JPH05206338A - ヒートシンクを備えた半導体装置アセンブリ - Google Patents

ヒートシンクを備えた半導体装置アセンブリ

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JPH05206338A
JPH05206338A JP4296400A JP29640092A JPH05206338A JP H05206338 A JPH05206338 A JP H05206338A JP 4296400 A JP4296400 A JP 4296400A JP 29640092 A JP29640092 A JP 29640092A JP H05206338 A JPH05206338 A JP H05206338A
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die
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heat sink
hole
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 半導体装置がプリンティド・ワイヤリング・
ボードの一面にマウントされ、ヒートシンク構造体がそ
の他面側にマウントされる。ボードには複数個の貫通孔
が穿設されると共に、ヒートシンク構造体には同数個の
突起が形成され、該貫通孔に圧力バメされてダイからの
熱を突起を介してヒートシンク構造体の放熱部に伝達す
る。 【効果】 熱伝達特性が向上すると共に、熱応力が最小
となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はヒートシンクを備えた
半導体装置アセンブリ、特にプリンティド・ワイヤリン
グ・ボードがマウントされた半導体装置アセンブリに関
する。
【０００２】
【従来の技術】ここで、「半導体装置」は、回路素子群
を含むシリコン・チップ（ダイ）の意味で使用する。ま
た「半導体装置アセンブリ」は、パッケージ内に収容さ
れ、該パッケージの外方に延びる導線に（結線またはボ
ンドされて）接続されるシリコン・チップを意味する。
【０００３】半導体装置の動作時には熱が必然的に生
じ、放置しておくと装置を破壊することがある。従っ
て、半導体装置に何らかのヒートシンクを設けることは
良く知られている。一般に、ヒートシンクは２つの形態
に分類される。１つは装置パッケージ（アセンブリ）と
一体に構成されたものであり、もう１つは装置パッケー
ジとは別体に構成されたものである。この発明は、半導
体装置アセンブリと一体に形成されたヒートシンクの方
に関する。いずれの場合にせよ、ヒートシンクは、半導
体装置から伝えられる熱を放散する放熱プレートを少な
くとも備える。
【０００４】半導体装置は発熱の起因たるリード線の数
が多く、ないしは高速で動作し、それらは共に発熱の原
因となることから、放熱の問題は半導体装置にとって重
要である。
【０００５】米国特許第４，８０３，５４６号は、フリ
ップ・チップ集積回路（ＩＣｓ）用のヒートシンク・パ
ッケージを開示する。そこで、半導体素子（ダイ）１１
は、基層１２の上に面（回路面）を下方に向けてマウン
トされる。よって、ダイ上の回路素子は基層に面してお
り、その基層は、ダイに向いている面に結合部が設けら
れている。大略平坦なヒートシンク部材１４が、該ダイ
の裏面（回路がない方）にハンダづけされている。
【０００６】米国特許第４，８９０，１９４号は、チッ
プ・キャリアとマウント構造を開示する。チップ・キャ
リア１０は、接続片２０を介してプリンティド・ワイヤ
リング・ボード（ＰＷＢ）またはセラミック基層１６に
マウントされる。
【０００７】米国特許第４，３４０，９０２号は、プレ
ート１１０の上にマウントされたチップ１０２を開示す
る。該プレート１１０は別のプレート１００にマウント
されており、それは更に樹脂やハンダ１１４で冷却手段
１０７，１０８にマウントされる。
【０００８】日本特開昭５９−１１７２４４号は、ヒー
トシンク２７の露出面にボンドされたペレット（ダイ）
３０を開示する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】これらの公報群は半導
体ダイのマウントの種々の技術を開示するが、かかるボ
ードをマウントした装置に関しては、効果的なヒートシ
ンク構造体を設ける技術が要求される。
【００１０】従って、この発明の目的は、放熱効果を高
めた半導体装置アセンブリを提供することである。
【００１１】この発明の別の目的は、種々の異なるアセ
ンブリにも応用可能なヒートシンク構造体を備えた半導
体装置アセンブリを提供することである。
【００１２】この発明の更に別の目的は、ボードがマウ
ントされた半導体装置アセンブリでヒートシンク構造体
を備えた半導体装置アセンブリを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、半導
体装置（ダイ）が、プリンティド・ワイヤリング・ボー
ドなどからなる基層の一面上にマウントされる。ヒート
シンクが該ボードの前記ダイとは反対側の面にマウント
される。そのヒートシンクは、ダイの領域で該ボードに
穿設された複数個の貫通孔と同様に複数個設けられた突
起（少なくとも４個）を備える。それにより、該突起が
ダイからボードを介してヒートシンクに熱を伝える。
【００１４】この発明の１つの特徴において、該突起
は、該貫通孔に圧力バメされる。
【００１５】ヒートシンクは望ましくは、アルミニム、
銅、および銅／タングステン合金の物質のグループから
選択された粉末金属により作られている。
【００１６】基層は、プリンティド・ワイヤリング・ボ
ード（ＰＷＢ）かセラミック基層からなる。
【００１７】ダイは、エポキシ樹脂とワイヤボンディン
グ（回路面をＰＷＢから離しての）か、テープ・オート
メーテッド・ボンディング（ＴＡＢ法）（回路面をＰＷ
Ｂに向けての）などの適宜な手段で、ボードに取り付け
られる。
【００１８】ヒートシンクがボード上にマウントされる
と、ダイは樹脂で封止される。
【００１９】
【作用】上記構成により、熱応力を最小にしつつ、プリ
ンティド・ワイヤリング・ボードを通ってダイからヒー
トシンク構造体に熱を良く伝達することができる。
【００２０】この発明のその他の目的、特徴および利点
は、実施例から明らかとなろう。
【００２１】
【実施例】図１は、従来技術にかかる半導体装置アセン
ブリ１００を示す。ダイ１０２は、伝熱自在な接着材１
０４を介してヒートシンク構造体１０６にマウントされ
る。ヒートシンク構造体１０６は階段状になっており、
比較的大きなプレート状の放熱部１０６ａとそれより小
さいこぶ状部１０６ｂとからなる。ダイ１０２は、プリ
ンティド・ワイヤリング・ボード（ＰＷＢ）１０８の一
面１０８ａ上に位置する如く、こぶ状部１０６ｂの上に
マウントされる。導電体１１０がＰＷＢの同じ側１０８
ａ（ダイが設けられている側）に位置させられており、
ダイはボンドワイヤ１１２により導電体１１０に接続さ
れている。ダイとボンドワイヤはエポキシ樹脂１１４で
封止されており、その樹脂封止はＰＷＢの前記一面１０
８ａのみに設けられている。
【００２２】ヒートシンク構造体のこぶ状部１０６ｂは
ＰＷＢの切り欠きを延び、放熱部１０６ａはＰＷＢのダ
イ１０２と反対側の面１０８ｂ側に位置する。
【００２３】かかる構造体の１つの問題は、ヒートシン
ク構造体の熱膨張率が通常、ボードかダイ、特にダイの
それと良く整合しないことである。その結果、使用時、
ダイが発熱して割れることがあり、アセンブリの全体
（一般に高価である）を駄目にする。
【００２４】図２は、従来技術の別の半導体装置アセン
ブリ２００を示す。ダイ２０２は、適宜な接着材２０４
を介してプリンティド・ワイヤリング・ボード（ＰＷ
Ｂ）２０６の一面２０６ａにマウントされ、図１の場合
と同様に、ダイはボンドワイヤ２１０を介してＰＷＢ上
の導電体２０８に接続され、エポシキ樹脂で封止される
（簡略化のため図２で図示省略）。図１の１０６ｂで示
したＰＷＢの１個の大きな切り欠きを延びる１個のこぶ
状部に代え、この例では複数個（２個を図示）の銅メッ
キされた通路２１２が、ＰＷＢのダイと反対側の面２０
６ｂからダイ２０２に向けて延びる。プレート状のヒー
トシンク構造体２１４がＰＷＢにダイと反対側で（図示
しないエポキシ樹脂などにより）マウントされ、通路の
メッキ部が、ダイからヒートシンク構造体へと熱を伝導
する。
【００２５】この例の場合、ダイからＰＷＢを通って放
熱部に熱を伝えるのに、こぶ状部１０６ｂではなく、複
数個の通路２１２を使用しているので、１個のこぶ状部
を使用するのに比して熱応力は通路群の間に配分され
る。しかし、メッキされたその通路群２１２は大きな空
洞部であるので、こぶ状部１０６ｂほどは良く熱を伝導
しない。
【００２６】この発明の１つの目的は、ダイからＰＷＢ
の反対側にマウントされるヒートシンク構造体への効果
的な熱伝達を達成することである。
【００２７】図３と図４は、この発明にかかる半導体装
置アセンブリ３００を示す。図４は図３の要部拡大図で
あると共に、図３の構成を若干変形した例を示す。図５
はヒートシンク構造体それ自体を示す。
【００２８】ダイ３０２は、適宜な接着材３０４を介し
てプリンティド・ワイヤリング・ボード（ＰＷＢ）３０
６の一面３０６ａにマウントされる。図１と図２の場合
と同様に、ダイはボンドワイヤ３１０によりＰＷＢの該
一面３０６ａ上の導電体３０８に接続される。図１の場
合と同様に、ダイとボンドワイヤを適宜なエポキシ樹脂
で封止する（簡略化のため、図３で図示省略）。
【００２９】ＰＷＢ３０６には複数個の貫通孔３１２が
穿設され、貫通孔はＰＷＢの面３０６ａのダイ側領域か
ら対向面３０６ｂへと延びる。これは、図３に示す様に
貫通孔が必ずしもメッキされないことを除いて、図２の
構成と類似する。
【００３０】ヒートシンク構造体３１４がダイの反対側
に設けられ、それは２つの部分からなる。ヒートシンク
構造体の比較的大きなプレート状の放熱部３１４ａはダ
イと反対側（ＰＷＢの対向面３０６ｂ側）に配置され、
ダイより大きな領域に広がる。放熱部は大略、大きな平
坦なプレートからなる。複数個の突起３１４ｂがプレー
ト状部３１４ａのボードに面する側から突出しており、
ＰＷＢの一面３０６ｂから他面３０６ａに向けて貫通孔
３１２内を延びる。
【００３１】ＰＷＢの貫通孔３１２の個数と、ヒートシ
ンク構造体の突起３１４ｂの個数は、同一にするのが望
ましい。
【００３２】突起の形状や寸法は、この発明の重要な特
徴である。
【００３３】図４は、ＰＷＢ３０６の１個の貫通孔３１
２を延びる１個の突起３１４ｂのみを示す。この図にお
いて、貫通孔３１２は、銅メッキ３２０でメッキされ
る。
【００３４】貫通孔３１２は円柱状であり、メッキ部３
２０も同様に円柱状である。貫通孔は径ｄと深さｔ（Ｐ
ＷＢを貫通する）を有する。突起３１４ｂも断面円形で
あり、円錐台の如くテーパ状とされる。突起の径は、ヒ
ートシンク構造体の放熱部３１４ａから一体的に形成さ
れる辺りで最大とされ、ダイ（図４に図示せず）に接近
する辺りで最小とされる。
【００３５】より具体的には、突起のプレート状部と一
体化する辺りの基部の径ａは、わずかに（０．００１イ
ンチ程度）メッキされた貫通孔３１２の径ｄより大きく
形成され、頂部の径ｂに向けて徐々に減少すると共に、
その頂部の径は貫通孔の径ｄより小さく形成される。こ
れにより、突起の基部はメッキされた貫通孔３１２に領
域３２２において圧力バメされて熱伝導路を確保すると
共に、プレート状部３１４ａの支持手段としても機能す
る。望ましくは、突起はＰＷＢの対向面３０６ｂ側で挿
入時にメッキ３２０を摩損するほどの寸法、形状に構成
され、ヒートシンク構造体３１４全体をＰＷＢのダイ３
０２と対向する側の面３０６ｂで所定位置に支持する。
【００３６】ヒートシンク構造体を更に支持するためと
半導体装置を封止するために、プレート状部３１４ａと
ＰＷＢの下面３０６ｂの間にエポキシ樹脂３２４などの
接着材層を設けると良い。図４にそれを示す。
【００３７】突起３１４ｂの頂部の径は貫通孔３１２の
径よりも小さくされると共に、角部が丸められて貫通孔
への挿入が容易とされる。
【００３８】望ましくは、ヒートシンク構造体は、アル
ミニウム、銅、銅／タングステン合金などの物質から、
粉末冶金法により製造される。
【００３９】図４に戻ると、突起３１４ｂがＰＷＢの対
向面（裏面）から貫通孔３１２に挿入され、ＰＷＢの表
面側のダイがマウントされた領域に向けて延びているの
が、見てとれよう。ＰＷＢはメッキ部も含めて厚さｔを
有する。突起３１４ｂは、ｔ未満かそれと等しい高さｈ
を有する。望ましくは、突起の高さは少し（１０から１
５ミル程度）ＰＷＢの厚さより小さくし、突起がダイを
押し上げることがなく、かつ接着材３０４の余りが貫通
孔３１２に進入できる間隙を確保する。
【００４０】図５はヒートシンク構造体５００（図３と
図４の３１４に相当）自体を示す。この図において、１
６個の突起３１４ｂが、ＰＷＢに面するプレート状部３
１４ａの領域５０２（破線で示す）から形成される。突
起の数と形状は応用例によって異なり、それに応じて選
択されるが、領域５０２はダイの寸法と完全にまたは大
略均等に形成される。例えば、ダイが矩形状であるとき
は、突起の群れも矩形状とする。この発明によれば、少
なくとも４個（２個×２個）の突起群の配列が提供され
る。図５には：１６個（４個×４個の矩形状配列）の突
起群が示される。
【００４１】図１に１０６ｂで示した１個のこぶ状部や
図２に２１２で示した複数個のメッキ通路を使用する代
わりに、複数個の突起を使用することにより、この発明
によるヒートシンク構造体は、ボードの一面上のダイか
らボードの他面側の放熱部へ効果的に熱を伝達すると共
に、ヒートシンク構造体とダイやＰＷＢの熱膨張率が本
質的に異なることによって生ずる熱応力を最小化する。
【００４２】この発明の特徴は、ＰＷＢを通ってダイの
下まで延びる突起を複数個備えたヒートシンク構造体を
使用することにある。貫通孔をメッキすることは任意で
あるが、そうする方が望ましい。ヒートシンク構造体の
プレート状部をＰＷＢの下面に樹脂接着することも任意
ではあるが、そうする方が望ましい。
【００４３】図６は、この発明による多重ヒートシンク
構造体５００（３１４）を備えたマルチ・チップ・モジ
ュール６００を示す。モジュールはＰＷＢ６０２で、そ
の表面６０２ａに導電体６０４（簡略化のため、僅かの
個数のみ示す）を有するものを含む。複数個のダイ６０
６がＰＷＢの表面にマウントされ、導電体と接続される
（接続は図示省略）。最後にダイ全体はエポキシ樹脂で
封止されることになる（図１と比較せよ）。
【００４４】ダイの個数（図示の場合３個）に対応する
個数のヒートシンク構造体５００が、図３と図４に示し
た態様で、ＰＷＢの裏面６０２ｂ側に配置される。
【００４５】
【発明の効果】請求項１項にあっては、熱応力を最小に
しつつ、突起を介してダイからヒートシンク構造体へ熱
を良く伝達することができる。また、突起がダイを押し
上げることがなく、かつ接着材の余りを貫通孔に収容す
ることもできる。
【００４６】請求項２項ないし４項にあっても同様の効
果を奏する。
【００４７】請求項５項にあっては、前記した効果に加
えて、貫通孔のメッキ部と突起を介して熱を一層良く伝
達することができる。
【００４８】請求項６項にあっては、前記した効果に加
えて、ヒートシンク構造体を良く所定位置に支持するこ
とができる。
【００４９】請求項７項にあっては、前記した効果に加
えて、ヒートシンク構造体を一層良く所定位置に支持す
ることができる。
【００５０】請求項８項にあっては、前記した効果に加
えて、貫通孔への突起の挿入を容易にする。
【００５１】請求項９項にあっては、マルチ・チップ・
モジュールにあっても、請求項１項と同様の効果を奏す
る。
【００５２】請求項１０項にあっては、前記した効果に
加えて、ヒートシンク構造体を一層良く所定位置に支持
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ヒートシンクを備えた半導体装置アセンブリの
従来技術例を示す説明断面図である。
【図２】ヒートシンクを備えた半導体装置アセンブリの
別の従来技術例を示す説明断面図である。
【図３】この発明に係るヒートシンクを備えた半導体装
置アセンブリの説明断面図である。
【図４】図３の半導体装置アセンブリの拡大断面図であ
る。
【図５】図３などの半導体装置アセンブリで用いたヒー
トシンク構造体の説明斜視図である。
【図６】図３などに示したヒートシンクを備えた半導体
装置アセンブリを連結したマルチ・チップ・モジュール
の説明斜視図である。
【符号の説明】
１００，２００，３００ 半導体装置アセンブ
リ １０２，２０２，３０２，６０６ ダイ １０４，２０４，３０４ 接着材 １０６，２１４，３１４，５００ ヒートシンク構造体 １０６ａ，３１４ａ プレート状放熱部 １０６ｂ こぶ状部 ２１２ 通路 ３１４ｂ 突起 １０８，２０６，３０６ プリンティド・ワイ
ヤリング・ボード １１０，２０８，３０８，６０４ 導電体 ３１２ 貫通孔 ３２０ メッキ部 ６００ マルチ・チップ・モ
ジュール

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 接着材を介してその下面をプリンティド
    ・ワイヤリング・ボードの基層の一面上にマウントさせ
    てなる半導体ダイと、該基層の該一面からその他面に該
    ダイの占める領域において該基層を貫通するｎ個の貫通
    孔と、および該基層の他面側に配されてなり、比較的大
    きなプレート状の熱放散部と、該プレート状部から前記
    貫通孔を通って前記ダイの下面に向けて延びるｎ個の突
    起とを有したヒートシンク構造体と、を備えてなる半導
    体装置アセンブリであって、前記基層が厚さｔを有し、
    前記突起が高さｈを有し、およびそれぞれの突起の高さ
    ｈを前記基層の厚さｔ未満とし、前記突起が前記貫通孔
    に挿入されたとき、前記突起が前記ダイを押し上げるこ
    とがなく、かつ前記突起とダイの間に接着材の余り用の
    間隙を形成できる様に構成したことを特徴とする半導体
    装置アセンブリ。
  2. 【請求項２】 前記基層が１個のプリンティド・ワイヤ
    リング・ボードであることを特徴とする請求項１項記載
    の半導体装置アセンブリ。
  3. 【請求項３】 ヒートシンク構造体が粉末金属で作られ
    ていることを特徴とする請求項１項記載の半導体装置ア
    センブリ。
  4. 【請求項４】 前記粉末金属が、アルミニウム、銅、お
    よび銅／タングステン合金を含む物質のグループから選
    択されることを特徴とする請求項３項記載の半導体装置
    アセンブリ。
  5. 【請求項５】 前記貫通孔がメッキ材でメッキされてい
    ることを特徴とする請求項１項記載の半導体装置アセン
    ブリ。
  6. 【請求項６】 前記突起が前記メッキ貫通孔に圧力バメ
    される如き寸法と形状であることを特徴とする請求項５
    項記載の半導体装置アセンブリ。
  7. 【請求項７】 前記ヒートシンク構造体のプレート状部
    と前記基層の前記他面との間に接着材が配されたことを
    特徴とする請求項１項記載の半導体装置アセンブリ。
  8. 【請求項８】 前記突起がテーパ状であり、その基部の
    径が前記貫通孔の径より大きいことを特徴とする請求項
    １項記載の半導体装置アセンブリ。
  9. 【請求項９】 接着材を介してそれらの下面を１個のプ
    リンティド・ワイヤリング・ボード（ＰＷＢ）の一面上
    にマウントしてなる複数個の半導体ダイと、該ダイのそ
    れぞれにおいて、前記プリンティド・ワイヤリング・ボ
    ードの前記一面から前記プリンティド・ワイヤリング・
    ボードの他面へと延びるｎ個の貫通孔と、および該ダイ
    のそれぞれにおいて、前記プリンティド・ワイヤリング
    ・ボードの前記他面側に配され、比較的大きなプレート
    状の放熱部と、該プレート状部から前記貫通孔を通って
    前記ダイの下面へと延びるｎ個の突起とからなるヒート
    シンク構造体と、を備えてなるマルチ・チップ・モジュ
    ールであって、前記プリンティド・ワイヤリング・ボー
    ドが厚さｔを有し、前記突起が高さｈを有し、および、
    各突起の高さｈが前記プリンティド・ワイヤリング・ボ
    ードの厚さｔ未満とし、前記突起が前記貫通孔に挿入さ
    れたとき、前記突起が前記ダイを押し上げることがな
    く、かつ前記突起とダイとの間に接着材の余りのための
    間隙を形成できる様にしたことを特徴とするマルチ・チ
    ップ・モジュール。
  10. 【請求項１０】 前記突起のそれぞれが、前記プレート
    状部の付近で第１の径を有する下部と、前記プレート状
    部の上で第２の径を有する上部とを有し、前記貫通孔が
    円柱状であって第３の径ｄを有し、前記突起の下部の第
    １の径ａは前記貫通孔の第３の径ｄより大きく、前記突
    起の第２の径ｂは前記貫通孔の第３の径ｄ未満であり、
    かつ前記突起の下部が前記貫通孔に圧力バメされること
    を特徴とする請求項５項記載の半導体装置アセンブリ。
JP4296400A 1991-10-08 1992-10-08 ヒートシンクを備えた半導体装置アセンブリ Withdrawn JPH05206338A (ja)

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008041910A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板および多数個取り配線基板
CN100376127C (zh) * 2004-05-14 2008-03-19 欧姆龙株式会社 发热部件的散热结构
JP2008517459A (ja) * 2004-10-14 2008-05-22 アギア システムズ インコーポレーテッド 熱エネルギー放散を改善したプリント回路板組立体
JP2008192655A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Kyocera Corp 複数個取り配線基台、配線基台および電子装置、ならびに複数個取り配線基台の分割方法
JP2010141279A (ja) * 2008-11-14 2010-06-24 Calsonic Kansei Corp 素子の放熱構造及び方法
JP2016096329A (ja) * 2014-11-14 2016-05-26 インテル・コーポレーション 複数の光素子からの熱除去
JPWO2014020783A1 (ja) * 2012-07-30 2016-07-21 パナソニック株式会社 放熱構造を備えた半導体装置
JP2018037677A (ja) * 2014-11-20 2018-03-08 日本精工株式会社 放熱基板

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5252850A (en) * 1992-01-27 1993-10-12 Photometrics Ltd. Apparatus for contouring a semiconductor, light responsive array with a prescribed physical profile
DE4232575A1 (de) * 1992-09-29 1994-03-31 Bosch Gmbh Robert Anordnung mit einer Leiterplatte, mindestens einem Leistungsbauelement und einem Kühlkörper
JPH06223623A (ja) * 1992-12-28 1994-08-12 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 銅を素材とするペーストおよびセラミックパッケージ
DE4302917C1 (de) * 1993-02-03 1994-07-07 Bosch Gmbh Robert Anordnung zur Wärmeableitung von auf Leiterplatten montierten Leistungsbauelementen
US5773886A (en) * 1993-07-15 1998-06-30 Lsi Logic Corporation System having stackable heat sink structures
US5654587A (en) * 1993-07-15 1997-08-05 Lsi Logic Corporation Stackable heatsink structure for semiconductor devices
US5457605A (en) * 1993-11-23 1995-10-10 Motorola, Inc. Electronic device having coplanar heatsink and electrical contacts
US5552634A (en) * 1993-12-14 1996-09-03 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for dissipating heat in an electronic device
US5693981A (en) * 1993-12-14 1997-12-02 Lsi Logic Corporation Electronic system with heat dissipating apparatus and method of dissipating heat in an electronic system
US5514327A (en) * 1993-12-14 1996-05-07 Lsi Logic Corporation Powder metal heat sink for integrated circuit devices
US5991156A (en) * 1993-12-20 1999-11-23 Stmicroelectronics, Inc. Ball grid array integrated circuit package with high thermal conductivity
US5642261A (en) * 1993-12-20 1997-06-24 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Ball-grid-array integrated circuit package with solder-connected thermal conductor
JP3094780B2 (ja) * 1994-04-05 2000-10-03 株式会社日立製作所 電子装置
US5581443A (en) * 1994-09-14 1996-12-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Structure for cooling a circuit module having a circuit board and a heat-generating IC chip mounted on the board, and portable electronic apparatus incorporating the structure
US5784256A (en) * 1994-09-14 1998-07-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Portable computer having a circuit board including a heat-generating IC chip and a metal frame supporting the circuit board
FR2730894B3 (fr) * 1995-02-21 1997-03-14 Thomson Csf Procede de fabrication d'une carte electronique a refroidissement par conduction thermique
US5614763A (en) * 1995-03-13 1997-03-25 Zetetic Institute Methods for improving performance and temperature robustness of optical coupling between solid state light sensors and optical systems
SG59997A1 (en) * 1995-06-07 1999-02-22 Ibm Apparatus and process for improved die adhesion to organic chip carries
US5607538A (en) * 1995-09-07 1997-03-04 Ford Motor Company Method of manufacturing a circuit assembly
US5617294A (en) * 1995-09-29 1997-04-01 Intel Corporation Apparatus for removing heat from an integrated circuit package that is attached to a printed circuit board
US5814536A (en) * 1995-12-27 1998-09-29 Lsi Logic Corporation Method of manufacturing powdered metal heat sinks having increased surface area
SE506348C2 (sv) * 1996-04-01 1997-12-08 Tetra Laval Holdings & Finance Förpackningsmaterialbana för en självbärande förpackningsbehållarvägg jämte av banan tillverkad förpackningsbehållare
US5930117A (en) * 1996-05-07 1999-07-27 Sheldahl, Inc. Heat sink structure comprising a microarray of thermal metal heat channels or vias in a polymeric or film layer
SE509570C2 (sv) * 1996-10-21 1999-02-08 Ericsson Telefon Ab L M Temperaturkompenserande organ och förfarande vid montering av elektronik på ett mönsterkort
US5977622A (en) * 1997-04-25 1999-11-02 Lsi Logic Corporation Stiffener with slots for clip-on heat sink attachment
US5898571A (en) * 1997-04-28 1999-04-27 Lsi Logic Corporation Apparatus and method for clip-on attachment of heat sinks to encapsulated semiconductor packages
US6613184B1 (en) 1997-05-12 2003-09-02 International Business Machines Corporation Stable interfaces between electrically conductive adhesives and metals
US5920037A (en) 1997-05-12 1999-07-06 International Business Machines Corporation Conductive bonding design for metal backed circuits
US5920458A (en) * 1997-05-28 1999-07-06 Lucent Technologies Inc. Enhanced cooling of a heat dissipating circuit element
US6534724B1 (en) * 1997-05-28 2003-03-18 International Business Machines Corporation Enhanced design and process for a conductive adhesive
US5870286A (en) * 1997-08-20 1999-02-09 International Business Machines Corporation Heat sink assembly for cooling electronic modules
US5960535A (en) * 1997-10-28 1999-10-05 Hewlett-Packard Company Heat conductive substrate press-mounted in PC board hole for transferring heat from IC to heat sink
US5829514A (en) * 1997-10-29 1998-11-03 Eastman Kodak Company Bonded cast, pin-finned heat sink and method of manufacture
US6201301B1 (en) 1998-01-21 2001-03-13 Lsi Logic Corporation Low cost thermally enhanced flip chip BGA
US5978223A (en) * 1998-02-09 1999-11-02 International Business Machines Corporation Dual heat sink assembly for cooling multiple electronic modules
US6060777A (en) 1998-07-21 2000-05-09 Intel Corporation Underside heat slug for ball grid array packages
DE19853777A1 (de) * 1998-11-21 2000-05-25 Wuerth Elektronik Gmbh & Co Kg Kühlelement für Leiterplatten
FR2796801B1 (fr) * 1999-07-23 2001-10-05 Valeo Electronique Assemblage du type comportant une carte a circuit imprime et une semelle formant drain thermique disposes sur une embase formant radiateur
EP1214741B1 (de) * 1999-09-22 2005-02-02 Siemens Aktiengesellschaft Steuergerät, insbesondere für die kraftfahrzeugtechnik
US6215663B1 (en) * 2000-03-16 2001-04-10 Philips Electronics North America Corporation Printed circuit board assembly with improved thermal performance
JP3634735B2 (ja) * 2000-10-05 2005-03-30 三洋電機株式会社 半導体装置および半導体モジュール
JP4626919B2 (ja) * 2001-03-27 2011-02-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US20020189853A1 (en) * 2001-06-15 2002-12-19 Phoenix Precision Technology Corp. BGA substrate with direct heat dissipating structure
DE10142975B4 (de) * 2001-09-01 2009-05-07 Conti Temic Microelectronic Gmbh Wärmeableitelement für elktronische Bauteile und Verfahren zum Anbringen desselben
US6861757B2 (en) * 2001-09-03 2005-03-01 Nec Corporation Interconnecting substrate for carrying semiconductor device, method of producing thereof and package of semiconductor device
US6988531B2 (en) * 2002-01-11 2006-01-24 Intel Corporation Micro-chimney and thermosiphon die-level cooling
DE10214311A1 (de) * 2002-03-28 2003-10-09 Marconi Comm Gmbh Kühlanordnung für ein elektronisches Bauelement
EP1480269A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-24 Agilent Technologies Inc Printed Circuit Board with improved cooling of electrical component
US7495322B2 (en) * 2003-05-26 2009-02-24 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light-emitting device
CN100391017C (zh) * 2003-05-26 2008-05-28 松下电工株式会社 发光器件
US20040264195A1 (en) * 2003-06-25 2004-12-30 Chia-Fu Chang Led light source having a heat sink
US7265983B2 (en) * 2003-10-13 2007-09-04 Tyco Electronics Raychem Gmbh Power unit comprising a heat sink, and assembly method
KR100585140B1 (ko) * 2004-04-26 2006-05-30 삼성전자주식회사 와이어 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 와이어본딩 방법
US7157791B1 (en) 2004-06-11 2007-01-02 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with press-fit ground plane
US7245023B1 (en) 2004-06-11 2007-07-17 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with solder-attached ground plane
GB0413420D0 (en) * 2004-06-15 2004-07-21 Radstone Technology Plc Heat management in printed wiring boards
TWI302038B (en) * 2004-07-07 2008-10-11 Epistar Corp Light emitting diode having an adhesive layer and heat paths
JP2006179606A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Nitto Denko Corp 配線回路基板
TWI352437B (en) 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
EP1897146A2 (en) * 2005-06-27 2008-03-12 Lamina Lighting, Inc. Light emitting diode package and method for making same
DE102006004322A1 (de) * 2006-01-31 2007-08-16 Häusermann GmbH Leiterplatte mit zusätzlichen funktionalen Elementen sowie Herstellverfahren und Anwendung
JP4778837B2 (ja) * 2006-05-30 2011-09-21 矢崎総業株式会社 電気接続箱
US20070289313A1 (en) * 2006-06-15 2007-12-20 Mohinder Singh Bhatti Thermosiphon with thermoelectrically enhanced spreader plate
EP2109138B1 (en) * 2006-12-26 2015-12-23 Kyocera Corporation Heat dissipating substrate and electronic device using the same
JP5155890B2 (ja) 2008-06-12 2013-03-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN102033390A (zh) * 2009-09-25 2011-04-27 天津天地伟业数码科技有限公司 红外高速球形摄像机的散热结构
FR2968126A1 (fr) * 2010-11-29 2012-06-01 St Microelectronics Grenoble 2 Boitier semi-conducteur a via thermique et procédé de fabrication
CN102403418A (zh) * 2011-11-09 2012-04-04 东莞勤上光电股份有限公司 一种大功率led的散热结构的制作方法
US20150136357A1 (en) * 2013-11-21 2015-05-21 Honeywell Federal Manufacturing & Technologies, Llc Heat dissipation assembly
US10504813B2 (en) * 2016-09-30 2019-12-10 Astec International Limited Heat sink assemblies for surface mounted devices
JP2019102485A (ja) * 2017-11-28 2019-06-24 株式会社村田製作所 電子装置
JP7405755B2 (ja) * 2018-02-12 2023-12-26 シグニファイ ホールディング ビー ヴィ 発光要素用の基板を備える照明構成
CN109616452B (zh) * 2018-10-26 2020-07-31 武汉光迅科技股份有限公司 一种散热组件、相应的散热装置以及相应的电路板
CN112738972A (zh) * 2019-10-28 2021-04-30 河北百纳信达科技有限公司 用于电路模块的热沉及电路模块
DE102019129586A1 (de) * 2019-11-04 2021-05-06 Hanon Systems Verbindungselement zum Verbinden einer Leiterplatte mit einem Kühlkörper und Verfahren zur Herstellung der Verbindung

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1217148A (en) * 1967-07-13 1970-12-31 Nat Res Dev Improvements in or relating to substrates for microelectronic components
DE2556749A1 (de) * 1975-12-17 1977-06-23 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleiterbauelement in scheibenzellenbauweise
JPS5471572A (en) * 1977-11-18 1979-06-08 Fujitsu Ltd Semiconductor device
US4396935A (en) * 1980-10-06 1983-08-02 Ncr Corporation VLSI Packaging system
JPS57100737A (en) * 1980-12-16 1982-06-23 Toshiba Corp Semiconductor device
US4471837A (en) * 1981-12-28 1984-09-18 Aavid Engineering, Inc. Graphite heat-sink mountings
JPS59117244A (ja) * 1982-12-24 1984-07-06 Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd 半導体装置
US4563725A (en) * 1983-01-06 1986-01-07 Welwyn Electronics Limited Electrical assembly
US4729061A (en) * 1985-04-29 1988-03-01 Advanced Micro Devices, Inc. Chip on board package for integrated circuit devices using printed circuit boards and means for conveying the heat to the opposite side of the package from the chip mounting side to permit the heat to dissipate therefrom
US4890194A (en) * 1985-11-22 1989-12-26 Texas Instruments Incorporated A chip carrier and mounting structure connected to the chip carrier
US4803546A (en) * 1986-09-17 1989-02-07 Fujitsu Limited Heatsink package for flip-chip IC
US4849857A (en) * 1987-10-05 1989-07-18 Olin Corporation Heat dissipating interconnect tape for use in tape automated bonding
US4996629A (en) * 1988-11-14 1991-02-26 International Business Machines Corporation Circuit board with self-supporting connection between sides
US4941067A (en) * 1989-04-07 1990-07-10 Motorola Inc. Thermal shunt for electronic circuits
US5012386A (en) * 1989-10-27 1991-04-30 Motorola, Inc. High performance overmolded electronic package

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100376127C (zh) * 2004-05-14 2008-03-19 欧姆龙株式会社 发热部件的散热结构
JP2008517459A (ja) * 2004-10-14 2008-05-22 アギア システムズ インコーポレーテッド 熱エネルギー放散を改善したプリント回路板組立体
JP2008041910A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板および多数個取り配線基板
JP2008192655A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Kyocera Corp 複数個取り配線基台、配線基台および電子装置、ならびに複数個取り配線基台の分割方法
JP2010141279A (ja) * 2008-11-14 2010-06-24 Calsonic Kansei Corp 素子の放熱構造及び方法
JPWO2014020783A1 (ja) * 2012-07-30 2016-07-21 パナソニック株式会社 放熱構造を備えた半導体装置
JP2016096329A (ja) * 2014-11-14 2016-05-26 インテル・コーポレーション 複数の光素子からの熱除去
JP2018037677A (ja) * 2014-11-20 2018-03-08 日本精工株式会社 放熱基板
JP2018037678A (ja) * 2014-11-20 2018-03-08 日本精工株式会社 放熱基板
JP2018037676A (ja) * 2014-11-20 2018-03-08 日本精工株式会社 放熱基板

Also Published As

Publication number Publication date
US5172301A (en) 1992-12-15

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