JPH06252299A - 半導体装置及びこの半導体装置を実装した基板 - Google Patents

半導体装置及びこの半導体装置を実装した基板

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JPH06252299A
JPH06252299A JP5062964A JP6296493A JPH06252299A JP H06252299 A JPH06252299 A JP H06252299A JP 5062964 A JP5062964 A JP 5062964A JP 6296493 A JP6296493 A JP 6296493A JP H06252299 A JPH06252299 A JP H06252299A
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JP
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heat dissipation
substrate
heat
semiconductor chip
semiconductor device
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JP5062964A
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Tadashi Kamiyama
正 神家満
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Nippon Steel Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体チップから発生した熱を効果的に放熱
することができるようにする。 【構成】 半導体チップ1の下面に放熱部材10がその
取付部11において接着剤15により密着固定される。
この放熱部材10の取付部11とは反対側の放熱部12
が基板20の嵌合部21に嵌合されて接着剤16により
密着固定される。放熱部12の放熱フィン13は嵌合部
21の凹凸部22に係合される。放熱部材10と基板2
0との接触面積が増大するので、半導体チップ1から発
生した熱が放熱部材10を介して基板20へ効率的に伝
導され、その熱が基板20から効果的に放散される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップと放熱部
材とからなる半導体装置及びこの半導体装置を実装した
基板に関する。
【0002】
【従来の技術】まず、半導体装置を基板に実装した構成
の一従来例を、図11に示すTAB(Tape Automated B
onding)方式によって説明する。
【0003】フィルムキャリヤ2は、ポリイミド樹脂等
からなる可撓性かつ絶縁性を有するフィルム基材3と、
このフィルム基材3上に銅箔等の導電性金属材料により
パターン形成された複数のリード4とによって構成され
ている。
【0004】上記フィルムキャリヤ2の各リード4の一
端であるインナーリード4aと、半導体チップ1の集積
回路素子面である上面(表面)に形成された複数の電極
パッドとが、それぞれバンプ5を介してボンディングさ
れている。なお、ボンディング後の半導体チップ1の上
面には、例えばポッティング法により樹脂コート6が施
されている。
【0005】そして、半導体チップ1がその下面(裏
面)において熱良導性の接着剤7により基板8上に密着
固定されると共に、各リード4の他端であるアウターリ
ード4bが基板8上に形成された回路パターン(図示せ
ず)にボンディングされている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の半
導体装置においては、半導体チップ1の高密度・高集積
化に伴って半導体チップ1の発熱量が増大しており、半
導体チップ1の熱的保護のために、発生した熱を効果的
に放熱する必要がある。
【0007】しかしながら、従来の半導体装置の実装構
造においては、上述したように半導体チップ1の下面を
接着剤7により基板8上に密着固定していた。このた
め、基板8に対する半導体チップ1の放熱面積は、その
半導体チップ1の下面に相当する極く小さな面積のみで
あった。また、半導体チップ1の下面と基板8の上面と
は共に平坦面であるから、それ以上に放熱面積を増やす
こともできなかった。従って、半導体チップ1から基板
8への熱伝導効率が低く、必ずしも充分な放熱効果を得
ることができないという問題があった。
【0008】そこで本発明は、半導体チップから発生し
た熱を効果的に放熱することができるようにした半導体
装置及びこの半導体装置を実装した基板を提供すること
を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体チップと放熱部材とによって構成
されて基板に実装される半導体装置であって、前記放熱
部材が、前記基板に対向する前記半導体チップの面に取
付けられる取付部と、前記基板に設けられた嵌合部に嵌
合されるべく前記取付部の反対側に設けられた放熱部と
を有するものである。
【0010】なお、前記放熱部材の放熱部が放熱フィン
を有するとよく、さらに、前記半導体チップの前記放熱
部材が取付けられた面とは反対側の面に別の放熱部材を
取付けてもよい。
【0011】また本発明は、半導体チップと放熱部材と
によって構成された半導体装置を実装した基板であっ
て、前記放熱部材は、前記半導体チップに対する取付部
と、前記基板に対する放熱部とを有し、前記基板は、前
記放熱部材の放熱部が嵌合される嵌合部を有し、前記放
熱部材をその取付部にて前記半導体チップに取付けると
共に、前記放熱部材の放熱部を前記基板の嵌合部に密着
固定したものである。
【0012】なお、前記放熱部材の放熱部が放熱フィン
を有し、前記基板の嵌合部が前記放熱フィンに対応する
凹凸部または貫通孔を有するとよく、さらに、前記放熱
フィンを前記貫通孔から突出させてもよい。
【0013】
【作用】上記のように構成された本発明によれば、基板
に対向する半導体チップの面に、放熱部材がその取付部
にて取付けられ、この放熱部材の取付部とは反対側の放
熱部が、基板の嵌合部に嵌合されて密着固定される。こ
れにより、基板に対する半導体チップの放熱面積が、実
質的に放熱部材と基板との接触面積に相当することにな
って大幅に増大される。従って、半導体チップから発生
した熱が放熱部材を介して基板へ効率的に伝導される。
【0014】なお、放熱部材の放熱部に設けた放熱フィ
ンを、基板の嵌合部に設けた凹凸部または貫通孔に嵌合
させると、放熱部材と基板との接触面積がさらに増大さ
れるので、より一層放熱性が高められる。この場合、放
熱フィンを貫通孔から突出させると、放熱フィンによる
直接放熱が可能となる。
【0015】さらに、半導体チップの反対側の面にも別
の放熱部材を取付けると、前記放熱部材による基板への
放熱に加えて、その反対側の放熱部材による直接放熱が
可能となる。
【0016】
【実施例】以下、本発明による半導体装置及びこの半導
体装置を実装した基板の実施例を図1〜図10を参照し
て説明する。なお、半導体装置において前記従来例と実
質的に同一の構成部分には同一の符号を付してその説明
を省略する。
【0017】まず、図2〜図6は本発明による半導体装
置の実施例を示すものである。
【0018】図2に示す例においては、半導体チップ1
の下面(裏面)に、放熱部材10が接着剤15によって
密着固定されている。
【0019】この放熱部材10は、半導体チップ1の下
面に取付けられる取付部11と、この取付部11の反対
側に一体に設けられた放熱部12とを有している。な
お、取付部11を平坦にして半導体チップ1の下面に固
定してもよいが、本実施例では取付部11が凹状に形成
され、この凹状の取付部11によって半導体チップ1と
放熱部材10とが確実に一体化するように密着固定され
ている。また、放熱部12の下部には複数の放熱フィン
13が一体に成形されている。
【0020】なお、放熱部材10としては、例えば銅や
アルミニウム等の熱伝導性の高い材料が使用される。ま
た、接着剤15としては、熱伝導性が高くかつ絶縁性を
有するものが使用される。
【0021】図3に示す例においては、半導体チップ1
の上面(表面)に施された樹脂コート6の上にも、上記
とほぼ同様な放熱部材10′が接着剤15によって密着
固定されている。
【0022】図4に示す例においては、半導体チップ1
の下面にも樹脂コート6′が施され、この樹脂コート
6′を囲むように、放熱部材10が接着剤15によって
密着固定されている。
【0023】図5に示す例においては、半導体チップ1
及びフィルムキャリヤ2がトランスファモールド法を用
いた樹脂モールド17によって樹脂封止され、この樹脂
モールド17の下面に、放熱部材10が接着剤15によ
って密着固定されている。
【0024】図6に示す例においては、上記樹脂モール
ド17の上面にも、上記とほぼ同様な放熱部材10′が
接着剤15によって密着固定されている。
【0025】次に、図7は上述した半導体装置例えば図
3の半導体装置を実装するための基板を示すものであ
る。
【0026】この基板20には、半導体チップ1に取付
けられた放熱部材10の放熱部12が嵌合されるよう
に、嵌合部21が設けられている。なお、基板20とし
ては例えばセラミック系等の熱伝導性に優れた材料が用
いられ、また、基板20の嵌合部21の周辺を特に熱伝
導性が高い材料によって形成してもよい。
【0027】そして、図7(a)においては、嵌合部2
1が、放熱部12の複数の放熱フィン13に対応する複
数の凹凸部22を有している。図7(b)においては、
嵌合部21が、放熱部12の複数の放熱フィン13に対
応する複数の貫通孔23を有している。図7(c)にお
いては、嵌合部21が、放熱部12の複数の放熱フィン
13の外形全体に対応する大きな貫通孔24を有してい
る。
【0028】次に、図1は図3の半導体装置を図7の基
板に実装した状態を示すものである。
【0029】半導体チップ1に取付けられた放熱部材1
0の放熱部12が、基板20の嵌合部21に嵌合され
て、前述と同様な熱伝導性が高くかつ絶縁性を有する接
着剤16によって密着固定されている。
【0030】そして、図1(a)においては、放熱部1
2の放熱フィン13がそれぞれ嵌合部21の凹凸部22
に係合されている。図1(b)においては、放熱部12
の放熱フィン13がそれぞれ嵌合部21の貫通孔23に
挿入されている。図1(c)においては、放熱部12の
放熱フィン13の全体が嵌合部21の貫通孔24に挿入
されている。なお、図1(b)及び(c)のように貫通
孔23及び24を設けた場合には、放熱フィン13を長
く形成して、貫通孔23及び24から基板20の裏側へ
突出させるのが好ましい。
【0031】上記のように構成された半導体装置及び基
板によれば、基板20に対する半導体チップ1の放熱面
積は、実質的に放熱部材10の放熱部12と基板20の
嵌合部21との接触面積に相当することになり大幅に増
大される。これにより、半導体チップ1から発生した熱
が放熱部材10を介して基板20へ効率的に伝導され、
その熱が基板20から効果的に放散される。
【0032】特に、本実施例のように、放熱フィン13
を凹凸部22または貫通孔23に嵌合させると、両者の
間の接触面積がさらに増大されるので、より一層放熱性
が高められる。また、放熱フィン13を貫通孔23また
は24から突出させると、放熱フィン13による直接放
熱が可能となる。
【0033】また、本実施例では、半導体チップ1の上
面にも別の放熱部材10′が取付けられているので、放
熱部材10による基板20への放熱に加えて、その上面
の放熱部材10′による直接放熱も可能となる。
【0034】次に、図8は上述した基板の使用状態を示
すものであり、複数の基板20が電子機器の筐体30内
に平行状に収納され、その筐体30の上部にファン31
が設けられている。このようにすると、放熱部材10に
より基板20へ伝導された熱及び放熱部材10′に伝導
された熱を、ファン31による空気流の強制空冷を利用
して、基板20の表裏両側でさらに効果的に放散させる
ことができる。なお、この図では放熱フィン13を空気
流に対して直交するように描いてあるが、通常、放熱フ
ィン13は空気流と平行となるように配置される。
【0035】なお、上述した実施例では、放熱フィン1
3を有する放熱部材10について説明したが、図9に示
すように、ブロック状の放熱部材10″を用いることも
できる。この場合、基板20に設けられた凹状の嵌合部
21′に放熱部材10″が接着剤16によって密着固定
される。
【0036】さらに、図10は図3の半導体装置を他の
実施例の基板に実装した状態を示すものである。
【0037】この基板20には、前述と同様に凹凸部2
2や貫通孔23及び24を有する嵌合部21が設けられ
ているが、この嵌合部21の周辺にはアルミニウム等の
熱伝導性の高い金属層21aが形成されている。そし
て、半導体チップ1に取付けられた放熱部材10の放熱
フィン13を有する放熱部12が、基板20の凹凸部2
2や貫通孔23及び24を有する嵌合部21に嵌合され
て、その金属層21a上に、熱伝導性が高くかつ絶縁性
を有する接着剤16によって密着固定されている。
【0038】この例によれば、前述と同様に、基板20
に対する半導体チップ1の放熱面積は、実質的に放熱部
材10の放熱部12と基板20の嵌合部21との接触面
積に相当することになり大幅に増大されるが、さらに、
この嵌合部21の周辺に形成された熱伝導性の高い金属
層21aを介して放熱部材10と基板20とが接触する
ので、放熱性は一層向上することになる。これにより、
半導体チップ1から発生した熱が放熱部材10を介して
基板20へ効率的に伝導され、その熱が基板20から効
果的に放散される。
【0039】以上、本発明の実施例に付き説明したが、
本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明の技
術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が可能
である。例えば、放熱部材の形状等は実施例以外にも様
々に変形することができる。なお、実施例では半導体チ
ップをTAB方式のフィルムキャリヤに搭載したが、半
導体チップと基板との間のリードの接続方式は各種の構
成を採用することができる。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体チップに取付けた放熱部材の放熱部を基板の嵌合
部に嵌合させて密着固定することによって、基板に対す
る半導体チップの放熱面積が実質的に放熱部材と基板と
の接触面積になって大幅に増大する。従って、半導体チ
ップの下面だけを基板に接触させていた従来に比較し
て、半導体チップから基板への熱伝導効率を著しく高め
ることができ、極めて高い放熱効果を得ることができ
る。
【0041】また、本発明によれば、放熱部材の放熱部
を基板の嵌合部に密着固定することによって、半導体チ
ップと放熱部材と基板とが一体化されることになるの
で、基板に加わる振動や衝撃等に対して強い半導体装置
となり、耐久性並びに信頼性を大幅に高めることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体装置及びこれを実装した基
板の実施例における断面図である。
【図2】本発明による半導体装置の実施例における断面
図である。
【図3】本発明による半導体装置の別の実施例における
断面図である。
【図4】本発明による半導体装置の別の実施例における
断面図である。
【図5】本発明による半導体装置の別の実施例における
断面図である。
【図6】本発明による半導体装置の別の実施例における
断面図である。
【図7】本発明による半導体装置を実装するための基板
の実施例における断面図である。
【図8】本発明による基板の使用状態を示す実施例にお
ける断面図である。
【図9】本発明による半導体装置及びこれを実装した基
板の別の実施例における断面図である。
【図10】本発明による半導体装置及びこれを実装した
基板のさらに他の実施例における断面図である。
【図11】半導体装置を基板に実装した構成の一従来例
における断面図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 フィルムキャリヤ 3 フィルム基材 4 リード 10、10′、10″放熱部材 11 取付部 12 放熱部 13 放熱フィン 15、16 接着剤 20 基板 21、21′嵌合部 22 凹凸部 23、24 貫通孔

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップと放熱部材とによって構成
    されて基板に実装される半導体装置であって、 前記放熱部材が、前記基板に対向する前記半導体チップ
    の面に取付けられる取付部と、前記基板に設けられた嵌
    合部に嵌合されるべく前記取付部の反対側に設けられた
    放熱部とを有することを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記放熱部材の放熱部が放熱フィンを有
    することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記半導体チップの前記放熱部材が取付
    けられた面とは反対側の面に、さらに別の放熱部材を取
    付けたことを特徴とする請求項1または2記載の半導体
    装置。
  4. 【請求項4】 半導体チップと放熱部材とによって構成
    された半導体装置を実装した基板であって、 前記放熱部材は、前記半導体チップに対する取付部と、
    前記基板に対する放熱部とを有し、 前記基板は、前記放熱部材の放熱部が嵌合される嵌合部
    を有し、 前記放熱部材をその取付部にて前記半導体チップに取付
    けると共に、前記放熱部材の放熱部を前記基板の嵌合部
    に密着固定したことを特徴とする基板。
  5. 【請求項5】 前記放熱部材の放熱部が放熱フィンを有
    し、前記基板の嵌合部が前記放熱フィンに対応する凹凸
    部を有することを特徴とする請求項4記載の基板。
  6. 【請求項6】 前記放熱部材の放熱部が放熱フィンを有
    し、前記基板の嵌合部が前記放熱フィンに対応する貫通
    孔を有することを特徴とする請求項4記載の基板。
  7. 【請求項7】 前記放熱フィンを前記貫通孔から突出さ
    せたことを特徴とする請求項6記載の基板。
JP5062964A 1993-02-26 1993-02-26 半導体装置及びこの半導体装置を実装した基板 Withdrawn JPH06252299A (ja)

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