JPH04291750A - 放熱フィンおよび半導体集積回路装置 - Google Patents

放熱フィンおよび半導体集積回路装置

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JPH04291750A
JPH04291750A JP3056382A JP5638291A JPH04291750A JP H04291750 A JPH04291750 A JP H04291750A JP 3056382 A JP3056382 A JP 3056382A JP 5638291 A JP5638291 A JP 5638291A JP H04291750 A JPH04291750 A JP H04291750A
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JP
Japan
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integrated circuit
semiconductor integrated
circuit device
fin
heat dissipation
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JP3056382A
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English (en)
Inventor
Hitoshi Kudo
均 工藤
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
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Publication date
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    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F2215/00—Fins
    • F28F2215/10—Secondary fins, e.g. projections or recesses on main fins

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放熱フィンおよび半導
体集積回路装置技術に関し、特に、半導体集積回路装置
の放熱技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路装置においては、
素子の高集積化、半導体チップの大形化並びに回路動作
の高速化等が進められている。
【０００３】これらに伴い半導体チップからの発熱量も
増す傾向にあり、半導体チップから発生した熱を効率良
く放散するための熱設計技術が重要視されている。
【０００４】従来の半導体集積回路装置の放熱構造とし
ては、構造が簡単で、コストも安価であることから、放
熱フィンを用いた構造が最も多く使用されている。
【０００５】従来の放熱フィンは、例えばアルミニウム
（Ａｌ）等のような熱伝導性の高い金属からなり、通常
、かしめ付けや接着剤等によってパッケージ本体の上面
に接合されていた。
【０００６】なお、従来の半導体集積回路装置の放熱技
術については、例えば株式会社プレスジャーナル、平成
２年７月２０日発行、「月刊　　セミコンダクターワー
ルド（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ）、１
９９０年８月号」Ｐ１１１〜Ｐ１１３に記載があり、低
熱抵抗化技術およびその動向等について説明されている
。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
放熱技術においては、以下の問題があることを本発明者
は見い出した。これを図２２により説明する。
【０００８】配線基板５０上には、複数の半導体集積回
路装置５１ａ〜５１ｃが実装されている。半導体集積回
路装置５１ａ〜５１ｃのパッケージ本体５２ａ〜５２ｃ
の上面には、それぞれ放熱フィン５３ａ〜５３ｃが接合
されている。矢印は、冷却風の向きを示している。
【０００９】ところが、このような状態で、仮に図２２
の中央の半導体集積回路装置５１ｂのみが動作している
場合を考えると、冷却風は、動作していない半導体集積
回路装置５１ａに邪魔され、動作している半導体集積回
路装置５１ｂを有効に冷却できない問題があった。
【００１０】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、動作中の半導体集積回路装置を効
率良く冷却することのできる技術を提供することにある
。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１３】すなわち、請求項１記載の発明は、放熱フ
ィンを所定温度以上でその表面積が増大するよう形状記
憶させた形状記憶合金によって構成したものである。
【００１４】
【作用】上記した発明によれば、例えば半導体チップを
封止するパッケージ本体に取り付けられた放熱フィンの
フィン部に、予め半導体チップ動作時の熱によって表面
積が増大するように形状記憶処理を施しておくことによ
り、配線基板上に実装された複数の半導体集積回路装置
のうち、動作中の半導体集積回路装置の放熱フィンの表
面積のみを、非動作の半導体集積回路装置の放熱フィン
の表面積よりも大きくすることができるので、その動作
中の半導体集積回路装置からの放熱を効果的に行うこと
ができる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の一実施例である放熱フィンを
有する半導体集積回路装置の動作時の側面図、図２はそ
の放熱フィンのマルテンサイト変態終了点以下の温度で
変形された形状を示す全体斜視図、図３はその放熱フィ
ンの記憶形状を示す全体斜視図、図４はその放熱フィン
を有する半導体集積回路装置の非動作時の側面図、図５
および図６はその放熱フィンを有する半導体集積回路装
置群の空冷方法を説明するための説明図、図７および図
８はその放熱フィンを有する半導体集積回路装置群の液
冷方法を説明するための説明図である。
【００１６】図２に示す本実施例の放熱フィン１ａは、
形状記憶合金からなり、接合台部２ａと、それと一体的
に形成された複数のフィン部２ｂとから構成されている
。
【００１７】図２の放熱フィン１ａの形状は、マルテン
サイト変態終了点以下の温度で変形された時の形状（以
下、通常形状という）を示している。
【００１８】本実施例においては、通常形状の放熱フィ
ン１ａのフィン部２ｂが、後述する半導体集積回路装置
の動作時の熱によって予め記憶された所定形状に変形す
るように設定されている。ただし、放熱フィン１ａは、
半導体集積回路装置が非動作となり、所定温度で冷却さ
れると再び通常形状に戻るように設定されている。
【００１９】放熱フィン１ａの記憶形状の例を図３に示
す。図３に示すように、フィン部２ｂには、その高さが
通常形状の場合よりも高くなるように設定されていると
ともに、その延在方向と直交する方向に延びる凸部２ｂ
１　が形成されるように設定されている。
【００２０】すなわち、放熱フィン１ａの記憶形状は、
通常形状時よりも表面積が大きくなるように設定されて
いる。ただし、放熱フィン１の通常形状および記憶形状
は、図２および図３に示した形状に限定されるものでは
なく種々変更可能である。
【００２１】このような放熱フィン１ａを有する半導体
集積回路装置３の非動作時の状態を図４に示す。
【００２２】本実施例の半導体集積回路装置３は、例え
ばピングリッドアレイ（Ｐｉｎ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ
）形のパッケージ本体４を有する。
【００２３】パッケージ本体４を構成するパッケージ基
板４ａは、例えばガラス布基材エポキシ樹脂またはガラ
ス布基材ポリイミド樹脂等のような合成樹脂からなる。
【００２４】パッケージ基板４ａの下面中央には、例え
ばＡｌまたはＡｌ合金からなるキャップ４ｂがダム部４
ｃを介して接合されている。
【００２５】また、パッケージ基板４ａの下面において
キャップ４ｂの周囲には、図４の下方に延在するリード
ピン４ｄが複数設けられている。リードピン４ｄは、例
えば４２アロイやコバール等のような鉄（Ｆｅ）系合金
からなり、その表面には錫（Ｓｎ）または鉛（Ｐｂ）等
のメッキが施されている。
【００２６】一方、パッケージ基板４ａ上には、例えば
Ｃｕからなる熱拡散板４ｅが設けられている。熱拡散板
４ｅは、例えばエポキシ樹脂系またはシリコーンゴム系
の接着剤４ｆによってパッケージ基板４ａに接着されて
いる。図示はしないが、熱拡散板４ｅの下面中央には、
半導体チップが、例えばシリコーンゴム等のような接着
剤によって接着されている。半導体チップには、例えば
Ｂｉ−ＣＭＯＳ回路が形成されている。
【００２７】熱拡散板４ｅ上には、上記した放熱フィン
１ａが設置されている。放熱フィン１ａは、例えばエポ
キシ樹脂系またはシリコーンゴム系の接着剤４ｇによっ
て熱拡散板４ｅに接着されている。すなわち、本実施例
の半導体集積回路装置３は、半導体チップで発生した熱
を熱拡散板４ｅの全面を通じて放熱フィン１ａに伝達す
る放熱構造を有している。
【００２８】このような半導体集積回路装置３の動作中
の放熱フィン１ａの状態を図１に示す。
【００２９】放熱フィン１ａは、半導体チップで発生し
た熱により加熱され、記憶形状に変形している。ただし
、放熱フィン１ａは、半導体集積回路装置３が非動作状
態となり、所定温度で冷却されると、図４の通常形状に
戻るようになっている。
【００３０】次に、このような半導体集積回路装置３の
冷却方法を図５〜図８により説明する。
【００３１】図５および図６は、空冷方法を説明するた
めの図である。図５に示すように、配線基板５上には、
上記した放熱フィン１ａを有する複数の半導体集積回路
装置３ａ〜３ｃが実装されている。この段階では、どの
半導体集積回路装置３ａ〜３ｃも動作していないとする
。図５の矢印は冷却風の向きを示している。
【００３２】ここで、中央の半導体集積回路装置３ｂの
みが動作したとする。すると、半導体集積回路装置３ｂ
で発生した熱により、図６に示すように、半導体集積回
路装置３ｂに接合された放熱フィン１ａのみが記憶形状
に変形する。すなわち、動作中の半導体集積回路装置３
ｂにおける放熱フィン１ａの表面積のみが他に比べて増
大する。
【００３３】この結果、本実施例においては、動作中の
半導体集積回路装置３ｂを効率良く冷却することができ
る。
【００３４】図７および図８は、例えば水冷方法を説明
するための図である。図７に示すように、各半導体集積
回路装置３ａ〜３ｃの放熱フィン１ａは、冷却用容器６
内に収容されている。各冷却用容器６は、連通管部６ａ
を通じて接続されている。図７の矢印は冷却水の流れる
方向を示している。
【００３５】この場合も、例えば中央の半導体集積回路
装置３ｂのみが動作したとすると、図８に示すように、
空冷方法の場合と同様、動作中の半導体集積回路装置３
ｂの放熱フィン１ａのみが記憶形状に変形するため、そ
の半導体集積回路装置３ｂのみを効率良く冷却すること
ができる。
【００３６】このように本実施例によれば、半導体チッ
プを封止するパッケージ本体４に接合された形状記憶合
金からなる放熱フィン１ａのフィン部２ｂに、半導体チ
ップの動作時の熱によって表面積が増大するように予め
形状記憶処理を施しておくことにより、配線基板５上に
実装された複数の半導体集積回路装置３ａ〜３ｃのうち
、動作中の半導体集積回路装置３ｂの放熱フィン１ａの
表面積のみを非動作の半導体集積回路装置３ａ，３ｃの
放熱フィン１ａの表面積よりも大きくすることができる
ので、動作中の半導体集積回路装置３ｂを効率良く冷却
することが可能となる。
【００３７】次に、本発明の他の実施例を説明する。
【００３８】図９は本発明の他の実施例である放熱フィ
ンの記憶形状時の断面図、図１０は図９に示した放熱フ
ィンの通常形状状態の全体斜視図、図１１は図９の放熱
フィンが取り付けられる半導体集積回路装置の外観を説
明するための説明図、図１２は図１１の半導体集積回路
装置の上面図、図１３および図１４は図９の放熱フィン
を図１１の半導体集積回路装置に着脱する際の方法を説
明するための説明図である。
【００３９】本実施例の放熱フィンの通常形状を図１０
に示す。放熱フィン１ｂの接合台部２ａの下面側四辺に
は、図１０の下方に延在する取付部２ｃが形成されてい
る。
【００４０】取付部２ｃの端部には、押え凸部２ｄが形
成されている。
【００４１】本実施例においては、放熱フィン１ｂの取
付部２ｃに、例えば図９に示すような形状が予め記憶さ
れている。図９の二点鎖線は、通常形状を示している。
【００４２】通常形状を記憶形状に変形するには取付部
２ｃを所定温度で加熱すれば良いし、記憶形状を通常形
状に戻すには取付部２ｃを所定温度で冷却すれば良い。
【００４３】本実施例においては、説明を簡単にするた
め取付部２ｃのみに形状を記憶した場合について説明す
るが、放熱フィン１ｂのフィン部２ｂに前記実施例で説
明したように所定形状を記憶しても良い。
【００４４】次に、本実施例の半導体集積回路装置の外
観を図１１に示す。本実施例の半導体集積回路装置３に
おいては、熱拡散板４ｅの外周がパッケージ本体４ａの
外周よりも張り出している。
【００４５】熱拡散板４ｅの上面は、図１２に示すよう
に、例えば四角形状に形成されており、その四辺には、
位置決め凹部７が形成されている。
【００４６】位置決め凹部７は、上記放熱フィン１ｂ（
図１０参照）を取り付ける時にその位置を合わせるため
の凹部であり、放熱フィン１ｂの取付部２ｃが（図１０
参照）嵌合されるようになっている。したがって、位置
決め凹部７の幅は、取付部２ｃの幅と同程度である。 本実施例においては、位置決め凹部７を熱拡散板４ｅの
上面の四辺に設けているので、放熱フィン１ｂを熱拡散
板４ｅとの対向面内において、例えば９０度毎に回転可
能に取り付けることが可能になっている。
【００４７】次に、本実施例の放熱フィン１ｂの着脱方
法を図１３および図１４により説明する。
【００４８】まず、図１３に示すように、通常形状の放
熱フィン１ｂを、その取付部２ｃと熱拡散板４ｅの位置
決め凹部７（図１２参照）とを位置合わせした状態で、
熱拡散板４ｅ上に設置する。この際、本実施例において
は、放熱フィン１ｂと熱拡散板４ｅとの対向面間に熱伝
導性グリース等のような熱伝導性媒体（図示せず）を塗
布しておく。その理由は、熱伝導性グリースによって放
熱フィン１ｂと熱拡散板４ｅとの接触熱抵抗を低減し、
かつ、放熱フィン１ｂの着脱による放熱特性の変動を抑
制するためである。
【００４９】続いて、放熱フィン１ｂの取付部２ｃを所
定温度で加熱する。すると、図１４に示すように、取付
部２ｃが記憶形状に変形し、熱拡散板４ｅを挟み込む。 この際、押え凸部２ｄは、熱拡散板４ｅを良好に押さえ
るように作用する。これらの結果、放熱フィン１ｂと熱
拡散板４ｅとを密着性良く接合できる。
【００５０】このようにして、放熱フィン１ｂを半導体
集積回路装置３に取り付ける。
【００５１】一方、放熱フィン１ｂを取り外す時は、取
付部２ｃを所定温度に冷却し、取付部２ｃの形状を、図
１４の二点鎖線で示す通常形状に戻してやれば良い。
【００５２】以上のようにして、放熱フィン１ｂを着脱
できる。ところで、従来、放熱フィンは半導体集積回路
装置に接合されていたので、一度取り付けられると取り
外しができなかった。このため、その半導体集積回路装
置を所定の機器に組み込む場合に、半導体集積回路装置
に取り付けられた放熱フィンの条件、例えば放熱フィン
の大きさ、形状、風向き等が、組み込み機器側の放熱フ
ィンの条件に合わないと、その半導体集積回路装置をそ
の機器に組み込めなかった。しかし、本実施例の放熱フ
ィン１ｂは、上記したように着脱できるので、そのよう
な条件変更に柔軟に対応することが可能になっている。
【００５３】このように本実施例によれば、以下の効果
を得ることが可能となる。
【００５４】（１）．形状記憶合金からなる放熱フィン
１ｂの取付部２ｃに形状記憶処理を施しておくことによ
り、その相変態によって放熱フィン１ｂを着脱すること
が可能となる。
【００５５】（２）．上記（１）　により、半導体集積
回路装置３に取り付けられた放熱フィン１ｂを他の放熱
フィンに取り替えることができるので、例えば放熱フィ
ンの形状、大きさ、風向き等のような放熱フィン条件の
変更に対して柔軟に対応することが可能となる。
【００５６】（３）．放熱フィン１ｂを熱拡散板４ｅと
の対向面内において９０度毎に回転可能に取り付けられ
るようにしたことにより、同一の放熱フィン１ｂでも二
種類の風向きを選択することが可能となる。
【００５７】（４）．近年は、半導体集積回路装置３を
赤外線加熱処理等によって配線基板５に実装する方法が
採用されつつあるが、この場合、放熱フィンが加熱処理
の邪魔となり実装が困難となる場合がある。本実施例に
よれば、放熱フィン１ｂを着脱できるので、そのような
問題を解消することが可能となる。
【００５８】（５）．放熱フィン１ｂと熱拡散板４ｅと
の対向面間に熱伝導性グリースを介在したことにより、
それら部材間の接触熱抵抗を低減できる上、放熱フィン
１ｂの着脱による放熱特性の変動を抑制できるので、常
に良好な放熱特性を得ることが可能となる。
【００５９】次に、本発明の他の実施例を説明する。
【００６０】図１５は本発明の他の実施例である放熱フ
ィンの記憶形状時の断面図、図１６は図１５に示した放
熱フィンの通常形状状態の全体斜視図、図１７は図１５
の放熱フィンが取り付けられる半導体集積回路装置の外
観を説明する説明図、図１８は図１７の半導体集積回路
装置の上面図、図１９〜図２１は図１５の放熱フィンを
図１７の半導体集積回路装置に着脱する際の方法を説明
するための説明図である。
【００６１】本実施例の放熱フィンの通常形状を図１６
に示す。放熱フィン１ｃの接合台部２ａの下面側には、
図１６に示すような形状の取付部２ｃが形成されている
。
【００６２】本実施例においては、放熱フィン１ｃの取
付部２ｃに、例えば図１５に示すような形状が予め記憶
されている。図１５の二点鎖線は、通常形状を示してい
る。
【００６３】すなわち、取付部２ｃには、図１５の矢印
の方向に縮むような形状が記憶されている。
【００６４】なお、前記第二の実施例と同様、通常形状
を記憶形状に変形するには取付部２ｃを所定温度で加熱
すれば良いし、記憶形状を通常形状に戻すには取付部２
ｃを所定温度で冷却すれば良い。
【００６５】また、放熱フィン１ｃの接合台部２ａの裏
面側には、例えば二箇所に位置決め凸部８が形成されて
いる。位置決め凸部８は、放熱フィン１ｃを後述する半
導体集積回路装置に取り付ける時に、その取付位置を決
めるための凸部である。
【００６６】次に、本実施例の半導体集積回路装置を図
１７に示す。本実施例の半導体集積回路装置３において
は、熱拡散板４ｅの上部に放熱フィン１ｃ（図１６参照
）を取り付けるためのフィン取付部９が形成されている
。フィン取付部９は、熱拡散板４ｅと一体的に形成され
ている。
【００６７】図１７に示すように、本実施例の場合、熱
拡散板４ｅが外方に張り出していないので、半導体集積
回路装置３の実装密度の低下を回避することが可能にな
っている。
【００６８】フィン取付部９の上面には、位置決め凹部
１０が形成されている。位置決め凹部１０には、上記放
熱フィン１ｃの位置決め凸部８が嵌合されるようになっ
ている。そして、放熱フィン１ｃの取付位置は、位置決
め凸部８と位置決め凹部１０との嵌合によって決定され
るようになっている。
【００６９】フィン取付部９の上面は、図１８に示すよ
うに、例えば円形状に形成されている。位置決め凹部１
０は、例えば４５度置きに配置されている。すなわち、
本実施例においては、放熱フィン１ｃをフィン取付部９
との対向面内において、例えば４５度毎に回転可能に取
り付けられるようになっている。したがって、放熱フィ
ン１ｃは、前記実施例の放熱フィン１ｂよりも多くの風
向きを設定することが可能になっている。
【００７０】次に、本実施例の放熱フィン１ｃの着脱方
法を、図１９〜図２１により説明する。
【００７１】まず、図１９に示すように、通常形状の放
熱フィン１ｃの取付部２ｃを、半導体集積回路装置３の
フィン取付部９に遊嵌する。
【００７２】続いて、図２０に示すように、通常形状の
放熱フィン１ｃを、その位置決め凸部８とフィン取付部
９の位置決め凹部１０とを位置合わせした状態で、フィ
ン取付部９上に設置する。この際、本実施例においても
、放熱フィン１ｃとフィン取付部９との対向面間に熱伝
導性グリースを塗布しておく。
【００７３】その後、放熱フィン１ｃの取付部２ｃを所
定温度に加熱する。すると、図２１に示すように、取付
部２ｃが記憶形状に変形し、フィン取付部９を挟み込む
。この結果、放熱フィン１ｃとフィン取付部９とを密着
性良く接合ができる。
【００７４】このようにして放熱フィン１ｃを半導体集
積回路装置３に取り付ける。
【００７５】一方、放熱フィン１ｃを取り外す時は、取
付部２ｃを所定温度に冷却し、取付部２ｃの形状を、図
２０で示したような通常形状に戻してやれば良い。
【００７６】このように本実施例によれば、前記第二の
実施例で得られた効果の他に、以下の効果を得ることが
可能となる。
【００７７】（１）．熱拡散板４ｅの外周に張り出し部
分を設けないことにより、半導体集積回路装置３の実装
密度の低下を回避することが可能となる。
【００７８】（２）．フィン取付部９の上面形状を、例
えば円形とし、かつ、位置決め凹部１０を、例えば４５
度置きに配置し、放熱フィン１ｃをフィン取付部９との
対向面内において、例えば４５度毎に回転可能に取り付
けたことにより、同一の放熱フィン１ｃでも四種類の風
向きを選択することが可能となる。すなわち、前記第二
の実施例の場合よりも多くの風向きを設定することが可
能となる。
【００７９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８０】例えば前記各実施例においては、パッケー
ジ基板が合成樹脂からなる場合について説明したが、こ
れに限定されるものではなく種々変更可能であり、例え
ばセラミック等であっても良い。
【００８１】また、前記第三の実施例においては、フィ
ン取付部の上面形状を円形とした場合について説明した
が、これに限定されるものではなく種々変更可能であり
、例えば六角形等、多角形状としても良い。
【００８２】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＰＧＡ
形パッケージ本体を有する半導体集積回路装置に適用し
た場合について説明したが、これに限定されず種々適用
可能であり、例えばＱＦＰ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａ
ｃｋａｇｅ　）形パッケージ本体を有する半導体集積回
路装置等、他の半導体集積回路装置に適用することも可
能である。
【００８３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００８４】すなわち、上記した発明によれば、例えば
半導体チップを封止するパッケージ本体に取り付けられ
た放熱フィンのフィン部に、予め半導体チップ動作時の
熱によって表面積が増大するように形状記憶処理を施し
ておくことにより、配線基板上に実装された複数の半導
体集積回路装置のうち、動作中の半導体集積回路装置の
放熱フィンの表面積のみを、非動作の半導体集積回路装
置の放熱フィンの表面積よりも大きくすることができる
ので、動作中の半導体集積回路装置からの放熱を効率良
く行うことが可能となる。
【００８５】また、形状記憶合金からなる放熱フィンを
、その相変態によって半導体チップの封止されたパッケ
ージ本体に着脱自在に取り付けたことにより、放熱フィ
ンを取り替えることができるので、放熱フィンの形状、
大きさ、風向き等、放熱フィン条件の変更要望に柔軟に
対応することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例である放熱フィンを有する半
導体集積回路装置の動作時の側面図である。
【図２】その放熱フィンのマルテンサイト変態終了点以
下の温度で変形された形状を示す全体斜視図である。
【図３】その放熱フィンの記憶形状を示す全体斜視図で
ある。
【図４】その放熱フィンを有する半導体集積回路装置の
非動作時の側面図である。
【図５】その放熱フィンを有する半導体集積回路装置群
の空冷方法を説明するための説明図である。
【図６】その放熱フィンを有する半導体集積回路装置群
の空冷方法を説明するための説明図である。
【図７】その放熱フィンを有する半導体集積回路装置群
の液冷方法を説明するための説明図である。
【図８】その放熱フィンを有する半導体集積回路装置群
の液冷方法を説明するための説明図である。
【図９】本発明の他の実施例である放熱フィンの記憶形
状時の断面図である。
【図１０】図９に示した放熱フィンの通常形状状態の全
体斜視図である。
【図１１】図９の放熱フィンが取り付けられる半導体集
積回路装置の外観を説明するための説明図である。
【図１２】図１１の半導体集積回路装置の上面図である
。
【図１３】図９の放熱フィンを図１１の半導体集積回路
装置に着脱する際の方法を説明するための説明図である
。
【図１４】図９の放熱フィンを図１１の半導体集積回路
装置に着脱する際の方法を説明するための説明図である
。
【図１５】本発明の他の実施例である放熱フィンの記憶
形状時の断面図である。
【図１６】図１５に示した放熱フィンの通常形状状態の
全体斜視図である。
【図１７】図１５の放熱フィンが取り付けられる半導体
集積回路装置の外観を説明する説明図である。
【図１８】図１７の半導体集積回路装置の上面図である
。
【図１９】図１５の放熱フィンを図１７の半導体集積回
路装置に着脱する際の方法を説明するための説明図であ
る。
【図２０】図１５の放熱フィンを図１７の半導体集積回
路装置に着脱する際の方法を説明するための説明図であ
る。
【図２１】図１５の放熱フィンを図１７の半導体集積回
路装置に着脱する際の方法を説明するための説明図であ
る。
【図２２】従来の放熱フィンを有する半導体集積回路装
置群の空冷方法を説明する説明図である。
【符号の説明】
１ａ　　放熱フィン １ｂ　　放熱フィン １ｃ　　放熱フィン ２ａ　　接合台部 ２ｂ　　フィン部 ２ｂ１　　　凸部 ２ｃ　　取付部 ２ｄ　　押え凸部 ３　　半導体集積回路装置 ３ａ　　半導体集積回路装置 ３ｂ　　半導体集積回路装置 ３ｃ　　半導体集積回路装置 ４　　パッケージ本体 ４ａ　　パッケージ基板 ４ｂ　　キャップ ４ｃ　　ダム部 ４ｄ　　リードピン ４ｅ　　熱拡散板 ４ｆ　　接着剤 ４ｇ　　接着剤 ５　　配線基板 ６　　冷却用容器 ６ａ　　連通管部 ７　　位置決め凹部 ８　　位置決め凸部 ９　　フィン取付部 １０　　位置決め凹部 ５０　　配線基板 ５１ａ　　半導体集積回路装置 ５１ｂ　　半導体集積回路装置 ５１ｃ　　半導体集積回路装置 ５２ａ　　パッケージ本体 ５２ｂ　　パッケージ本体 ５２ｃ　　パッケージ本体 ５３ａ　　放熱フィン ５３ｂ　　放熱フィン ５３ｃ　　放熱フィン

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　所定温度でその表面積が増大するよう
    に形状記憶した形状記憶合金からなることを特徴とする
    放熱フィン。
  2. 【請求項２】　　パッケージ本体の内部に封止された半
    導体チップの動作時の熱によってフィン部の表面積が増
    大するように形状記憶させた形状記憶合金からなる放熱
    フィンを、前記パッケージ本体に取り付けたことを特徴
    とする半導体集積回路装置。
  3. 【請求項３】　　形状記憶合金からなる放熱フィンを、
    その相変態によって半導体チップの封止されたパッケー
    ジ本体に着脱自在に取り付けたことを特徴とする半導体
    集積回路装置。
  4. 【請求項４】　　請求項３記載の放熱フィンとパッケー
    ジ本体との対向面間に熱伝導性媒体を介在させたことを
    特徴とする半導体集積回路装置。
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