード曲がり等のよう
な事故が起きるのを防止することができるため、短絡不
良や、断線不良の発生を未然に回避することができる。

【0038】図2(a)、(b)は本発明の実施例2で
あるパワートランジスタを示す正面断面図および平面断
面図である。

【0039】本実施例2が前記実施例1と異なる点は、
パワートランジスタ1Aにおけるヒートシンク15A
が、その平面形状がペレット11の平面形状に対して大
きめの相似形の角柱形状に一体成形されているととも
に、その一端面にペレット収容穴15aが没設されてお
り、このヒートシンク15Aがペレット11の第1主面
に絶縁層14を介して被せられて接合されている点にあ
る。

【0040】すなわち、ペレット11はヘッダ2上にボ
ンディング層12を介してボンディングされており、こ
のペレット11には絶縁層14がペレット11を被覆す
るように形成されている。ヒートシンク15Aはそのペ
レット収容穴15aにペレット11が収容されるように
配されて、ペレット11に被せられ、絶縁層14によっ
て接着される。

【0041】本実施例2によれば、ペレット11の第1
主面側にヒートシンク15Aが被着されているので、前
記実施例1と同様の作用および効果が得られる。そし
て、本実施例2によれば、ペレット11の第1主面側が
ヒートシンク15Aによって全体的に包囲されているた
め、その放熱効果はより一層高い。

【0042】図3(a)、(b)は本発明の実施例3で
あるパワートランジスタを示す正面断面図および平面断
面図である。

【0043】本実施例3が前記実施例1と異なる点は、
パワートランジスタ1Bにおけるヘッダ2Bにペレット
収容穴2bが没設され、このペレット収容穴2b内の底
面にペレット11がボンディングされており、他方、ヒ
ートシンク15Bが、その平面形状がペレット11の平
面形状に対して大きめの相似形の角柱形状に一体成形さ
れており、このヒートシンク15Bがヘッダ2Bのペレ
ット11の上に絶縁層14を介して被せられて接合され
ている点、にある。

【0044】本実施例3によれば、ペレット11の第1
主面側にヒートシンク15Bが被着されているので、前
記実施例1と同様の作用および効果が得られる。そし
て、本実施例3によれば、ペレット11がヘッダ2Bに
没設された凹部2b内に収容されているため、ヘッダ2
B側からの放熱性能も高い。

【0045】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。

【0046】例えば、ヒートシンクの形状、大きさ、構
造等は、要求される放熱性能、実装形態(例えば、押さ
え具や締結ボルトの使用の有無等)、ペレットの性能、
大きさ、形状、構造等々の諸条件に対応して選定するこ
とが望ましく、必要に応じて、放熱フィンやボルト挿通
孔、雌ねじ等々を設けることができる。

【0047】また、ヒートシンクを形成する材料として
は銅系材料を使用するに限らず、アルミニューム系等の
ような熱伝導性の良好な他の金属材料を使用することが
できる。特に、炭化シリコン(Sic)等のように熱伝
導性に優れ、かつ、熱膨張率がペレットの材料であるシ
リコンのそれと略等しい材料を使用することが望まし
い。

【0048】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である樹脂封
止パッケージを備えたパワートランジスタに適用した場
合について説明したが、それに限定されるものではな
く、樹脂封止パッケージを備えている通常のトランジス
タや、樹脂封止パッケージを備えている半導体集積回路
装置等の半導体装置全般に適用することができる。特
に、高い放熱性能が要求される半導体装置に利用して優
れた効果が得られる。

【0049】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【0050】ペレットの第1主面にヒートシンクを付設
することにより、ペレットの熱をヒートシンクに直接的
に熱伝導させることができるため、放熱性能を高めるこ
とができ、出力の高いパワートランジスタ等においても
低熱抵抗化を実現させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明の一実施例であるパワートランジスタを
示す図であり、(a)は正面断面図、(b)は平面断面
図、(c)は樹脂封止パッケージを除いた要部を示す斜
視図である。

【図2】本発明の実施例2であるパワートランジスタを
示す図であり、(a)は正面断面図、(b)は平面断面
図である。

【図3】本発明の実施例3であるパワートランジスタを
示す図であり、(a)は正面断面図、(b)は平面断面
図である。

【符号の説明】

1、1A、1B…パワートランジスタ、2、2B…ヘッ
ダ(金属部材)、2b…ペレット収容穴、3…インナリ
ード、4…アウタリード、11…ペレット、12…ボン
ディング層、13…ボンディングワイヤ、14…絶縁
層、15、15A、15B…ヒートシンク、15a…ペ
レット収容穴、16…逃げ凹部、17…樹脂封止パッケ
ージ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小笠原 純也 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会社 日立製作所高崎工場内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1主面側に電子回路が作り込まれてい
    る半導体ペレットと、この半導体ペレットがボンディン
    グされている金属部材と、この半導体ペレットに対向す
    るように配線されている複数本のインナリードと、イン
    ナリードと半導体ペレットとの間に橋絡されているワイ
    ヤと、前記半導体ペレット、前記金属部材の一部、イン
    ナリード群およびワイヤ群を樹脂封止する樹脂封止パッ
    ケージとを備えている半導体装置において、 前記半導体ペレットの第1主面にヒートシンクが絶縁層
    を介して接合されているとともに、このヒートシンクは
    前記樹脂封止パッケージにその一部を露出されて植設さ
    れており、 さらに、このヒートシンクには前記ワイヤとの接触を逃
    げるための凹部が形成されていることを特徴とする半導
    体装置。
  2. 【請求項2】 前記ヒートシンクが、その平面形状が前
    記半導体ペレットの平面形状と略等しい角柱形状に一体
    成形されており、このヒートシンクが前記半導体ペレッ
    トの第1主面に絶縁層を介して接合されていることを特
    徴とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装
    置。
  3. 【請求項3】 前記ヒートシンクが、その平面形状が前
    記半導体ペレットの平面形状に対して大きめの相似形の
    角柱形状に一体成形されているとともに、その一端面に
    半導体ペレット収容穴が没設されており、このヒートシ
    ンクの半導体ペレット収容穴が前記ペレットの第1主面
    に絶縁層を介して被せられて接合されていることを特徴
    とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 前記金属部材に半導体ペレット収容穴が
    没設され、この半導体ペレット収容穴の底面に前記半導
    体ペレットがボンディングされており、 前記ヒートシンクが、その平面形状が前記半導体ペレッ
    トの平面形状に対して大きめの相似形の角柱形状に一体
    成形されており、このヒートシンクが前記半導体ペレッ
    ト収容穴の半導体ペレットの上に絶縁層を介して被せら
    れて接合されていることを特徴とする請求項1に記載の
    半導体装置。
JP18786192A 1992-07-15 1992-07-15 半導体装置 Pending JPH0637217A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18786192A JPH0637217A (ja) 1992-07-15 1992-07-15 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18786192A JPH0637217A (ja) 1992-07-15 1992-07-15 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0637217A true JPH0637217A (ja) 1994-02-10

Family

ID=16213501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18786192A Pending JPH0637217A (ja) 1992-07-15 1992-07-15 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0637217A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITMI20111214A1 (it) * 2011-06-30 2012-12-31 St Microelectronics Srl Dispositivo di potenza a spessore ridotto
US8723311B2 (en) 2011-06-30 2014-05-13 Stmicroelectronics S.R.L. Half-bridge electronic device with common heat sink on mounting surface
US8755188B2 (en) 2011-06-30 2014-06-17 Stmicroelectronics S.R.L. Half-bridge electronic device with common auxiliary heat sink
US8817475B2 (en) 2011-06-30 2014-08-26 Stmicroelectronics S.R.L. System with shared heatsink
US8837154B2 (en) 2011-06-30 2014-09-16 Stmicroelectronics S.R.L. System with stabilized heatsink
US8837153B2 (en) 2011-06-30 2014-09-16 Stmicroelectronics S.R.L. Power electronic device having high heat dissipation and stability
US8860192B2 (en) 2011-06-30 2014-10-14 Stmicroelectronics S.R.L. Power device having high switching speed
US9105598B2 (en) 2011-06-30 2015-08-11 Stmicroelectronics S.R.L. Package/heatsink system for electronic device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITMI20111214A1 (it) * 2011-06-30 2012-12-31 St Microelectronics Srl Dispositivo di potenza a spessore ridotto
US8723311B2 (en) 2011-06-30 2014-05-13 Stmicroelectronics S.R.L. Half-bridge electronic device with common heat sink on mounting surface
US8755188B2 (en) 2011-06-30 2014-06-17 Stmicroelectronics S.R.L. Half-bridge electronic device with common auxiliary heat sink
US8817475B2 (en) 2011-06-30 2014-08-26 Stmicroelectronics S.R.L. System with shared heatsink
US8837154B2 (en) 2011-06-30 2014-09-16 Stmicroelectronics S.R.L. System with stabilized heatsink
US8837153B2 (en) 2011-06-30 2014-09-16 Stmicroelectronics S.R.L. Power electronic device having high heat dissipation and stability
US8860192B2 (en) 2011-06-30 2014-10-14 Stmicroelectronics S.R.L. Power device having high switching speed
US9105598B2 (en) 2011-06-30 2015-08-11 Stmicroelectronics S.R.L. Package/heatsink system for electronic device
US9275943B2 (en) 2011-06-30 2016-03-01 Stmicroelectronics S.R.L. Power device having reduced thickness
US9786516B2 (en) 2011-06-30 2017-10-10 Stmicroelectronics S.R.L. Power device having reduced thickness

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2934357B2 (ja) 半導体装置
KR100339044B1 (ko) 볼그리드어레이 반도체패키지 및 그 제조방법
JP3285815B2 (ja) リードフレーム,樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
EP2605276B1 (en) Packaged leadless semiconductor device
US4827376A (en) Heat dissipating interconnect tape for use in tape automated bonding
US7208819B2 (en) Power module package having improved heat dissipating capability
US6404049B1 (en) Semiconductor device, manufacturing method thereof and mounting board
KR970005712B1 (ko) 고 열방출용 반도체 패키지
JP3032964B2 (ja) ボールグリッドアレイ半導体のパッケージ及び製造方法
US7202561B2 (en) Semiconductor package with heat dissipating structure and method of manufacturing the same
US5886408A (en) Multi-chip semiconductor device
JP3243116B2 (ja) 半導体装置
US6657296B2 (en) Semicondctor package
JP2844316B2 (ja) 半導体装置およびその実装構造
US5398160A (en) Compact power module with a heat spreader
JP2881575B2 (ja) ヒートシンク付着ボールグリッドアレイ半導体パッケージ
US5594234A (en) Downset exposed die mount pad leadframe and package
JP3526788B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6566164B1 (en) Exposed copper strap in a semiconductor package
CN100490140C (zh) 双规引线框
US5598031A (en) Electrically and thermally enhanced package using a separate silicon substrate
US7495323B2 (en) Semiconductor package structure having multiple heat dissipation paths and method of manufacture
US5198964A (en) Packaged semiconductor device and electronic device module including same
US6559525B2 (en) Semiconductor package having heat sink at the outer surface
US5293301A (en) Semiconductor device and lead frame used therein