JPH02310954A - リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及びそれを用いた半導体装置Info
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- JPH02310954A JPH02310954A JP1131380A JP13138089A JPH02310954A JP H02310954 A JPH02310954 A JP H02310954A JP 1131380 A JP1131380 A JP 1131380A JP 13138089 A JP13138089 A JP 13138089A JP H02310954 A JPH02310954 A JP H02310954A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放熱性を高くした半導体装置に関するもので
ある。
ある。
半導体チップを湿気などの外気の影響から保護したり、
またプリント基板等へ実装するために、上記チップをパ
ッケージに収納することが行なわれている。現在では、
コストが高いセラミック製のパッケージより大量生産が
可能で安価なプラスチック製のパッケージが一般的に使
用されている。
またプリント基板等へ実装するために、上記チップをパ
ッケージに収納することが行なわれている。現在では、
コストが高いセラミック製のパッケージより大量生産が
可能で安価なプラスチック製のパッケージが一般的に使
用されている。
なお、プラスチックパッケージについては、平凡社出版
ＶＬＳ Ｉテクノロジー入門１９８６年９月１日ｐ、
１７２等に記載されている。
ＶＬＳ Ｉテクノロジー入門１９８６年９月１日ｐ、
１７２等に記載されている。
ところが、最近では半導体チップの集積度が増大するに
つれ、半導坏チップ自身からの発熱量が増大してきてい
る。しかし、プラスチックパッケージ自体は熱伝導度が
小さい為に熱の発散が十分にできず、しかも外部導出用
リードからの放熱だけでは不十分となりチップやパッケ
ージに大きな熱ストレスが加わるという問題があった。
つれ、半導坏チップ自身からの発熱量が増大してきてい
る。しかし、プラスチックパッケージ自体は熱伝導度が
小さい為に熱の発散が十分にできず、しかも外部導出用
リードからの放熱だけでは不十分となりチップやパッケ
ージに大きな熱ストレスが加わるという問題があった。
そこで、本発明者は、パッケージの表面に金属板を両面
テープ等で取り付は放熱性を向上させることを考えたが
、放熱性の低いグラスチック部分を介しているために金
属板へは十分な熱が伝達されず、放熱が不十分となって
いた。
テープ等で取り付は放熱性を向上させることを考えたが
、放熱性の低いグラスチック部分を介しているために金
属板へは十分な熱が伝達されず、放熱が不十分となって
いた。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、上記のとおりである。
を簡単に説明すれば、上記のとおりである。
すなわち、チップからの熱が伝達し易い外部導出用リー
ドから少なくともその一部を放熱用リードとして分岐さ
せ、パッケージの外に突出させ金属部分の放熱面積を増
大させるものである。
ドから少なくともその一部を放熱用リードとして分岐さ
せ、パッケージの外に突出させ金属部分の放熱面積を増
大させるものである。
上記した手段によれば、熱の伝達し易い金属部分からパ
ッケージ外部に放熱する面積を増大できるので、半導体
チップあるいはパッケージへの熱ストレスを低減させる
ことが可能となる。
ッケージ外部に放熱する面積を増大できるので、半導体
チップあるいはパッケージへの熱ストレスを低減させる
ことが可能となる。
〔実施例１〕
第１図は、本発明の一実施例であるリードフレームの部
分平面図、第２図はモールドが完了したリードフレーム
状態の半導体装置の平面図、第３図は完成した半導体装
置の部分断面図である。以下、図面に従い詳細に説明す
る。１は通常リードフレームと呼はれ、この１枚のリー
ドフレームから複数個の半導体装置２が得られるように
なっている。３は半導体チップ４を載置するためのタブ
であり、本実施例では２本のタブリード５により支持さ
れている。６は一端がタブ３の周辺に近接延在している
外部接続用リードであり、便宜上プラスチックで封止さ
れる部分の外部接続用リード６をインナーリード６Ａ、
プラスチックで封止されないパッケージＰの外側から突
出する部分の外部接続用リード６を７ウターリード６Ｂ
とする。
分平面図、第２図はモールドが完了したリードフレーム
状態の半導体装置の平面図、第３図は完成した半導体装
置の部分断面図である。以下、図面に従い詳細に説明す
る。１は通常リードフレームと呼はれ、この１枚のリー
ドフレームから複数個の半導体装置２が得られるように
なっている。３は半導体チップ４を載置するためのタブ
であり、本実施例では２本のタブリード５により支持さ
れている。６は一端がタブ３の周辺に近接延在している
外部接続用リードであり、便宜上プラスチックで封止さ
れる部分の外部接続用リード６をインナーリード６Ａ、
プラスチックで封止されないパッケージＰの外側から突
出する部分の外部接続用リード６を７ウターリード６Ｂ
とする。
７は上記インナーリード６Ａの側面から分岐した放熱用
リードであるが、アクタ−リード６Ｂから放熱用リード
を分岐させても良い。なお、８はリードフレーム１を構
成する横枠、９は縦枠８に平行して形成されるタイバー
である。半導体装置２はこのリードフレーム１により得
られたもので銅等で代表される熱１ＪＬ２Ｓ率の高い金
属板１１が絶縁性の接着剤１２を介して放熱用リード７
と接続し、かつ固定されている。
リードであるが、アクタ−リード６Ｂから放熱用リード
を分岐させても良い。なお、８はリードフレーム１を構
成する横枠、９は縦枠８に平行して形成されるタイバー
である。半導体装置２はこのリードフレーム１により得
られたもので銅等で代表される熱１ＪＬ２Ｓ率の高い金
属板１１が絶縁性の接着剤１２を介して放熱用リード７
と接続し、かつ固定されている。
次に上述の半導体装置の製造方法について説明する。ま
ず、スタンピングあるいはエツチング等の技術により作
成したリードフレーム１を用意する。
ず、スタンピングあるいはエツチング等の技術により作
成したリードフレーム１を用意する。
次に、 リードフレーム・１をチップボンディング工
程へ移送し半導体チップ４を銀ペースト（図示せず）等
の接着剤によりタブ３上に取付ける６次Ｋ、ワイヤポン
ディング工程へ移送して半導体チップ４上の電極（図示
せず）と外部接続用リード６の先端部とを導電体、すな
わちボンディングワイヤ・１３にて電気的に接続する。
程へ移送し半導体チップ４を銀ペースト（図示せず）等
の接着剤によりタブ３上に取付ける６次Ｋ、ワイヤポン
ディング工程へ移送して半導体チップ４上の電極（図示
せず）と外部接続用リード６の先端部とを導電体、すな
わちボンディングワイヤ・１３にて電気的に接続する。
ワイヤボンディングが完了したリードフレーム１は、半
導体チップ４、外部接続用リード６のインナーリード６
Ａ１ボンデイングワイヤ等をレジン（プラスチック）に
て封止し、湿気等の外部環境から保護する。次に、外部
接続用リード６と放熱用リード７を連結しているタイバ
ー１０を切断する。それと同時にリードフレーム１の縦
枠あるいは横枠８と連結している外部接続用リード６と
タブリード５を切断する０次に、外部接続用リード６を
下方向へ折り曲げるとともに放熱用リード７を上方向へ
折り曲げ、さらＫその先端部７ａを半導体装置２のパッ
ケージＰ上面に対してはぼ平行となるように屈曲させる
。そして、絶縁性の接着剤１２により各放熱用リード７
間が電気的にショートシないよう金属板１１を放熱用リ
ード７に取付ける。なお、金属板１１を放熱用リード７
に取付けた際、パッケージＰの表面に対して金属板１１
が平行となることが好ましく、またパッケージＰの表面
側に金属板１１を取付ける際にはあらかじめ金属板１１
にマークを印刷してお（とよい。
導体チップ４、外部接続用リード６のインナーリード６
Ａ１ボンデイングワイヤ等をレジン（プラスチック）に
て封止し、湿気等の外部環境から保護する。次に、外部
接続用リード６と放熱用リード７を連結しているタイバ
ー１０を切断する。それと同時にリードフレーム１の縦
枠あるいは横枠８と連結している外部接続用リード６と
タブリード５を切断する０次に、外部接続用リード６を
下方向へ折り曲げるとともに放熱用リード７を上方向へ
折り曲げ、さらＫその先端部７ａを半導体装置２のパッ
ケージＰ上面に対してはぼ平行となるように屈曲させる
。そして、絶縁性の接着剤１２により各放熱用リード７
間が電気的にショートシないよう金属板１１を放熱用リ
ード７に取付ける。なお、金属板１１を放熱用リード７
に取付けた際、パッケージＰの表面に対して金属板１１
が平行となることが好ましく、またパッケージＰの表面
側に金属板１１を取付ける際にはあらかじめ金属板１１
にマークを印刷してお（とよい。
〔実施例２〕
第４図は、本発明の一実施例である半導体装置の部分図
である。
である。
図示するように、本実施例では外部接続用リード１４の
側面から分岐するのではなく、放熱用リード１５をリー
ド内側から分岐させて、金属板１６と接続するようにし
ても良い、その際、当然ながら、金属板１６と各放熱用
リードは絶縁されている（絶縁のため゛の接着剤等は図
示せず）。
側面から分岐するのではなく、放熱用リード１５をリー
ド内側から分岐させて、金属板１６と接続するようにし
ても良い、その際、当然ながら、金属板１６と各放熱用
リードは絶縁されている（絶縁のため゛の接着剤等は図
示せず）。
次に、本実施例の作用・効果について説明する。
（１） 放熱用リードを外部接続用リードから分岐さ
せ、かつパッケージの外へ上記放熱用リードを突出せし
めることにより、金属部分からの放熱面積を増大させる
ことかでき、半導体チップやパッケージへの熱ストレス
を低減できるという効果が得られる。
せ、かつパッケージの外へ上記放熱用リードを突出せし
めることにより、金属部分からの放熱面積を増大させる
ことかでき、半導体チップやパッケージへの熱ストレス
を低減できるという効果が得られる。
（２） 放熱用リードをパッケージ近傍に配置した金
属板（かならずしもパッケージと一体である必要はない
）と絶縁状態で接続することにより半導体チップで生じ
た熱を金属である放熱用リードから直接的に金属板に伝
達することや−でき、極めて効率的に放熱が可能となる
ものである。
属板（かならずしもパッケージと一体である必要はない
）と絶縁状態で接続することにより半導体チップで生じ
た熱を金属である放熱用リードから直接的に金属板に伝
達することや−でき、極めて効率的に放熱が可能となる
ものである。
（３）アウターリードの内側から放熱用リードを分岐さ
せることにより、外部接続用リードの間隔ｈ ′に余裕
のない半導体装置であっても適用することができるとい
う効果が得られる。
せることにより、外部接続用リードの間隔ｈ ′に余裕
のない半導体装置であっても適用することができるとい
う効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発゛明を実施例にもとづ
き具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない、たとえば、タブリー
ドもしくはタブリードから分岐した金属片を放熱用リー
ドとしても良い。
き具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない、たとえば、タブリー
ドもしくはタブリードから分岐した金属片を放熱用リー
ドとしても良い。
本顯において開示される発明のうち代表的なものにより
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。
すなわち、金属部分からの放熱面積を放熱用リードで増
加できると共に、この放熱用リードを金属板等の熱伝Ｒ
率の高い部材に絶縁状態で接続することにより厚いプラ
スチック部分を介さず直接的に半導体チップから生じた
熱を放熱することが可能となるものである。
加できると共に、この放熱用リードを金属板等の熱伝Ｒ
率の高い部材に絶縁状態で接続することにより厚いプラ
スチック部分を介さず直接的に半導体チップから生じた
熱を放熱することが可能となるものである。
第１図は本発明の一実施例であるリードフレームの平面
図、 第２図は第１図のリードフレームを用いた半導体装置の
断面図、 第３図は、本発明の一実施例である半導体装置の部分断
面図、 第４図は１本発明の他の実施例である半導体装置の部分
図である。 １゛・・・リードフレーム、２・・・半導体装置、３・
・・タブ、４・・・半導体チップ、５・・・タブリード
、６゜１４・・・外部接続リード、７．１５・・・放熱
用リード、８・・・横枠、９・・・縦枠、１０・・・タ
イバー、１１゜１６・・・金属板、１２・・・絶縁性接
着剤、１３・・・ボンディングワイヤ。 第１図 １−リ−）・フレーム ３−タブ゛ ７−１プ襄５１刊リード 第２図 第３図
図、 第２図は第１図のリードフレームを用いた半導体装置の
断面図、 第３図は、本発明の一実施例である半導体装置の部分断
面図、 第４図は１本発明の他の実施例である半導体装置の部分
図である。 １゛・・・リードフレーム、２・・・半導体装置、３・
・・タブ、４・・・半導体チップ、５・・・タブリード
、６゜１４・・・外部接続リード、７．１５・・・放熱
用リード、８・・・横枠、９・・・縦枠、１０・・・タ
イバー、１１゜１６・・・金属板、１２・・・絶縁性接
着剤、１３・・・ボンディングワイヤ。 第１図 １−リ−）・フレーム ３−タブ゛ ７−１プ襄５１刊リード 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップを載置するためのタブと、前記タブの
周辺近傍に先端部が配置されている複数の接続用リード
と、上記複数の接続用リードのうち少なくとも１本の接
続用リードから放熱用リードが分岐していることを特徴
とするリードフレーム。 ２、上記放熱用リードは、外部接続用リードの側面から
分岐していることを特徴とするリードフレーム。 ３、上記放熱用リードは、外部接続用リードの内側から
分岐していることを特徴とするリードフレーム。 ４、半導体チップを載置したタブと、前記タブの周辺近
傍に先端部が配置されている複数の外部接続用リードと
、上記半導体チップの電極と外部接続用リードの一端と
を電気的に接続する導電体と、前記半導体チップ、外部
接続用リードの先端部及び導電体を封止するパッケージ
と、外部接続用リードから分岐し、かつパッケージの外
部にその一部を突出させている放熱用リードを有する半
導体装置。 ５、半導体チップを載置したタブと、前記タブの周辺近
傍に先端部が配置されている複数の外部接続用リードと
、上記半導体チップの電極と外部接続用リードの一端と
を電気的に接続する導電体と、前記半導体チップ、外部
接続用リードの先端部及び導電体を封止するパッケージ
と、外部接続用リードから分岐し、かつパッケージの外
部にその一部を突出させている放熱用リードと、上記パ
ッケージの表面もしくは裏面側に配置し放熱用リードと
絶縁状態で接続する金属板を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1131380A JPH02310954A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1131380A JPH02310954A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02310954A true JPH02310954A (ja) | 1990-12-26 |
Family
ID=15056598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1131380A Pending JPH02310954A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02310954A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5532905A (en) * | 1994-07-19 | 1996-07-02 | Analog Devices, Inc. | Thermally enhanced leadframe for packages that utilize a large number of leads |
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| FR2736467A1 (fr) * | 1995-07-07 | 1997-01-10 | Samsung Aerospace Ind | Dispositif semiconducteur dissipant la chaleur |
| US5796159A (en) * | 1995-11-30 | 1998-08-18 | Analog Devices, Inc. | Thermally efficient integrated circuit package |
| EP1526571A2 (en) * | 2003-10-21 | 2005-04-27 | Delphi Technologies, Inc. | Integrated circuit package with integral leadrame heat dissipator and manufacturing method therefor |
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| US9905497B2 (en) | 2008-08-29 | 2018-02-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and lead frame |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP1131380A patent/JPH02310954A/ja active Pending
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