JPH06268012A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH06268012A JPH06268012A JP5026393A JP5026393A JPH06268012A JP H06268012 A JPH06268012 A JP H06268012A JP 5026393 A JP5026393 A JP 5026393A JP 5026393 A JP5026393 A JP 5026393A JP H06268012 A JPH06268012 A JP H06268012A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- tape carrier
- capacitor
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】テープキャリアを使用した半導体集積回路装置
のリード配線のインダクタンス成分による電圧変動を防
止する。 【構成】テープキャリア3を使用した半導体集積回路装
置の集積回路チップ2の周囲に環状にコンデンサを形成
する。これにより、テープキャリアのリード配線4の影
響を受けることなくデカップリング用コンデンサを接続
できるため、集積回路チップまでのリード配線4のイン
ダクタンス成分による高周波での電圧劣化を抑えること
ができる。
のリード配線のインダクタンス成分による電圧変動を防
止する。 【構成】テープキャリア3を使用した半導体集積回路装
置の集積回路チップ2の周囲に環状にコンデンサを形成
する。これにより、テープキャリアのリード配線4の影
響を受けることなくデカップリング用コンデンサを接続
できるため、集積回路チップまでのリード配線4のイン
ダクタンス成分による高周波での電圧劣化を抑えること
ができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に関
し、特にテープキャリアを用いた半導体集積回路装置の
実装構造に関する。
し、特にテープキャリアを用いた半導体集積回路装置の
実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、テープキャリアを用いた半導体集
積回路装置としては、特開平1−96943に提案され
た構成が知られている。この公報記載の構成では、樹脂
フィルム上に形成されたくし形電極によりデカップリン
グ用コンデンサを形成している。このコンデンサは、集
積回路チップの載置される部位上面または周辺四隅に形
成される。
積回路装置としては、特開平1−96943に提案され
た構成が知られている。この公報記載の構成では、樹脂
フィルム上に形成されたくし形電極によりデカップリン
グ用コンデンサを形成している。このコンデンサは、集
積回路チップの載置される部位上面または周辺四隅に形
成される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
装置では、このコンデンサにより、樹脂フィルム上のリ
ード配線のインダクタンス成分による高周波的な電位降
下に伴う集積回路チップに供給される電源電圧の低下お
よび周波数による電位降下量の変化に伴う電源電圧の変
動を防止している。
装置では、このコンデンサにより、樹脂フィルム上のリ
ード配線のインダクタンス成分による高周波的な電位降
下に伴う集積回路チップに供給される電源電圧の低下お
よび周波数による電位降下量の変化に伴う電源電圧の変
動を防止している。
【0004】しかし、上述した公報記載の構成ではデカ
ップリング用コンデンサを集積回路チップの間近に形成
できるため、高周波での電源電圧変動に対しては有効で
ある反面、集積回路チップの電源端子数とその配置に対
する制約を与えるという問題がある。具体的には、集積
回路内の回路形式によっては、電源端子に対する制約に
適合させるため、集積回路チップ内の配線の引き回しが
必要となり、結果的に電源電圧の変動が避けられないと
いう問題がある。
ップリング用コンデンサを集積回路チップの間近に形成
できるため、高周波での電源電圧変動に対しては有効で
ある反面、集積回路チップの電源端子数とその配置に対
する制約を与えるという問題がある。具体的には、集積
回路内の回路形式によっては、電源端子に対する制約に
適合させるため、集積回路チップ内の配線の引き回しが
必要となり、結果的に電源電圧の変動が避けられないと
いう問題がある。
【0005】本発明の目的は、上述した従来の欠点を除
き、電源端子に対しコンデンサ形成の制約のないチップ
キャリアを用いた半導体集積回路装置を提供することに
ある。
き、電源端子に対しコンデンサ形成の制約のないチップ
キャリアを用いた半導体集積回路装置を提供することに
ある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置は、複数のリード配線が形成された絶縁性フィルム
を有するテープキャリアと、前記テープキャリアにボン
ディングされる集積回路チップと、デカップリング用コ
ンデンサとを有し、前記コンデンサは前記集積回路チッ
プの周囲に環状に配置された誘電体と、この誘電体上の
第1の主面全体に設けられた第1の電極と、前記誘電体
の第2の主面に設けられた複数の第2の電極とから構成
されたことを特徴とする。
装置は、複数のリード配線が形成された絶縁性フィルム
を有するテープキャリアと、前記テープキャリアにボン
ディングされる集積回路チップと、デカップリング用コ
ンデンサとを有し、前記コンデンサは前記集積回路チッ
プの周囲に環状に配置された誘電体と、この誘電体上の
第1の主面全体に設けられた第1の電極と、前記誘電体
の第2の主面に設けられた複数の第2の電極とから構成
されたことを特徴とする。
【0007】
【実施例】次に本発明を図面を参照して詳細に説明す
る。図1は本発明の一実施例の半導体集積回路装置13
の平面図である。この半導体集積回路装置13は、集積
回路チップ2と、チップ2にインナ・リード・ボンディ
ングされたテープキャリア3と、テープキャリア3上の
リード配線4と、コンデンサ14とから構成されてい
る。
る。図1は本発明の一実施例の半導体集積回路装置13
の平面図である。この半導体集積回路装置13は、集積
回路チップ2と、チップ2にインナ・リード・ボンディ
ングされたテープキャリア3と、テープキャリア3上の
リード配線4と、コンデンサ14とから構成されてい
る。
【0008】コンデンサ14はリードの上に形成された
絶縁体9と絶縁体9の上に形成された誘電体5と誘電体
の上下に設けられた上面電極15及び下面電極16(図
2参照)とから構成され、集積回路チップ2のまわりを
一巡するように形成されている。コンデンサ14上の電
極15は同電位に設定して使用されるリード配線4に接
続されている。図2は図1の実施例で使用しているコン
デンサ14の裏面から見た平面図である。裏面は全面単
一の電極16が形成され、同電位にとられる複数のリー
ド配線4に接続される複数の接続子8を有している。こ
の構成では裏面電極を接地電位にとるのが好適な使用方
法である。この例に示される通り、コンデンサを接続す
るリード配線は隣接するリード配線間に限らない。図3
は本発明の他の実施例の半導体集積回路装置に使用する
コンデンサ17を示す平面図である。くし形電極18を
誘電体6に形成して単層の電極で構成している。
絶縁体9と絶縁体9の上に形成された誘電体5と誘電体
の上下に設けられた上面電極15及び下面電極16(図
2参照)とから構成され、集積回路チップ2のまわりを
一巡するように形成されている。コンデンサ14上の電
極15は同電位に設定して使用されるリード配線4に接
続されている。図2は図1の実施例で使用しているコン
デンサ14の裏面から見た平面図である。裏面は全面単
一の電極16が形成され、同電位にとられる複数のリー
ド配線4に接続される複数の接続子8を有している。こ
の構成では裏面電極を接地電位にとるのが好適な使用方
法である。この例に示される通り、コンデンサを接続す
るリード配線は隣接するリード配線間に限らない。図3
は本発明の他の実施例の半導体集積回路装置に使用する
コンデンサ17を示す平面図である。くし形電極18を
誘電体6に形成して単層の電極で構成している。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、テープキ
ャリアを使用した半導体集積回路装置において、誘電体
を集積回路チップの周囲に環状に形成し、電極を誘電体
上の任意の部位に形成することにより任意の部位にコン
デンサを形成できるため、電源端子に対し何ら制約を受
けないという効果がある。
ャリアを使用した半導体集積回路装置において、誘電体
を集積回路チップの周囲に環状に形成し、電極を誘電体
上の任意の部位に形成することにより任意の部位にコン
デンサを形成できるため、電源端子に対し何ら制約を受
けないという効果がある。
【図1】本発明の一実施例の半導体集積回路装置の平面
図。
図。
【図2】図1の実施例に使用したコンデンサの裏面から
の平面図。
の平面図。
2 半導体チップ 3 テープキャリア 4 リード線 5 誘電体層 9 絶縁体層 15 上面電極 16 下面電極
Claims (2)
- 【請求項1】 複数のリード配線が形成された絶縁性フ
ィルムを有するテープキャリアと、前記テープキャリア
にボンディングされる集積回路チップと、デカップリン
グ用コンデンサとを有する半導体集積回路装置におい
て、前記コンデンサは前記集積回路チップの周囲に環状
に配置された誘電体と、この誘電体上の第1の主面全体
に設けられた第1の電極と、前記誘電体の第2の主面に
設けられた複数の第2の電極とから構成されたことを特
徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項2】 前記第1の電極が前記リードと接続する
ための舌片状の接続子を有することを特徴とする請求項
1記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5050263A JP2697547B2 (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5050263A JP2697547B2 (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06268012A true JPH06268012A (ja) | 1994-09-22 |
JP2697547B2 JP2697547B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=12854092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5050263A Expired - Lifetime JP2697547B2 (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2697547B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002074559A1 (en) * | 2001-03-20 | 2002-09-26 | Kumho Tire Co., Inc. | Pneumatic tire with reinforced bead part |
JP2006237314A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法 |
WO2008108350A1 (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-12 | Nec Corporation | 容量素子、プリント配線基板、半導体パッケージ及び半導体回路 |
US20100033938A1 (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-11 | Lenovo (Singapore) Pte.Ltd. | Method and apparatus for reducing capacitor generated noise on a printed circuit board |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6484624A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device using film carrier |
JPH0383368A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-03-11 JP JP5050263A patent/JP2697547B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6484624A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device using film carrier |
JPH0383368A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006237314A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法 |
WO2008108350A1 (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-12 | Nec Corporation | 容量素子、プリント配線基板、半導体パッケージ及び半導体回路 |
US8441774B2 (en) | 2007-03-08 | 2013-05-14 | Nec Corporation | Capacitance element, printed circuit board, semiconductor package, and semiconductor circuit |
JP5333776B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2013-11-06 | 日本電気株式会社 | 容量素子、プリント配線基板、半導体パッケージ及び半導体回路 |
US20100033938A1 (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-11 | Lenovo (Singapore) Pte.Ltd. | Method and apparatus for reducing capacitor generated noise on a printed circuit board |
US8564966B2 (en) * | 2008-08-11 | 2013-10-22 | Lenovo (Singapore) Pte. Ltd. | Apparatus for reducing capacitor generated noise on a printed circuit board |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2697547B2 (ja) | 1998-01-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970819 |