JPS61125055A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体装置、特にそのベレー／ ）および配
線等の保護に適用して有効な技術に関するものである。
線等の保護に適用して有効な技術に関するものである。
半導体装置の耐温性向上またはα綿対策等を目的にペレ
ット、該ペレットの電気的接続に使用される金ワイヤ等
の配線を、たとえばコーティング材として、いわゆるシ
リコーンゲルを用いて被覆することにより、ペレット等
を保ｔ５することが考えられる。
ット、該ペレットの電気的接続に使用される金ワイヤ等
の配線を、たとえばコーティング材として、いわゆるシ
リコーンゲルを用いて被覆することにより、ペレット等
を保ｔ５することが考えられる。
ところが、ｎｉｌ記ソリコーンゲルは、通常ゼリー状で
あるため、非常に大きな振動を伴う機械等に前記半導体
装置が使用される場合は、振動時にシリコーンゲルが揺
動変形を起こし、ひいては被着面から剥がれることにな
るため、該シリコーンゲル内に埋設されているワイヤの
切断が生じ易く、さらにはペレットの剥がれが生じる等
の問題がある。
あるため、非常に大きな振動を伴う機械等に前記半導体
装置が使用される場合は、振動時にシリコーンゲルが揺
動変形を起こし、ひいては被着面から剥がれることにな
るため、該シリコーンゲル内に埋設されているワイヤの
切断が生じ易く、さらにはペレットの剥がれが生じる等
の問題がある。
また、ペレットの高集積化、高速演算の要請等により、
演算時におけるペレットの発熱が大きくなるＩＩＪＩ向
にある。このペレットに発生する熱を速やかに外部へ逃
すための放熱媒体としても前記シリコーンゲルを利用す
ることができる。
演算時におけるペレットの発熱が大きくなるＩＩＪＩ向
にある。このペレットに発生する熱を速やかに外部へ逃
すための放熱媒体としても前記シリコーンゲルを利用す
ることができる。
たとえば、パンケージがキャビティ上方でアルミニウム
等のキャップで封止されてなる半導体装置においては、
熱を該キャップから外部へ放熱するために、前記シリコ
ーンゲルをキャップ裏面に接触させる必要がある。
等のキャップで封止されてなる半導体装置においては、
熱を該キャップから外部へ放熱するために、前記シリコ
ーンゲルをキャップ裏面に接触させる必要がある。
ところが、キャップの取付がキャビティ底部にペレット
を取り付け、電気的接続等を行い、次いでシリコーンゲ
ルをキャビティ内に充填する等の一連の工程が終了した
後に行われるため、該シリコーンゲルとキャップ裏面と
の十分な接触を図ることが技術的に難しいという問題も
あることが本発明者により見い出された。
を取り付け、電気的接続等を行い、次いでシリコーンゲ
ルをキャビティ内に充填する等の一連の工程が終了した
後に行われるため、該シリコーンゲルとキャップ裏面と
の十分な接触を図ることが技術的に難しいという問題も
あることが本発明者により見い出された。
なお、キャビティのペレット等を所定厚のシリコーンゲ
ル等で被覆して保護してなる半導体装置については、特
願昭５８−１６０５１５号に記載がある。
ル等で被覆して保護してなる半導体装置については、特
願昭５８−１６０５１５号に記載がある。
本発明の目的は、パフケージのキャビティ内にペレット
および配線等を覆う所定厚でコーティング材が装填され
てなる半導体装置について、該半導体装置の強振時にお
いてもワイヤの切断、ペレットの剥がれ等を防止する技
術を提供することにある。
および配線等を覆う所定厚でコーティング材が装填され
てなる半導体装置について、該半導体装置の強振時にお
いてもワイヤの切断、ペレットの剥がれ等を防止する技
術を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記半導体装置について、放熱性
向上に適用して有効な技術を提供することにある。
向上に適用して有効な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］
本ＩＩにおいて開示される発明のうち代表的なものの１
１！Ｉ要を節Ｃ１１，に説明すれば、次の通りである。
１！Ｉ要を節Ｃ１１，に説明すれば、次の通りである。
すなわら、１１；］記半導体装置において、所定形状の
保持部材をコーティング材に載設または埋設することに
より、また、必要に応じて該保持部材をパフケージの一
部で固定することにより、該コーティング材の揺動また
は剥がれを防止することができることより、３ｔＪｌ＋
ｉ！動または剥がれに起因するワイヤ等の配線の切断、
さらにはペレットの剥がれ等が防止されるものである。
保持部材をコーティング材に載設または埋設することに
より、また、必要に応じて該保持部材をパフケージの一
部で固定することにより、該コーティング材の揺動また
は剥がれを防止することができることより、３ｔＪｌ＋
ｉ！動または剥がれに起因するワイヤ等の配線の切断、
さらにはペレットの剥がれ等が防止されるものである。
また、前記保持部材を熱伝導性材料で形成し、その一部
をキャンプ等の放熱部に接触せしめることにより、コー
ティング材がキャップ裏面等に接触しない状部において
も、十分な放熱性を確保てきるものである。
をキャンプ等の放熱部に接触せしめることにより、コー
ティング材がキャップ裏面等に接触しない状部において
も、十分な放熱性を確保てきるものである。
〔実施例１〕
第１図は本発明による実施例１である半導体装置を、そ
のほぼ中心を切る面における断面図で示すものである。
のほぼ中心を切る面における断面図で示すものである。
本実施例１の半導体装置は、恭敬ｌがエボー１−ソ樹脂
等の樹脂で形成されてなる、いわゆるビングリッドアレ
イ型のパフケージからなるものであって、該基板１上面
周囲にはアルミニウム製の枠体であるダム２がシリコー
ン樹脂系接着剤３で接合されており、該ダム２の上面に
はアルミニウム製のキャップ４が熱伝導性を有する接着
ｆＰ＋５で取り付けられ、キャビティ６が封止されてな
るものである。
等の樹脂で形成されてなる、いわゆるビングリッドアレ
イ型のパフケージからなるものであって、該基板１上面
周囲にはアルミニウム製の枠体であるダム２がシリコー
ン樹脂系接着剤３で接合されており、該ダム２の上面に
はアルミニウム製のキャップ４が熱伝導性を有する接着
ｆＰ＋５で取り付けられ、キャビティ６が封止されてな
るものである。
また、キャビティ６内である前記基ｉｔ上面のほぼ中央
部にはシリコン単結晶からなるペレット７が、いわゆる
根ペースト８で取り付けられており、該ペレット７は基
板ｌ上面に形成されているメタライズ９と金等のワイヤ
ＩＯを介して電気的に接続されており、さらに該メタラ
イズ９は基板ｌに植設されているビン１１と電気的に接
続されてなるものであり、その上、前記ペレット７およ
びワイヤ１０等は、該ペレット等を腐食等より保護する
ために所定厚のコーティング材である、いわゆるノリコ
ーンゲル１２で被覆されてなるものである。
部にはシリコン単結晶からなるペレット７が、いわゆる
根ペースト８で取り付けられており、該ペレット７は基
板ｌ上面に形成されているメタライズ９と金等のワイヤ
ＩＯを介して電気的に接続されており、さらに該メタラ
イズ９は基板ｌに植設されているビン１１と電気的に接
続されてなるものであり、その上、前記ペレット７およ
びワイヤ１０等は、該ペレット等を腐食等より保護する
ために所定厚のコーティング材である、いわゆるノリコ
ーンゲル１２で被覆されてなるものである。
本実施例１の特徴は、前記シリコーンゲル■２に保持部
材である所定形状に折り曲げて成形した金属製、たとえ
ば４２７０イからなる網１３が埋設され、該に！４１３
はその周囲で前記接着剤５によりキャップ４を取り付け
ると同時に固定されてなるものである。
材である所定形状に折り曲げて成形した金属製、たとえ
ば４２７０イからなる網１３が埋設され、該に！４１３
はその周囲で前記接着剤５によりキャップ４を取り付け
ると同時に固定されてなるものである。
このように、保持部材であるｌＩ４１３をその周囲を固
定し、内側をシリコーンゲル１２に埋設することにより
、該シリコーンゲルを所定位置に保持できるので、本実
施例！の半導体装置が強い振動状態に置かれる場合であ
っても、該シリコーンゲルの唱動や剥がれに起因するワ
イヤｌＯの切断等の発生を防止できるものである。
定し、内側をシリコーンゲル１２に埋設することにより
、該シリコーンゲルを所定位置に保持できるので、本実
施例！の半導体装置が強い振動状態に置かれる場合であ
っても、該シリコーンゲルの唱動や剥がれに起因するワ
イヤｌＯの切断等の発生を防止できるものである。
また、熱伝導性を有する接着剤５に網１３の周囲が接触
しているため、動作時にペレットに発生する熱を該網１
３を通してキャップ４に伝えることができ、効率の良い
放熱が達成されるものである。もし、ｎ１記ｌＲ１３が
存在しない場合は、たとえばシリコーンゲルＩ２の一部
をキャップ裏面に接触させて該シリコーンゲル１２を通
して熱をキャップ４に伝えることにより放熱を行うこと
ができるが、シリコーンゲルは金属に比べ熱伝導性が低
いため必ずしも十分な借問性が得られない。
しているため、動作時にペレットに発生する熱を該網１
３を通してキャップ４に伝えることができ、効率の良い
放熱が達成されるものである。もし、ｎ１記ｌＲ１３が
存在しない場合は、たとえばシリコーンゲルＩ２の一部
をキャップ裏面に接触させて該シリコーンゲル１２を通
して熱をキャップ４に伝えることにより放熱を行うこと
ができるが、シリコーンゲルは金属に比べ熱伝導性が低
いため必ずしも十分な借問性が得られない。
ところが、本実施例１の如くシリコーンゲル１２に金属
性のＭ４＋３を埋設することにより、シリコーンゲル１
２にお製する放熱径路を短くして、熱伝導性の大きい金
属で熱伝導が可能となるため、放熱性向上をも達成でき
るものである。
性のＭ４＋３を埋設することにより、シリコーンゲル１
２にお製する放熱径路を短くして、熱伝導性の大きい金
属で熱伝導が可能となるため、放熱性向上をも達成でき
るものである。
〔実施例２〕
第２図は本発明による実施例２である半導体装置を、そ
のほぼ中心を切る面における断面図で示すものである。
のほぼ中心を切る面における断面図で示すものである。
本実施例２の半導体装置は、搭載されているペレットが
、連数ペレット７がフェースダウンボンディングされて
いる、いわゆるマザーチップ７ａである点で異なるのみ
でＪ他は概ね前記実施例１と同様のものである。
、連数ペレット７がフェースダウンボンディングされて
いる、いわゆるマザーチップ７ａである点で異なるのみ
でＪ他は概ね前記実施例１と同様のものである。
本実施例２においては、ペレット７がフェースダウンボ
ンディングされているため、第２図に示づ°如く図中ペ
レット上面に金属性の網１３を直に接触させることがで
きるため、シリコーンゲル１２を介することなく直接該
Ｗ４１３を通して放熱が可能となるので、＋ｉｉｌ記実
施例１の半導体装置に比べさらに放熱性の向上を達成で
きるものである。
ンディングされているため、第２図に示づ°如く図中ペ
レット上面に金属性の網１３を直に接触させることがで
きるため、シリコーンゲル１２を介することなく直接該
Ｗ４１３を通して放熱が可能となるので、＋ｉｉｌ記実
施例１の半導体装置に比べさらに放熱性の向上を達成で
きるものである。
〔実施例３〕
第３図は本発明による実施例３である半導体装置を、そ
のほぼ中心を切る面における断面図で示すものである。
のほぼ中心を切る面における断面図で示すものである。
本実施例３の半導体装置は、ｎ；１記実施例１とほぼ同
様であるが、保持部４４が所定形状に成形された金属板
１４で形成され、かつ該金属板１４がシリコーンゲルＩ
２上面に載設されていることに違いがあるものである。
様であるが、保持部４４が所定形状に成形された金属板
１４で形成され、かつ該金属板１４がシリコーンゲルＩ
２上面に載設されていることに違いがあるものである。
本実施ＩＭ３の如く保持部材を板状にすることにより、
網状に比ペンリコーンゲル１２を十分に保持することが
可能となる。
網状に比ペンリコーンゲル１２を十分に保持することが
可能となる。
〔実施例４〕
第４図は本発明による実施例４である半導体装置を、そ
のほぼ中心を切る面における断面図で示すものである。
のほぼ中心を切る面における断面図で示すものである。
本実施例４の特徴は、保持部材として断面コ字状のブラ
スチフク仮１５であって、その上面にスルー、に−ルｔ
Ｓａを有するものを用いたことにある。
スチフク仮１５であって、その上面にスルー、に−ルｔ
Ｓａを有するものを用いたことにある。
このような保持部材を用いることにより、単にキャビテ
ィ６内にセットするのみでシリコーンゲル１２を確実に
保持することができ、かつプラスチックで形成されてい
るため、図示するようなメタライズ９と接触する形４ｋ
にしても、さらには該プラスチック４１ｉ１５がワイヤ
ｉｏと接触する場合であっても、電気的トラブルの発生
を避けることができるものである。
ィ６内にセットするのみでシリコーンゲル１２を確実に
保持することができ、かつプラスチックで形成されてい
るため、図示するようなメタライズ９と接触する形４ｋ
にしても、さらには該プラスチック４１ｉ１５がワイヤ
ｉｏと接触する場合であっても、電気的トラブルの発生
を避けることができるものである。
以上、実施例で取り上げた半導体装置では、キャップ取
付前の工程において、キャビティ内に所定厚でゲル形成
前のシリコーンゲル原料を注入した後、所定温度で処理
してゲル化させることによりシリコーンゲル１２の装填
が達成されるものである。
付前の工程において、キャビティ内に所定厚でゲル形成
前のシリコーンゲル原料を注入した後、所定温度で処理
してゲル化させることによりシリコーンゲル１２の装填
が達成されるものである。
なかでも、前記実施例！および２の場合は、キャップ４
を取すイリけるための接着剤５で保持部材である網１３
の周囲を挟持する状態で該保持部材をセットした後、上
方より前記シリコーンゲル原料を注入し、次いでキャッ
プ４をｉ３ｉ置して熱処理を行うことによりパッケージ
の封止とシリコーンゲルＩ２の形成とを同時に達成でき
るものである。
を取すイリけるための接着剤５で保持部材である網１３
の周囲を挟持する状態で該保持部材をセットした後、上
方より前記シリコーンゲル原料を注入し、次いでキャッ
プ４をｉ３ｉ置して熱処理を行うことによりパッケージ
の封止とシリコーンゲルＩ２の形成とを同時に達成でき
るものである。
そして、ｎｉｉ記実施例３の場合は、初めにシリコーン
ゲル原料を注入し、その後咳原料上面に接触するように
保持部材をセットして同様に行うことができる。
ゲル原料を注入し、その後咳原料上面に接触するように
保持部材をセットして同様に行うことができる。
また、前記実施例４の場合は、保持部材をキャビティ内
にセットした後シリコーンゲル原料を上方より該部材の
スルーホール１５ａを通して注入し、その後同様にキャ
ップ取付と同時にゲル化することにより目的が達成され
る９ 〔効果〕 （１）、パッケージのキャビティ内に、ペレットおよび
配線等を覆う所定厚でコーティング材が装填されてなる
半導体装置について、所定形状の保持部材を前記コーテ
ィング材に載設または埋設することにより、該半導体装
置が強振動を受けるような場合等であっても該コーティ
ング材のｌｌ１Ｉ９ｈ、ひいては剥がれを防止すること
ができるので、ＭｔＷ動または剥がれに起因するワイヤ
の切断さらにはペレットの剥がれ等の発生を防止できる
ものである。
にセットした後シリコーンゲル原料を上方より該部材の
スルーホール１５ａを通して注入し、その後同様にキャ
ップ取付と同時にゲル化することにより目的が達成され
る９ 〔効果〕 （１）、パッケージのキャビティ内に、ペレットおよび
配線等を覆う所定厚でコーティング材が装填されてなる
半導体装置について、所定形状の保持部材を前記コーテ
ィング材に載設または埋設することにより、該半導体装
置が強振動を受けるような場合等であっても該コーティ
ング材のｌｌ１Ｉ９ｈ、ひいては剥がれを防止すること
ができるので、ＭｔＷ動または剥がれに起因するワイヤ
の切断さらにはペレットの剥がれ等の発生を防止できる
ものである。
（２）、保持部材をその一部でパッケージにより固定す
ることによって、前記ｆｌ＋に記載する効果をさらに向
上させることができる。
ることによって、前記ｆｌ＋に記載する効果をさらに向
上させることができる。
（３）、前記保持部材を熱伝導性材料で形成することに
より、半導体装置の放熱性向上を達成できる。
より、半導体装置の放熱性向上を達成できる。
（４）、…１記（３）に記載する保持部材を、その周囲
をパッケージのダムとキャップの問に挟持する状態で熱
価４性接着剤で固定することにより、キャップから効率
よく放熱を行うことができる。
をパッケージのダムとキャップの問に挟持する状態で熱
価４性接着剤で固定することにより、キャップから効率
よく放熱を行うことができる。
（５）。保持部材を金属製の網を所定形状にプレス等で
成形して形成することにより、十分な放熱性を備えて、
か一つコーティング材の保持力の強いものを提供できる
。
成形して形成することにより、十分な放熱性を備えて、
か一つコーティング材の保持力の強いものを提供できる
。
（６）、保持部材を金属製の仮を所定形状に成形して形
成することにより、放熱性を備え、かつコーティング材
をその上面で保持するに通したものを捉ｌＪ４できる。
成することにより、放熱性を備え、かつコーティング材
をその上面で保持するに通したものを捉ｌＪ４できる。
（７）、スルー）１；−ルを有する板状で、または網材
で保持部（Ａを形成することにより、原ｒ１注入が該部
材をセットした後、その上方より行うことができるとと
もに、保持部材をコーティング材に埋設した場合は、コ
ーティング材が該部材の上方と下方で連続されて装填さ
れるため、保持強度を増大させることができる。
で保持部（Ａを形成することにより、原ｒ１注入が該部
材をセットした後、その上方より行うことができるとと
もに、保持部材をコーティング材に埋設した場合は、コ
ーティング材が該部材の上方と下方で連続されて装填さ
れるため、保持強度を増大させることができる。
（８１，コーティング材としてノリコーンゲルを用いる
ことにより、装填を容易に行うことができると同時にペ
レット等の耐湿性向上およびペレットのα線エラーの防
止対策等を達成できる。
ことにより、装填を容易に行うことができると同時にペ
レット等の耐湿性向上およびペレットのα線エラーの防
止対策等を達成できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではな（、その要旨を逸脱しない範囲で種り変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではな（、その要旨を逸脱しない範囲で種り変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、保持部材としては、その形状が前記実施例に
示したものに限るものでな（、同目的達成に適するもの
であれば如何なるものでもよい。
示したものに限るものでな（、同目的達成に適するもの
であれば如何なるものでもよい。
また、必ずしもその一部をパフケージで固定するものに
限るものでもな（、ｉｉｔにコーティング材上面に載置
したものであっても、単にコーティング材内に埋設した
ものであってもよい。
限るものでもな（、ｉｉｔにコーティング材上面に載置
したものであっても、単にコーティング材内に埋設した
ものであってもよい。
保持部材の金属材料として４２７０イを示したが、銅等
のいかなるものであってもよいことはいうまでもない。
のいかなるものであってもよいことはいうまでもない。
また、コーティング材としてはシリコーンゲルに限らず
、ペレット等の保護を目的に使用される他のゲル材料ま
たは樹脂等の如何なるものについても適用できる。
、ペレット等の保護を目的に使用される他のゲル材料ま
たは樹脂等の如何なるものについても適用できる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である、基板が樹脂で形成
されてなる、いわゆるビングリ１ドアレイ型半導体装置
に通用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、たとえば、キャビティを有するパッケー
ジで形成されてなる半導体装置であって、ペレット等を
コーティング材で被覆して形成されてなる半導体装置で
あれば、パッケージの材ｆｌおよび型式等に関係なく如
何なるものにも適用して有効な技術である。
をその背景となった利用分野である、基板が樹脂で形成
されてなる、いわゆるビングリ１ドアレイ型半導体装置
に通用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、たとえば、キャビティを有するパッケー
ジで形成されてなる半導体装置であって、ペレット等を
コーティング材で被覆して形成されてなる半導体装置で
あれば、パッケージの材ｆｌおよび型式等に関係なく如
何なるものにも適用して有効な技術である。
第１図は、本発明による実施例１である半導体装置を示
す断面図、 第２図は、本発明による実施例２である半導体装置を示
す断面図、 第３図は、本発明による実施例３である半導体装置を示
す断面図、 第４図は、本発明による実施例４である半導体装置を示
す断面図である。 Ｉ・・・ノ、（１反、２・・・ダノ１．３・・・＃妾２
１剤、４・・・キャップ、５・ ・接着材、６・・・キ
ャビティ、７・・・ペレット、７ａ・・・マザーチップ
、８・・・恨ペースト、９・・・メタライズ、１０・・
・ワイヤ、２・・・ビン、１２・・・ノリコーンゲル、
１３・・・ｍ、＋４・・・金属板、１５・・・プラスチ
ック板、＋５３・・・スルーホール。 第 １ 図 第 ２ 図
す断面図、 第２図は、本発明による実施例２である半導体装置を示
す断面図、 第３図は、本発明による実施例３である半導体装置を示
す断面図、 第４図は、本発明による実施例４である半導体装置を示
す断面図である。 Ｉ・・・ノ、（１反、２・・・ダノ１．３・・・＃妾２
１剤、４・・・キャップ、５・ ・接着材、６・・・キ
ャビティ、７・・・ペレット、７ａ・・・マザーチップ
、８・・・恨ペースト、９・・・メタライズ、１０・・
・ワイヤ、２・・・ビン、１２・・・ノリコーンゲル、
１３・・・ｍ、＋４・・・金属板、１５・・・プラスチ
ック板、＋５３・・・スルーホール。 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、パッケージのキャビティ内に、ペレットおよび配線
等を覆う所定厚でコーティング材が装填され、該コーテ
ィング材に保持部材が載設または埋設されてなる半導体
装置。 ２、保持部材が、その一部でパッケージにより固定され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体装置。 ３、保持部材が、その周囲でパッケージのダムとキャッ
プの問に挟持されて固定されてなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ４、保持部材が、金属で形成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ５、保持部材の少なくともコーティング材との接触部が
、網目構造であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置。 ６、保持部材の少なくともコーティング材との接触部が
、１または２以上のスルーホールを有する板状体で形成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置。 ７、コーティング材がシリコーンゲルであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59245929A JPS61125055A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59245929A JPS61125055A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61125055A true JPS61125055A (ja) | 1986-06-12 |
| JPH0457104B2 JPH0457104B2 (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=17140949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59245929A Granted JPS61125055A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61125055A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1355351A1 (en) * | 2001-01-23 | 2003-10-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| GB2400238A (en) * | 2003-02-21 | 2004-10-06 | Visteon Global Tech Inc | Slosh suppressor and heat sink |
| JP2015220238A (ja) * | 2014-05-14 | 2015-12-07 | 日産自動車株式会社 | パワー半導体モジュール及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59188947A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | Matsushita Electronics Corp | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-11-22 JP JP59245929A patent/JPS61125055A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59188947A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | Matsushita Electronics Corp | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1355351A1 (en) * | 2001-01-23 | 2003-10-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| EP1355351A4 (en) * | 2001-01-23 | 2009-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
| GB2400238A (en) * | 2003-02-21 | 2004-10-06 | Visteon Global Tech Inc | Slosh suppressor and heat sink |
| GB2400238B (en) * | 2003-02-21 | 2005-03-16 | Visteon Global Tech Inc | Slosh suppressor and heat sink |
| JP2015220238A (ja) * | 2014-05-14 | 2015-12-07 | 日産自動車株式会社 | パワー半導体モジュール及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0457104B2 (ja) | 1992-09-10 |
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