JPS59143355A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS59143355A JPS59143355A JP58016933A JP1693383A JPS59143355A JP S59143355 A JPS59143355 A JP S59143355A JP 58016933 A JP58016933 A JP 58016933A JP 1693383 A JP1693383 A JP 1693383A JP S59143355 A JPS59143355 A JP S59143355A
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- semiconductor integrated
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路装置に関する。
従来、半導体集4*回路装置を機器に実装した場合、負
荷変動等による電源電圧の変動については機器側で配慮
すべきものとして、この変動を低減するフィルタコンデ
ンサは半導体集積回路装置内には実装されていない。
荷変動等による電源電圧の変動については機器側で配慮
すべきものとして、この変動を低減するフィルタコンデ
ンサは半導体集積回路装置内には実装されていない。
第1図は半導体集積回路装置を機器に実装した場合の回
路図である。
路図である。
実際に機器を稼動する場合、半導体集積回路装置1は高
速で動作するため、パターン配線、電気部品のリード線
、ケーブル等によるインダクタンスLの作用が大きくあ
られれて、信号電流の戻りのグランド電流の変化に伴な
い、Ldi/dtによるスパイクノイズが発生し回路が
誤動作する。
速で動作するため、パターン配線、電気部品のリード線
、ケーブル等によるインダクタンスLの作用が大きくあ
られれて、信号電流の戻りのグランド電流の変化に伴な
い、Ldi/dtによるスパイクノイズが発生し回路が
誤動作する。
このスパイクノイズを低減させ回路を安定動作させるた
め1通常半導体集積回路装置毎、又は数個の半導体集積
回路装置毎にフィルタコンデンサを実装している。
め1通常半導体集積回路装置毎、又は数個の半導体集積
回路装置毎にフィルタコンデンサを実装している。
しかしながら、半導体集積回路装置が高速になればなる
ほど、を気配線パターン及びフィルタコンデンサのリー
ド線の物理的長さ等により発生ノイズを低減させること
が難かしく、更にフィルタコンデンサ実装のための物理
的スペースを要し小型化への大きな制約条件となる欠点
がある。
ほど、を気配線パターン及びフィルタコンデンサのリー
ド線の物理的長さ等により発生ノイズを低減させること
が難かしく、更にフィルタコンデンサ実装のための物理
的スペースを要し小型化への大きな制約条件となる欠点
がある。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、半導体集積回路素
子の入力端子にフィルタコンデンサを接続することによ
り負荷変動による嵯源篭圧のスパイクノイズを低減した
半導体集積回路装置を提供することにある。
子の入力端子にフィルタコンデンサを接続することによ
り負荷変動による嵯源篭圧のスパイクノイズを低減した
半導体集積回路装置を提供することにある。
本発明の半導体集積回路装置は、半導体集積回路素子と
、該半導体集積回路素子の入力端子に接続されたフィル
タコンデンサと、前記半導体集積回路素子とフィルタコ
ンデンサとを収納するパッケージとを含んで構成される
。
、該半導体集積回路素子の入力端子に接続されたフィル
タコンデンサと、前記半導体集積回路素子とフィルタコ
ンデンサとを収納するパッケージとを含んで構成される
。
本発明の他の半導体集積回路装置は、半導体基板に形成
された半導体集積回路素子と、該半導体集積回路素子の
入力端子に接続しかつ前記半導体基板に形成されたフィ
ルタコンデンサとを含んで構成される。
された半導体集積回路素子と、該半導体集積回路素子の
入力端子に接続しかつ前記半導体基板に形成されたフィ
ルタコンデンサとを含んで構成される。
次に本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
第2図は第1の本発明の一実施例の断面図である。
半導体集積回路素子2及びフィルタコンデンサ3はセラ
ミック板又は金属板から成る基板4に固定されており、
半導体集積回路素子2の入力端子は金属細線7によりフ
ィルタコンデンサに連結されている。なお5はリード、
6はパッケージとしての封止樹脂である。
ミック板又は金属板から成る基板4に固定されており、
半導体集積回路素子2の入力端子は金属細線7によりフ
ィルタコンデンサに連結されている。なお5はリード、
6はパッケージとしての封止樹脂である。
この様に構成した半導体集積回路装置においては、半導
体集積回路素子2で消費する電流は隣接したフィルタコ
ンデンサ3から供給されるので。
体集積回路素子2で消費する電流は隣接したフィルタコ
ンデンサ3から供給されるので。
この間の金属細線の自己インダクタンスによるLdi/
dtが回路へのスパイクノイズとして影響するのみとな
る。
dtが回路へのスパイクノイズとして影響するのみとな
る。
第3図は第2の本発明の一実施例の平面図である。
半導体基板10上に、半導体集積回路素子11とその入
力端子に接続するフィルタコンデンサ12とが形成しで
ある。フィルタコンデンサ12は半導体集積回路素子1
1の製造工程を利用し半導体集積回路素子11と一体的
に形成することができる。この様に形成された半導体集
積回路においては自己インダクタンスは極めて小さくな
りスパイクノイズ低減に大きな効果がある。従って。
力端子に接続するフィルタコンデンサ12とが形成しで
ある。フィルタコンデンサ12は半導体集積回路素子1
1の製造工程を利用し半導体集積回路素子11と一体的
に形成することができる。この様に形成された半導体集
積回路においては自己インダクタンスは極めて小さくな
りスパイクノイズ低減に大きな効果がある。従って。
半導体集積回路装置外へのクロストーク、反射等による
影響も低減できる。更にこの半導体集積回路装置を実装
する機器の小型化が可能となる。
影響も低減できる。更にこの半導体集積回路装置を実装
する機器の小型化が可能となる。
以上詳細に説明した様に、本発明によれば、半導体集積
回路素子の入力端子にフィルタコンデンサを接続するこ
とにより負荷変動による電源電圧のスパイクノイズを低
減した半導体集積回路装置が得られるのでその効果は大
きい。
回路素子の入力端子にフィルタコンデンサを接続するこ
とにより負荷変動による電源電圧のスパイクノイズを低
減した半導体集積回路装置が得られるのでその効果は大
きい。
第1図は半導体集積回路装置を機器に実装した場合の回
路図、第2図は第1の本発明の一実施例の断面図、第3
図は第2の本発明の一実施例の平面図である。 1・・・・・・半導体集積回路装置、2・・・・・・半
導体集積回路素子、3・・・・・・フィルタコンデンサ
、4・・・・・・基板、5・・・・・・リード、6・・
・・・・封止樹脂、7・・・・・・金属細線、10・・
・・・・半導体基板、11・・・・・・半導体集積−ζ
− 回路素子、12・・・・・・フィルタコンデンサ。 6一
路図、第2図は第1の本発明の一実施例の断面図、第3
図は第2の本発明の一実施例の平面図である。 1・・・・・・半導体集積回路装置、2・・・・・・半
導体集積回路素子、3・・・・・・フィルタコンデンサ
、4・・・・・・基板、5・・・・・・リード、6・・
・・・・封止樹脂、7・・・・・・金属細線、10・・
・・・・半導体基板、11・・・・・・半導体集積−ζ
− 回路素子、12・・・・・・フィルタコンデンサ。 6一
Claims (2)
- (1)半導体集積回路素子と、該半導体集積回路素子の
入力端子に接続されたフィルタコンデンサと、前記半導
体集積回路素子とフィルタコンデンサとを収納するパッ
ケージとを含むことを特徴とする半導体集積回路素子。 - (2)半導体基板に形成された半導体集積回路素子と、
該半導体集積回路素子の入力端子に接続しかつ前記半導
体基板に形成されたフィルタコンデンサとを含むことを
特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58016933A JPS59143355A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58016933A JPS59143355A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59143355A true JPS59143355A (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=11929919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58016933A Pending JPS59143355A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59143355A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6194779B1 (en) * | 1989-11-28 | 2001-02-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plastic mold type semiconductor device |
KR100600202B1 (ko) * | 1997-10-30 | 2006-09-22 | 애질런트 테크놀로지스, 인크. | 저인덕턴스집적회로패키지 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS515364B1 (ja) * | 1971-04-17 | 1976-02-19 | ||
JPS5251879A (en) * | 1975-10-24 | 1977-04-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit |
JPS5749259A (en) * | 1980-09-09 | 1982-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | Ic package containing capacitor |
JPS5764953A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
JPS57113261A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-14 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS57157549A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Nec Corp | Container for integrated circuit |
-
1983
- 1983-02-04 JP JP58016933A patent/JPS59143355A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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KR100600202B1 (ko) * | 1997-10-30 | 2006-09-22 | 애질런트 테크놀로지스, 인크. | 저인덕턴스집적회로패키지 |
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