JPH02302066A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH02302066A JPH02302066A JP1123716A JP12371689A JPH02302066A JP H02302066 A JPH02302066 A JP H02302066A JP 1123716 A JP1123716 A JP 1123716A JP 12371689 A JP12371689 A JP 12371689A JP H02302066 A JPH02302066 A JP H02302066A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関する。
従来の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームに設け
た素子搭載部に半導体素子をダイボンディングし、前記
半導体素子の電極と前記リードフレームの内部リードを
ボンディング線で接続し、。
た素子搭載部に半導体素子をダイボンディングし、前記
半導体素子の電極と前記リードフレームの内部リードを
ボンディング線で接続し、。
その後、前記半導体素子を含んで樹脂体で封止し、外部
リードの表面処理後外部リードを前記リードフレームよ
り切離して所定の形状に加工し、樹脂封止型半導体装置
を形成する。このように、樹脂封止型半導体装置は材料
費が安くまた量産性に優れているため安価である。
リードの表面処理後外部リードを前記リードフレームよ
り切離して所定の形状に加工し、樹脂封止型半導体装置
を形成する。このように、樹脂封止型半導体装置は材料
費が安くまた量産性に優れているため安価である。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、熱伝導率の低
い約○、 ＯＯ０２ｃａｉ／（ｃｍｓｅｃ、’ｃ）のエ
ポキシ樹脂が用いられているので、半導体素子から発す
る熱の放散性が悪く半導体素子の温度が上昇するなめ回
路の誤動作や半導体素子の配線材料であるアルミニウム
のマイグレーションによる断線故障を起こす欠点があっ
た。
い約○、 ＯＯ０２ｃａｉ／（ｃｍｓｅｃ、’ｃ）のエ
ポキシ樹脂が用いられているので、半導体素子から発す
る熱の放散性が悪く半導体素子の温度が上昇するなめ回
路の誤動作や半導体素子の配線材料であるアルミニウム
のマイグレーションによる断線故障を起こす欠点があっ
た。
また、半導体素子の消費電力が大きい場合は、半導体素
子を樹脂封止型のパッケージには搭載することができず
熱伝導率のすぐれたセラミック容器のパッケージに搭載
しなければならず、コスト高になる欠点があった。
子を樹脂封止型のパッケージには搭載することができず
熱伝導率のすぐれたセラミック容器のパッケージに搭載
しなければならず、コスト高になる欠点があった。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体装置を封止し
た樹脂体の少くとも１面の表面に接着剤を介して放熱用
フィンを有するし−１〜シンクを固着して構成される。
た樹脂体の少くとも１面の表面に接着剤を介して放熱用
フィンを有するし−１〜シンクを固着して構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ＞、（ｂ）は本発明の第１の実施例を示す半
導体装置の平面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
導体装置の平面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
第１図（ａ）、（ｂ）に示すように、アイランド１の上
に半導体チップ２をマウントし、半導体チップ２の電極
と内部リード３をボンディング線４で接続し、樹脂体５
で封止したＱ Ｆ Ｐ （ＱｕａｄＦｌａｔ Ｐａｃｋ
ａｇｅ）の内部リード３に接続して外部リード６を導比
し、樹脂体５の上面に高さ３〜２０ｍｍの多数のアルミ
ニウム円柱からなる放熱フィン７を設けたヒートシンク
８を樹脂系接着剤９を介して固着して半導体装置を構成
する。
に半導体チップ２をマウントし、半導体チップ２の電極
と内部リード３をボンディング線４で接続し、樹脂体５
で封止したＱ Ｆ Ｐ （ＱｕａｄＦｌａｔ Ｐａｃｋ
ａｇｅ）の内部リード３に接続して外部リード６を導比
し、樹脂体５の上面に高さ３〜２０ｍｍの多数のアルミ
ニウム円柱からなる放熱フィン７を設けたヒートシンク
８を樹脂系接着剤９を介して固着して半導体装置を構成
する。
ここで、樹脂系接着剤９はトーμ・シリコーン社製の５
Ｅ４４００ＡＢというシリコーン樹脂を用いており、そ
の熱伝導率は約０．０Ｏ１ｃａｌ／（ｃｍ、ｓｅｃ、’
ｃ）である。ＱＦＰの表面に樹脂系接着剤９を塗布し、
ヒートシンク８をのせて圧力を加えながら１５０℃で３
０分間加熱して固化し、接着する。
Ｅ４４００ＡＢというシリコーン樹脂を用いており、そ
の熱伝導率は約０．０Ｏ１ｃａｌ／（ｃｍ、ｓｅｃ、’
ｃ）である。ＱＦＰの表面に樹脂系接着剤９を塗布し、
ヒートシンク８をのせて圧力を加えながら１５０℃で３
０分間加熱して固化し、接着する。
半導体チップ２から発せらせな熱は樹脂体５を伝わりヒ
ートシンク８の放熱フィン７を経由して外気中に放散さ
れることにより半導体チップの接合面とパッケージ周囲
の雰囲気間の熱抵抗値が低下し、半導体チップの温度上
昇を抑えることができる。
ートシンク８の放熱フィン７を経由して外気中に放散さ
れることにより半導体チップの接合面とパッケージ周囲
の雰囲気間の熱抵抗値が低下し、半導体チップの温度上
昇を抑えることができる。
第２図は本発明の第２の実施例を示す半導体装置の平面
図及びＢ−Ｂ’線断面図である。
図及びＢ−Ｂ’線断面図である。
第２図に示すように、アルミニウム製の板に多数の溝を
配列して設けた放熱フィン】０を備えたヒートシンク８
を有する以外は第１の実施例と同じ構成を有しており、
同様の効果がある。
配列して設けた放熱フィン】０を備えたヒートシンク８
を有する以外は第１の実施例と同じ構成を有しており、
同様の効果がある。
以上説明したように本発明は、樹脂封止型半導体装置の
樹脂体の表面に放熱用フィンを有するヒートシンクを熱
伝導率的○、○０１ ｃａｊ／（ｃ［ｓｅｃ・℃）接着
樹脂系接着剤を用いて固着することにより、半導体装置
の熱放散性を著しく向上させ、熱放散性の優れた高価な
セラミックパッケージを使用しなくても消費電力の大き
な半導体素子を搭載でき、安価で生産性のすぐれた樹脂
封止型半導体装置を実現でき、信頼性を向上させた半導
体装置を提供できる効果がある。
樹脂体の表面に放熱用フィンを有するヒートシンクを熱
伝導率的○、○０１ ｃａｊ／（ｃ［ｓｅｃ・℃）接着
樹脂系接着剤を用いて固着することにより、半導体装置
の熱放散性を著しく向上させ、熱放散性の優れた高価な
セラミックパッケージを使用しなくても消費電力の大き
な半導体素子を搭載でき、安価で生産性のすぐれた樹脂
封止型半導体装置を実現でき、信頼性を向上させた半導
体装置を提供できる効果がある。
図面の簡単な説明
第１図は本発明の第１の実施例を示す半導体装置の平面
図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図は本発明の第２の実施
例を示す半導体装置の平面図及びＢ−Ｂ’線断面図であ
る。
図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図は本発明の第２の実施
例を示す半導体装置の平面図及びＢ−Ｂ’線断面図であ
る。
１・・・アイランド、２・・・半導体チップ、３・・・
内部リード、４・・・ボンディング線、５・・・樹脂体
、６・・・外部リード、７・・・放熱フィン、８・・・
ヒートシンク、９・・・接着剤、１０・・・放熱フィン
。
内部リード、４・・・ボンディング線、５・・・樹脂体
、６・・・外部リード、７・・・放熱フィン、８・・・
ヒートシンク、９・・・接着剤、１０・・・放熱フィン
。
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置において、半導体素子を封止した
樹脂体の少くとも１面の表面に接着剤を介して放熱用フ
ィンを有するヒートシンクを固着したことを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123716A JPH02302066A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123716A JPH02302066A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302066A true JPH02302066A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14867596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1123716A Pending JPH02302066A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02302066A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55105354A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-12 | Toshiba Corp | Resin-sealed semiconductor device |
| JPH02280364A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-16 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-05-16 JP JP1123716A patent/JPH02302066A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55105354A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-12 | Toshiba Corp | Resin-sealed semiconductor device |
| JPH02280364A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-16 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
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