JPS62249462A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS62249462A
JPS62249462A JP61092200A JP9220086A JPS62249462A JP S62249462 A JPS62249462 A JP S62249462A JP 61092200 A JP61092200 A JP 61092200A JP 9220086 A JP9220086 A JP 9220086A JP S62249462 A JPS62249462 A JP S62249462A
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pellet
semiconductor device
semiconductor
powder
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JP61092200A
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English (en)
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Takayuki Okinaga
隆幸 沖永
Hiroshi Tate
宏 舘
Yasuyuki Yamazaki
康行 山崎
Michiaki Furukawa
古川　道明
Kanji Otsuka
寛治 大塚
Kunizo Sawara
佐原　邦造
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Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
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Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の放熱性向上に適用して有効な技
術に関する。
〔従来の技術〕
半導体装置には、ベレット取付基板が樹脂からなるもの
がある。そのようなパッケージ型式の半導体装置の一つ
である、いわゆるピングリフトアレイ（以下ＰＧＡとい
う）型半導体装置については、１９８４年６月１１日、
日経マグロウヒル社発行、別冊「マイクロデバイセズ」
磁２、Ｐ１６０〜Ｐ１６８に説明されている。
上記ビングリッドアレイ型半導体装置には、たとえば樹
脂からなるパッケージ基板の裏面側に外部端子であるピ
ンが植設され、その表面側に半導体ペレット（以下単に
ペレットともいう）が取付けられ、そのペレットがキャ
ンプで封止されたものがある。
ところで、近時の半導体装置には、動作時の発熱量の大
きな高消費電力のペレット等の搭載が望まれている。こ
のようなペレットを搭載するためには、その半導体装置
の信頬性を確保するために、構造上価れた放熱性を備え
ていることが要求される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、前記ＰＧＡ型半導体装置等のようにペレット
が樹脂からなる基板に取付けられている場合には、該基
板の熱伝導率が小さいため搭載される半導体ペレットか
らの放熱を速やかに行うことができない、したがって、
上記パッケージ構造からなる半導体装置では、発熱量の
大きな半導体ベレットの搭載は困難であるという問題の
あることが本発明者により見い出された。
本発明の目的は、半導体ベレットからの放熱性を向上で
きる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
〔問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に一説明すれば、次の通りである。
すなわち、熱伝導率の低い樹脂からなるペレット取付基
板に取付けられている半導体ベレットを、ダイヤモンド
粉末またはボラゾン粉末を含有した弾性材料で被覆する
ものである。
〔作用〕
上記した手段によれば、弾性材料に含有されているダイ
ヤモンド粉末またはボラゾン粉末は極めて大きな熱伝導
率を有していることより、ペレットに発生した熱を効率
よく上記弾性材料を通して、該弾性材料に接触する部材
へ伝達することができるので、上記目的が達成される。
〔実施例〕
第１図は本発明による一実施例である半導体装置を示す
概略断面図である。
本実施例の半導体装置は、そのバフケージ基板　−（ペ
レット取付基板）１が、いわゆるガラスエポキシ樹脂等
からなるプリント基板で形成されている。上記パッケー
ジ基板１には、その裏面外向に延在された外部端子であ
るピン２が植設されている。また、基板１の上面には、
そのほぼ中央に半導体ベレット３が、いわゆる銀ペース
ト４を介して取付けられている。また、上記ペレット３
の周囲基板には、上記ピン２と電気的に接続された銅箔
からなる配線５が被着され、その内端部と上記ペレット
３の電極（図示せず）とは金等のワイヤ６により電気的
に接続されている。さらに、その周縁にはアルミニウム
の枠体からなるダム７がシリコーン系接着剤８で取付け
られている。そして、上記基板１とダム７とから形成さ
れる空間には、上記ペレット３を被覆するシリコーンゲ
ル（弾性材料）９が充填されている。そして、シリコー
ンゲル９には、上記ダム７の上端面にシリコーン系接着
剤８ａで取付けられたアルミニウムからなるキャップ１
０の凸部１０ａが接触されている。
本実施例においては、上記弾性材料９の中にダイヤモン
ド粉末１１をフィラーとして含有せしめたものである。
ところで、ダイヤモンドは結晶格子の規則性およびその
格子形成原子の等質量性等により、格子振動によるフォ
ノンの移動が極めて容易であるため、優れた熱伝導性を
有している。
このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。
（１）、ダイヤモンド粉末１１が極めて大きな熱伝導率
を有していることにより、半導体ベレット３に発生した
熱を前記シリコーンゲル９を通してキャップ１０に伝達
することができるので、ペレット３からの放熱性を向上
することができる。
（２）、上記（１）により、高発熱量の半導体ベレット
３を搭載する場合であっても、半導体装置の信転性を維
持、向上できる。
（３）、キャップ１０の裏面に凸部１０ａを設けること
により、該キャップ１０とシリコーンゲル９との接触を
容易に行うことができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、弾性材料としてはシリコーンゲル９に限るも
のでなく、他のゲル状樹脂等、同一の目的に使用できる
ものであれば、如何なるものであへ ［）；てもよい。
一５／ また、フィラーとしてはダイヤモンド粉末１１について
のみ説明したが、いわゆるボラゾンであってもよい。こ
のボラゾンは、立方晶系の窒化ボロン（Ｂ　Ｎ）であっ
て、結晶構造がダイヤモンドに近似し、またその格子形
成原子も質量が近似していることから、ダイヤモンドと
同様に極めて大きな熱伝導性を有しているものである。
その他、パンケージを構成する材料および形状は前記実
施例のものに限るものでな（、種々変更可能であること
はいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＰＧＡ型半導体装置
に適用した場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、たとえば、ベレット取付基板が樹脂から
なり、半導体ペレットの上方に一定の空間を有する半導
体装置であれば、如何なるものにも適用できるものであ
る。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を篇単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、樹脂からなるペレット取付基板に取付けられ
ている半導体ベレットを、フィラーとしてダイヤモンド
粉末またはボラゾン粉末を含有した弾性材料で被覆する
ことにより、上記フィラーが極めて高い熱伝導率を有し
ているので、動作時に上記ペレットに発生した熱を速や
かに上記弾性材料を通して、該弾性材料に接触する部材
へ伝達することができる。その結果、半導体装置の放熱
を大巾に向上することができることになり、発熱量の大
きな半導体ペレットの搭載が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による一実施例である半導体装置を示す
概略断面図である。 １・・・パッケージ基板（ベレット取付基板）、２・・
・ヒン、３・・・半導体ペレット、４・・・銀ペースト
、５・・・配線、６・・・ワイヤ、７・・・ダム、８．
８ａ・・・シリコーン系接着剤、９・・・シリコーンゲ
ル（弾性材料）、１゜・・・キャップ、１０ａ・・・凸
部、１１・・・ダイヤモンド粉末。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、樹脂からなるペレット取付基板に取付けられている
    半導体ペレットが、ダイヤモンド粉末またはボラゾン粉
    末を含有する弾性材料で被覆されてなる半導体装置。 ２、上記弾性材料にキャップの一部が接触していること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、弾性材料がシリコーンゲルであることを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ４、ピングリッドアレイ型パッケージからなることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
JP61092200A 1986-04-23 1986-04-23 半導体装置 Pending JPS62249462A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4975761A (en) * 1989-09-05 1990-12-04 Advanced Micro Devices, Inc. High performance plastic encapsulated package for integrated circuit die
EP0475575A1 (en) * 1990-08-27 1992-03-18 The Standard Oil Company High thermal conductivity metal matrix composite
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US6270848B1 (en) 1997-02-06 2001-08-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Heat sink material for use with semiconductor component and method for fabricating the same, and semiconductor package using the same
JP2015225918A (ja) * 2014-05-27 2015-12-14 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 半導体モジュールおよび半導体スイッチ

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