JPH0383368A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0383368A JPH0383368A JP1218660A JP21866089A JPH0383368A JP H0383368 A JPH0383368 A JP H0383368A JP 1218660 A JP1218660 A JP 1218660A JP 21866089 A JP21866089 A JP 21866089A JP H0383368 A JPH0383368 A JP H0383368A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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-
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- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/642—Capacitive arrangements
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は半導体装置に係り、特に数百本以上のビン数
の、多Ｐｉｎ半導体装置の構造に関するものである。
の、多Ｐｉｎ半導体装置の構造に関するものである。
［従来の技術］
安価な超多Ｐｉｎバッゲージとして、“Ｔ Ａ Ｂ （
ｔａｐｅａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）”と呼
ばれるテープキャリア形の半導体装置が使用されている
。第４図および第５図には従来のこの種の半導体装置の
構造を示した。第４図は樹脂によって形成される樹脂封
止部であるパッケージ本体（７）〈第５図参照）のうち
の半導体装置上部に形成される上部樹脂部分（８〉を透
視して示した透視正面図、第５図は第４図の線■−■に
沿った断面図である。半導体素子（１）の表面上に形成
された複数の電極（２）が、絶縁テープ（３）上に形成
されたリード〈４）のインナリード部（５）に電気的に
接続され、リード（４）のアウタリード（６）がパッケ
ージ本体（７）の外部に導出するように半導体素子（１
）およびインナリード（５）が樹脂からなるパッケージ
本体（７）により封止されている。
ｔａｐｅａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）”と呼
ばれるテープキャリア形の半導体装置が使用されている
。第４図および第５図には従来のこの種の半導体装置の
構造を示した。第４図は樹脂によって形成される樹脂封
止部であるパッケージ本体（７）〈第５図参照）のうち
の半導体装置上部に形成される上部樹脂部分（８〉を透
視して示した透視正面図、第５図は第４図の線■−■に
沿った断面図である。半導体素子（１）の表面上に形成
された複数の電極（２）が、絶縁テープ（３）上に形成
されたリード〈４）のインナリード部（５）に電気的に
接続され、リード（４）のアウタリード（６）がパッケ
ージ本体（７）の外部に導出するように半導体素子（１
）およびインナリード（５）が樹脂からなるパッケージ
本体（７）により封止されている。
このような半導体装置の動作時には、半導体素子（１）
から熱が発生する。この熱はリード（４）およびパッケ
ージ本体（７）を通して半導体装置外部へ拡散される。
から熱が発生する。この熱はリード（４）およびパッケ
ージ本体（７）を通して半導体装置外部へ拡散される。
［発明が解決しようとする課題］
従来の半導体装置は以上のように構成されていたが、半
導体素子の高集積度化に伴い発熱量は増大するが、パッ
ケージ本体を構成するエポキシ等の樹脂は熱伝導率が低
いので、半導体素子で発生した熱は効率よく半導体装置
の外部へ放出されずに半導体装置内に残ってしまう、こ
のため発熱量の大きい半導体素子を用いると半導体素子
が昇温して誤動作を起こす等、半導体装置の信頼度が低
下するという課題があった。さらに、多Ｐｉｎパッケー
ジの場合、リードが長くなためにインダクタンスが大き
くなり、動作時の雑音や半導体装置の応答速度が遅くな
る等、電気特性が低下するという課題もあった。また、
樹脂よりも熱伝導性が優れているセラミック材で、多層
構造のパッケージ本体を形成すれば、半導体装置の放熱
性および応答速度を向上させうろことができるが、セラ
ミック材は著しく高価なために、半導体装置の製造コス
トが高くなるという課題があった。
導体素子の高集積度化に伴い発熱量は増大するが、パッ
ケージ本体を構成するエポキシ等の樹脂は熱伝導率が低
いので、半導体素子で発生した熱は効率よく半導体装置
の外部へ放出されずに半導体装置内に残ってしまう、こ
のため発熱量の大きい半導体素子を用いると半導体素子
が昇温して誤動作を起こす等、半導体装置の信頼度が低
下するという課題があった。さらに、多Ｐｉｎパッケー
ジの場合、リードが長くなためにインダクタンスが大き
くなり、動作時の雑音や半導体装置の応答速度が遅くな
る等、電気特性が低下するという課題もあった。また、
樹脂よりも熱伝導性が優れているセラミック材で、多層
構造のパッケージ本体を形成すれば、半導体装置の放熱
性および応答速度を向上させうろことができるが、セラ
ミック材は著しく高価なために、半導体装置の製造コス
トが高くなるという課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、放熱性および電気特性が優れていて、しかも安
価な半導体装置を得ることを目的とする。
もので、放熱性および電気特性が優れていて、しかも安
価な半導体装置を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の目的に鑑み、この発明は、半導体素子を樹脂封止
して形成された半導体装置であって、表面に複数の電極
を有する半導体素子と、内端側が複数の電極の所定の電
極にそれぞれ接続され外端側が半導体装置外部に延びる
複数本のリードを表面に設けた、半導体素子の周囲に設
けられた絶縁テープと、半導体素子の裏面および複数の
リードの所定のリードに電気的に接続された第１導電層
と、複数のリードの別の所定のリードに電気的に接続さ
れた、第１導体層とデカップリング・コンデンサを形成
する第２導電層と１．半導体装置内部で発生する熱を半
導体装置外部に拡散させるための放熱層と、第１導電層
と放熱層との間に挟み込まれる第１絶縁層と、第１導電
層と第２導電層の間に挟み込まれる第２絶縁層と、放熱
層の少なくとも一部を露出させて上記各部分を封止する
樹脂封止部と、を備えた半導体装置にある。
して形成された半導体装置であって、表面に複数の電極
を有する半導体素子と、内端側が複数の電極の所定の電
極にそれぞれ接続され外端側が半導体装置外部に延びる
複数本のリードを表面に設けた、半導体素子の周囲に設
けられた絶縁テープと、半導体素子の裏面および複数の
リードの所定のリードに電気的に接続された第１導電層
と、複数のリードの別の所定のリードに電気的に接続さ
れた、第１導体層とデカップリング・コンデンサを形成
する第２導電層と１．半導体装置内部で発生する熱を半
導体装置外部に拡散させるための放熱層と、第１導電層
と放熱層との間に挟み込まれる第１絶縁層と、第１導電
層と第２導電層の間に挟み込まれる第２絶縁層と、放熱
層の少なくとも一部を露出させて上記各部分を封止する
樹脂封止部と、を備えた半導体装置にある。
［作用コ
この発明においては、半導体素子で発生した熱が半導体
素子から放熱層に伝導し、放熱層から半導体装置の外部
に放出される。また、パッケージ内に断面積の大きい電
源層と接地層が積層構造によって形成されるため、半導
体装置の電源系が低インダクタンスとなり電気特性が改
善される。
素子から放熱層に伝導し、放熱層から半導体装置の外部
に放出される。また、パッケージ内に断面積の大きい電
源層と接地層が積層構造によって形成されるため、半導
体装置の電源系が低インダクタンスとなり電気特性が改
善される。
［実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図ないし第３図はこの発明の半導体装置の一実施例を示
す図であり、従来のものと同一符号で示された部分は同
一、もしくは相当部分を示す、第１図は樹脂によって形
成されるパッケージ本体（７）（第２図参照）のうちの
半導体装置上部に形成される上部樹脂部分（８〉を透視
し、かつ絶縁テープ（３〉の一部を破断して示した半導
体装置の透視正面図、第２図は第１図の線■−■に沿っ
た断面図、第３図は第２導体板（１２）から下の部分の
斜視図である。放熱体（９）は熱伝導性の高い材料、例
えば銅（Ｃｕ）材料からなり、その上にエポキシ系の樹
脂からなる第１絶縁材層（１０ａ）、銅箔からなる第１
導体板（１１）、エポキシ系の樹脂からなる第２絶縁材
層（１０ｂ）そして銅箔からなる第２導体板（１２）が
順に積層されている。この第１導体板（１１）上に、電
極〈２）がそれぞれインナリード（５）に接合された半
導体素子（１）が導伝性樹脂（１３）で固定されている
。これにより半導体素子（１）の底面が第１導体板（１
１）と電気的に接続されていることになる。また、接地
リード（１４）と第１導体板（１１）および電源リード
（１５）と第２導体板（１２）が同様に、それぞれ導体
性樹脂（１３）で固定されかつ電気的に接続されている
。そして少なくとも各リード（４〉のアウタリード（６
）および放熱体（９）の下面が半導体装置の外部に露出
するように、半導体素子（１）、リード（４〉およびそ
の他の各層が、エポキシ樹脂からなるパッケージ本体（
７）により封止されている。また、絶縁テープ（３）、
第２導体板（１２）および第２絶縁材層（１０ｂ）には
、半導体素子（１）を収納しかつ第１導体板（１１）上
に固定するための収納貫通穴く２０）〈第３図参照〉、
お゛よび接地リード（１４）と第１導体板（１１）、電
源リード（１５）と第２導体板（１２）をそれぞれ接続
するための接続貫通穴（２１）が形成されている。これ
をもう少し詳しく説明する。第１図において、接地リー
ド（１４）は図示された半導体装置の左右両側に延びて
おり、また電源リード（１５）は半導体装置の上下に延
びている。従って、絶縁テープ（３）にはその四方に貫
通穴（３ａ）が形成されている。また、絶縁テープ（３
）の中央部は半導体素子（１）を設けるために、切り抜
かれている。絶縁テープ（３）の下の第２導体板（１２
〉および第２絶縁材層（１０ｂ）には、第３図に示すよ
うに収納貫通穴（２０）および接地り−ド（１４〉用の
接続貫通穴（２１）が形成されている。
図ないし第３図はこの発明の半導体装置の一実施例を示
す図であり、従来のものと同一符号で示された部分は同
一、もしくは相当部分を示す、第１図は樹脂によって形
成されるパッケージ本体（７）（第２図参照）のうちの
半導体装置上部に形成される上部樹脂部分（８〉を透視
し、かつ絶縁テープ（３〉の一部を破断して示した半導
体装置の透視正面図、第２図は第１図の線■−■に沿っ
た断面図、第３図は第２導体板（１２）から下の部分の
斜視図である。放熱体（９）は熱伝導性の高い材料、例
えば銅（Ｃｕ）材料からなり、その上にエポキシ系の樹
脂からなる第１絶縁材層（１０ａ）、銅箔からなる第１
導体板（１１）、エポキシ系の樹脂からなる第２絶縁材
層（１０ｂ）そして銅箔からなる第２導体板（１２）が
順に積層されている。この第１導体板（１１）上に、電
極〈２）がそれぞれインナリード（５）に接合された半
導体素子（１）が導伝性樹脂（１３）で固定されている
。これにより半導体素子（１）の底面が第１導体板（１
１）と電気的に接続されていることになる。また、接地
リード（１４）と第１導体板（１１）および電源リード
（１５）と第２導体板（１２）が同様に、それぞれ導体
性樹脂（１３）で固定されかつ電気的に接続されている
。そして少なくとも各リード（４〉のアウタリード（６
）および放熱体（９）の下面が半導体装置の外部に露出
するように、半導体素子（１）、リード（４〉およびそ
の他の各層が、エポキシ樹脂からなるパッケージ本体（
７）により封止されている。また、絶縁テープ（３）、
第２導体板（１２）および第２絶縁材層（１０ｂ）には
、半導体素子（１）を収納しかつ第１導体板（１１）上
に固定するための収納貫通穴く２０）〈第３図参照〉、
お゛よび接地リード（１４）と第１導体板（１１）、電
源リード（１５）と第２導体板（１２）をそれぞれ接続
するための接続貫通穴（２１）が形成されている。これ
をもう少し詳しく説明する。第１図において、接地リー
ド（１４）は図示された半導体装置の左右両側に延びて
おり、また電源リード（１５）は半導体装置の上下に延
びている。従って、絶縁テープ（３）にはその四方に貫
通穴（３ａ）が形成されている。また、絶縁テープ（３
）の中央部は半導体素子（１）を設けるために、切り抜
かれている。絶縁テープ（３）の下の第２導体板（１２
〉および第２絶縁材層（１０ｂ）には、第３図に示すよ
うに収納貫通穴（２０）および接地り−ド（１４〉用の
接続貫通穴（２１）が形成されている。
電源リード（１５）は絶縁テープ（３）の貫通穴（３ａ
）を介して導電性樹脂（１３）によって第２導体板（１
２）に接続される。一方、接地リード（１４）は絶縁テ
ープ（３）の貫通穴（３ａ）および第２導体板（１２）
と第２絶縁材層（１０ｂ）に形成された接続貫通穴（２
１）を介して導電性樹脂（１３）によって第１導体板（
１１）に接続される。そして半導体素子（１）は収納貫
通穴（２０）に収納されるとともに、第１導体板（１１
）上に導電性樹脂（１３）によって固定される。なお第
２導体板〈１２）の接続貫通穴（２１）には、接地リー
ド〈１４）のための導電性樹脂との接続を避けるために
空隙部（１２ａ）が形成されている。
）を介して導電性樹脂（１３）によって第２導体板（１
２）に接続される。一方、接地リード（１４）は絶縁テ
ープ（３）の貫通穴（３ａ）および第２導体板（１２）
と第２絶縁材層（１０ｂ）に形成された接続貫通穴（２
１）を介して導電性樹脂（１３）によって第１導体板（
１１）に接続される。そして半導体素子（１）は収納貫
通穴（２０）に収納されるとともに、第１導体板（１１
）上に導電性樹脂（１３）によって固定される。なお第
２導体板〈１２）の接続貫通穴（２１）には、接地リー
ド〈１４）のための導電性樹脂との接続を避けるために
空隙部（１２ａ）が形成されている。
このような半導体装置の動作時においては、半導体素子
（１）で発生した熱が主として放熱性の大きい放熱体（
９）へ伝導され、半導体装置の外部へ放出される。放熱
体（９）と第１導体板（１１）は第１絶縁材層（１０ａ
）によって電気的に絶縁されているため、放熱体（９）
には半導体素子（１）の裏面電位がかからない、このた
め半導体装置を基板実装する際、放熱体（９）が他の部
品あるいは基板に接触しても、電気的短絡等の問題が発
生することはない。さらに、放熱体（９）の一部がパッ
ケージ本体（７）の外部に露出しているため、放熱体（
９）に外部放熱フィン（図示せず）を容易に取り付ける
ことができるので、消費電力の極めて大きい半導体素子
〈１）に適用することが可能である。また、電源層であ
る第２導体板（１２）と接地層である第１導体板〈１１
）の面積が大きいため、電源から接地に通り抜ける半導
体装置内の電源系のインダクタンスを小さくできる。ま
た、第２導体板（１２）と第１導体板（１１）の間に第
１絶縁材層（１０）が挟み込まれて小容量のコンデンサ
が形成されるため、雑音を吸収することができる。さら
に、第２導体板（１２）と第１導体板（１１）の上に信
号線となるリード（１６〉が載っているので、信号線リ
ード（１６）は低インダクタンスとなり信号遅延がなく
なる。
（１）で発生した熱が主として放熱性の大きい放熱体（
９）へ伝導され、半導体装置の外部へ放出される。放熱
体（９）と第１導体板（１１）は第１絶縁材層（１０ａ
）によって電気的に絶縁されているため、放熱体（９）
には半導体素子（１）の裏面電位がかからない、このた
め半導体装置を基板実装する際、放熱体（９）が他の部
品あるいは基板に接触しても、電気的短絡等の問題が発
生することはない。さらに、放熱体（９）の一部がパッ
ケージ本体（７）の外部に露出しているため、放熱体（
９）に外部放熱フィン（図示せず）を容易に取り付ける
ことができるので、消費電力の極めて大きい半導体素子
〈１）に適用することが可能である。また、電源層であ
る第２導体板（１２）と接地層である第１導体板〈１１
）の面積が大きいため、電源から接地に通り抜ける半導
体装置内の電源系のインダクタンスを小さくできる。ま
た、第２導体板（１２）と第１導体板（１１）の間に第
１絶縁材層（１０）が挟み込まれて小容量のコンデンサ
が形成されるため、雑音を吸収することができる。さら
に、第２導体板（１２）と第１導体板（１１）の上に信
号線となるリード（１６〉が載っているので、信号線リ
ード（１６）は低インダクタンスとなり信号遅延がなく
なる。
なお、上記実施例のものは半導体素子の各電極とインナ
リードの先端が直接接続されているが、各電極とインナ
リードが金属細線で接続された半導体装置においてもこ
の発明は適用可能である。
リードの先端が直接接続されているが、各電極とインナ
リードが金属細線で接続された半導体装置においてもこ
の発明は適用可能である。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、半導体素子で発生する
熱を半導体装置外部に拡散させるための放熱体を設けた
こと、および一方が電源リード、他方が半導体素子の一
部分および接地リードに接続された２枚の導体板によっ
て小容量のコンデンサを形成するよな積層構造を設けた
ことにより、放熱性および電気特性の優れた半導体装置
が得られるという効果がある。
熱を半導体装置外部に拡散させるための放熱体を設けた
こと、および一方が電源リード、他方が半導体素子の一
部分および接地リードに接続された２枚の導体板によっ
て小容量のコンデンサを形成するよな積層構造を設けた
ことにより、放熱性および電気特性の優れた半導体装置
が得られるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の上部樹
脂部分を透視して示した透視正面図、第２図は第１図の
線■−■に沿った断面図、第３図は第２導体板から下の
部分の斜視図、第４図は従来の半導体装置の上部樹脂部
分を透視して示した透視正面図、第５図−は第４図の！
！Ｖ−Ｖに沿った断面図である。 各図において、（１）は半導体素子、（２）は電極、（
３）は絶縁テープ、（３ａ）は貫通穴、（４）はリード
、（５）はインナリード、（６）はアウタリード、（７
）はパッケージ本体、（８）は上部樹脂部分、（９）は
放熱体、（１０ａ）は第１絶縁材層、（１０ｂ）は第２
絶縁材層、（Ｊｌ）は第１導体板、（１２）は第２導体
板、（１２ａ）は空隙部、（１３）は導電性樹脂、（１
４）は接地リード、（１５）は電源リード、（１６）は
信号線リード、（２０）は収納貫通穴、（２１）は接続
貫通穴である。 尚、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
脂部分を透視して示した透視正面図、第２図は第１図の
線■−■に沿った断面図、第３図は第２導体板から下の
部分の斜視図、第４図は従来の半導体装置の上部樹脂部
分を透視して示した透視正面図、第５図−は第４図の！
！Ｖ−Ｖに沿った断面図である。 各図において、（１）は半導体素子、（２）は電極、（
３）は絶縁テープ、（３ａ）は貫通穴、（４）はリード
、（５）はインナリード、（６）はアウタリード、（７
）はパッケージ本体、（８）は上部樹脂部分、（９）は
放熱体、（１０ａ）は第１絶縁材層、（１０ｂ）は第２
絶縁材層、（Ｊｌ）は第１導体板、（１２）は第２導体
板、（１２ａ）は空隙部、（１３）は導電性樹脂、（１
４）は接地リード、（１５）は電源リード、（１６）は
信号線リード、（２０）は収納貫通穴、（２１）は接続
貫通穴である。 尚、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）半導体素子を樹脂封止して形成された半導体装置
であって、 表面に複数の電極を有する半導体素子と、 内端側が上記複数の電極の所定の電極にそれぞれ接続さ
れ外端側が半導体装置外部に延びる複数本のリードを表
面に設けた、上記半導体素子の周囲に設けられた絶縁テ
ープと、 上記半導体素子の裏面および上記複数のリードの所定の
リードに電気的に接続された第１導電層と、 上記複数のリードの別の所定のリードに電気的に接続さ
れた、上記第１導体層とデカップリングコンデンサを形
成する第２導電層と、 半導体装置内部で発生する熱を半導体装置外部に拡散さ
せるための放熱層と、 上記第１導電層と上記放熱層との間に挟み込まれる第１
絶縁層と、 上記第１導電層と第２導電層の間に挟み込まれる第２絶
縁層と、 上記放熱層の少なくとも一部を露出させて上記各部分を
封止する樹脂封止部と、 を備えた半導体装置。 - （２）上記第１導電層が上記半導体素子の裏面および複
数本の上記リードの接地リードに接続され、上記第２導
電層が複数本の上記リードの電源リードに接続されてい
る特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置。 - （３）上記絶縁テープの裏面側に上記第２導電層、第２
絶縁層、第１導電層、第１絶縁層および放熱層が順次積
層され、上記絶縁テープ、第２導電層および第２絶縁層
が、上記半導体素子を収納しかつ上記第１導電層に電気
的に接続させるための収納貫通穴、および上記それぞれ
のリードと導電層を電気的に接続するための接続貫通穴
を有し、上記半導体素子が上記第１導電層上に導電性樹
脂によって固定接続され、また上記それぞれのリードと
導電層が上記接続貫通穴を介して導電性樹脂によって固
定接続され、上記半導体素子および各リードのインナリ
ードの周囲並びに上記第２導電層、第２絶縁層、第１導
電層、第１絶縁層および放熱層の側面が上記封止樹脂で
覆われ、上記各リードのアウタリードおよび放熱層の下
面が半導体装置の外部に露出している特許請求の範囲第
２項に記載の半導体装置。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268012A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| US6891247B2 (en) | 1999-12-24 | 2005-05-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device including semiconductor bare chip mounted by flip-chip bonding, and board member with thin-film structure capacitor for semiconductor bare chip mounted by flip-chip bonding |
| JP2005150748A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Samsung Electronics Co Ltd | デカップリングコンデンサを有する半導体チップパッケージ及びその製造方法 |
| US8441774B2 (en) | 2007-03-08 | 2013-05-14 | Nec Corporation | Capacitance element, printed circuit board, semiconductor package, and semiconductor circuit |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196725A (en) * | 1990-06-11 | 1993-03-23 | Hitachi Cable Limited | High pin count and multi-layer wiring lead frame |
| JP2501950B2 (ja) * | 1990-11-06 | 1996-05-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPH0828394B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1996-03-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US5831836A (en) * | 1992-01-30 | 1998-11-03 | Lsi Logic | Power plane for semiconductor device |
| JPH06507275A (ja) * | 1992-02-18 | 1994-08-11 | インテル コーポレーション | 薄膜法を用いた多層成形プラスチックパッケージ |
| JPH0629428A (ja) * | 1992-07-07 | 1994-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH06295962A (ja) * | 1992-10-20 | 1994-10-21 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載用基板およびその製造方法並びに電子部品搭載装置 |
| US5311057A (en) * | 1992-11-27 | 1994-05-10 | Motorola Inc. | Lead-on-chip semiconductor device and method for making the same |
| US5457340A (en) * | 1992-12-07 | 1995-10-10 | Integrated Device Technology, Inc. | Leadframe with power and ground planes |
| US5371403A (en) * | 1993-09-24 | 1994-12-06 | Vlsi Technology, Inc. | High performance package using high dielectric constant materials for power/ground and low dielectric constant materials for signal lines |
| JP3201187B2 (ja) * | 1994-12-08 | 2001-08-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| US5848082A (en) * | 1995-08-11 | 1998-12-08 | Sdl, Inc. | Low stress heatsink and optical system |
| US5770969A (en) * | 1995-08-22 | 1998-06-23 | International Business Machines Corporation | Controllable decoupling capacitor |
| US5828259A (en) * | 1996-11-18 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for reducing disturbances on an integrated circuit |
| JP2933554B2 (ja) * | 1996-11-28 | 1999-08-16 | 九州日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6075288A (en) | 1998-06-08 | 2000-06-13 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor package having interlocking heat sinks and method of fabrication |
| US6806568B2 (en) * | 2001-07-20 | 2004-10-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Decoupling capacitor for integrated circuit package and electrical components using the decoupling capacitor and associated methods |
| US7038305B1 (en) | 2003-07-15 | 2006-05-02 | Altera Corp. | Package for integrated circuit die |
| US7741706B2 (en) * | 2006-09-29 | 2010-06-22 | Microsemi Corporation | Plastic surface mount large area power device |
| CN201011655Y (zh) * | 2007-01-10 | 2008-01-23 | 上海凯虹科技电子有限公司 | 一种大功率半导体器件的框架 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5753947A (en) * | 1980-09-17 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Transistor and electronic device containing it |
| CA1188010A (en) * | 1981-05-06 | 1985-05-28 | Leonard W. Schaper | Package for a semiconductor chip |
| US4680613A (en) * | 1983-12-01 | 1987-07-14 | Fairchild Semiconductor Corporation | Low impedance package for integrated circuit die |
| CA1238959A (en) * | 1984-08-09 | 1988-07-05 | Robert R. Rohloff | Area-bonding tape |
| JPS61108160A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-26 | Nec Corp | コンデンサ内蔵型半導体装置及びその製造方法 |
| DE3675321D1 (de) * | 1985-08-16 | 1990-12-06 | Dai Ichi Seiko Co Ltd | Halbleiteranordnung mit packung vom steckerstifttyp. |
| US4835120A (en) * | 1987-01-12 | 1989-05-30 | Debendra Mallik | Method of making a multilayer molded plastic IC package |
| JPH0758744B2 (ja) * | 1987-04-02 | 1995-06-21 | イビデン株式会社 | 半導体塔載用基板の製造方法 |
| JPH0740600B2 (ja) * | 1987-04-30 | 1995-05-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPS63312661A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置用パッケ−ジ |
| JPH01132142A (ja) * | 1987-08-05 | 1989-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置のパツケージ構造 |
| JPH01208851A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-22 | Nec Corp | 電子部品の実装構造 |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP1218660A patent/JPH0810744B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-08-24 FR FR9010653A patent/FR2651373B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-27 DE DE4027072A patent/DE4027072C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-03-26 US US07/675,040 patent/US5067005A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268012A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| US6891247B2 (en) | 1999-12-24 | 2005-05-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device including semiconductor bare chip mounted by flip-chip bonding, and board member with thin-film structure capacitor for semiconductor bare chip mounted by flip-chip bonding |
| JP2005150748A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Samsung Electronics Co Ltd | デカップリングコンデンサを有する半導体チップパッケージ及びその製造方法 |
| JP4606849B2 (ja) * | 2003-11-18 | 2011-01-05 | 三星電子株式会社 | デカップリングコンデンサを有する半導体チップパッケージ及びその製造方法 |
| US8441774B2 (en) | 2007-03-08 | 2013-05-14 | Nec Corporation | Capacitance element, printed circuit board, semiconductor package, and semiconductor circuit |
| JP5333776B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2013-11-06 | 日本電気株式会社 | 容量素子、プリント配線基板、半導体パッケージ及び半導体回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2651373A1 (fr) | 1991-03-01 |
| DE4027072C2 (de) | 1998-09-24 |
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| FR2651373B1 (fr) | 1996-07-19 |
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