JPH034039Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH034039Y2 JPH034039Y2 JP12332483U JP12332483U JPH034039Y2 JP H034039 Y2 JPH034039 Y2 JP H034039Y2 JP 12332483 U JP12332483 U JP 12332483U JP 12332483 U JP12332483 U JP 12332483U JP H034039 Y2 JPH034039 Y2 JP H034039Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- heat
- chip carrier
- heat diffusion
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 25
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
Description
【考案の詳細な説明】
技術分野
本考案は集積回路チツプを搭載するリード無し
チツプキヤリヤ構造に関するものである。
チツプキヤリヤ構造に関するものである。
背景技術
電子装置、特に電子計算機においては、信頼性
のため集積回路等の電子部品の温度を規定値以下
に保つことが必要であり、これら電子部品からの
発熱を、いかに有効に外部へ放出するかが、重要
な課題となつている。
のため集積回路等の電子部品の温度を規定値以下
に保つことが必要であり、これら電子部品からの
発熱を、いかに有効に外部へ放出するかが、重要
な課題となつている。
最近、電子計算機の高速化、高性能化のため
に、集積回路チツプは高密度に実装する必要があ
り、その一方法として、実装面積が小さいリード
無しチツプキヤリヤが用いられるようになつた。
に、集積回路チツプは高密度に実装する必要があ
り、その一方法として、実装面積が小さいリード
無しチツプキヤリヤが用いられるようになつた。
従来のリード無しチツプキヤリヤは、第１図に
示すように、集積回路チツプ（以下チツプと呼
ぶ）１をチツプキヤリヤ台２上に接合し、チツプ
１のリードフレームをチツプキヤリヤ台２の信号
用パツド３に接続した後、封止板４により封止す
る構造になつている。チツプ１を搭載したリード
無しチツプキヤリヤは、信号用パツド３′の位置
と対応する位置にパツドを有するセラミツク基板
６に半田付けされる。チツプキヤリヤからの熱放
散を良くするため、チツプキヤリヤ台２の裏面に
放熱用パツド５を設け、セラミツク基板６のパツ
ド７に半田付けされる。
示すように、集積回路チツプ（以下チツプと呼
ぶ）１をチツプキヤリヤ台２上に接合し、チツプ
１のリードフレームをチツプキヤリヤ台２の信号
用パツド３に接続した後、封止板４により封止す
る構造になつている。チツプ１を搭載したリード
無しチツプキヤリヤは、信号用パツド３′の位置
と対応する位置にパツドを有するセラミツク基板
６に半田付けされる。チツプキヤリヤからの熱放
散を良くするため、チツプキヤリヤ台２の裏面に
放熱用パツド５を設け、セラミツク基板６のパツ
ド７に半田付けされる。
チツプ１から発生した熱はチツプ裏面へ導か
れ、チツプキヤリヤ台２内を広がりながら伝わつ
ていく。更に、チツプキヤリヤ台２裏面の放熱用
パツド５を介して、セラミツク基板６へ流れ、セ
ラミツク基板６内を広がりながら伝わり、セラミ
ツク基板６の裏面に取付けられる放熱板などによ
り放散される。
れ、チツプキヤリヤ台２内を広がりながら伝わつ
ていく。更に、チツプキヤリヤ台２裏面の放熱用
パツド５を介して、セラミツク基板６へ流れ、セ
ラミツク基板６内を広がりながら伝わり、セラミ
ツク基板６の裏面に取付けられる放熱板などによ
り放散される。
この場合、チツプ１の温度を低く保つために
は、チツプ１とセラミツク基板６の間の熱抵抗
を、小さくすることが必要である。
は、チツプ１とセラミツク基板６の間の熱抵抗
を、小さくすることが必要である。
第２図には、寸法の比較的大きいチツプ１′が
搭載された場合を示す。この場合は、発熱面積が
広いため、チツプキヤリヤ台２やセラミツク基板
６内を熱が伝わる場合、熱伝導断面積が大きくな
り、チツプ１′とセラミツク基板６の間の熱抵抗
は、比較的小さな値となり、チツプ１′の温度も
低く保つことができる。
搭載された場合を示す。この場合は、発熱面積が
広いため、チツプキヤリヤ台２やセラミツク基板
６内を熱が伝わる場合、熱伝導断面積が大きくな
り、チツプ１′とセラミツク基板６の間の熱抵抗
は、比較的小さな値となり、チツプ１′の温度も
低く保つことができる。
第３図には、寸法の比較的小さなチツプ１″が
搭載された場合を示す。この場合は、発熱面積が
狭いため、熱がチツプキヤリヤ台２内やセラミツ
ク基板６内を広がりながら伝わつても、熱伝導断
面積は小さくなり、熱抵抗は比較的大きな値とな
り、チツプ１″の温度は高くなるという欠点があ
つた。
搭載された場合を示す。この場合は、発熱面積が
狭いため、熱がチツプキヤリヤ台２内やセラミツ
ク基板６内を広がりながら伝わつても、熱伝導断
面積は小さくなり、熱抵抗は比較的大きな値とな
り、チツプ１″の温度は高くなるという欠点があ
つた。
すなわち、従来のリード無しチツプキヤリヤの
構造では、搭載するチツプ１の大きさにより熱抵
抗の値が異なり、特に寸法の小さいチツプ１″の
場合、温度が高く、信頼性が低くなるという欠点
があつた。
構造では、搭載するチツプ１の大きさにより熱抵
抗の値が異なり、特に寸法の小さいチツプ１″の
場合、温度が高く、信頼性が低くなるという欠点
があつた。
考案の開示
本考案の目的は、上記の欠点を解決し、搭載す
るチツプの大きさによる熱抵抗値の差が小さく、
かつ熱抵抗値が小さくなるようなリード無しチツ
プキヤリヤ構造を提供することにある。
るチツプの大きさによる熱抵抗値の差が小さく、
かつ熱抵抗値が小さくなるようなリード無しチツ
プキヤリヤ構造を提供することにある。
本考案の構成についてべると、本考案は、上部
に集積回路チツプ（以下チツプという）を収容す
る凹部と、その外側周辺にチツプリードとの電気
的接続をするための信号用パツドと、裏面に放熱
用パツドとを有するチツプキヤリヤ台と、前記凹
部内に収容されるチツプと、このチツプを封止す
る封止板とより構成されるチツプキヤリヤ構造に
おいて、前記チツプキヤリヤ台の凹部上面に、良
熱伝導性材料よりなり、チツプ外形寸法より大き
い外形寸法を有する熱拡散用プレーとを備えてい
るリード無しチツプキヤリヤ構造である。
に集積回路チツプ（以下チツプという）を収容す
る凹部と、その外側周辺にチツプリードとの電気
的接続をするための信号用パツドと、裏面に放熱
用パツドとを有するチツプキヤリヤ台と、前記凹
部内に収容されるチツプと、このチツプを封止す
る封止板とより構成されるチツプキヤリヤ構造に
おいて、前記チツプキヤリヤ台の凹部上面に、良
熱伝導性材料よりなり、チツプ外形寸法より大き
い外形寸法を有する熱拡散用プレーとを備えてい
るリード無しチツプキヤリヤ構造である。
本考案は上述のように構成したので、チツプキ
ヤリヤ内の熱伝導断面積が大きくなり、搭載する
チツプの大きさによる熱抵抗値の差が小さく、か
つ、熱抵抗値を小さく出来、搭載するチツプの温
度を、低く保つことが出来るという効果がある。
ヤリヤ内の熱伝導断面積が大きくなり、搭載する
チツプの大きさによる熱抵抗値の差が小さく、か
つ、熱抵抗値を小さく出来、搭載するチツプの温
度を、低く保つことが出来るという効果がある。
考案を実施するための最良の形態
次に本考案の実施例について図面を参照して説
明する。
明する。
第４図は本考案の一実施例の斜視図である。良
熱伝導性材料からなる熱拡散用プレート８および
熱拡散用ピン９を内部に埋め込み、信号用パツド
３，３′を有するチツプキヤリヤ台２′と、チツプ
キヤリヤ台２′の裏面に設けた放熱用パツド５と、
封止板４とを含み、前記熱拡散用プレート８上に
密着して、チツプ１が搭載されている。
熱伝導性材料からなる熱拡散用プレート８および
熱拡散用ピン９を内部に埋め込み、信号用パツド
３，３′を有するチツプキヤリヤ台２′と、チツプ
キヤリヤ台２′の裏面に設けた放熱用パツド５と、
封止板４とを含み、前記熱拡散用プレート８上に
密着して、チツプ１が搭載されている。
第５図は第４図に示す実施例をセラミツク基板
６に実装した場合の断面図である。この場合に
は、チツプ１に発生した熱はチツプ裏面に導かれ
る。チツプ１は良熱伝導性材料からなる熱拡散用
プレート８上に密着して搭載されているため、チ
ツプ裏面に伝わつてきた熱は、良熱伝導性材料か
らなる熱拡散用プレート８および熱拡散用プレー
ト８と連続して構成される熱拡散用ピン９によ
り、熱拡散用プレート８の横方向およびチツプキ
ヤリヤ台２′の裏面方向に、チツプキヤリヤ台
２′内に効果的に伝導する。
６に実装した場合の断面図である。この場合に
は、チツプ１に発生した熱はチツプ裏面に導かれ
る。チツプ１は良熱伝導性材料からなる熱拡散用
プレート８上に密着して搭載されているため、チ
ツプ裏面に伝わつてきた熱は、良熱伝導性材料か
らなる熱拡散用プレート８および熱拡散用プレー
ト８と連続して構成される熱拡散用ピン９によ
り、熱拡散用プレート８の横方向およびチツプキ
ヤリヤ台２′の裏面方向に、チツプキヤリヤ台
２′内に効果的に伝導する。
チツプキヤリヤ台２′の裏面に達した熱は、放
熱用パツド５を介してセラミツク基板６へ流れ、
セラミツク基板６内に広がりながら伝わり、セラ
ミツク基板６の裏面に達した後、セラミツク基板
６に取付けられた放熱板などにより放熱される。
熱用パツド５を介してセラミツク基板６へ流れ、
セラミツク基板６内に広がりながら伝わり、セラ
ミツク基板６の裏面に達した後、セラミツク基板
６に取付けられた放熱板などにより放熱される。
この場合、熱拡散用プレート８および熱拡散用
プレート８と連続して構成される熱拡散用ピンに
より、熱伝導断面積が広くなつているため、チツ
プキヤリヤ台２′内およびセラミツク基板６内で
の熱伝導断面積も広くなり、チツプ１とセラミツ
ク基板６との間の熱抵抗が小さくなる。
プレート８と連続して構成される熱拡散用ピンに
より、熱伝導断面積が広くなつているため、チツ
プキヤリヤ台２′内およびセラミツク基板６内で
の熱伝導断面積も広くなり、チツプ１とセラミツ
ク基板６との間の熱抵抗が小さくなる。
第６図は寸法の小さいチツプ１″を搭載した場
合の実施例を示す。チツプ１″の寸法が小さく発
熱面積も狭いにもかかわらず、熱拡散用プレート
８に密着接合されているため、熱は熱拡散用プレ
ート８と熱拡散用ピン９により、熱拡散用プレー
ト８の横方向およびチツプキヤリヤ台２′の裏面
方向に、チツプキヤリヤ台２′内に効果的に伝導
し、発熱面積が広く寸法の大きいチツプ１の場合
とほぼ同じ状態となり、同様の熱伝導機構によ
り、チツプ１″とセラミツク基板６との間の熱抵
抗が小さくなる。
合の実施例を示す。チツプ１″の寸法が小さく発
熱面積も狭いにもかかわらず、熱拡散用プレート
８に密着接合されているため、熱は熱拡散用プレ
ート８と熱拡散用ピン９により、熱拡散用プレー
ト８の横方向およびチツプキヤリヤ台２′の裏面
方向に、チツプキヤリヤ台２′内に効果的に伝導
し、発熱面積が広く寸法の大きいチツプ１の場合
とほぼ同じ状態となり、同様の熱伝導機構によ
り、チツプ１″とセラミツク基板６との間の熱抵
抗が小さくなる。
以上に説明したように、本考案によれば、チツ
プキヤリヤ台２に熱拡散用プレート８と熱拡散用
ピン９とを設けることにより、熱伝導断面積を広
くすることができ、搭載するチツプの大きさによ
る熱抵抗の差を小さくし、かつ全体の熱抵抗値を
小さくし、搭載するチツプの温度を低く保たせる
効果がある。
プキヤリヤ台２に熱拡散用プレート８と熱拡散用
ピン９とを設けることにより、熱伝導断面積を広
くすることができ、搭載するチツプの大きさによ
る熱抵抗の差を小さくし、かつ全体の熱抵抗値を
小さくし、搭載するチツプの温度を低く保たせる
効果がある。
なお、本実施例では熱拡散用ピン９を用いてい
るが、この形状は歯形のようなものでもよい。
るが、この形状は歯形のようなものでもよい。
第１図は従来のリード無しチツプキヤリヤ構造
の一例の斜視図、第２図、第３図は従来のリード
無しチツプキヤリヤ構造例をそれぞれ搭載するチ
ツプの寸法の大小の場合に分けて示した断面図、
第４図は本考案の実施例の斜視図、第５図は第４
図に示す実施例の断面図、第６図は寸法の小さい
チツプを搭載した場合の断面図である。 １，１′，１″……集積回路チツプ（チツプ）、
２，２′……チツプキヤリヤ台、３，３′……信号
用パツド、４……封止板、５……放熱用パツド、
６……セラミツク基板、７……基板放熱用パツ
ド、８……熱拡散用プレート、９……熱拡散用ピ
ン、Ｑ……発熱領域、Ｔ……熱伝導方向。
の一例の斜視図、第２図、第３図は従来のリード
無しチツプキヤリヤ構造例をそれぞれ搭載するチ
ツプの寸法の大小の場合に分けて示した断面図、
第４図は本考案の実施例の斜視図、第５図は第４
図に示す実施例の断面図、第６図は寸法の小さい
チツプを搭載した場合の断面図である。 １，１′，１″……集積回路チツプ（チツプ）、
２，２′……チツプキヤリヤ台、３，３′……信号
用パツド、４……封止板、５……放熱用パツド、
６……セラミツク基板、７……基板放熱用パツ
ド、８……熱拡散用プレート、９……熱拡散用ピ
ン、Ｑ……発熱領域、Ｔ……熱伝導方向。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 上部に集積回路チツプを収容する凹部と、その
外側周辺にチツプリードとの電気的接続をするた
めの信号用パツドと、裏面に放熱用パツドとを有
するチツプキヤリヤ台と、前記チツプを封止する
封止板とを備えたチツプキヤリヤ構造において、 前記チツプキヤリヤ台の凹部上面に、良熱伝導
性材料よりなり、チツプ外形寸法より大きい外形
寸法を有する熱拡散プレートと、該熱拡散プレー
トと連続して構成される熱拡散用ピンとを設け、
該熱拡散用ピンを前記チツプキヤリヤ台内部に埋
め込んだことを特徴とするリード無しチツプキヤ
リヤ構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12332483U JPS6033437U (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | リ−ド無しチップキャリヤ構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12332483U JPS6033437U (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | リ−ド無しチップキャリヤ構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6033437U JPS6033437U (ja) | 1985-03-07 |
| JPH034039Y2 true JPH034039Y2 (ja) | 1991-02-01 |
Family
ID=30281557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12332483U Granted JPS6033437U (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | リ−ド無しチップキャリヤ構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033437U (ja) |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP12332483U patent/JPS6033437U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6033437U (ja) | 1985-03-07 |
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