JPH02280364A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02280364A JPH02280364A JP10227189A JP10227189A JPH02280364A JP H02280364 A JPH02280364 A JP H02280364A JP 10227189 A JP10227189 A JP 10227189A JP 10227189 A JP10227189 A JP 10227189A JP H02280364 A JPH02280364 A JP H02280364A
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Classifications
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-
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置に係り、パッケージの熱放散性の
改善に関するものである。
改善に関するものである。
［従来の技Ｗｇ］
従来の半導体装置を第２図に示す。
半導体装置・１をプリント基板２にハンダ付した後の状
態である。半導体装置や、抵抗７．コンデンサ８などが
高密度に実装されている。
態である。半導体装置や、抵抗７．コンデンサ８などが
高密度に実装されている。
［発明が解決しようとする課ｍｌ
上記の様な従来の半導体装置においては、第２図に示す
如（、す７０−ハンダ付後の、工０チップ１１の動作状
態において、合成樹脂１０は、熱伝導率が低いため、工
Ｏチップから発生する熱が放散せず、半導体装Ｗ１１は
非常に高温になり、工０チップの誤動作、特性低下、破
損の原因となった。
如（、す７０−ハンダ付後の、工０チップ１１の動作状
態において、合成樹脂１０は、熱伝導率が低いため、工
Ｏチップから発生する熱が放散せず、半導体装Ｗ１１は
非常に高温になり、工０チップの誤動作、特性低下、破
損の原因となった。
最近の工０パターンの微細化、又は、工０チップの高速
動作化に伴ない、特にこの開環が大きくなってきた。
動作化に伴ない、特にこの開環が大きくなってきた。
この発明は上記の様な問題点を解決すべ（なされたもの
で、半導体装置の熱放散性を改善し、工Ｃチップの誤動
作、特性の低下、破損の防止をする事を目的としたもの
である。
で、半導体装置の熱放散性を改善し、工Ｃチップの誤動
作、特性の低下、破損の防止をする事を目的としたもの
である。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る半導体装置は、プリント基板へハンダ付
後、合成樹脂表面に金属片を抜身にて取付けたものであ
る。
後、合成樹脂表面に金属片を抜身にて取付けたものであ
る。
［作用コ
本発明において金属片の熱伝導率が高い為に、半導体装
置内に発生した熱は、金属片を通じ大気中に放散され、
半導体装置内の温度上昇を防止し工０チップの誤動作、
特性の低下、破損することがなくなった。
置内に発生した熱は、金属片を通じ大気中に放散され、
半導体装置内の温度上昇を防止し工０チップの誤動作、
特性の低下、破損することがなくなった。
［実施例コ
第１図は本発明の一実施例を示す断面図であへ図におい
て、ＩＯチップ１１はダイパット１２上に搭載され、リ
ード１５とワイヤ１４にてＭＫｉされ、合成樹脂１０で
樹脂封止されている。２０は金属片、２１は接着剤で、
半導体装置のプリント基板へのハンダ付後取付けられた
ものである。
て、ＩＯチップ１１はダイパット１２上に搭載され、リ
ード１５とワイヤ１４にてＭＫｉされ、合成樹脂１０で
樹脂封止されている。２０は金属片、２１は接着剤で、
半導体装置のプリント基板へのハンダ付後取付けられた
ものである。
以上の球な第４成において、工０チップから発生した熱
は、合成樹脂から金属片２０に直接伝わり、その高熱伝
導性により半導体装置・の熱放散性が改善される。金属
片の材料としてはアルミニウム、又は銅が考えられる。
は、合成樹脂から金属片２０に直接伝わり、その高熱伝
導性により半導体装置・の熱放散性が改善される。金属
片の材料としてはアルミニウム、又は銅が考えられる。
熱伝導率は、合成樹脂が０．００１ Ｃａｌ／Ｃｍ Ｓ
６ｃ ℃に対し、銅が０．９２５ ｃａｌ／ｃｍ Ｈ℃
で約９００倍、アルミニウムが、ａ ４８７ ｃａ
ｌ／ｃｍ Ｓｅｅ ’０ で約５００倍あり、金属片
を取付けることの効果は著しい。
６ｃ ℃に対し、銅が０．９２５ ｃａｌ／ｃｍ Ｈ℃
で約９００倍、アルミニウムが、ａ ４８７ ｃａ
ｌ／ｃｍ Ｓｅｅ ’０ で約５００倍あり、金属片
を取付けることの効果は著しい。
又、第３図に示す様に、金属片２０に、フィン３０を設
けることにより、この効果はさらに増すものである。又
、ＩＣチップとリードとの接続がＴＡＢ方式であっても
良い。
けることにより、この効果はさらに増すものである。又
、ＩＣチップとリードとの接続がＴＡＢ方式であっても
良い。
［発明の効果］
以上の様に本発明は、工Ｃチップを合成樹脂で封止して
なるサーフェイスマウント用導体装置において、樹脂封
止後合成樹脂の表面に、金属片を接着にて取付ける事に
より、熱放熱性を改善し、工Ｃチップの誤動作、特性低
下、破損を防止することが可能になるという効果がある
。
なるサーフェイスマウント用導体装置において、樹脂封
止後合成樹脂の表面に、金属片を接着にて取付ける事に
より、熱放熱性を改善し、工Ｃチップの誤動作、特性低
下、破損を防止することが可能になるという効果がある
。
第１図は、本発明の一実施例を示す断面図、第２図は、
従来の半導体装置を示す説明図、第３図は、本発明の他
の実施例を示す断面図。 １・・・・・・・・・半導体装置 ２・・・・・・・・・プリント基板 １ｏ・・・・・・・・・合成樹脂 １１・・・・・・・・・ＩＯチップ １２・・・・・・・・・ダイパッド ２０・・・・・・・・・金属片 ２１・・・・・・・・・接着剤 ３０・・・・・・・・・フィン ・璋３題
従来の半導体装置を示す説明図、第３図は、本発明の他
の実施例を示す断面図。 １・・・・・・・・・半導体装置 ２・・・・・・・・・プリント基板 １ｏ・・・・・・・・・合成樹脂 １１・・・・・・・・・ＩＯチップ １２・・・・・・・・・ダイパッド ２０・・・・・・・・・金属片 ２１・・・・・・・・・接着剤 ３０・・・・・・・・・フィン ・璋３題
Claims (3)
- （１）ＩＣチップの複数のボンディングパットと、リー
ドフレームの複数のリードとをそれぞれ電気的に接続し
、これらを合成樹脂で封止してなるサーフエイスマウン
ト用半導体装置において、樹脂封止後合成樹脂の表面に
、金属片を接着して取付ける事を特徴とする半導体装置
。 - （２）ボンディングパッドとリードとを電気的に接続す
る方法が、ワイヤボンディングである事を特徴とする半
導体装置。 - （３）ボンディングパッドとリードとを電気的に接続す
る方法が、ＴＡＢである事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10227189A JPH02280364A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10227189A JPH02280364A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02280364A true JPH02280364A (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=14322937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10227189A Pending JPH02280364A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02280364A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02302066A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-14 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH03256347A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US5317195A (en) * | 1990-11-28 | 1994-05-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device improved in light shielding property and light shielding package |
| US5644164A (en) * | 1995-07-07 | 1997-07-01 | Samsung Aerospace Industries, Ltd. | Semiconductor device which dissipates heat |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP10227189A patent/JPH02280364A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02302066A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-14 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH03256347A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US5317195A (en) * | 1990-11-28 | 1994-05-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device improved in light shielding property and light shielding package |
| US5394014A (en) * | 1990-11-28 | 1995-02-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device improved in light shielding property and light shielding package |
| US5644164A (en) * | 1995-07-07 | 1997-07-01 | Samsung Aerospace Industries, Ltd. | Semiconductor device which dissipates heat |
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