JP2736161B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置に係わり、特に電源電圧発生用の
パワートランジスタやパワーIC等のパワー素子と、制御
用素子とが混載された樹脂封止型の半導体装置に関する
ものである。
パワートランジスタやパワーIC等のパワー素子と、制御
用素子とが混載された樹脂封止型の半導体装置に関する
ものである。
（従来の技術） 近年、電力用のパワー素子と、このパワー素子を制御
する制御用集積回路素子とを一つのパッケージ内に混載
することが行われている。パワー素子とリードとの間
は、超音波を加えてアルミニウム線を結合するUSワイヤ
ボンディングにより結線が行われ、制御用素子とリード
との間は、熱と超音波とを併用して金線を接合するUSワ
イヤボンディングにより結線が行われる。この後、樹脂
により両素子が封止される。
する制御用集積回路素子とを一つのパッケージ内に混載
することが行われている。パワー素子とリードとの間
は、超音波を加えてアルミニウム線を結合するUSワイヤ
ボンディングにより結線が行われ、制御用素子とリード
との間は、熱と超音波とを併用して金線を接合するUSワ
イヤボンディングにより結線が行われる。この後、樹脂
により両素子が封止される。
集積回路素子を一つ搭載する場合にも、素子の電極パ
ッドとリードとの間でワイヤボンディングが可能なよう
に、電極パッドの配列に工夫を要する。例えば第３図に
示された装置では、リードフレームのアイランド114上
に搭載された制御用素子111の電極パッド111aの配列（P
1〜P12）が、インナリード113の配列（L1〜L12）と対応
している。このため、電極パッド111aとインナリード11
3とをボンディングワイヤ112により接合することが可能
である。しかし、第４図に示されたように制御用素子11
1の電極パッド114の配列（P1〜P12）がインナリード113
の配列（L1〜L12）と対応していないとボンディングワ
イヤ112が交差して接触のおそれがあったり、ワイヤボ
ンディングを行うことが不可能な場合がある。
ッドとリードとの間でワイヤボンディングが可能なよう
に、電極パッドの配列に工夫を要する。例えば第３図に
示された装置では、リードフレームのアイランド114上
に搭載された制御用素子111の電極パッド111aの配列（P
1〜P12）が、インナリード113の配列（L1〜L12）と対応
している。このため、電極パッド111aとインナリード11
3とをボンディングワイヤ112により接合することが可能
である。しかし、第４図に示されたように制御用素子11
1の電極パッド114の配列（P1〜P12）がインナリード113
の配列（L1〜L12）と対応していないとボンディングワ
イヤ112が交差して接触のおそれがあったり、ワイヤボ
ンディングを行うことが不可能な場合がある。
さらに制御用素子のみならず、パワー素子も混載させ
る装置では、両素子の間での結線が必要なことから、制
御用素子の電極パッドの配列にはさらに制約が加えら
れ。このため、既存の制御用素子と同等の機能を有する
素子があれば足りる場合にも、電極パッドの配列を変え
て新たに設計し直す必要があった。また場合によって
は、電極パッドの配列を変えたために素子の寸法が大き
くなることがあった。
る装置では、両素子の間での結線が必要なことから、制
御用素子の電極パッドの配列にはさらに制約が加えら
れ。このため、既存の制御用素子と同等の機能を有する
素子があれば足りる場合にも、電極パッドの配列を変え
て新たに設計し直す必要があった。また場合によって
は、電極パッドの配列を変えたために素子の寸法が大き
くなることがあった。
さらに、消費電力の大きいパワー素子が出現したり、
複数個のパワー素子を一つのパッケージ内に混載させる
といった市場での要求があり、放熱性を向上させる必要
性が高まっている。しかし、従来のパッケージ構造では
放熱性に問題があった。第５図に示されたように、パワ
ー素子101とリード103との間がボンディングワイヤ104
により結像され、放熱性を高めるために銅（Cu）やアル
ミニウム（Al）等から成る放熱板102がパワー素子101の
下方に設けられている。そして、パワー素子101と放熱
板102とがモールド樹脂105により封止されている。
複数個のパワー素子を一つのパッケージ内に混載させる
といった市場での要求があり、放熱性を向上させる必要
性が高まっている。しかし、従来のパッケージ構造では
放熱性に問題があった。第５図に示されたように、パワ
ー素子101とリード103との間がボンディングワイヤ104
により結像され、放熱性を高めるために銅（Cu）やアル
ミニウム（Al）等から成る放熱板102がパワー素子101の
下方に設けられている。そして、パワー素子101と放熱
板102とがモールド樹脂105により封止されている。
ところが、パワー素子101と放熱板102との間に存在す
るモールド樹脂105の熱伝導率は極めて悪い。このた
め、パワー素子101から発生した熱が逃げずに温度が上
昇し、素子の特性に悪影響を与えたり場合によっては破
壊に至ることがあった。
るモールド樹脂105の熱伝導率は極めて悪い。このた
め、パワー素子101から発生した熱が逃げずに温度が上
昇し、素子の特性に悪影響を与えたり場合によっては破
壊に至ることがあった。
また、モールド樹脂105の内部には、気泡が存在する
可能性が高い。パワー素子101と放熱板102との間に気泡
が存在すると、絶縁耐圧が低下しリークが発生する虞れ
がある。
可能性が高い。パワー素子101と放熱板102との間に気泡
が存在すると、絶縁耐圧が低下しリークが発生する虞れ
がある。
（発明が解決しようとする課題） このように従来の混載型の半導体装置には、既存の制
御用素子を電極パッドの配列の関係から流用できなかっ
たり、放熱性や絶縁耐圧で劣るという問題があった。
御用素子を電極パッドの配列の関係から流用できなかっ
たり、放熱性や絶縁耐圧で劣るという問題があった。
本発明上記事情に鑑み、制御用素子の電極パッドの配
列の自由度が高く既存の素子の流用が可能であり、さら
に放熱性及び絶縁耐圧性が向上した半導体装置を提供す
ることを目的とする。
列の自由度が高く既存の素子の流用が可能であり、さら
に放熱性及び絶縁耐圧性が向上した半導体装置を提供す
ることを目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明は、電力用のパワー素子と、このパワー素子を
制御する制御用素子とが混載された樹脂封止型の半導体
装置であって、パワー素子が搭載される第１の絶縁基板
と、制御用素子が搭載される第２の絶縁基板と、パワー
素子が発生した熱を外部へ放熱するための放熱板と、パ
ワー素子あるいは制御用素子との間で結線されるリード
とを備え、第１の絶縁基板及び第２の絶縁基板はそれぞ
れ放熱板に接合されており、第２の絶縁基板にはパター
ン配線が形成されており、制御用素子の電極パッドとパ
ワー素子、あるいは電極パッドとリードとの間でパター
ン配線を介して結線が行われていることを特徴としてい
る。
制御する制御用素子とが混載された樹脂封止型の半導体
装置であって、パワー素子が搭載される第１の絶縁基板
と、制御用素子が搭載される第２の絶縁基板と、パワー
素子が発生した熱を外部へ放熱するための放熱板と、パ
ワー素子あるいは制御用素子との間で結線されるリード
とを備え、第１の絶縁基板及び第２の絶縁基板はそれぞ
れ放熱板に接合されており、第２の絶縁基板にはパター
ン配線が形成されており、制御用素子の電極パッドとパ
ワー素子、あるいは電極パッドとリードとの間でパター
ン配線を介して結線が行われていることを特徴としてい
る。
ここで第１の絶縁基板は、窒化アルミニウム基板、又
は酸化ベリリア基板であってもよい。
は酸化ベリリア基板であってもよい。
また第２の絶縁基には、絶縁基板上のパターン配線部
分にペースト状の金属が塗布されて焼き付けられた金属
ペースト基板、又はセラミック性の絶縁基板に金属から
成るパターン配線が貼付けられた基板、又はガラスエポ
キシ樹脂から成る絶縁基板に金属から成るパターン配線
層が積層された基板のいずれかを用いることができる。
分にペースト状の金属が塗布されて焼き付けられた金属
ペースト基板、又はセラミック性の絶縁基板に金属から
成るパターン配線が貼付けられた基板、又はガラスエポ
キシ樹脂から成る絶縁基板に金属から成るパターン配線
層が積層された基板のいずれかを用いることができる。
（作 用） 制御用素子と、パワー素子あるいはリードとの間での
結線が、制御用素子が搭載されている第２の絶縁基板に
形成されたパターン配線を介して行われているため、制
御用素子の電極パッドの配列に制約がなく、高い自由度
が得られる。これにより、既存の制御用素子と同等の機
能のものを用いる場合には、新たに電極パッドの配列を
変えるよう設計し直す必要がなく、流用が可能となる。
また、パワー素子が第１の絶縁基板を介して放熱板に接
合された状態にあり、放熱板との間には熱伝導性の低い
樹脂は介在しておらず、パワー素子から発生した熱が第
１の絶縁基板から放熱板へ直接伝わって大気中へ放熱さ
れるため、放熱性に優れている。また、パワー素子と放
熱板との間には樹脂が介在しないため、樹脂中に気泡が
含まれていてもリークする虞れがなく、高い絶縁耐圧が
確保される。
結線が、制御用素子が搭載されている第２の絶縁基板に
形成されたパターン配線を介して行われているため、制
御用素子の電極パッドの配列に制約がなく、高い自由度
が得られる。これにより、既存の制御用素子と同等の機
能のものを用いる場合には、新たに電極パッドの配列を
変えるよう設計し直す必要がなく、流用が可能となる。
また、パワー素子が第１の絶縁基板を介して放熱板に接
合された状態にあり、放熱板との間には熱伝導性の低い
樹脂は介在しておらず、パワー素子から発生した熱が第
１の絶縁基板から放熱板へ直接伝わって大気中へ放熱さ
れるため、放熱性に優れている。また、パワー素子と放
熱板との間には樹脂が介在しないため、樹脂中に気泡が
含まれていてもリークする虞れがなく、高い絶縁耐圧が
確保される。
ここで、第１の絶縁基板に窒化アルミニウム基板、又
は酸化ベリリア基板を用いた場合には、これらの基板は
熱伝導性が良好なため、高い放熱性が得られる。
は酸化ベリリア基板を用いた場合には、これらの基板は
熱伝導性が良好なため、高い放熱性が得られる。
第２の絶縁基板に金属ペースト基板を用いることがで
きるが、セラミック性の絶縁基板に金属から成るパター
ン配線が貼付けられた基板を用いた場合には、金属ペー
スト基板を用いた場合よりも微細なパターン配線を形成
することが可能なため、制御用素子の電極パッドの配列
の自由度がより高められ、ガラスエポキシ樹脂から成る
絶縁基板に金属から成るパターン配線層が積層された基
板を用いた場合には、高い量産性とコスト低減が達成さ
れる。
きるが、セラミック性の絶縁基板に金属から成るパター
ン配線が貼付けられた基板を用いた場合には、金属ペー
スト基板を用いた場合よりも微細なパターン配線を形成
することが可能なため、制御用素子の電極パッドの配列
の自由度がより高められ、ガラスエポキシ樹脂から成る
絶縁基板に金属から成るパターン配線層が積層された基
板を用いた場合には、高い量産性とコスト低減が達成さ
れる。
（実施例） 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明
する。第１図に本実施例による半導体装置のパッケージ
構造を示す。パワー素子11と制御用素子２とが混載され
ているが、従来と異なりパワー素子11は窒化アルミニウ
ム基板12上に接合され、制御用素子２は金属ペースト基
板７上に接合されている。
する。第１図に本実施例による半導体装置のパッケージ
構造を示す。パワー素子11と制御用素子２とが混載され
ているが、従来と異なりパワー素子11は窒化アルミニウ
ム基板12上に接合され、制御用素子２は金属ペースト基
板７上に接合されている。
窒化アルミニウム基板12は、窒化アルミニウム（Al
N）から成る絶縁性基板の表面に、厚さ0.3mmの銅から成
るパターン12a及び12bが貼付けられたものである。この
ような窒化アルミニウム基板12の表面に半田つけにより
パワー素子11が搭載されたものであるが、放熱板５上に
同じく半田付けにより接合されている。パワー素子11の
電極パッドとリード21との間は、アルミニウムから成る
ボンディングワイヤ14により直接結線され、あるいはパ
ワー素子11の電極パッドと窒化アルミニウム基板12のパ
ターン12aとがボンディングワイヤ16により一端結線さ
れ、さらにパターン12aとリード21とがボンディングワ
イヤ17により結線されている。
N）から成る絶縁性基板の表面に、厚さ0.3mmの銅から成
るパターン12a及び12bが貼付けられたものである。この
ような窒化アルミニウム基板12の表面に半田つけにより
パワー素子11が搭載されたものであるが、放熱板５上に
同じく半田付けにより接合されている。パワー素子11の
電極パッドとリード21との間は、アルミニウムから成る
ボンディングワイヤ14により直接結線され、あるいはパ
ワー素子11の電極パッドと窒化アルミニウム基板12のパ
ターン12aとがボンディングワイヤ16により一端結線さ
れ、さらにパターン12aとリード21とがボンディングワ
イヤ17により結線されている。
一方の制御用素子２が搭載された金属ペースト基板７
は、セラミックから成る絶縁基板の表面に、ペースト状
の金属がパターン状に描かれた状態で焼き付けられたも
のである。この金属ペースト基板７の表面に制御用素子
２が半田付されたものが、放熱板５上にさらに半田付け
により接合されている。この制御用素子２とリード21、
あるいはパワー素子11との間の結線は、金属ペースト基
板７を介して行われる。
は、セラミックから成る絶縁基板の表面に、ペースト状
の金属がパターン状に描かれた状態で焼き付けられたも
のである。この金属ペースト基板７の表面に制御用素子
２が半田付されたものが、放熱板５上にさらに半田付け
により接合されている。この制御用素子２とリード21、
あるいはパワー素子11との間の結線は、金属ペースト基
板７を介して行われる。
第２図に、金属ペースト基板７とリード21との間の結
線の様子を示す。金属ペースト基板７の表面に、制御用
素子２が搭載されている。制御用素子２の電極パッド2a
とリード21とは、金属ペースト基板７上に形成されたパ
ターン7aを介して結像される。電極パッド2aとパターン
7aとがボンディングワイヤ３によって接続され、パター
ン7aとリード21とがボンディングワイヤ４により接続さ
れている。
線の様子を示す。金属ペースト基板７の表面に、制御用
素子２が搭載されている。制御用素子２の電極パッド2a
とリード21とは、金属ペースト基板７上に形成されたパ
ターン7aを介して結像される。電極パッド2aとパターン
7aとがボンディングワイヤ３によって接続され、パター
ン7aとリード21とがボンディングワイヤ４により接続さ
れている。
このように、パターン7aを介して電極パッド2aとリー
ド21とが結線されるため、電極パッド2aの配列（P1〜P1
2）とリード21の配列（L1〜L12）とが対応している必要
がない。またパターン7aは、絶縁性フィルムを介在させ
ることで多層配線とすることも可能である。これによ
り、制御用素子２のパッド2aの配列の自由度はより高め
られる。
ド21とが結線されるため、電極パッド2aの配列（P1〜P1
2）とリード21の配列（L1〜L12）とが対応している必要
がない。またパターン7aは、絶縁性フィルムを介在させ
ることで多層配線とすることも可能である。これによ
り、制御用素子２のパッド2aの配列の自由度はより高め
られる。
本実施例によれば、制御用素子２の電極パッド2aの配
列は、金属ペースト基板７によってリード21へワイヤボ
ンディングしやすい位置に変換されることになる。従っ
て、制御用素子２の電極パッド2aの配列に節約が与えら
れず、機能的に既存の素子と同等のものを用いる場合に
は、新たに電極パッドの配列を変えた素子に設計し直す
必要がなくコスト低減を図ることができる。
列は、金属ペースト基板７によってリード21へワイヤボ
ンディングしやすい位置に変換されることになる。従っ
て、制御用素子２の電極パッド2aの配列に節約が与えら
れず、機能的に既存の素子と同等のものを用いる場合に
は、新たに電極パッドの配列を変えた素子に設計し直す
必要がなくコスト低減を図ることができる。
また制御用素子２からパワー素子11への結線において
も、第１図に示されたように金属ペースト基板７を介し
てワイヤボンディングを行うことができる。このため、
パターン7aの引き回しを工夫することで結線が可能であ
り、両者の電極パッドの配列の自由度が高められる。
も、第１図に示されたように金属ペースト基板７を介し
てワイヤボンディングを行うことができる。このため、
パターン7aの引き回しを工夫することで結線が可能であ
り、両者の電極パッドの配列の自由度が高められる。
さらに、従来は第５図に示されたようにパワー素子10
1と放熱板102との間にモールド樹脂105が介在し、パワ
ー素子101が発熱した熱の逃げ道がなく放熱性に問題が
あった。これに対し本実施例えは、比較的熱伝導性が良
好な窒化アルミニウム基板12を介して、パワー素子11と
放熱板５とが接合された状態にある。このため、パワー
素子11から発生した熱は、半田を通して窒化アルミニウ
ム基板12の表面上のパターン12a及び12bに拡散し、窒化
アルミニウム基板12を伝わって放熱板５から外部へ放出
される。このように、熱がスムーズに伝達されて外部へ
放熱されるため、このパッケージ構造は放熱性に優れて
いる。これにより、温度の上昇が抑制されて素子の電気
的特性に悪影響が及ばず破壊が防止される。ここで、パ
ターン12a及び12bは厚くて幅が広い程熱の伝導性が向上
するが、一般には約0.1mmの厚みを有していれば良好な
放熱性が得られる。
1と放熱板102との間にモールド樹脂105が介在し、パワ
ー素子101が発熱した熱の逃げ道がなく放熱性に問題が
あった。これに対し本実施例えは、比較的熱伝導性が良
好な窒化アルミニウム基板12を介して、パワー素子11と
放熱板５とが接合された状態にある。このため、パワー
素子11から発生した熱は、半田を通して窒化アルミニウ
ム基板12の表面上のパターン12a及び12bに拡散し、窒化
アルミニウム基板12を伝わって放熱板５から外部へ放出
される。このように、熱がスムーズに伝達されて外部へ
放熱されるため、このパッケージ構造は放熱性に優れて
いる。これにより、温度の上昇が抑制されて素子の電気
的特性に悪影響が及ばず破壊が防止される。ここで、パ
ターン12a及び12bは厚くて幅が広い程熱の伝導性が向上
するが、一般には約0.1mmの厚みを有していれば良好な
放熱性が得られる。
またパワー素子11と放熱板５との間にモールド樹脂６
が介在しないため、樹脂内部に気泡が存在しても絶縁耐
圧は低下せず、リークの発生が防止される。
が介在しないため、樹脂内部に気泡が存在しても絶縁耐
圧は低下せず、リークの発生が防止される。
上述した実施例は一例であり、本発明を限定すもので
はない。例えば、パワー素子や制御用素子の数には限定
されず、三つ以上含むものであっても本発明の適用は可
能である。またパワー素子を搭載する絶縁基板の材質
は、約20W/mK以上である熱伝導性が比較的良好な固体無
機物であれば、いずれを用いてもよい。例えば、酸化ベ
リリア（Be O）基板等を用いることができる。
はない。例えば、パワー素子や制御用素子の数には限定
されず、三つ以上含むものであっても本発明の適用は可
能である。またパワー素子を搭載する絶縁基板の材質
は、約20W/mK以上である熱伝導性が比較的良好な固体無
機物であれば、いずれを用いてもよい。例えば、酸化ベ
リリア（Be O）基板等を用いることができる。
また制御用素子を搭載する絶縁基板には、金属ペース
ト基板の他に、パターンを形成したセラミック性の基板
を用いることもできる。このようなメタライズされたセ
ラミック基板を用いた場合には、金属ペースト基板より
もパターンをより微細化することができ、制御用素子の
電極パッドの配列の自由度をより高めることができる。
また半導体装置を量産する場合には、量産性に優れコス
ト低減が期待できるガラスエポキシ樹脂から成る基板を
用いることができる。
ト基板の他に、パターンを形成したセラミック性の基板
を用いることもできる。このようなメタライズされたセ
ラミック基板を用いた場合には、金属ペースト基板より
もパターンをより微細化することができ、制御用素子の
電極パッドの配列の自由度をより高めることができる。
また半導体装置を量産する場合には、量産性に優れコス
ト低減が期待できるガラスエポキシ樹脂から成る基板を
用いることができる。
以上説明したように本発明の半導体装置によれば、制
御用素子と、リードあるいはパワー素子との間での結線
が、制御用素子が搭載されている第２の絶縁基板上のパ
ターン配線を介して行われるため、制御用素子の電極パ
ッドの配列に制約が与えられず高い自由度が得られ、機
能的に同等な制御用素子を用いる場合には既存のものを
流用することが可能であり、コストが低減される。ま
た、パワー素子は第１の絶縁基板を介して放熱板に接合
され、放熱板との間に樹脂が介在していないため、放熱
性に優れ、素子の特性に悪影響が及ばず破壊も防止され
る。さらに、樹脂中に気泡が含まれていたとしても、パ
ワー素子と放熱板との間には樹脂が介在しないためリー
クが発生する虞れがなく、高い絶縁耐圧が得られる。
御用素子と、リードあるいはパワー素子との間での結線
が、制御用素子が搭載されている第２の絶縁基板上のパ
ターン配線を介して行われるため、制御用素子の電極パ
ッドの配列に制約が与えられず高い自由度が得られ、機
能的に同等な制御用素子を用いる場合には既存のものを
流用することが可能であり、コストが低減される。ま
た、パワー素子は第１の絶縁基板を介して放熱板に接合
され、放熱板との間に樹脂が介在していないため、放熱
性に優れ、素子の特性に悪影響が及ばず破壊も防止され
る。さらに、樹脂中に気泡が含まれていたとしても、パ
ワー素子と放熱板との間には樹脂が介在しないためリー
クが発生する虞れがなく、高い絶縁耐圧が得られる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例による半導体装置のパッケー
ジ構造を示した縦断面図、第２図は同装置における金属
ペースト基板に搭載された制御用素子とリードとの結線
状態を示した平面図、第３図は従来の半導体装置におけ
る制御用素子とリードとの結線状態を示した平面図、第
４図は従来の半導体装置において制御用素子の電極パッ
ドの配列とリードとの配列が対応していない場合の結線
状態を示した平面図、第５図は従来の半導体装置におけ
るパッケージ構造を示した縦断面図である。 ２……制御用素子、2a……電極パッド、3,4,13,14,15,1
6,17……ボンディングワイヤ、５……放熱板、６……モ
ールド樹脂、７……金属ペースト基板、7a,12a,12b……
パターン、11……パワー素子、12……窒化アルミニウム
基板、21……リード。
ジ構造を示した縦断面図、第２図は同装置における金属
ペースト基板に搭載された制御用素子とリードとの結線
状態を示した平面図、第３図は従来の半導体装置におけ
る制御用素子とリードとの結線状態を示した平面図、第
４図は従来の半導体装置において制御用素子の電極パッ
ドの配列とリードとの配列が対応していない場合の結線
状態を示した平面図、第５図は従来の半導体装置におけ
るパッケージ構造を示した縦断面図である。 ２……制御用素子、2a……電極パッド、3,4,13,14,15,1
6,17……ボンディングワイヤ、５……放熱板、６……モ
ールド樹脂、７……金属ペースト基板、7a,12a,12b……
パターン、11……パワー素子、12……窒化アルミニウム
基板、21……リード。
Claims (3)
- 【請求項１】電力用のパワー素子と、このパワー素子を
制御する制御用素子とが混載された樹脂封止型の半導体
装置において、 前記パワー素子が搭載される第１の絶縁基板と、 前記制御用素子が搭載される第２の絶縁基板と、 前記パワー素子が発生した熱を外部へ放熱するための放
熱板と、 前記パワー素子あるいは前記制御用素子との間で結線さ
れるリードとを備え、 前記第１の絶縁基板及び前記第２の絶縁基板は、それぞ
れ前記放熱板に接合されており、 前記第２の絶縁基板にはパターン配線が形成されてお
り、前記制御用素子の電極パッドと前記パワー素子、あ
るいは前記電極パッドと前記リードとの間で前記パター
ン配線を介して結線が行われていることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】前記第１の絶縁基板は、窒化アルミニウム
基板、又は酸化ベリリア基板であることを特徴とする請
求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】前記第２の絶縁基板は、絶縁基板上のパタ
ーン配線部分にペースト状の金属が塗布されて焼き付け
られた金属ペースト基板、又はセラミック性の絶縁基板
に金属から成るパターン配線が貼付けられた基板、又は
ガラスエポキシ樹脂から成る絶縁基板に金属から成るパ
ターン配線層が積層された基板のいずれかであることを
特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26723590A JP2736161B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26723590A JP2736161B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04144162A JPH04144162A (ja) | 1992-05-18 |
| JP2736161B2 true JP2736161B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=17442014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26723590A Expired - Lifetime JP2736161B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2736161B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101109667B1 (ko) | 2008-12-22 | 2012-01-31 | 한국전자통신연구원 | 방열 성능이 향상된 전력 소자 패키지 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4366700B2 (ja) * | 1998-10-05 | 2009-11-18 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体素子のパッケージの製造方法 |
| DE102005016830A1 (de) | 2004-04-14 | 2005-11-03 | Denso Corp., Kariya | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| WO2009090849A1 (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-23 | Applied Nanoparticle Laboratory Corporation | ワイヤボンディング方法及び電子部品実装体 |
-
1990
- 1990-10-04 JP JP26723590A patent/JP2736161B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101109667B1 (ko) | 2008-12-22 | 2012-01-31 | 한국전자통신연구원 | 방열 성능이 향상된 전력 소자 패키지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04144162A (ja) | 1992-05-18 |
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