JPH04316357A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH04316357A JPH04316357A JP11113091A JP11113091A JPH04316357A JP H04316357 A JPH04316357 A JP H04316357A JP 11113091 A JP11113091 A JP 11113091A JP 11113091 A JP11113091 A JP 11113091A JP H04316357 A JPH04316357 A JP H04316357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- die pad
- sealing resin
- pad support
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 6
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
、特に熱放散性を高くすることのできる樹脂封止型半導
体装置に関する。
、特に熱放散性を高くすることのできる樹脂封止型半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置は一般に他から独
立したダイパッドにより半導体チップを支持し、この半
導体チップを樹脂により封止してなる。そして、従来に
おいては放熱フィンあるいはそれに相当するものはなか
った。
立したダイパッドにより半導体チップを支持し、この半
導体チップを樹脂により封止してなる。そして、従来に
おいては放熱フィンあるいはそれに相当するものはなか
った。
【０００３】従って、従来においては、半導体チップで
発生した熱は、主としてダイパッドを通り封止樹脂の下
部を経て外部へ放熱される。
発生した熱は、主としてダイパッドを通り封止樹脂の下
部を経て外部へ放熱される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体チッ
プはトランジスタ等の素子の高集積化、大チップ化が進
み消費電力が増加する傾向にある。それに対して半導体
チップを樹脂封止してなる半導体装置には小型化、薄型
化が要求されている。そして、小型化、薄型化する程装
置の大きさに対する半導体チップの発熱量の比が大きく
なり、熱放散性の高いことが必要となる。そして、それ
に応えられないときは、最悪の場合回路が誤動作する。
プはトランジスタ等の素子の高集積化、大チップ化が進
み消費電力が増加する傾向にある。それに対して半導体
チップを樹脂封止してなる半導体装置には小型化、薄型
化が要求されている。そして、小型化、薄型化する程装
置の大きさに対する半導体チップの発熱量の比が大きく
なり、熱放散性の高いことが必要となる。そして、それ
に応えられないときは、最悪の場合回路が誤動作する。
【０００５】そこで、封止樹脂の上面に金属板を貼り付
けて熱放散性を良くしようとすることも試みられた。し
かし、それは半導体チップが発生した熱のうちほんの一
部分に過ぎない半導体チップから封止樹脂の上部に向う
熱についてのみ放熱性を若干高めることができるに過ぎ
ない。従って、充分な熱放散性を得ることは難しかった
。
けて熱放散性を良くしようとすることも試みられた。し
かし、それは半導体チップが発生した熱のうちほんの一
部分に過ぎない半導体チップから封止樹脂の上部に向う
熱についてのみ放熱性を若干高めることができるに過ぎ
ない。従って、充分な熱放散性を得ることは難しかった
。
【０００６】また、ダイパッド層、電位層、信号層から
なる多層リードフレームを用いると比較的熱放散性を良
くすることができるが、しかし、このような樹脂封止型
半導体装置は高価な多層リードフレームを用いるので、
製造コスト増を招くし、また、ダイパッドが普通の樹脂
封止型半導体装置のそれよりも大きくなるので樹脂封止
型半導体装置の回路基板への実装のための半田リフロー
時に急激な加熱により樹脂内の水分が気化し、その圧力
により封止樹脂に亀裂（クラック）が生じるという問題
が生じる。
なる多層リードフレームを用いると比較的熱放散性を良
くすることができるが、しかし、このような樹脂封止型
半導体装置は高価な多層リードフレームを用いるので、
製造コスト増を招くし、また、ダイパッドが普通の樹脂
封止型半導体装置のそれよりも大きくなるので樹脂封止
型半導体装置の回路基板への実装のための半田リフロー
時に急激な加熱により樹脂内の水分が気化し、その圧力
により封止樹脂に亀裂（クラック）が生じるという問題
が生じる。
【０００７】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、多層リードフレームを用いることな
く樹脂封止型半導体装置の熱放散性を高めることを目的
とする。
されたものであり、多層リードフレームを用いることな
く樹脂封止型半導体装置の熱放散性を高めることを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明樹脂封止型半導体
装置は、ダイパッド支持リードの封止樹脂外部に導出さ
れた部分に放熱フィンを一体に形成し、該放熱フィンを
封止樹脂の主面に接着してなることを特徴とする。
装置は、ダイパッド支持リードの封止樹脂外部に導出さ
れた部分に放熱フィンを一体に形成し、該放熱フィンを
封止樹脂の主面に接着してなることを特徴とする。
【０００９】
【実施例】以下、本発明樹脂封止型半導体装置を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本
発明樹脂封止型半導体装置の一つの実施例を示すもので
、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図
である。図面において、１は半導体チップで、リードフ
レームのダイパッド２上面にダイボンディングされてい
る。
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本
発明樹脂封止型半導体装置の一つの実施例を示すもので
、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図
である。図面において、１は半導体チップで、リードフ
レームのダイパッド２上面にダイボンディングされてい
る。
【００１０】３、３、３、３はダイパッド２の４個の角
部に一体に連結されたダイパッド支持リードで、３ａ、
３ａ、３ａ、３ａは該ダイパッド支持リード３、３、３
、３の後述する封止樹脂（７）から外部に導出された部
分で、該ダイパッド支持リード導出部３ａ、３ａ、３ａ
、３ａに矩形の放熱フィン４、４、４、４、…が一体に
連結されている。
部に一体に連結されたダイパッド支持リードで、３ａ、
３ａ、３ａ、３ａは該ダイパッド支持リード３、３、３
、３の後述する封止樹脂（７）から外部に導出された部
分で、該ダイパッド支持リード導出部３ａ、３ａ、３ａ
、３ａに矩形の放熱フィン４、４、４、４、…が一体に
連結されている。
【００１１】５、５、…は半導体チップ１の電極を外部
に導出するリード、６、６、…はリード５、５、…の内
端部と、半導体チップ１の電極との間を電気的に接続す
るコネクトワイヤ、７は半導体チップ１を封止する樹脂
である。尚、上記リード５、５、…、ダイパッド支持リ
ード３、３、…及びダイパッド２は一枚のリードフレー
ム（図２参照）として一体に形成され、樹脂封止後に不
要部分をカットされたものである。ダイパッド支持リー
ド３、３、…は熱抵抗低減のためにリード５よりも広く
形成されている。
に導出するリード、６、６、…はリード５、５、…の内
端部と、半導体チップ１の電極との間を電気的に接続す
るコネクトワイヤ、７は半導体チップ１を封止する樹脂
である。尚、上記リード５、５、…、ダイパッド支持リ
ード３、３、…及びダイパッド２は一枚のリードフレー
ム（図２参照）として一体に形成され、樹脂封止後に不
要部分をカットされたものである。ダイパッド支持リー
ド３、３、…は熱抵抗低減のためにリード５よりも広く
形成されている。
【００１２】上記ダイパッド支持リード３、３、３、３
の封止樹脂７から外部に導出された部分３ａ、３ａ、３
ａ、３ａは上側にＪ字状に折り曲げられ、放熱フィン４
、４、４、４は例えばエポキシ系の接着剤８により封止
樹脂７の上面に接着されている。この接着はキュア処理
により行われる。
の封止樹脂７から外部に導出された部分３ａ、３ａ、３
ａ、３ａは上側にＪ字状に折り曲げられ、放熱フィン４
、４、４、４は例えばエポキシ系の接着剤８により封止
樹脂７の上面に接着されている。この接着はキュア処理
により行われる。
【００１３】図２は図１に示した樹脂封止型半導体装置
の製造に用いたリードフレームを示す平面図である。同
図において、９、９、…はタイバー、１０、１０、１０
、１０は切断部、１１、１１、…はセクションバーであ
る。
の製造に用いたリードフレームを示す平面図である。同
図において、９、９、…はタイバー、１０、１０、１０
、１０は切断部、１１、１１、…はセクションバーであ
る。
【００１４】本樹脂封止型半導体装置によれば、半導体
チップ１から発生した熱の大部分がダイパッド２からダ
イパッド支持リード３、３、３、３及び放熱フィン４、
４、４、４を経て放熱され、熱放散性が顕著に高くなる
。これは樹脂封止型半導体装置内部の集積度の向上を可
能にするだけでなく本樹脂封止型半導体装置を使用する
電子機器の熱冷却機構を簡単にでき、回路基板への樹脂
封止型半導体装置の実装密度を高くすることができると
いう効果をもたらす。
チップ１から発生した熱の大部分がダイパッド２からダ
イパッド支持リード３、３、３、３及び放熱フィン４、
４、４、４を経て放熱され、熱放散性が顕著に高くなる
。これは樹脂封止型半導体装置内部の集積度の向上を可
能にするだけでなく本樹脂封止型半導体装置を使用する
電子機器の熱冷却機構を簡単にでき、回路基板への樹脂
封止型半導体装置の実装密度を高くすることができると
いう効果をもたらす。
【００１５】また、樹脂封止型半導体装置の回路基板へ
の実装のために半田リフローをするときに、放熱フィン
４、４、４、４が遮熱板として機能して封止樹脂７の急
激な温度上昇を防止し、封止樹脂７の水分の気化による
亀裂の発生を防止することができる。即ち、半田リフロ
ー時の加熱には赤外線が使用されるが、放熱フィン４、
４、４、４が封止樹脂７への赤外線の照射を遮ぎるから
、封止樹脂７の亀裂をもたらすような急激な温度上昇を
防止することができるのである。
の実装のために半田リフローをするときに、放熱フィン
４、４、４、４が遮熱板として機能して封止樹脂７の急
激な温度上昇を防止し、封止樹脂７の水分の気化による
亀裂の発生を防止することができる。即ち、半田リフロ
ー時の加熱には赤外線が使用されるが、放熱フィン４、
４、４、４が封止樹脂７への赤外線の照射を遮ぎるから
、封止樹脂７の亀裂をもたらすような急激な温度上昇を
防止することができるのである。
【００１６】図３は本発明樹脂封止型半導体装置の他の
実施例を示す平面図である。本実施例は放熱フィン２の
両側面にダイパッド支持リード３、３、３、３を設け、
該ダイパッド支持リード３、３、３、３に２枚の放熱フ
ィン４、４を設け、該放熱フィン４、４を封止樹脂７の
上面に接着したものであり、本発明はこのような態様で
も実施できる。
実施例を示す平面図である。本実施例は放熱フィン２の
両側面にダイパッド支持リード３、３、３、３を設け、
該ダイパッド支持リード３、３、３、３に２枚の放熱フ
ィン４、４を設け、該放熱フィン４、４を封止樹脂７の
上面に接着したものであり、本発明はこのような態様で
も実施できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明樹脂封止型半導体装置は、ダイパ
ッド支持リードが半導体チップ封止樹脂外部に導出され
、該ダイパッド支持リードの封止樹脂外部に導出された
部分に放熱フィンが一体に形成され、該放熱フィンが上
記半導体チップ封止樹脂の主面に接着せしめられてなる
ことを特徴とするものである。従って、本発明樹脂封止
型半導体装置によれば、半導体チップで発生した熱をダ
イパッドからダイパッド支持リードを経て封止樹脂主面
上の放熱フィンに至る熱抵抗のきわめて小さな放熱経路
が形成される。従って、高価な多層リードフレームを用
いなくても樹脂封止型半導体装置の熱放散性を高めるこ
とができる。
ッド支持リードが半導体チップ封止樹脂外部に導出され
、該ダイパッド支持リードの封止樹脂外部に導出された
部分に放熱フィンが一体に形成され、該放熱フィンが上
記半導体チップ封止樹脂の主面に接着せしめられてなる
ことを特徴とするものである。従って、本発明樹脂封止
型半導体装置によれば、半導体チップで発生した熱をダ
イパッドからダイパッド支持リードを経て封止樹脂主面
上の放熱フィンに至る熱抵抗のきわめて小さな放熱経路
が形成される。従って、高価な多層リードフレームを用
いなくても樹脂封止型半導体装置の熱放散性を高めるこ
とができる。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半導体装置
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）
は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）
は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
【図２】図１の樹脂封止型半導体装置の製造に用いるリ
ードフレームの平面図である。
ードフレームの平面図である。
【図３】本発明樹脂封止型半導体装置の他の実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
１ 半導体チップ
２ ダイパッド
３ ダイパッド支持リード
４ 放熱フィン
７ 封止樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 ダイパッド支持リードが半導体チップ
封止樹脂外部に導出され、上記ダイパッド支持リードの
封止樹脂に導出された部分に放熱フィンが一体に形成さ
れ、上記放熱フィンが上記半導体チップ封止樹脂の主面
に接着せしめられてなることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11113091A JPH04316357A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11113091A JPH04316357A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04316357A true JPH04316357A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=14553208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11113091A Pending JPH04316357A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04316357A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2736467A1 (fr) * | 1995-07-07 | 1997-01-10 | Samsung Aerospace Ind | Dispositif semiconducteur dissipant la chaleur |
| US5594282A (en) * | 1993-12-16 | 1997-01-14 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
| US5633529A (en) * | 1994-07-13 | 1997-05-27 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
| US5652461A (en) * | 1992-06-03 | 1997-07-29 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device with a convex heat sink |
| US5693984A (en) * | 1992-06-03 | 1997-12-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having a heat radiator |
| US5719442A (en) * | 1994-11-11 | 1998-02-17 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device |
| US5777380A (en) * | 1995-03-17 | 1998-07-07 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads |
| US5801435A (en) * | 1995-02-27 | 1998-09-01 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP11113091A patent/JPH04316357A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5652461A (en) * | 1992-06-03 | 1997-07-29 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device with a convex heat sink |
| US5653891A (en) * | 1992-06-03 | 1997-08-05 | Seiko Epson Corporation | Method of producing a semiconductor device with a heat sink |
| US5693984A (en) * | 1992-06-03 | 1997-12-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device having a heat radiator |
| US5594282A (en) * | 1993-12-16 | 1997-01-14 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
| US5891759A (en) * | 1993-12-16 | 1999-04-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a multiple heat sink resin sealing type semiconductor device |
| US5633529A (en) * | 1994-07-13 | 1997-05-27 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
| US5719442A (en) * | 1994-11-11 | 1998-02-17 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device |
| US5801435A (en) * | 1995-02-27 | 1998-09-01 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
| US5777380A (en) * | 1995-03-17 | 1998-07-07 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads |
| FR2736467A1 (fr) * | 1995-07-07 | 1997-01-10 | Samsung Aerospace Ind | Dispositif semiconducteur dissipant la chaleur |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3407971B2 (ja) | 集積回路パッケージおよびその組立構造 | |
| US6876069B2 (en) | Ground plane for exposed package | |
| US7319051B2 (en) | Thermally enhanced metal capped BGA package | |
| US7126218B1 (en) | Embedded heat spreader ball grid array | |
| US7312525B2 (en) | Thermally enhanced package for an integrated circuit | |
| US6271581B2 (en) | Semiconductor package structure having universal lead frame and heat sink | |
| JPH08213536A (ja) | パッケージの一面に露出した半導体ダイ取付けパッドを有するダウンセットされたリードフレームおよびその製造方法 | |
| KR102172689B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP2000077576A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH04316357A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2008085002A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH05275580A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03266456A (ja) | 半導体チップ用放熱部材及び半導体パッケージ | |
| JP2736161B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02280364A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002050726A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003023126A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005150693A (ja) | チップパッケージ構造 | |
| KR100233860B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JPH0722547A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2806345B2 (ja) | マルチチップモジュール | |
| JPH07106469A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH06275760A (ja) | 半導体装置 | |
| KR20000001487A (ko) | 고열방출 특성을 갖는 비지에이 패키지 | |
| JPH0555409A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |