JPH03101256A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03101256A JPH03101256A JP1238915A JP23891589A JPH03101256A JP H03101256 A JPH03101256 A JP H03101256A JP 1238915 A JP1238915 A JP 1238915A JP 23891589 A JP23891589 A JP 23891589A JP H03101256 A JPH03101256 A JP H03101256A
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- semiconductor device
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
乙の発明は、半導体装置に係り、特に多ビン構造の半導
体装置に関するものである。
体装置に関するものである。
安価な超多ピンパッケージ構造の半導体装置として、Ｔ
ＡＢと呼ばれるテープキャリア形の半導体装置が１吏用
されている。
ＡＢと呼ばれるテープキャリア形の半導体装置が１吏用
されている。
この種の半導体装置の構造を第３図、第４図に基づいて
説明する。
説明する。
半導体素子１の表面上に形成された複数の電極２が、絶
縁テープ３の上に形成されたり一部４のインナリード５
に電気的に接合され、リード４のアウタリード６のみが
外部に導出するように半導体素子１．インナリード５が
樹脂８からなるパ・ソケージ本体７により封止されてい
る。
縁テープ３の上に形成されたり一部４のインナリード５
に電気的に接合され、リード４のアウタリード６のみが
外部に導出するように半導体素子１．インナリード５が
樹脂８からなるパ・ソケージ本体７により封止されてい
る。
このような半導体装置の動作時には半導体素子１から熱
が発生するが、この熱はリード４およびパッケージ本体
７を通して外部へ拡散される（特開昭６３−２４６８５
１号公報参照） 〔発明が解決しようとする課題〕 半導体素子１の高集積度化に伴い、発熱量は大キくする
が、パッケージ本体７を構成するエポキシ等の樹脂８は
熱伝導率が低いので、半導体素子１で発生した熱は効率
よく半導体装置の外部へ放出されずに、半導体装置内に
残ってしまう。
が発生するが、この熱はリード４およびパッケージ本体
７を通して外部へ拡散される（特開昭６３−２４６８５
１号公報参照） 〔発明が解決しようとする課題〕 半導体素子１の高集積度化に伴い、発熱量は大キくする
が、パッケージ本体７を構成するエポキシ等の樹脂８は
熱伝導率が低いので、半導体素子１で発生した熱は効率
よく半導体装置の外部へ放出されずに、半導体装置内に
残ってしまう。
このため、発ｉ＠量の大きい半導体素子１を用いると、
半導体素子１が昇温して誤動作を起こす等、半導体装置
の信頼性が低下するという問題点かあった。
半導体素子１が昇温して誤動作を起こす等、半導体装置
の信頼性が低下するという問題点かあった。
また、放熱性を改善するため、半導体素子１を放熱体に
取り付ける方法があるが、半導体素子１の裏面電位が放
熱体にかかるため、半導体装置を基板実装する際、放熱
体が基板や他部品に接触しないように注意しなけらばな
らなかった。
取り付ける方法があるが、半導体素子１の裏面電位が放
熱体にかかるため、半導体装置を基板実装する際、放熱
体が基板や他部品に接触しないように注意しなけらばな
らなかった。
また、樹脂８よりも熱伝導性が優れているセラミック材
でパッケージ本体７を形成すれば、放熱性を向上させる
ことができるが、セラミック材は著しく高価なため、製
造コストが高くなる等、多くの問題点があった。
でパッケージ本体７を形成すれば、放熱性を向上させる
ことができるが、セラミック材は著しく高価なため、製
造コストが高くなる等、多くの問題点があった。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、取り扱いが容易で、かつ放熱性に優れた安価
な半導体装置を得ることを目的としている。
たもので、取り扱いが容易で、かつ放熱性に優れた安価
な半導体装置を得ることを目的としている。
この発明に係る半導体装置は、高熱伝導材からなる放熱
体上に絶縁材を介して導体板を形成し、この導体板上に
表面に設けられた複数の電極とそれに対応して配置され
たリードとを直接もしくは金属細線によって電気的に接
続した半導体素子を取り付け、さらに、放熱体の一部を
外部に露出せしめて樹脂封止したものである。
体上に絶縁材を介して導体板を形成し、この導体板上に
表面に設けられた複数の電極とそれに対応して配置され
たリードとを直接もしくは金属細線によって電気的に接
続した半導体素子を取り付け、さらに、放熱体の一部を
外部に露出せしめて樹脂封止したものである。
この発明においては、半導体素子を絶縁材を介して放熱
体上に取付け、この放熱体の一部を露出せしめてパッケ
ージしたことから、半導体素子で発生した熱が半導体素
子から放熱体に伝導し、放熱体から半導体装置の外部に
放出される。
体上に取付け、この放熱体の一部を露出せしめてパッケ
ージしたことから、半導体素子で発生した熱が半導体素
子から放熱体に伝導し、放熱体から半導体装置の外部に
放出される。
また、半導体素子と放熱体は絶縁材によって絶縁されて
いるため、放熱体が他部品に接触しても問題は生じない
。
いるため、放熱体が他部品に接触しても問題は生じない
。
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説−明する
。
。
第１図および第２図はこの発明の一実施例を示す半導体
装置の平面図および断面図である。これらの図において
、１〜８は第３図、第４図と同一構成部分を示し、９は
熱伝導性の高いＣｕ材からなる放熱体で、この上にエポ
キシ樹脂からなる絶縁材１０を介してＣｕ箔からなる導
体板１１が形成されている。乙の導体板１１上に、イン
ナリＦ ５に接合された半導体素子１が取り付けられて
おり、この半導体素子１およびインナリード５が樹’Ｉ
ｔ’Ｊ ８からなるパッケージ本体７で封止されている
。なお、放熱体９の一部、例えば底面はパラケン本体７
の外部に露出している。
装置の平面図および断面図である。これらの図において
、１〜８は第３図、第４図と同一構成部分を示し、９は
熱伝導性の高いＣｕ材からなる放熱体で、この上にエポ
キシ樹脂からなる絶縁材１０を介してＣｕ箔からなる導
体板１１が形成されている。乙の導体板１１上に、イン
ナリＦ ５に接合された半導体素子１が取り付けられて
おり、この半導体素子１およびインナリード５が樹’Ｉ
ｔ’Ｊ ８からなるパッケージ本体７で封止されている
。なお、放熱体９の一部、例えば底面はパラケン本体７
の外部に露出している。
乙のような半導体装置の動作時においては、半導体素子
１で発生した熱は、主として放熱性の大きい放熱体９へ
伝導され、半導体装置の外部へ放出される。
１で発生した熱は、主として放熱性の大きい放熱体９へ
伝導され、半導体装置の外部へ放出される。
また、放熱体９と導体板１１は絶縁材１ｏによって絶縁
されているため、放熱体９には半導体素子１の裏面電位
がかからない。このため、半導体装置を基板実装する際
、放熱体９が他部品や基板等に接触しても、問題が発生
することはない。
されているため、放熱体９には半導体素子１の裏面電位
がかからない。このため、半導体装置を基板実装する際
、放熱体９が他部品や基板等に接触しても、問題が発生
することはない。
さらに、放熱体９の一部がパ・ソケージ本体７に露出し
ているため、１ｉ４ｉ熱体９上に外部放熱フィンを容易
に取り付けることができるので、消費電力の極めて大き
い半導体装置を適用することが可能となる。
ているため、１ｉ４ｉ熱体９上に外部放熱フィンを容易
に取り付けることができるので、消費電力の極めて大き
い半導体装置を適用することが可能となる。
以上説明したように、この発明は、高熱伝導材からなる
放熱体上に絶縁材を介して導体板を形成し、この導体板
上に表面に設けられた複数の電極とそれに対応して配置
されたリードとを直接もしくは金属細線によって電気的
に接続した半導体素子を取り付け、さらに、放熱体の一
部を外部に露出せしめて樹脂封止したので、安価で取り
扱い易く、かつ放熱性の優れた半導体装置を得ることが
できる。
放熱体上に絶縁材を介して導体板を形成し、この導体板
上に表面に設けられた複数の電極とそれに対応して配置
されたリードとを直接もしくは金属細線によって電気的
に接続した半導体素子を取り付け、さらに、放熱体の一
部を外部に露出せしめて樹脂封止したので、安価で取り
扱い易く、かつ放熱性の優れた半導体装置を得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図はこの発明の一実施例を示す半導体
装置の平面図および断面図、第３図および第４図は従来
の半導体装置を示す平面図および断面図である。 図において、１は半導体素子、２は電極、３は絶縁テー
プ、４はリード、５はインナリード、６はアウタリード
、７はバ・ソヶージ本体、８は樹脂、９は放熱体、１ｏ
は絶縁材、１１は導体板である。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を示ず。
装置の平面図および断面図、第３図および第４図は従来
の半導体装置を示す平面図および断面図である。 図において、１は半導体素子、２は電極、３は絶縁テー
プ、４はリード、５はインナリード、６はアウタリード
、７はバ・ソヶージ本体、８は樹脂、９は放熱体、１ｏ
は絶縁材、１１は導体板である。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を示ず。
Claims (1)
- 高熱伝導材からなる放熱体上に絶縁材を介して導体板を
形成し、この導体板上に、表面に設けられた複数の電極
とそれに対応して配置されたリードとを直接もしくは金
属細線によって電気的に接続した半導体素子を取り付け
、さらに、前記放熱体の一部を外部に露出せしめて樹脂
封止したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1238915A JPH03101256A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1238915A JPH03101256A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03101256A true JPH03101256A (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=17037165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1238915A Pending JPH03101256A (ja) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03101256A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5434449A (en) * | 1992-02-06 | 1995-07-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device in a single package with high wiring density and a heat sink |
| US5656864A (en) * | 1993-09-09 | 1997-08-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having upper and lower package bodies and manufacturing method thereof |
| KR100548012B1 (ko) * | 1998-09-17 | 2006-04-21 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체패키지 |
-
1989
- 1989-09-14 JP JP1238915A patent/JPH03101256A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5434449A (en) * | 1992-02-06 | 1995-07-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device in a single package with high wiring density and a heat sink |
| US5656864A (en) * | 1993-09-09 | 1997-08-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having upper and lower package bodies and manufacturing method thereof |
| KR100548012B1 (ko) * | 1998-09-17 | 2006-04-21 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체패키지 |
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